Ministerul nvmntului,

Tineretului i Sportului
al Republicii Moldova

Universitatea Tehnic a Moldovei

Facultatea Radioelectronica
Catedra Telecomunicaii

Lucrare de
curs
la obiectul: Radioelectronica
pe tema:

Tranzistorul bipolar
KT 608
a efectuat:
a vereficat:
N.

profesorul

Bejan

Chiinu 2002

Cuprins
0. Generaliti. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT 608. . . .. . . . . . . . 4
2. Procedee fizice n tranzistorul bipolar cu structura n-p-n. . . . . . . . . . . . . 5
3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.1 Cuplaj n schema baz comun. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.2 Cuplaj n schema emitor comun. . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10
3.3 Cuplaj n schema colector comun. . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4. Schema echivalent n T a tranzistorului bipolar .. . . . . . . . . . . . . . . . . .13
5. Parametrii hibrizi (H) ai tranzistorului bipolar. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
6.Trasarea dreptei de sarcin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene nalte. . . . . . . . . . . . .19
8. Funcionarea tranzistoarelor bipolare n regim de cheie electronic. . . . 21
9. Parametrii de baz a tranzistorului bipolar KT 608. . . . . . . . . . . . . . . 25
10.Utilizarea tranzistorului bipolar KT 608 n sisteme electronice. . . . . .26
11. Bibliografie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Mod Coala N document Semnat

A elaborat

A verificat

Bejan N.

Data

Tranzistorul KT - 608

Litera

Coala

Coli
27

U.T.M. Facultatea de
radioelectronic, gr.TLC

0.Generaliti
Tranzistor este numit dispozitivul electric semiconductor cu unul sau mai
multe jonciuni i care este folosit pentru amplificarea semnalelor, avnd unul
sau mai multe contacte electrice. Cea mai larg rspndire i utilizare o au
tranzistoarele cu dou jonciuni i trei contacte electrice, ele fiind numite
tranzistoare bipolare. Jonciunile mpart cristalul n trei regiuni. n dependen
de tipul i ordinea regiunilor se deosebesc dou tipuri de tranzistoare p-n-p i np-n. Principiul lor de funcionare fiind acelai.
Una dintre regiuni este dopat cu impuriti mai mult dect celelalte dou
i aceasta este numit emitor. Regiunea din mijloc este numit baz, iar a treia
regiune colector. Destinaia principal a colectorului este extragerea
purttorilor de sarcin din baz, de aceea dimensiunile lui sunt mai mari ca cale
ale bazei. Jonciunea dintre emitor i baz este numit jonciunea emitorului,
iar dintre colector i baz jonciunea colectorului.
Structura simplificat al unui tranzistor bipolar este artat n fig.0.1, a, b,
iar simbolurile grafice n fig.0.1, c i d.

B
a)

E
p

B
b)

c)

C
B
d)

Fig.0.1
Structura simplificat a tranzistorului n-p-n i p-n-p
3

i reprezentarea lor grafic

n tranzistoarele p-n-p purttorii de sarcin de lucru sunt golurile, iar n
tranzistoarele n-p-n electronii. n dependen de mecanismul de deplasrii
purttorilor de sarcin prin regiunea bazei se deosebesc dou tipuri de
tranzistoare: cu drift i fr drift. n tranzistoarele fr drift trecerea purttorilor
de sarcin prin baz se face prin difuzie. Iar n tranzistoarele cu drift trecerea
purttorilor se face pe baza micrii de drift a lor.

1.Tehnologia de fabricare a
tranzistorului KT 608
La etapa actual exist diferite metode de fabricare ale tranzistoarelor. n
dependen de tipul tranzistorului, destinaia lui se deosebesc urmtoarele
metode de fabricare:
Metoda de aliere
Metoda difuziei
Metoda de conversie
Metoda planar
Metoda mesa planar
Metoda epitaxial planar
Tranzistorul KT 608 reprezint un tranzistor de tip n-p-n. Metoda de
fabricare a acestui tranzistor este metoda planar.
n continuare vom analiza aceast metod.
Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu
aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei, de
aceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidrii
termice a suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti:
1) Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact
trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre
masc i suprafa.
2) Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru
aprarea prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz.
3) Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia
de aprare (nseamn i a p-n jonciunii, care iese la suprafa) de la
influiena diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa
pentru asta este nevoie de a folosi metode speciale de protecie.
n continuare vom prezenta ciclul de fabricare a tranzistorului prin metoda
planar. Se ea o plachet din Si tip-n, care n structura rezultant joac rolul de
colector. Pe aceast plachet peste prima masc de oxid se efectuiaz difuzia
4

acceptorului (de obicei bor) i se primete stratul p al bazei. Apoi peste a doua
masc se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul
emitorului. n sfrit cu ajutorul celei de-a treia mti de oxid se conecteaz
contactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi i n continuar esunt
lipite la aceste contacte srmulie subiri care joac rolul de piciorue ale
tranzistorului.
n varianta considerat placheta este aleas cu o rezisten destul de mare,
pentru a asigura o tensiune de strpungerea a jonciunii colectorului necesar.
Structura unui tranzistor obinut prin metoda planar este artat n
fig.1.1.

n+
n
Fig.1.1
Structura tranzistorului bipolar obinut prin metoda planar
Principala caracteristic a metodei planare este universalitatea, ce permite
pe unele i aceleai dispozitive de fabricat tranzistoare cu diferii parametri.

2.Procedee fizice n
tranzistorul n p n
n fig.2.1 este prezentat structura tipic a unui tranzistor bipolar n-p-n cu
diagramele n(x), Q(x), E(x) i W(x). n continuare vom analiza aceast
structur.
n structura n-p-n analizat concentraia golurilor n regiunea p este mai
mare dect concentraia lor n regiunile n, pp > pn, iar concentraia electronilor
din regiunile n este mai mare dect concentraia electronilor din regiunea
p(fig.2.1, b).
-

a)

b)

c)

d)

n,pEQ nnnpn

+++ --- nppp - +++ npnnn

+ + -

x
x

+
+

EC
e)

EF
EV
x
Fig.2.1

n regim normal de funcionare tranzistorul trebuie s fi conectat astfel

nct jonciunea emitorului s fie polarizat direct, iar cea a colectorului
indirect.
n regim activ curentul total al emitorului I E = IEn + IEp + IErec este alctuit
din curentul IEn de electroni, injectai din emitor n baz, curentul I Ep a golurilor,
injectai din baz n emitor, i curentul I Erec de recombinare a purttorilor de
sarcin n jonciunea emitorului. n aceast sum numai primul curent este
folositor, deoarece anume el influeneaz asupra curentului colectorului,
celelalte componente sunt duntoare, i se tinde de obinut valorile lor ct mai
mici. Micarea electronilor, injectai n baz este condus de recombinarea unei
pri e electronilor, de aceea curentul electronilor I Cn ce se apropie de jonciunea
colectorului, este mai mic ca curentul I En cu mrimea IBrec, ce se numete
curentul de recombinare n baz, care se tinde de a fi micorat. Dac tensiunea
ce cade pe jonciunea colectorului este mai mic, atunci curentul complet al
colectorului va fi dat de ecuaia:
IC = ICn + ICB0
Unde ICB0 curentul invers al jonciunii colectorulu, ce nu depinde de
curentul emitorului. Curentul ICB0 poate fi msurat dac la jonciunea
colectorului aplicm o tensiunea invers i I E = 0.
Curentul ICn este dirijabil, adic depinde de curentul emitorului i poate fi
prezentat ca:
I Cn I E

unde - coeficientul static de transfer al curentului emitorului n conexiunea

BC. Deoarece ICn < IEn < IE, atunci <1. n aa fel, n regim activ avem:
I C I Cn I CB0 I E I CB0 (2.1)
de aunde avem relai pentru :

I C I CB0
IE

(2.2)

De obicei curenii de lucru ai colectorului I C depesc considerabil valoare

ICB0, atunci se poate scrie:
7

I Cn
E B (2.3)
IE

unde:
E

I En
I En

I E I En I Ep I Erec

, (2.4)

este coeficientului de injecie al emitorului.

B

I Cn
(2.5)
I En

este coeficientul de transfer.

Coeficientul de injecie E arat, a cta parte reprezint curentul util de
injecie a electronilor din emitor n baz la curentul deplin al emitorului.
Coeficientul de transfer B arat a cta parte din electroni injectai din emitor n
baz, ajung pn la jonciunea colectorului; valoarea B este cu att mai aproape
de unu, cu ct mai puini electroni recombin n baz la deplasarea lor spre
colector.
Din relaia IB = IE IC i relaia (2.1) obinem:
I B 1 I E I CB0 .
I CB0

La un curent foarte mic al emitorului, egal cu 1 , curentul bazei este

egal cu zero. ns, curenii de lucru al emitorului depesc considerabil valoarea
I CB0
1 ,

i atunci:
I B 1 I E I E I Cn I Ep I Erec I Brec

(2.6)
Pentru schema EC n regim activ din (2.1) i condiia IE = IC + IB avem:
I C I B 1 I CB0 , (2.7)
unde:

I I CB 0

C
1 I B I CB 0

(2.8)

este coeficientul static de transfer al curentului bazei.

n timpul cnd <1, valorile lui pot fi destul de mari, de exemplu lui
=0,99 i corespunde valoarea = 100.

3.Caracteristici statice ale

tranzistorului bipolar
Tranzistorului este un dispozitiv cu trei borne i n schema electric el
poate fi conectat n trei diferite moduri: conectare cu baza comun (BC)
(fig.3.1,a), conectare cu emitorul comun (EC) (fig.3.1,b) i cu colectorul comun
(CC) (fig.3.1,c).
IC

IC

IE

IB
UEB

+
+

UCB

+
UCE

UBE

IB

a)

IE
IB
UEC
UBC

Fig.3.1
Montajele fundamentale pentru tranzistorul n-p-n.
aconexiunea baz comun(BC); bconexiunea emitor comun(EC);
cconexiunea colector comun(CC).
9

n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un

circuit de intrare, n care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de
ieire, n care se obine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face
parte din ambele circuite i se ia ca electrod de referin; acest electrod
(terminal) este denumit i electrod comun. Lund n consideraie care dintre cele
trei borne ale tranzistorului este considerat electrod comun se disting trei
conexiuni fundamentale i anume: conexiunea baz comun (BC); conexiunea
emitor comun (EC); conexiunea colector comun (CC). Cele mai folosite snt
primele dou caracteristici statice.
3.1 Caracteristicile statice n conexiune BC.
Modul de conectare al tranzistorului n conexiunea baz comun (BC),
adic electrodul comun este baza, este prezentat n fig.6, a. n aceast
conexiune caracteristicile statice de intrare reprezint dependena dintre curentul
de intrare care prezint curentul emitorului I E, de tensiunea colectorului cnd
tensiunea aplicat la jonciunea emitorului este meninut constant.
Caracteristicile de intrare. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n
conexiunea BC care arat dependena tensiunii dintre emitor i baz de curentul
emitorului la tensiunea dintre colector i baz fixat. Ele sunt artate n fig.3.2.
Pentru comoditate variabila IE se depune pe axa coordonatelor, iar valoarile
tensiunii UEB pe axa abscisei. Caracteristica de intrare la U EB = 0 este analogic
caracteristicii volt amperice a diodei: curentul IE crete exponenial cu creterea
UEB. n cazul valorilor mari ale curenilor I E caracteristicile de intrare sunt aproape
liniare. Creterea temperaturii deplaseaz caracteristicile de intrare spre axa
curenilor.
IE
UCB=-5V
UCB=0

UEB

Fig.3.2
Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n conexiunea BC
Caracteristica de ieire. Familia caracteristicilor de ieire al tranzistorului
n schema BC, care reprezint dependena curentului colectorului de tensiunea
10

dintre colector i baz la valoarea curentului emitorului constant, este artat

pe fig.3,3. Vom analiza principalele particulariti ale acestor caracteristici.
n cazul cnd curentul IE=0 (UEB<0) i tensiunea UCB<0 n circuitul
colectorului trece curentul ICBo care slab depinde de UCB. Regiunea
caracteristicilor de ieire, care corespunde polarizrii inverse ale ambelor
jonciuni, este numit regiunea de tiere.
n cazul cnd curentul IE>0 (UEB>0) i tensiunea UCB<0 curentul
colectorului poate fi calculat conform relaiei:
IC = IE + ICbo (3.1)
Chiar la valorile UCB=0 curentul colectorului IC poate atinge valori
considerabile. Regiunea caracteristicilor de ieire la conectarea invers a
jonciunii colectorului i la conectarea direct a jonciunii emitorului este
numit regiune activ.
La valori pozitive nu prea mari ale tensiunii U CB caracteristicile de ieire
se curbeaz brusc, iar regiunea valorilor U CB>0 i UEB>0 poart denumirea de
regiune de saturaie.
Particularitatea principal a regiunii active a caracteristicilor de ieire n
schema BC este dependena slab a IC de tensiunea UCB.
Caracteristicile reale de ieire ale tranzistoarelor n BC pot fi descrise de
formula:
IC =IE + ICBo + UCB/rC (3.2)
Unde rC este rezistena colectorului.

IC
IE=3mA
IE=2mA
3

IE=1mA
IE=0

UCB

Fig.3.3
Caracteristicile statice de ieire n conexiune BC

11

3.2 Caracteristicile statice n conexiune EC.

Caracteristicile de intrare. Familia caracteristicilor de intrare n conexiunea
EC arat dependena tensiunii dintre baz i emitor de curentul bazei la tensiunea
dintre colector i emitor fixat UBE = f (IB) la UCE = const. Aceast familie este
prezentat n fig.3.4. Parametrul familiei de caracteristici reprezint tensiunea
dintre colector i emitor.

IB
UCE=0

UCE=-5V

-UBE
Fig.3.4.
Caracteristicile de intrare ale tranzistorului n conexiunea EC
Caracteristicile de ieire. Familia de caracteristici de ieire a tranzistorului
n conexiunea EC, care arat dependena curentului colectorului de tensiunea
dintre colector i emitor la curentul bazei fixat I C = f (UCE) la IB = const, este artat
n fig.3.5 parametrul familiei caracteristicilor este curentul bazei (curentul de
intrare). Regiunile de nceput ale caracteristicilor se ntlnesc n originea
coordonatelor, deoarece la tensiunea UCE = 0 diferena de potenial la jonciunea
colectorului este practic egal cu zero, deci respectiv i curentul colectorului este
egal cu zero. n comparaie cu caracteristicile de ieire ale tranzistorului n
conectarea BC, cele n conectare EC au un unghi de nclinaiei mai mare. Aceasta
se datoreaz unei dependeni mai mari a coeficientului de transfer a curentului
bazei de tensiunea UCE.
n schema conexiunii EC curentul de intrare este curentul I B. Deci avem
relaia:
I C I B / 1 I CB0 / 1 (3.3)

12

Coeficientul de lng IB se numete coeficient static de transfer a curentului

bazei i se noteaz cu :

(3.4)

Lund n consideraie expresia de mai sus (3.4) vom avea:

I C I B I CE 0 (3.5)
unde I CE 0 I CB0 1 . (3.6)
Curentul ICE0 trece prin circuitul colectorului la circuitul bazei deschis
(IB = 0) i reprezint curentul invers al colectorului n schema EC. Valoarea
curentului ICE0 poate s ating dimensiuni destul de considerabile.
Dac curentul IB = - ICB0, atunci valoarea curentului IC este minim i este
egal cu valoarea curentului ICB0.
Din ecuaia (3.14) se poate de determinat:
I I
C CB0 (3.6)
I B I CB0
Coeficientul reprezint un parametru de semnal mare. El se determin din
raportul curentul colectorului ctre curentul bazei la aplicarea unei tensiuni inverse
la jonciunea colectorului. n practic mai des se ntlnete noiunea de coeficientul
diferenial de transfer a curentului bazei, care este egal cu raportul dintre creterii
curentului colectorului ctre creterea curentului bazei la aplicarea tensiunii inverse
la jonciunea colectorului:
dif

I C
, la UC = const
I B

(3.7)

IC
IB>0
IB=0
IB=ICBo
-UCE

Fig.3.5
Caracteristicile statice de ieire n conexiune EC
3.3 Cuplarea tranzistorului bipolar n-p-n n CC.
n fig.3.1,c este prezentat schema de cuplare a tranzistorului n colector
comun. Tensiunea pe emitor n aceast cuplare are aceiai polaritate ca i cea de la
intrare, avnd valori apropiate de ea.
Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul
emitorului i curentul bazei:
13

KI

IE
1
IB

Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena

de intrare foarte joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n
conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se
schimb neesenial la variarea rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd
rezistena de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).

4.Schema echivalent n T
a tranzistorului bipolar
Schemele echivalente ale tranzistoarelor uureaz i minimizeaz
metodele de analiz i calcul ale tranzistoarelor. Parametrii schemei trebuie s
reflecte la maximum procesele fizice din structura tranzistorului, s fie uor
msurabile i date n ndrumare.
Tranzistorul este caracterizat de urmtorii parametri fizici care
caracterizeaz funcionarea lui n curent alternativ: rB' , rC,ECUCB ,CC.
Aceti parametri pot fi calculai i destul de exact controlai n procesul da
fabricare al tranzistorului. Folosind aceti parametri se poate de alctuit schema
echivalent n T a tranzistorului (fig.4.1).
IE
E
+

rE

CC

ECUCB
+

IE

IC

C
-

rC
UEB

IB

r/ B

UCB

Fig.4.1

n schema echivalent reprezentat jonciunile emitorului i colectorului

sunt reprezentate prin rezistenele difereniale rE i rC. Efectul de transfer al
curentului emitorului n circuitul colectorului este artat prin generatorul de
curent echivalent IE, unde = f(). Acest efect se poate arta cu ajutorul unui
generator echivalent de tensiune, conectat n circuitul colectorului. ns, la
calcule ultima metod se utilizeaz mai rar. Reacia intern negativ dup
14

tensiune, este reflectat de generatorul EC UCB n circuitul emitorului.

Rezistena bazei rB' este conectat ntre punctul intern al bazei B i contactul
extern al bazei. Capacitatea colectorului C C unteaz rezistena rC. Capacitatea
emitorului de regul nu se consider. Influena capacitii de difuzie a jonciunii
emitorului se consider automat prin dependena coeficientului de transfer al
curentului de frecven. Capacitatea de barier unteaz o rezisten foarte mic,
i influena ei asupra lucrului n game de frecven se manifest slab.
Schema echivalent prezentat n fig.4.1, nu este comod pentru calcule
practice, deoarece conine dou generatoare. n multe cazuri influena
generatorului ECUCB este neglijat. ns o astfel de neglijare nu este ntotdeauna
bun. Generatorul ECUCB se recomand de a fi nlocuit cu un alt element al
schemei, care reflect, ca i acesta, reacia invers negativ intern a
tranzistorului. Dup cum deja se cunoate, reacia invers n tranzistor apare pe
rezistena de volum rB' . Dac conectm aceast rezisten n serie cu aa
numita rezisten de difuzie a bazei rB' ' , se poate de determinat influena
tensiunii colectorului asupra celei a emitorului ca rezultat al modulaie grosimii
bazei i fr generatorul ECUCB. Atunci rezistena total a bazei tranzistorului
rB va fi compus din dou componente:
rB rB' rB'' (4.1)
unde rB' - rezistena de volum a bazei, iar rB' ' - rezistena de difuzie a bazei.
Rezistena bazei rB' este determinat de geometria tranzistorului
(configuraia bazei n regiunile sale active i pasive), de rezistivitatea
materialului bazei i rezistena contactului bazei.
Rezistena de difuzie a bazei nu depinde de rezistivitatea materialului i ea
poate fi determinat dup formula de mai jos:
rB'' rE 2 1 rE 1 2 (4.2)
Componenta de difuzie a rezistenei bazei poate fi destul de mare. De
aceea la frecvene mici rezistena total a bazei r B , ca regul, depete
considerabil valoarea adus n cataloage a rezistenei de volum a bazei rB' .
Cu consideraia rezistenei de difuzie a bazei schema echivalent n T a
tranzistorului bipolar arat ca n fig.4.2. Rezistenele de intrare ale ambelor
scheme echivalente trebuie s fie egale ntre ele. Deoarece rezistena r B este mai
mare dect rB' , atunci rezistena rE' ' din schema 4.2 trebuie s fie mai mic dect
rezistena rE din schema 4.1. Calculele arat c:
(4.3)
rE'' rE
2
CC
E

IE

r//E

IE

IC

rC
15

r//B

r/ B

Fig.4.2

Schema echivalent a tranzistorului n T pentru conectarea EC se poate de

primit din schema echivalent n conexiune BC, schimbnd ordinea de conectare
a contactelor emitorului i bazei: contactul emitorului se conecteaz la
terminalul comun, iar contactul bazei la intrare. ns, o astfel de schem nu
este comod, deoarece parametrii generatorului n ea se determin nu din
curentul electrodului de intrare a bazei, ci de curentului emitorului. De aceea
pentru schema echivalent n T pentru conexiunea EC se construiete o schem
echivalent special artat n fig.4.3.
CCE
B

IB

rB

IC

IB

rCE
r

//

Fig.4.3

5. Parametrii H ai
tranzistoarelor bipolare
n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol
activ la intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire
tensiunea U2 i curentul I2 (fig.5.1).
I1
U1

I2
U2
16

Fig.5.1
Legtura dintre curenii i tensiunile de intrare i respectiv de ieire a unui
astfel de cuadripol este determinat de dou ecuaii. Pentru tranzistoare cel mai des
se folosesc parametrii h, deoarece ei sunt mai comozi pentru msurri. Sistemul de
ecuaii care arat legtura dentre tensiune i curent cu parametrii h are forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2
Parametrii h din acest sistem de ecuaii au urmtorul sens fizic:
h11

dU 1
dI 2

Rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit

Coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem mers n gol

h12

dU 1
dU 2

dI1 0

Coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm regim de

scurtcircuit

dU 2 0

h21

dI 2
dI 1

dU 2 0

Conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol

h22

dI 2
dU 2

dI 2 0

Parametrii h se msoar n:
h11 []
h12 [adimensional
h21 [adimensional
h22 [S
Schema cu parametrii h este hibrid: unii parametri se msoar n regimul
mers n gol la bornele de intrare, iar alii n regimul de scurtcircuit la bornele de
ieire.
Parametrul tranzistorului ca cuadripol depinde de alegerea punctului static
de funcionare (dup curent continuu), de temperatur, frecven i schema
conectrii.

6. Trasarea dreptei de sarcin

Dac n circuitul colectorului al tranzistorului de conectat un rezistor R C,
atunci schimbrile curentului colectorului se vor determina nu numai de
schimbrile curentului bazei, dar i de modificarea tensiunii dintre colector i
emitor UCE. n timpul lucrului tranzistorului cu sarcina tensiunea U CE nu rmne
constant i totdeauna este mai mic dect FEM a sursei de alimentare a
colectorului EC:
UCE = EC IC RC (6.1)
17

Cu creterea curentului colectorului se mrete cderea de tensiune pe

rezistena sarcinii U RC I C RC , iar tensiunea de pe colector se micoreaz. i
invers, micorarea valorii curentului colectorului duce la creterea tensiunii
colectorului. Modificrile valorilor tensiunii colectorului influeneaz asupra
curentului colectorului n mod opus dect asupra curentului bazei: dac sub
influena curentului bazei curentul colectorului crete, atunci micorarea
tensiunii colectorului n acest timp duce la micorarea puin a valorii curentului
colectorului. Relaia (6.1) poate fi adus la forma:
IC

EC U CE EC U CE

RC
RC
RC

(6.2)

Relaia (6.2) reprezint ecuaia unei linii drepte. Linia dreapt descris de
ecuaia (6.2) de obicei se numete dreapt de sarcin. Pe familia de
caracteristici de ieire dreapta de sarcin poate fi construit dup dou puncte
(fig.6.1). Dac curentul colectorului IC = 0, atunci UCE = EC. Depunnd pe axa
absciselor EC, primim punctul A a dreptei de sarcin. n acest punct tranzistorul
este nchis de tensiunea pozitiv ce cade pe baz n raport cu emitorul. Al doilea
punct al dreptei de sarcin l gsim n dependen de U CE.
Depunnd UCE = 0, primim IC = EC / RC (vezi punctul B de pe
caracteristic). Dreapta dus prin punctele A i B reprezint dreapta de sarcin
necesar.
IC
B
IB>0
IB=0

ICRC

IB=ICBo
-UCE
A

EC

Fig.6.1
Clasificarea amplificatoarelor. Un amplificator este
dispozitivul, n care puterea semnalului la ieire e mai mare dect la intrare. Se
deosebesc amplificatoare de semnal mare i de semnal mic. Amplificatoarele de
semnal mic sunt amplificatoarele, n care amplitudinea curentului sau tensiunii
este ntr-att de mic, nct partea caracteristicii utilizat pentru amplificare poate
18

fi considerat liniar. n amplificatoare de semnal mare se poate de folosit att

partea liniar a caracteristicii ct i cea neliniar.
Cnd amplificatorul este pus n aa regim, c la ieire avem amplitudini
mari de curent i tensiune, el este numit amplificator de putere. Oricare
amplificator pe tranzistoare amplific puterea, dar amplificator de putere este
numit doar acela, la care puterea semnalului de ieire este comparabil cu
puterea consumat de la sursa de alimentare.
Clasificarea regimurilor de lucru. n amplificatoare se
folosesc regimul A i B.
Pe fig.6.2, a este artat dependena curentului colectorului tranzistorului,
care lucreaz n regimul A, de timp. Pe fig.6.2, b, este artat curentul
colectorului n regimul de lucru B, cnd se folosesc dou tranzistoare ce lucreaz
pe rnd. Semiperioadele imre sunt amplificate de un tranzistor, iar cele pare de
altul.
iC
iC

ICmed
ICmed

Fig.6.2
Modificarea curentului colectorului a n regim A, b n regim B.

7. Funcionarea tranzistoarelor
bipolare la frecvene nalte
Comportarea la frecvene nalte a tranzistorului bipolar s-ar putea studia
folosind parametrii y, dar aceasta prezint dezavantajul c este o descriere pur
matematic ce leag curenii de tensiunile de la borne.
De aceea este foarte util de a dispune de o schem echivalent care s
pun n eviden fenomenele fizice ce au loc n tranzistor, att pentru frecvene
joase ct i pentru cele nalte.
n fig.7.1. este prezentat schema circuitului echivalent Giacoletto, pentru
un tranzistor montat n cuplajul BC.

19

Fig.7.1
Circuitul echivalent Giacoletto (conexiune baz comun).
Analiznd figura putem observa c se pot distinge trei regiuni: regiunea 1
corespunde jonciunii emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi
echivelent cu o rezisten rBE, de cteva sute de n paralel cu o capacitate
CBE, de ordinul a sute de pF(capacitate de difuzie).
A doua regiune modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin
baz, cu ajutorul generatorului de curent g mUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a
zeci de k), ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector.
Totodat, rezistena rBB este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este
n jur de 100 .
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se
nlocuiete cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu
capacitatea CBC de ordinul a civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul
de curent s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ
(UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se
definete ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i
creterea infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte
mrimi fiind constante.
Aadar:
gm

i se poate demonstra c:

I C
e

IC
U BE kT

g m rBE h21B

n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile

parazite dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume C EC, CBC i
CEB. Acestea sunt de ordinul a 1-4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene
foarte nalte i din acest motiv de cele mai multe ori se pot neglija. De
20

menionat c exceptnd rCB i rEB care o variaie mic, ceilali parametri ai

circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul de funcionare
static(de exemplu rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).

8. Funcionarea tranzistorului bipolar

n regim de impuls
Tranzistoarele bipolare pe larg sunt utilizate n diferite dispozitive
electrice n calitate de cheie element al aparaturii radioelectronice, funcia
cruia este comutarea i decomutarea circuitului electric. Deoarece are o
rezisten mic n starea deschis i o rezisten mare n starea nchis,
tranzistorul bipolar satisface pe deplin cerinele naintate elementelor de cheie.
Tranzistoarele care sunt destinate pentru lucrul n regim de cheie electronic
(sau regim de impuls) se numesc tranzistoare cheie.
O schem simpl a unui circuit de comutare este prezentat n fig.8.1. n
continuare vom analiza aceast schem, care conine: un tranzistor (este conectat n
schema emitor comun), rezistenele RB, RC n circuitele baz i emitor respectiv. n
circuitul emitorului este conectat sursa de tensiune EC.

+EC
RC
Ieire
Intrare

RB
IB
Fig.8.1
21

Schem a unui circuit de comutare

Dac la intrare nu este impuls, atunci tranzistorul este nchis, iar la
jonciunea emitorului este aplicat tensiunea invers U BE = EBE (punctul A de pe
fig. 8.2,a), prin circuitul colectorului trece curentul invers:
iC I CBU I CB0

iar prin circuitul bazei curentul invers.

iB I BEU I CBU 1 I EBU I CB 0 ,

atunci, la ieirea cheii vom avea tensiunea:

uC 0 ECE RC I CBU ECE .

Acest regim al tranzistorului este numit regim de tiere. Pe familia

caracteristicilor de ieire a tranzistorului acestui regim i corespunde punctul A
(vezi fig.8.2, b).
Dac la circuitul de intrare aplicm nite impulsuri de curent direct
iB E BE U in RB , de exemplu iB I B/// , atunci tranzistorul se va deschide, iar
punctul de lucru se deplaseaz n poziia B, i deci n circuitul colectorului apare
curentul iC I C/// , iar tensiunea colectorului devine egal cu:
uCsat ECE RC I C/// .
Dup cum se vede din fig.8.2, b, tensiunea colectorului rmne negativ,
dar tensiunea jonciunii colectorului uCB uCE u BE este direct, deoarece
tensiunea negativ a bazei are o valoare mai mare dect valoarea tensiunii
negative a colectorului. De aceea jonciunea colectorului se deschide i se
ncepe injecia electronilor din colector n baz. n aa fel, n acest caz electronii
se injecteaz n baz din ambele jonciuni al emitorului i al colectorului.
Acest regim al tranzistorului este numit regim de saturaie.
n regimul de saturaie la creterea curentului de intrare i B curentul
colectorului aproape nu crete (vezi fig.8.2), se mrete numai injectarea
purttorilor de sarcin din colector n baz. Tensiunea de ieire a tranzistorului
cheie va fi:
U ie uCsat uC 0 RC I C/// I CBU .
Regimul activ n cazul dat reprezint doar un interval mic de timp, atunci
cnd tranzistorul trece din regim de tiere n cel de saturaie i invers. n acest
interval de timp punctul static de funcionare de pe caracteristica de sarcin se
deplaseaz de la punctul A la B (vezi fig.8.2).
IC

IC, IB

Regim de
saturaie
B

IC
IB

22

ICBU A
IBEU
Regim de
tiere
IC

UBE
Regim
activ

Regim de
saturaie

Regim de
tiere

a)

b)
Fig.8.2

UBE

Uin EBE
a)

t
EBE

iB

(Uin EBE ) / RB

IBdir
b)

EBE / RB

IBEU
IBinv
iC
ICsat
ICBU

ECE / RC
c)

qB
23

Qsat
d)

t
tre
tcre

tmpr
Fig.8.3

Graficeletensiunilor i curenilor tranzistorului

n regim de comutare. Aceste grafice sunt prezentate n fig.8.3.
Notarea curenilor corespunde fig.8.2. La intrare se aplic un impuls de tensiune
direct Uin, n acelai timp tensiunea bazei este egal cu U in EBE , ea este
depus pe fig.8.3, a n sus. Tensiunea invers, egal cu E BE la fel este prezentat
n aceast figur, dar cu sensul invers.
Graficul curentului de intrare este artat pe fig.8.3, b. Mrimea impulsului
curentului direct al bazei IBdir se determin de rezistena rezistorul R B care se
alege de o valoare puin mai mare dect rezistena jonciunii emitorului:
I Bdir

U in E BE
.
RB

Dup comutarea jonciunii emitorului n direcia invers curentul

jonciunii, ca i n diod, are la nceput o valoare mare, limitat doar de
rezistena RB.
I Binv

E BE
.
RB

Pe parcursul mprtierii sarcinii, rezistena invers a jonciunii emitorului

crete i curentul bazei tinde la valoarea IBEU.
La forma dreptunghiular a impulsului curentului de intrare i B impulsul
curentului de ieire iC (vezi fig.8.3, c) apare cu o reinere n timp t re, care se
determin n mare parte de viteza de cretere tensiunii jonciunii emitorului, care
depinde de capacitatea jonciunii i de curentul direct al bazei.
Dup ce tranzistorul va trece din regimul de tiere n regim activ, curentul
colectorului ncepe permanent s creasc, atingnd valoarea determinat n
timpul tcretere. Acest timp este determinat de viteza de acumulare a sarcinii n
baz i viteza descrcrii capacitii colectorului. n aa fel, timpul total de
comutare al tranzistorului const din timpul de reinere i timpul de cretere:
tcom = tre + tcre.
24

Practic acest timp poate avea valori de la cteva nanosecunde pn la

cteva microsecunde.
Procesul de acumulare i mprtiere a sarcinii bazei q B la comutarea
tranzistorului este artat n fig.8.3, d. Acumularea sarcinii n baz se ncepe
dup timpul de reinere tre, i sarcina n timpul tcretere atinge valoarea qB = Qactiv.
n continuare ca rezulta al scderii tensiunii colectorului, jonciunea colectorului
se deschide i se ncepe injectarea sarcinilor n baz. Sarcina bazei din nou
crete, atingnd valoarea impulsului de intrare qB = Qsat.

9. Parametrii de baz ai
tranzistorului KT 608 B
Tranzistor bipolar, KT 608 fabricat prin metoda planar, de tip n-p-n, este
un tranzistor universal de putere medie. Se folosete n schemele de generare i
amplificare ale semnalelor.

Parametrii electrici ai tranzistorului KT 608B:

Coeficientul static de transfer al curentului n schema EC la U C =50 V,
IE = 200 A: 40 160.
Tensiunea, V, n regim de saturaie la IB = 80 mA i IC = 400 mA
Capacitatea jonciunii colectorului la UCB = 10 V , f = 2 MHz, nu mai mare
de 15 pF.
Capacitatea jonciunii emitorului la UEB = 0 V , f = 2 MHz, nu mai mare de
50 pF.
Curentul invers al colectorului la UCB = 120 V, T = 298K nu mai mare de 10
A.
Parametrii electrici maxim admisibili
ai tranzistorului KT - 602A:
Tensiunea permanent dintre colector baz60 V
Tensiunea permanent dintre colector emitor60 V
Tensiunea permanent dintre emitor baz4 V
Tensiunea de impuls dintre colector i baz i colector i emitor: 80V
Intensitatea curentului colectorului: 400 mA
Puterea disipat de colector:
la T = 20 0C. . . . . . . . . . . . . 500W
25

Temperatura jonciunii de 120 0C.

Temperatura mediului nconjurtor de 85 0C.

10.Utilizarea tranzistorului
bipolar KT - 602
n scheme electronice.
Voi prezenta mai jos un circuit al unui indicator de nivelul nscrierii n care
se utilizeaz tranzistorul bipolar KT 608. n acest circuit el este utilizat ca
tranzistor de clasa B :

26

11. Bibliografie
1.
2.
3.
4.
5.
6.

..
..
Vasilescu G. Electronica 1993.
C .. .:, 1977.
.. .
.. .:, 1977.
27

28