SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

2. SEMICONDUCTOARE

2.1 Purttori de sarcin n semiconductoare

2.1.1 Conductoare, izolatoare, semiconductoare
Din punctul de vedere al proprietii corpurilor solide de a fi strbtute de
curent electric sub aciunea unei tensiuni electrice continue aplicate din exterior,
acestea se mpart n trei mari categorii:
- conductoare (metalele);
- semiconductoare;
- izolatoare.
Dup cum s-a artat anterior, n metale ntlnim o structur cristalin, unde n
nodurile reelei cristaline se gsesc plasai ioni pozitivi, n timp ce printre noduri se
mic liber i haotic electroni. Apariia electronilor liberi se explic prin fora de
legtur foarte slab a electronilor de valen. Concentraia electronilor liberi este
de ordinul 1028 m-3 i nu depinde practic de temperatur. Rezistena electric a
metalelor este determinat de frecvena ciocnirilor electronilor liberi cu ionii
pozitivi din nodurile reelei. Ionii sunt ntr-o permanent vibraie termic n jurul
unei poziii de echilibru. Cu creterea temperaturii, amplitudinea oscilaiilor crete,
ceea ce frneaz micarea de ansamblu a electronilor liberi sub aciunea unui cmp
electric exterior. Aa se explic creterea rezistenei (rezistivitii) metalelor cu
temperatura.
Din punct de vedere al conductivitii ( = 1/), metalele nregistreaz valori
foarte mari, m [106, 108] -1m-1. Exist i o categorie de materiale, numite
izolatoare, pentru care conductivitatea este extrem de mic, i [10-12,10-20] -1m-1.
Electronii de valen ai atomilor acestor materiale sunt foarte puternic legai de
atomi. Izolatoarele nu conduc curentul electric deoarece n interiorul lor, practic, nu
exist purttori liberi de sarcin electric. Aceste materiale, cum ar fi mica,
materiale plastice, sticla, ceramica, marmura, hrtia, cauciucul etc. sunt foarte
folosite n electrotehnic n general pentru a realiza diferite izolaii electrice.
24

2. SEMICONDUCTOARE

ntre metale i izolatoare, din punct de vedere al conductivitii, se plaseaz

semiconductoarele, pentru care s [104, 10-8] -1m-1. Spre deosebire de metale, la
semiconductoare, conductivitatea crete puternic cu temperatura (absolut), aa
cum se indic n fig. 2.1.
La temperaturi foarte coborte,

semiconductoarele sunt izolatoare, iar la

temperaturi ridicate sunt conductoare
destul
de
bune.
n
categoria
semiconductoarelor intr o mare
varietate de substane: oxizi, compui,
elemente chimice ca siliciul, germaniul,
seleniul, etc. n dispozitivele electronice
semiconductoare, cele mai utilizate
materiale sunt cristalele elementelor
T
tetravalente Ge i Si i a unor compui
intermetalici, ndeosebi GaAs (arseniur
de galiu).
Fig. 2.1 Variaia cu temperatura a
n
cazul
semiconductoarelor,
conductivitii semiconductoarelor
electronii de valen sunt legai de atom
mai slab dect la materialele izolatoare. Aceste legturi pot fi rupte dac electronii
primesc o energie suficient devenind astfel electroni liberi. Pentru trecerea
electronilor din stadiul de electroni legai de atom n starea de electroni liberi,
trebuie transmis o energie minim W, numit energie de activare. Pentru
semiconductoare, energia de activare se plaseaz n domeniul 0,025 3 eV.
Fiecare material semiconductor n parte este caracterizat de o anumit valoare a
energiei de activare. Astfel, pentru Ge avem W = 0,72 eV, pentru Si, W = 1,1
eV, etc. Folosind acelai criteriu, al energiei de activare, putem constata c la
metale, W = 0, iar la izolatori, W = 3 10 eV. Energia de activare la metale
fiind nul, la orice temperatur numrul electronilor liberi este acelai. n cazul
izolatoarelor, energia de activare fiind foarte mare, prin nclzire, practic nu apar
purttori liberi.
Datorit valorilor mici, energia de activare poate fi transmis electronilor de
valen din materialele semiconductoare de energia de agitaie termic a ionilor
reelei cristaline. Spre deosebire de metale, cu creterea temperaturii n
semiconductoare crete numrul electronilor liberi. De exemplu, la Si pur,
concentraia electronilor liberi crete de la 1017 m-3 (la temperatura camerei) pn la
1024 m-3, la temperatura de 700 C (legea 3/2).
25

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

2.1.2 Purttori de sarcin n semiconductoare. Semiconductoare

intrinseci
La semiconductoare este caracteristic faptul c la conducie particip pe lng
electronii liberi (de conducie) i electronii de valen, rmai legai de atomii din
reeaua cristalin. Pentru nelegerea acestui tip de conducie analizm comportarea
electronilor dintr-un cristal de germaniu. Atomul de germaniu are patru electroni de
valen. n reeaua cristalului de germaniu, fiecare atom este nconjurat echidistant
de patru atomi. Fiecare electron de valen al unui atom formeaz o pereche cu un
electron de valen din atomul vecin. Electronii devin comuni ambilor atomi. Acest
tip de legtur, caracterizat prin punerea n comun a electronilor de valen ntre
atomii vecini, se numete legtur covalent. n fig. 2.2 a se reprezint modelul
spaial al legturilor unui atom de germaniu din reeaua cristalin, iar n fig. 2.2 b
modelul plan (simplificat) al legturilor covalente dintre atomii de germaniu.
+

+
a

Fig. 2.2 a) Modelul spaial al legturilor unui atom dintr-un cristal

de germaniu pur; b) Legturile covalente ale cristalului de germaniu
pur (reprezentare simplificat n plan a modelului spaial)
Starea legturilor din fig. 2.2 corespunde temperaturilor foarte sczute, cnd
cristalul se comport ca un izolator aproape perfect. La temperaturi mai nalte,
datorit caracterului fluctuant al energiei de agitaie termic, o parte din electronii
din legturile covalente pot deveni electroni liberi, primind o energie (cel puin)
egal cu energia de activare. Electronii eliberai din atomii neutri las n locurile pe
care le prsesc ''goluri'', adic legturi covalente nesatisfcute. Sub aciunea unui
cmp electric exterior, electronii din unele legturi covalente ale atomilor vecini
26

2. SEMICONDUCTOARE

pot ''umple'' aceste ''goluri''. Ca urmare, n atomii de unde au plecat rmn alte
''goluri''. Dup apariia unui ''gol'', un electron dintr-un atom vecin l umple, lsnd
n urma lui alt gol. Prin urmare, are loc o deplasare a electronului legat (de valen)
ntr-un sens i a golului n sens contrar. n acest fel, golurile se comport ca nite
particule fictive, cu sarcin pozitiv +e i mas mp , care se deplaseaz prin cristal
i contribuie, alturi de electronii liberi, la conducia electric.
Micarea electronilor liberi, eliberai din legturile covalente, se poate
reprezenta printr-o micare clasic, supus legilor mecanicii newtoniene, sub
aciunea forelor externe (cmpuri electrice exterioare), a unei particule fictive,
numit electron de conducie. Acesta are sarcina electric -e i o mas mn. n mn se
include efectul cmpului electric periodic, datorat ionilor reelei cristaline,
electronul fiind supus doar forelor externe, macroscopice.
In concluzie, n semiconductoare particip la conducie dou tipuri de purttori
de sarcin mobil: electronii (negativi) i golurile (pozitive).
ntr-un semiconductor pur, la echilibru termic, purttorii mobili apar numai
prin generarea termic a perechilor electron-gol. n acest fel, vor rezulta tot atia
electroni de conducie cte goluri.
Semiconductorul n care concentraia de electroni este egal cu cea de goluri se
numete semiconductor intrinsec, iar concentraia respectiv ni , concentraia
intrinsec:
n 0 = p0 = ni

(2.1)

unde n0 i p0 reprezint concentraiile de electroni, respectiv de goluri, n

semiconductorul pur, la echilibru termic. Pentru o temperatur dat, n0 i p0 sunt
mrimi constante care depind de natura semiconductorului pur respectiv.
2.2 Semiconductoare cu impuriti. Conductivitatea electric a unui
semiconductor cu impuriti
2.2.1 Semiconductoare cu impuriti
Tipul conduciei electrice intr-un semiconductor poate fi determinat i de
prezena i de natura atomilor strini (impuriti) n reeaua sa cristalin. Procesul
(tehnologic) de impurificare a unui semiconductor se numete dopare (sau
dotare). Nivelele normale de dopare sunt foarte mici, de ordinul un atom de
impuritate la 104 107 atomi de semiconductor din cristal.
27

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

n reeaua cristalin se pot introduce dou tipuri de impuriti:

a) dac n cristalul de germaniu se introduc atomi pentavaleni (de exemplu,
arseniu), numai 4 din cei 5 electroni de valen se leag covalent cu atomii vecini
de germaniu, iar cel de-al cincilea se
desprinde de atomul de impuritate i
electron
devine electron liber (fig. 2.3). Pentru ca
Ge
Ge
liber
el s devin electron de conducie, este
suficient o energie n jur de 0,01 eV, la
Ge, respectiv 0,05 eV, la Si, capabil s-l
desprind de atom. La temperatura
As
camerei, practic toi aceti ai 5-lea
electroni devin electroni de conducie.
Electronul cedat nu las ns o legtur
Ge
nesatisfcut; atomul de arseniu (As)
Ge
devine ion pozitiv (devenind purttor de
sarcin imobil). Impuritile pentavalente
creeaz
deci, n reeaua cristalin a
Fig. 2.3 Legturile covalente n
germaniului
un singur fel de purttori
cristalul de germaniu, n care un atom
mobili
de
sarcin:
electroni. Impuritile
de germaniu a fost nlocuit cu un atom
care
permit
astfel
de
cedri de electroni
de impuritate pentavalent (arseniu)
liberi
se
numesc
donori,
iar
semiconductorul cu atomi de impuritate donori se numete semiconductor extrinsec
de tip n (negativ).
n semiconductorul extrinsec de tip n, nn0 reprezint concentraia total de
electroni liberi la echilibru termic, provenii att de la atomii de impuritate, ct i
datorit agitaiei termice a reelei, care genereaz perechi electron-gol. n acest caz,
nn0 >>p0 i semiconductorul are conductivitatea electric mult mai mare dect
conductivitatea aceluiai semiconductor n stare pur. Deoarece conducia n acest
caz se face n principal cu electroni, ea se numete conducie de tip n. n
semiconductorul de tip n, electronii sunt purttori majoritari, iar golurile sunt
purttori minoritari. De exemplu, la 20 C, pentru Ge pur conductivitatea are
valoarea = 2,2 -1m-1, iar Ge de tip n are = 102 -1m-1. Conductivitatea
semiconductorului este cu att mai mare cu ct concentraia purttorilor de sarcin
liberi este mai mare.
b) n cristalul de germaniu se pot introduce impuriti formate din atomi
trivaleni (indiu, galiu, bor, aluminiu). i n acest caz atomii de impuritate vor
ocupa n reea locul unor atomi de germaniu, avnd ns fiecare cte o legtur
covalent nesatisfcut. Atomul trivalent de bor - de exemplu, are lips un electron
28

2. SEMICONDUCTOARE

de legtur (fig. 2.4). Atomul de bor poate accepta un electron provenind de la o

legtur Ge - Ge a unui atom vecin.
Apare un gol care tinde s se
completeze prin atragerea unui
electron de valen de la un alt
Ge
Ge
gol
atom de germaniu vecin. Astfel,
n reeaua semiconductorului se
formeaz un numr de goluri
electron mprumutat
B
egal cu numrul atomilor de
de la atom de Ge vecin
impuritate. Atomii de impuritate
devin ioni negativi (fici) i
poart denumirea de acceptori.
Ge
Ge
Purttorii de sarcin mobili
majoritari sunt n acest caz
golurile iar purttorii mobili de
sarcin minoritari sunt electronii
Fig. 2.4 Formarea golurilor n cristalul de
germaniu extrinsec dotat cu atomi de bor
liberi provenii din generarea de
perechi electron-gol, pe seama
fluctuaiei energiei de agitaie termic a reelei. Deci, np0 >> n0 i avem conducie
de tip p.
2.2.2 Conductibilitatea semiconductoarelor i structura benzilor
energetice
Conform teoriei cuantice, att n stratul de valen ct i n cel de conducie,
electronii sunt caracterizai de valori cuantificate (discontinue) ale energiei.
Nivelele energetice (posibile) ale electronilor de valen se grupeaz n banda de
valen, iar a electronilor liberi n banda de conducie. Cele dou benzi sunt
separate de banda interzis. Se cunoate c pentru semiconductorul intrinsec, pur
din punct de vedere chimic, la o anumit energie primit din exterior, un numr de
electroni din stratul de valen prsesc atomii respectivi, devenind electroni liberi
ce particip la procese de conducie. Aportul energetic exterior necesar este egal cu
nlimea W a benzii interzise.
n fig. 2.5 se prezint structura benzilor energetice n cazul unui semiconductor
intrinsec.
Atunci cnd un electron de valen primete energie din exterior, el poate rupe
legtura covalent, devenind electron liber. Prin acest proces apare i golul, care
29

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

particip la conducie ca purttor de sarcin pozitiv. Ca urmare, electronul liber

este un purttor al crui nivel energetic corespunde benzii de conducie, pe cnd
golul este un purttor pozitiv, al crui nivel energetic corespunde benzii de valen.
Cnd un electron prsete
W
atomul, devenind electron
liber, spunem c se genereaz
Banda de o pereche electron - gol. ntrconducie un semiconductor intrinsec are
loc un proces continuu de
generare a perechilor electron
Banda
- gol, a crui intensitate
W
interzis
depinde de energia primit de
semiconductor, din exterior.
Simultan, are loc i un proces
de
recombinare
Banda de invers,
electron - gol, rezultnd atomi
valen
neutri.
Un semiconductor asupra
Fig. 2.5 Structura benzilor energetice la
cruia nu acioneaz ageni
un semiconductor intrinsec
exteriori cum ar fi: cmp
electromagnetic, radiaii cu particule sau electromagnetice, se spune c se afl la
echilibru termic. n acest caz, concentraiile de electroni i goluri generai prin
mecanism intrinsec, depind de temperatura absolut:

W
ni = p i = A T 3 / 2 exp

2kT

(2.2)

unde ni , pi sunt concentraiile de electroni i goluri n semiconductorul intrinsec, T

- temperatura absolut, k - constanta lui Boltzmann, W - limea benzii interzise,
A - constant, i - indice care arat c procesul se refer la semiconductor intrinsec.
Dac n semiconductor apare un cmp electric, electronii se vor mica n sens
invers cmpului, iar golurile n sensul liniilor de cmp. Se formeaz un curent de
electroni ini , respectiv de goluri ipi , ambii n acelai sens (al liniilor de cmp).
Curentul total de conducie prin semiconductor este egal cu suma celor doi cureni.
Componentele curentului de conducie nu sunt egale (ini > ipi), deoarece
mobilitile celor dou tipuri de purttori nu sunt egale.
30

2. SEMICONDUCTOARE

Analiza folosind structura de

benzi
se
aplic
i
la
W
semiconductoarele extrinseci. n
cazul semiconductoarelor dopate
Banda de
conducie
cu
impuriti
pentavalente
(donoare), impuritile introduc
Wd
Nivel
un nivel energetic n banda
donor
interzis a semiconductorului,
numit nivel donor, situat foarte
aproape de banda de conducie,
ca n fig. 2.6.
Cum valoarea Wd este
foarte mic (0,01 0,05) eV la
Banda de
temperaturile
ambiante
valen
obinuite, practic toi atomii
donori furnizeaz cte un
electron
liber,
electronii
Fig. 2.6 Structura benzilor energetice la un
devenind
astfel
purttori semiconductor extrinsec cu impuriti donoare
majoritari.
W
n cazul semiconductorului
dopat cu impuriti trivalente,
Banda de
acestea introduc n banda
conducie
interzis un nivel acceptor,
foarte aproape de banda de
valen, ca n fig. 2.7. Ca
urmare, la temperatura ambiant,
practic toi atomii acceptori
Nivel
capteaz cte un electron, care a
acceptor
Wa
primit o energie Wa << Wd,
formndu-se un numr de goluri
Banda de
egal cu numrul de atomi
valen
acceptori. Deci, golurile devin n
acest caz purttori majoritari, iar
electronii
devin
purttori
Fig. 2.7 Structura benzilor energetice la un
minoritari.
semiconductor extrinsec cu impuriti acceptoare

31

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

2.3 Jonciunea p n
a

2.3.1 Procese fizice n jonciunea p-n

Na
x
b

Nd
x
pp
x

nn
x

d
-

Ei
x

e
V
f

U0

Fig. 2.8 Jonciunea p-n. a) structura

jonciunii; b) distribuia concentraiei
de impuriti; c) distribuia concentraiei purttorilor majoritari; d) distribuia sarcinii spaiale; e) distribuia
intensitii cmpului electric intern al
regiunii de trecere; f) distribuia
potenialului
32

Dac ntr-un semiconductor se realizeaz,

prin procedee speciale, o zon p i o zon n,
astfel ca trecerea de la o zon la cealalt s se
fac pe o distan foarte mic (de regul, sub
10-5 mm), se obine o jonciune p - n (fig. 2.8).
Notnd cu Na concentraia atomilor
acceptori i cu Nd concentraia atomilor
donori, n fig. 2.8 b se prezint distribuia
concentraiei impuritilor, n cazul ideal, cnd
trecerea de la regiunea p la regiunea n se face
brusc (jonciune abrupt). De obicei,
concentraiile impuritilor n cele dou zone
nu sunt egale (Na > Nd), jonciunea numinduse n acest caz asimetric.
Procesele fizice care au loc n jonciunea p
- n au o importan deosebit n funcionarea
celor mai multe dispozitive semiconductoare.
n cel mai simplu caz, jonciunea p - n poate fi
utilizat
la
realizarea
diodelor
semiconductoare.
n vecintatea suprafeei de separaie a
zonelor p i n exist o variaie puternic a
concentraiei
purttorilor
majoritari.
Diferenele de concentraii ale golurilor i
electronilor determin difuzia purttorilor
majoritari dintr-o zon n alta: golurile tind s
difuzeze din zona n iar electronii n zona p.
Datorit procesului de difuzie, ct i datorit
recombinrii purttorilor majoritari cu cei
difuzai, n vecintatea suprafeei de separaie
are loc o micorare substanial a concentraiei
purttorilor majoritari (fig. 2.8 c). n
consecin, sarcina ionilor imobili ai

2. SEMICONDUCTOARE

impuritilor rmne necompensat de sarcina purttorilor majoritari, conducnd la

apariia n vecintatea suprafeei de separaie, a unei sarcini spaiale fixat n
reeaua cristalin. Sarcina spaial este format din ioni negativi de impuriti
acceptoare, n zona p i de ioni pozitivi de impuriti donoare, n regiunea n (fig.
2.8 d). Regiunea n care apare sarcina spaial, din vecintatea suprafeei de
separare se numete regiune de trecere. Celelalte zone, fr sarcin spaial, se
numesc regiuni neutre.
Sarcina spaial produce un cmp electric intern al regiunii de trecere, care se
opune difuziei purttorilor majoritari (fig. 2.8 e). Prezena cmpului electric duce la
apariia unui potenial, a crui distribuie este precizat n fig. 2.8 f. Se constat
apariia unei bariere de potenial n regiunea de trecere care se va opune difuziei
purttorilor majoritari. in acest caz va exista totui un curent de difuzie id = ipM +
inM , unde ipM i inM sunt componentele curenilor de goluri, respectiv de electroni,
produi de acei purttori majoritari care au o energie suficient de mare pentru a
nvinge bariera de potenial U0 din regiunea de trecere. Cum bariera de potenial
este mare, curentul de difuzie id este foarte mic.
Cmpul intern al jonciunii antreneaz dintr-o zon n alta purttorii minoritari,
formnd un curent de conducie, ic = ipm + inm , unde ipm i inm sunt componentele
curenilor de goluri, respectiv de electroni (purttori minoritari). n regimul de
echilibru termic al unei jonciuni nepolarizate, curentul de difuzie id este egal i de
sens contrar cu curentul de conducie ic , astfel nct curentul rezultant prin
jonciune este nul (fig. 2.9 a).
ua>0

ipM

i
p pm
inm

inM

+ ua -

ua<0

ipM

ipm
inm

inM
ua

U0

i
p pm
inm

- ua +
ipM
n
inM
ua

V
U0

U0
a

Fig. 2.9 Polarizarea jonciunii p n; a) jonciunea p n nepolarizat; b)

jonciunea p n polarizat direct; c) jonciunea p n polarizat invers

Presupunem c jonciunea p-n este prevzut cu dou contacte laterale metalice

(fig. 2.9), care permit conectarea dispozitivului n circuit. Cu toate c exist o
33

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

diferen de potenial ntre zonele p i n, reprezentnd bariera de potenial U0,

tensiunea la bornele dispozitivului, n gol, este egal cu zero. Aceasta se explic
prin existena n circuit a dou contacte metal - semiconductor, care produc
poteniale de contact, astfel nct tensiunea rezultant ntre terminale este egal cu
zero.
Dac se aplic la bornele jonciunii p-n o tensiune ua cu polaritatea din fig. 2.9
b, cmpul electric exterior diminueaz intensitatea cmpului electric din regiunea
de trecere i ca urmare bariera de potenial scade de la valoarea U0 la valoarea U0 ua. Curentul de difuzie crete i poate atinge valori foarte mari, n timp ce curentul
de conducie se modific puin. Curentul prin jonciune este egal cu curentul de
difuzie, format din purttorii majoritari, reprezentnd curentul direct al jonciunii.
Aplicnd o tensiune ua < 0, adic cu polaritatea plus pe borna n, cmpul electric
din regiunea de trecere este ntrit de cmpul electric aplicat din exterior. Bariera
de potenial crete de la U0 la U0 + ua. Curentul de difuzie scade practic la zero.
Prin jonciune va circula curentul de purttori minoritari (de conducie) ic . Ca
valoare, acest curent este foarte mic i
reprezint curentul invers al jonciunii p-n.
p
n
a
Pentru stabilirea unor proprieti ale
regiunii de trecere, eseniale pentru
nelegerea
funcionrii
dispozitivelor

semiconductoare, se folosete un model

x
+
b
simplificat al jonciunii, obinut n ipoteza c
densitile de sarcin spaial, din regiunea
de trecere, sunt constante n cele dou zone
(fig. 2.10).
E
n fig. 2.10 s-a notat cu Ln limea
Em
regiunii de trecere n zona n i cu Lp limea
x
c
regiunii de trecere n zona p.
Se poate deduce lrgimea regiunii de
V
trecere a jonciunii, conform relaiei:
U0

-Lp

Ln

Fig. 2.10 Model simplificat al jonciunii p-n. a) structura jonciunii;

b) distribuia sarcinii spaiale;
c) distribuia intensitii cmpului
electric; d) distribuia potenialului
34

L = L p = Ln =
unde:

2U 0
e

1
1

+
N
N
a
d

- permitivitatea materialului;
e - sarcina electric elementar;

(2.3)

2. SEMICONDUCTOARE

U0 - bariera de potenial;
Na , Nd - concentraiile de impuriti acceptoare, respectiv donoare.
n cazul n care jonciunii i se aplic o tensiune ua , limea regiunii de trecere
devine:
L = L p = Ln =

2 0 (U 0 u a ) 1
1

+
e
N
N
d
a

(2.4)

Pe baza acestui model se pot deduce urmtoarele proprieti importante ale

regiunii de trecere:
- regiunea de trecere se comport ca un dielectric datorit concentraiei sczute a
purttorilor;
- extinderea regiunii de trecere n zonele p i n este invers proporional cu
concentraia impuritilor n zonele respective;
- lrgimea regiunii de trecere crete odat cu tensiunea invers aplicat
jonciunii.
2.3.2 Caracteristica static a jonciunii p-n. Punctul static de funcionare

Fie o jonciune p-n utilizat ca diod semiconductoare (fig. 2.11). Electrodul cu

potenial pozitiv n timpul conduciei se numete anod, iar cellalt electrod se
numete catod.
ia [mA]

a
b

0,3
0,2

p
A

n
C

Ustr 200

100

0,1

ua [V]

10
20

0,4 0,8 1,2

30

ia [A]

Fig. 2.11 Dioda semiconductoare

Fig. 2.12 Caracteristica static a
a) structur; b) simbolizare
diodei semiconductoare
Caracteristica static a diodei semiconductoare reprezint dependena
curentului prin diod, numit curent anodic de tensiunea dintre anod i catod,
numit tensiune anodic.
35

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

n fig. 2.12 se prezint caracteristica static a diodei semiconductoare, pentru

care s-au adoptat scri diferite pe semiaxe. n cadranul I se prezint caracteristica
direct, unde tensiunea anodic are valori foarte mici (0,2, , 0,5V) la Ge i (0,6,
, 0,9V) la Si, iar curentul poate avea valori mari. n cadranul III se reprezint
ramura de polarizare invers, n care tensiunile aplicate diodei pot avea valori mari,
dar curentul prin diod este practic constant i foarte mic. Caracteristica teoretic a
unei diode este de forma:

eu
ia = I S exp a 1
(2.5)
kT
unde:
ua - tensiunea aplicat la borne;
e - sarcina electric elementar;
k - constanta lui Boltzmann;
T - temperatura absolut;
IS - curent de saturaie, dependent de concentraiile purttorilor minoritari.
kT
se exprim dimensional n voli i se numete tensiune
Factorul eT =
e
termic (eT = 26 mV la T = 300 K). Pentru tensiuni inverse mari (fa de eT),
eU a
eU a
<< 1 i ia IS. La polarizri directe, dac Ua > eT i exp
>> 1,
exp
kT
kT
se obine ecuaia:
eu
i a I S exp a
kT

(2.6)

La tensiuni inverse mari se constat o cretere important a curentului invers

prin diod, datorat multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin. Sub aciunea
cmpului electric rezultat prin aplicarea tensiunii la borne, purttorii de sarcin sunt
accelerai, putnd produce ionizri, respectiv generri de perechi electron - gol,
datorit ciocnirilor neelastice. Purttorii rezultai sunt la rndul lor accelerai i pot
genera noi perechi electron - gol prin alte ciocniri neelastice.
Temperatura jonciunii p-n influeneaz substanial curentul prin diod, n
sensul creterii, att la conducia direct, dar n special la polarizarea invers (fig.
2.13).
36

2. SEMICONDUCTOARE

Se consider un circuit electric

format dintr-o diod nseriat cu o
rezisten R i cu o surs de t.e.m E
(fig. 2.14). Dndu-se valorile E i R i
caracteristica static a diodei ia = ia
(ua), se cere s se determine curentul
prin diod i tensiunea la borne.
Pentru rezolvarea problemei, se
utilizeaz caracteristica static a diodei
i relaia obinut prin aplicarea legii a
II-a a lui Kirchhoff pe circuitul
considerat.

ia [A]

Ustr 200

0,3

20 C

0,2

30 C
40 C

0,1

ua [V]

100

0,4 0,8 1,2

10
20
30

[A]

ia = ia (ua)

Fig. 2.13 Influena temperaturii asupra

caracteristicii statice a diodei
semiconductoare

Ria + ua = E

ia
+

ia

ia
R

ia0

tg = R
M

ua

ua

ua0
a

E
b

Fig. 2.14 Dioda semiconductoare n circuit. a) circuitul de alimentare;

b) determinarea punctului static de funcionare

Soluia sistemului constituie curentul prin diod i tensiunea la bornele sale.

Cum relaia ia = ia (ua) este dat sub form grafic, soluia sistemului se obine pe
cale grafic (metoda grafo - analitic). Reprezentarea celei de-a doua ecuaii din
sistem n planul ia - ua poart denumirea de dreapt static de sarcin. Intersecia
dreptei statice de sarcin cu caracteristica diodei se numete punct static de
funcionare. Coordonatele acestui punct (ia ,, ua0) reprezint soluia problemei.
37

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

2.3.3 Comportarea jonciunii p-n n regim variabil, la semnal mic

Fie o diod semiconductoare funcionnd ntr-un punct static de funcionare M,

de coordonate ua0 , ia0 (fig. 2.15). Dac tensiunea anodic are variaii de joas
frecven n jurul valorii ua0 (mici n comparaie cu tensiunea termic eT), de forma:
ia

u a (t ) = u a 0 + u a (t ) ,

ia

ia0

tg = ia/ua
= 1/R

curentul prin diod este:

i a (t ) = i a 0 + i a (t )

ua

ua

Variaia ia(t) este determinat n

funcie de ua , prin intermediul pantei la
caracteristica static n punctul M, adic:

ua0

Fig. 2.15 Regimul dinamic al

jonciunii p n

1 di a
=
Ri du a

unde:

, i a =
ua 0

di
Ri = a
du a

ua 0

1
u a
Ri

se numete rezisten intern a diodei. Folosind ecuaia diodei ideale:

eu
ia = I S exp a 1 , rezult:
kT
di a
eu e eu a
e
= IS
exp a =
I S exp
kT
du a
kT kT kT
di
Ri = a
du a

38

ua 0

e

(i a + I S )
1 + I S =
kT

kT
1
e I S + ia

=
ua 0

kT
1
q I S + ia0

2. SEMICONDUCTOARE

Ri =

eT
I S + ia0

Atunci cnd variaia ua(t) a tensiunii la bornele diodei este de frecven

ridicat, curentul prin diod este determinat i de capacitile proprii ale jonciunii
p-n: capacitatea de barier Cb i capacitatea de difuzie Cd. Schema echivalent a
diodei la variaii mici, de frecven
ridicat, n jurul unui punct static
de funcionare este prezentat n
Ri
fig. 2.16.
Ri
Ri
Cb
Cd
Cb
Capacitatea
de
barier
corespunde
sarcinii
spaiale
acumulate n regiunea de trecere i
a
b
c
depinde de tensiunea ua , conform
relaiei:
Fig. 2.16 Schema echivalent de semnal

C b'

mic a diodei semiconductoare

a) schema echivalent general; b) schema
echivalent la polarizare direct; c) schema
echivalent la polarizare invers

Cb0
1

ua
U0

unde Cb0 este capacitatea de barier a jonciunii nepolarizate.

n fig. 2.17 se prezint variaia capacitii Cb cu tensiunea aplicat.
Cb[pF]

Cb, Cd
Cb

Cd
Uinv [V]

Ua

Ua
20

10

Fig. 2.17 Variia capacitilor diodei cu tensiunea aplicat

a) capacitatea de barier; b) capacitatea de barier i
de difuzie la polarizarea direct
39

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

Capacitatea de difuzie corespunde efectului acumulrii de sarcin datorit

procesului de difuzie a purttorilor de sarcin n regiunile neutre ale
semiconductorului. Valoarea capacitii de difuzie Cd depinde de punctul de
funcionare a diodei, fiind extrem de mic atunci cnd jonciunea este polarizat
invers (fig. 2.17).
La polarizarea n sens direct, rezistena intern a diodei Ri este foarte mic,
astfel c efectul capacitilor Cb i Cd poate fi neglijat. Schema echivalent a diodei
la semnal mic este ca n fig. 2.16 b. La polarizarea invers, rezistena Ri este foarte
mare, deci capacitatea jonciunii, egal practic cu Cb , are un efect de untare care
poate fi neglijat. n acest caz, schema echivalent de semnal mic a diodei rezult ca
n fig. 2.16 c.

2.4 Tipuri de diode semiconductoare

n industrie se folosesc mai multe tipuri de diode semiconductoare, dintre care

amintim: dioda redresoare, dioda de comutaie, dioda cu contact punctiform, dioda
stabilizatoare (Zener), dioda varicap, dioda tunel, fotodioda, dioda
electroluminiscent, dioda laser.
Diodele redresoare se construiesc (sau s-au construit) cu germaniu, siliciu, iar
la puteri mici, cu seleniu. Diodele de putere medie i mare au o construcie care
permite montarea lor pe radiatoare, pentru a crete suprafaa de disipare a cldurii.
Principalii parametri ai diodelor redresoare sunt: curentul mediu redresat, I0;
curentul direct de vrf repetitiv, IFRM; tensiunea invers de vrf repetitiv, URRM;
temperatura maxim a jonciunii, Tj max; rezistena termic, Rth care determin
transferul de cldur n exterior.
La diodele cu siliciu, curentul mediu redresat poate atinge valori de sute sau
chiar mii de amperi, cu tensiuni inverse de vrf repetitive de mii de voli,
temperatura de lucru maxim a jonciunii fiind de 150 C. La diodele cu germaniu,
valorile de curent i tensiune sunt mai mici i temperatura maxim de lucru a
jonciunii este de 80 C.
Diodele redresoare se folosesc pn la frecvene de cca. 1020 kHz, deoarece
la frecvene nalte, capacitatea de barier produce un puternic efect de untare a
rezistenei inverse i proprietile de redresare sunt diminuate (sau chiar dispar).
Dioda stabilizatoare (Zener). Sunt diode cu siliciu, care utilizeaz ramura
caracteristicii curent - tensiune, corespunztoare polarizrii inverse. La o anumit
tensiune invers se produce generarea prin multiplicare n avalan i - ntr-o
40

2. SEMICONDUCTOARE

oarecare msur - prin efect Zener, a perechilor electron - gol. Efectul Zener const
din ruperea unor legturi covalente i formarea perechilor electron - gol datorit
trecerii prin efect tunel a electronilor din banda de valen n banda de conducie.
n consecin, curentul invers prin jonciune ncepe s creasc brusc, tensiunea la
bornele diodei fiind aproape constant. Diodele Zener sunt construite pentru a
funciona n mod normal pe caracteristica invers de strpungere nedistructiv.
Caracteristicile diodei Zener sunt prezentate n fig. 2.18.
ia

ia
IZ

+
ua

UZ

ua

IZ
a

UZ
b

Fig. 2.18 Dioda Zener. a) cazul sensului adoptat ca la diodele redresoare;

b) cazul sensului de referin inversat
Principalii parametri ai diodei Zener sunt: puterea nominal, tensiunea
nominal de strpungere, UZ (pentru o valoare specific a curentului n regiunea de
strpungere, IZ), rezistena intern (dinamic) n poriunea de funcionare a
caracteristicii, coeficientul de variaie cu temperatura a tensiunii stabilizate:

Z =

1 U Z

100 % / 0 C
U Z T

Puterile diodelor stabilizatoare ating zeci de W i tensiuni UZ cuprinse de la 2

pn la sute de voli.
2.5 Tranzistorul bipolar
2.5.1 Tranzistorul ca element comandat prin semnal

Una din funciile eseniale pe care le realizeaz tranzistorul este amplificarea

semnalelor electrice. Un amplificator are structur de diport; la bornele de intrare
41

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

se aplic un semnal, iar la bornele de ieire, un receptor numit sarcin (rezisten

sau n general impedan de sarcin) pe care se obine semnalul amplificat (fig.
2.19 a).
Considerm cazul simplu, n care amplificatorul are ca sarcin o rezisten R i
conine un singur tranzistor. Analiznd circuitul dinspre bornele de ieire 2 2
amplificatorul se poate reprezenta printr-un generator echivalent de tensiune sau de
curent G, comandat prin semnalul de intrare, notat generic prin x1 (fig. 2.19 b).
1 i1

u1

u2
1

R
2

i2
x1

R
R

2
b

i0+i2

i2
x1

2
G
2
c

Fig. 2.19 Funcia de amplificare a tranzistorului. a) structura de diport a unui

amplificator; b) schema echivalent cu generator echivalent de tensiune sau
curent; c) schema echivalent cu surs de alimentare

Generatorul de semnal G reflect n esen proprietile de amplificare ale

tranzistorului, fr a specifica un aspect esenial: amplificarea n putere se
realizeaz pe seama consumului de energie de la o surs de alimentare care asigur
funcionarea normal a tranzistorului. Aceast surs este menionat n fig. 2.19 c,
ca avnd t.e.m. E. Este posibil ca sarcina s fie parcurs numai de curentul i2
produs de semnalul de intrare, nu i de componenta continu i0, care asigur
funcionarea normal a tranzistorului.
Ca urmare, cel mai simplu amplificator conine: sarcina, pe care se obine
semnalul amplificat; tranzistorul, care se comport ca un generator de tensiune sau
de curent, comandat prin semnalul de intrare; elementele care asigur funcionarea
tranzistorului ntr-un regim, unde se obin proprietile de amplificare (sursa E i
alte elemente).
Exist dou categorii de tranzistoare: bipolare i unipolare.
n tranzistoarele bipolare, mecanismul conduciei este determinat att de
purttorii majoritari, ct i de purttorii minoritari din semiconductor. Semnalul xi
prin care se comand tranzistorul bipolar ntr-un etaj de amplificare este un curent
electric iar generatorul echivalent G este un generator de curent.
42

2. SEMICONDUCTOARE

2.5.2 Structura fizic i funcionarea tranzistorului bipolar

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni

formate printr-o succesiune de 3 zone pnp sau npn (fig. 2.20). Zona din mijloc a
tranzistorului se numete baz (B) i este realizat cu urmtoarele proprieti: este
foarte ngust (de ordinul micronilor sau chiar zecimi de micron) i are o dopare cu
impuriti mult mai mic dect regiunile laterale. O zon extrem, cu cea mai mare
dopare cu impuriti se numete emitor (E). Cealalt zon extrem se numete
colector (C).
E

B
a

B
b

Fig. 2.20 Tranzistorul bipolar. a) structura pnp; b) structura npn

Cele dou jonciuni ale unui tranzistor se numesc jonciunea emitorului,

respectiv jonciunea colectorului. La funcionarea n regiunea activ (n care se
manifest proprietile de amplificare ale tranzistorului), jonciunea emitorului este
polarizat n sens direct, iar jonciunea colectorului n sens invers. Pentru a urmri
procesele fizice din tranzistor studiem tranzistorul pnp. Pentru structura npn
funcionarea este similar, inversndu-se rolurile electronilor i golurilor i
sensurile tensiunilor i curenilor.
Presupunem c se alimenteaz numai jonciunea colectorului (EE = 0). Prin
aceast jonciune va circula n acest caz numai curentul invers, de purttori
minoritari, notat cu ICB0 . Regiunea de trecere a jonciunii are o lrgime mare,
datorit prezenei tensiunii de polarizare invers EC . Ea se extinde mult n zona
bazei, deoarece aceasta este mult mai slab dopat cu impuriti dect n zona
colectorului.
Dac se consider alimentarea normal a tranzistorului (fig. 2.21), cu
jonciunea emitorului polarizat n sens direct, va exista un curent de difuzie prin
aceast jonciune: golurile din emitor difuzeaz n baz, formnd curentul ipE , iar
electronii din baz difuzeaz n emitor, formnd curentul inBE .
Deoarece concentraia impuritilor, deci i a purttorilor majoritari, este mult
mai mare n emitor dect n baz, curentul de difuzie prin jonciunea emitorului va
fi, in cea mai mare parte, curent de goluri. Golurile injectate de emitor n baz,
formnd curentul ipE al jonciunii emitorului devin n baz purttori minoritari. S-a
43

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

precizat c lrgimea w a bazei este foarte mic iar regiunea de sarcin spaial a
jonciunii colectorului se extinde mult n zona n a bazei. n consecin, golurile
difuzate n baz vor fi preluate i transportate n colector de ctre cmpul intern din
regiunea de trecere a jonciunii colectorului, formnd curentul ipEC. Transferul
aproape integral n colector al golurilor difuzate n baz se numete efect de
tranzistor. El se produce datorit grosimii foarte reduse a bazei, precum i datorit
extinderii pronunate, n zona bazei a regiunii de trecere a jonciunii colectorului. O
mic parte din golurile injectate n baz nu trec n colector, ci se recombin cu
electronii din baz, formnd curentul ipEB. Sursa EE asigura o circulaie de electroni
care iau locul celor recombinai cu golurile n baz.
w
p

p
ipEC

ipE

ipEB

inBE
iE
+

EE

iB

EC

iC

iE

ICB0

iB
iC

EE

EC

Fig. 2.21 Tranzistorul pnp a) diagrama curenilor prin tranzistor; b) simbolul

tranzistorului n circuitul de alimentare

Avnd n vedere cele artate, rezult urmtoarele relaii ale curenilor pentru
tranzistorul bipolar pnp:
iE = ipE + inBE
iC = ipEC + ICB0
iB = ipEB + inBE - ICB0
nsumnd iC cu iB i innd cont c:
ipE = ipEC + ipEB
rezult:
44

2. SEMICONDUCTOARE

iC + iB = ipEC + ICB0 + ipEB + inBE -ICB0 = ipE + inBE = iE

Raportul:

N =

i pEC
i pE

se numete factor static de amplificare n curent i are valori de 0,98, , 0,998.

Neglijnd componenta inBE n raport cu ipE deoarece concentraia purttorilor
majoritari n emitor este mult mai mare dect n baz, rezult: iE = ipE . Cu aceast
simplificare se obin ecuaiile uzuale ale curenilor prin tranzistor:
iC = N iE + ICB0
iB = (1- N ) iE - ICB0
n cazul tranzistorului npn (fig. 2.22), electronii majoritari din emitor difuzeaz
n zona bazei. De aici, electronii difuzai, devenii purttori minoritari, trec prin
efect de tranzistor n zona colectorului. Deci, circulaia purttorilor se face n mod
analog tranzistorului pnp, cu deosebirea c sensul curentului de electroni este
invers sensului de circulaie a electronilor. Polaritile tensiunilor aplicate
tranzistorului npn se inverseaz fa de tranzistorul pnp, ns n valori absolute,
aceste tensiuni au acelai ordin de mrime.
w
n

n
inEC

inE

inEB

ipBE
iE

EE

iB

B
a

EC

iC

iE

ICB0

iB
iC
+

EE

EC

Fig. 2.22 Tranzistorul npn a) diagrama curenilor prin tranzistor; b) simbolul

tranzistorului n circuitul de alimentare
45

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

n concluzie, se pot reine urmtoarele aspecte importante privind funcionarea

tranzistorului bipolar, n regimul de lucru considerat (pentru regiunea activ de
funcionare):
- tensiunea ntre emitor i baz este mic (zecimi de volt), ntruct jonciunea
emitoare este polarizat n sens direct;
- tensiunea ntre colector i baz are o valoare mare (voli, zeci de voli sau chiar
sute de voli), deoarece jonciunea colectoare este polarizat invers, putnd
prelua tensiuni mari;
- curentul de colector este aproximativ egal cu curentul de emitor;
- ntruct curentul obinut n ''circuitul de ieire'' al tranzistorului (circuitul de
colector) este practic egal cu curentul din ''circuitul de intrare'' (circuitul baz emitor), iar tensiunea baz - colector este mult mai mare dect tensiunea baz emitor, rezult c puterea ce se poate obine n circuitul de ieire este mai mare
dect puterea n circuitul de intrare, ceea ce permite realizarea funciei de
amplificare n putere a unui semnal.
2.5.3 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

n schemele de amplificare, precum i n alte circuite electronice, tranzistorul

este tratat ca un cuadripol activ, avnd dou borne de intrare i dou borne de
ieire. Dar tranzistorul are numai trei borne (terminale). Rezult c, pentru a fi
utilizat ntr-un anumit circuit, de exemplu de amplificare, este necesar ca o born a
tranzistorului s fie comun att circuitului de intrare ct i circuitului de ieire. n
funcie de electrodul folosit ca born comun, tranzistorul are trei conexiuni
posibile (fig. 2.23): baz comun (BC), emitor comun (EC) i colector comun
(CC).
iE

iC
iB

iC

uEB
EE

uCB
EC +

iB
a

uBE
+ E
iE
B

uCE
b

iB

EC +

iE

+
EB

uBC
iC

uEC

EC

Fig. 2.23 Scheme fundamentale de conectare a tranzistorului. a) baz comun

(BC); b) emitor comun (EC); c) colector comun (CC)
46

2. SEMICONDUCTOARE

Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprim legturile dintre curenii prin
tranzistor i tensiunile aplicate, n regim staionar. Dependenele se pot exprima
analitic, ns cel mai frecvent se dau sub form grafic.
Principalele caracteristici ale tranzistoarelor sunt:
- familia caracteristicilor de ieire, care d dependena curentului din circuitul
de ieire n funcie de tensiunea la bornele de ieire i curentul din circuitul de
intrare (ca parametru): iE = f(uE, ii);
- familia caracteristicilor de intrare reprezint dependena curentului din
circuitul de intrare ca funcie de tensiunea de intrare i tensiunea de la bornele
de ieire (ca parametru): ii = f'(ui, uE).
Evident, caracteristicile tranzistorului depind de schema de conectare. Pentru
conexiunea baz comun (BC), cele dou caracteristici reprezint dependenele:
iC = f1 (uCB ,iB)
iE = f2 (uEB ,uCB)
Un exemplu de caracteristici n conexiune BC este dat n fig. 2.24.
iE = 5mA

iE = 4mA

iE = 3mA

iE = 2mA

iE = 1mA
[V]

regiunea de saturaie

iC
[mA] 5

5
10
regiunea de blocare
a

uCB npn
-uCB pnp

iE
[mA]
5

8V npn
uCB= -8V pnp
uCB=

2V npn
-2V pnp

0,4 uEB npn

-uEB pnp

0,2
b

Fig. 2.24 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiune BC.

a) caracteristici de ieire; b) caracteristici de intrare

n planul caracteristicilor de ieire se pot distinge urmtoarele regiuni:

regiunea activ direct (normal), n care jonciunea emitorului este polarizat
n sens direct, iar jonciunea colectorului este polarizat n sens invers, expresia
curentului de colector fiind dat de relaia:
47

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

iC = N iE + ICB0 (pentru iE > 0)

-

regiunea de blocare (de tiere), n care jonciunea emitorului fie nu este

polarizat (deci iC = ICB0), fie este polarizat invers,
regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni sunt polarizate n sens direct,
regiunea activ invers, n care emitorul i colectorul i inverseaz rolurile;
jonciunea colectorului are polarizare direct, iar cea a emitorului are polarizare
invers. Analog cu relaia pentru regiunea activ normal, putem scrie:
iE = I (- iC )+ IEB0

n aceast relaie, sensurile de referin ale curenilor s-au considerat cele de la

regiunea activ normal, iar I i IEB0 au semnificaii similare mrimilor N i ICB0.
n amplificatoarele obinuite, tranzistorul funcioneaz cel mai frecvent n
regiunea activ direct (normal) a caracteristicilor statice. Aici caracteristicile sunt
practic drepte echidistante, avnd o nclinare foarte mic fa de orizontal,
nclinare datorat creterii factorului N cu tensiunea de alimentare uCB . Efectul se
datoreaz ngustrii zonei neutre, ca urmare a lrgirii regiunii de sarcin spaial a
jonciunii colectorului la creterea tensiunii inverse uCB .
Intr-o serie de circuite electronice, cum sunt cele de comutaie static,
tranzistorul funcioneaz n regiunile de blocare, de saturaie i chiar cu alimentarea
inversat.
Pentru reprezentarea complet a caracteristicilor tranzistorului bipolar, se dau
uneori, ntr-o diagram cu patru cadrane, patru familii de caracteristici. Pe lng
cele dou familii deja prezentate (cele de ieire i cele de intrare) se mai dau i
dou familii pentru caracteristici de transfer:
iC = f3 (iB , uCB )
uEB = f4 (uCB ,iB)
In circuitele electronice, cea mai utilizat schem de conexiune a tranzistorului
bipolar este EC. In aceast conexiune, familiile caracteristicilor de ieire i de
intrare reprezint dependenele:
iC = f (uCE ,iB)
48

2. SEMICONDUCTOARE

iB = g (uBE , uCE)
Familia caracteristicilor de ieire este reprezentat n fig. 2.25.
Pentru a stabili dependena
iC
curentului de ieire iC n funcie de
[mA]
iB = 100A
curentul de intrare iB , folosim
10
relaiile:

iB = 80A

iC =N iE + ICB0

iB =(1 - N ) iE - ICB0

Din cea de-a doua relaie

extragem iE i nlocuim n prima
relaie:

iB = 60A
iB = 40A
iB = 20A

iB = 0
5

10

15

iE =

i B + I CB 0
1N

iC =

N
(iB + I CB 0 ) + I CB 0 = N iB + ( N + 1 N ) I CB 0
1 N
1 N
1 N

20 uCE npn
-uCE pnp

[V]

Fig. 2.25 Caracteristicile de ieire ale

unui tranzistor n conexiune EC

Rezult:
iC =

n care

N
I
I
i B + CB 0 = N i B + I CE 0 ; I CE 0 = CB 0
1N
1N
1 N
N =

N
1N

se numete factor de amplificare static n curent al

tranzistorului, n conexiunea EC. Cum N este foarte apropiat ca valoare de 1 (N

= 0,98, , 0,998), factorul N este relativ mare, ntre 30 i 1000. Aa cum s-a
menionat anterior, creterea tensiunii aplicate invers n circuitul colectorului
produce o uoar cretere a factorului N .Aceasta provoac ns o modificare mult
mai pronunat a lui N . Drept consecin, caracteristicile de ieire au n regiunea
activ o nclinare relativ mare, fa de cazul conexiunii BC.
49

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

Regiunea de saturaie a caracteristicii de ieire este situat n cadranul I. In

aceast regiune, caracteristicile de ieire ale tranzistorului sunt foarte apropiate.
Pentru scri obinuite, regiunea de saturaie se reduce practic la o dreapt, cu
nclinaie apropiat de 90, numit dreapt de saturaie.
Regiunea de blocare (tiere), corespunde situaiilor de polarizare invers a
jonciunii emitor - baz. Riguros, regimul de tiere se obine pentru iB = - ICB0.
Dac se consider situaia n care emitorul i colectorul i inverseaz rolurile,
caracteristicile se extind n cadranul III (tranzistor inversat). Apare regiunea activ
invers.
Familia caracteristicilor de intrare este prezentat n fig. 2.26.
i pentru conexiunea EC se poate da o
iB
1V npn
uCE = -1V pnp
reprezentare n patru cadrane prin
[A]
introducerea a dou familii de caracteristici
5V npn
80
uCE =
de transfer:
-5V pnp
60

iC = f' (iB , uCE)

40

uEB = f'' (uCE , iB)

20

[V]

Caracteristicile tranzistoarelor bipolare

se
pot
exprima i sub form analitic. Se
0,2
0,1
0,3 uBE npn
-uBE pnp consider un tranzistor n conexiune BC.
Fig. 2.26 Caracteristici de intrare ale Folosind ecuaia diodei ideale, se pot
deduce ecuaiile curenilor iC i iE , pentru
tranzistorului n conexiune EC
oricare regim de funcionare.
Notnd ICS i IES curenii de saturaie ai jonciunilor de colector respectiv de
emitor, curenii iC i iE pot fi considerai ca rezultnd din nsumarea a cte doi
cureni, corespunztori celor dou jonciuni. Astfel, prin jonciunea colectorului
circul componentele:
eu
I CS exp CB
kT

e u EB
1 dat de jonciunea emitorului ca urmare a efectului de
kT

N I ES exp

tranzistor.
50

1 corespunztoare tensiunii uCB i

2. SEMICONDUCTOARE

n mod similar, prin jonciunea emitorului circul:

e u EB
I ES exp
1 , datorit tensiunii uEB aplicat i
kT

e u CB
1 , datorit efectului de tranzistor n regiunea activ
kT

I I CS exp

invers.
Rezult expresiile:
eu
eu
iC = I CS exp CB 1 + N I ES exp BE 1
kT
kT
eu
eu
i E = I ES exp EB 1 I I CS exp CB 1
kT
kT
Cele dou ecuaii formeaz modelul Ebers - Moll al tranzistorului bipolar.
2.5.4 Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale
tranzistorului

Concentraiile purttorilor minoritari din cele trei regiuni ale tranzistorului

bipolar depind exponenial (T 3/2) de temperatura cristalului. Aceast particularitate
determin o influen important a temperaturilor jonciunilor asupra
caracteristicilor statice ale tranzistorului. Dintre efectele cele mai importante
menionm:
- creterea curentului de colector iC cu temperatura, avnd ca efect deplasarea
spre n sus a curbelor din familia caracteristicilor de ieire (fig. 2.27). O
influen deosebit o are creterea substanial cu temperatura a curentului de
purttori minoritari ICB0 . La tranzistoarele cu Si, curentul rezidual este extrem
de mic, de ordinul nA, astfel c ponderea sa, chiar la temperaturi ridicate, este
mai mic dect la tranzistoarele cu Ge.
51

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

micorarea tensiunii emitor - baz (pentru iE = ct sau iB = ct), avnd ca efect

modificarea caracteristicilor de intrare, att n schema BC, ct i n EC (fig.
2.28 a, b).
creterea coeficientului static de amplificare N i implicit a coeficientului N
la majoritatea tranzistoarelor.

iC
[mA]
8
6

iE

iB = 200A

T1 T2

iB

T1 T2

iB = 150A
T1>T2

20C

iB = 50A

[V]
5

T1>T2

iB = 100A

40C

10

15

20

uCE

Fig. 2.27 Modificarea cu temperatura a

familiei caracteristicilor de ieire la un
tranzistor (conexiune EC)

uEB
a

uBE
b

Fig. 2.28 Modificarea caracteristicilor

de intrare cu temperatura
a) n conexiunea BC;
b) n conexiunea EC

2.5.4 Stabilirea punctului static de funcionare al tranzistorului

Pentru funcionarea corect a tranzistorului bipolar ntr-un etaj de amplificare,

aa cum s-a vzut la nceputul capitolului (cnd s-a discutat despre tranzistor ca
element comandat prin semnal, fig. 2.19 c), tranzistorul trebuie s fie alimentat n
serie cu rezistena de sarcin, astfel nct s fie asigurat funcionarea n regiunea
activ a caracteristicilor de ieire.
Considerm conexiunea EC, care este de fapt i cel mai des folosit n
circuitele electronice.
Asigurarea unui punct static de funcionare n regiunea activ normal a
caracteristicilor, caracterizat de curentul de baz iB0 , curentul de colector iC0 i
tensiunea colector - emitor uCE0 , necesit polarizarea n sens de conducie a
jonciunii emitoare i a jonciunii colectorului n sens de blocare. Aceasta se poate
realiza cu ajutorul a dou surse EC i EB (fig. 2.29). Rezistena RB din circuitul
bazei se alege astfel ca pentru o rezisten de sarcin RS RC i o tensiune de
52

2. SEMICONDUCTOARE

colector EC date, s se impun un punct de funcionare convenabil, n regiunea

activ admisibil a caracteristicii statice.
Schemele din fig. 2.29 au
iC
iC
dezavantajul c necesit dou
RC
RC
surse de alimentare care s
+
iB
iB

asigure funcionarea montajului,

de aceea se folosete rar.
EC
EC
Pentru realizarea etajului de
RB
RB
+
amplificare, se poate utiliza i o

EB
EB
singur surs de alimentare, prin
+
+
care se stabilete att polarizarea
a
b
jonciunii colectorului, ct i
polarizarea jonciunii emitorului. Fig. 2.29 Alimentarea unui tranzistor ntr-un
Cea mai simpl situaie const n
etaj, folosind dou surse de alimentare.
alimentarea bazei de la sursa de
a) tranzistor pnp; b) tranzistor npn
colector EC , printr-o rezisten RB
care asigur valoarea iB0 a curentului de baz (fig. 2.30).
Presupunem c sunt date
caracteristicile de ieire ale
iC
iC
RC
RC
tranzistorului (ca n fig. 2.31)
RB

iC = f (uCE ,iB)

iB

RB

EC

iB

EC

precum i mrimile EC, RB i

u
u
BE
BE
uCE
uCE
rezistena de sarcin (de colector).
Se pune problema determinrii
punctului static de funcionare,
a
b
definit prin mrimile iB0 , iC0 i
uCE0. n acest scop, se scrie legea a Fig. 2.30 Alimentarea unui tranzistor ntr-un
II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de etaj, folosind o singur surs de alimentare.
a) tranzistor pnp; b) tranzistor npn
colector i pe circuitul de
alimentare a bazei.

EC = RC iC + uCE
EC = RB iB + uBE
Deoarece uBE << EC , putem scrie:
53

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

iC
[mA]

iB = 400A
iB = 350A

10

iB = 300A

iB = 250A
6
iC0
4

iB = 200A

iB = 150A
tg = RC

2
5 uCE0 10

15

iB = 100A
iB = 50A
iB = 0
20

25

uCE [V]

Fig. 2.31 Stabilirea punctului static de funcionare pentru

tranzistorul alimentat de la o singur surs

EC RB i B
Pentru deducerea punctului static de funcionare n schema din fig. 2.30, se
rezolv grafic sistemul:
iC = f (uCE ,iB)
EC = RC iC + uCE
EC RB i B
Din ultima ecuaie a sistemului rezult imediat:
iB0 EC / RB
In planul caracteristicilor de ieire se face reprezentarea grafic a dreptei statice
de sarcin (ecuaia EC = RC iC + uCE). Intersecia dreptei statice de sarcin cu
caracteristica corespunztoare curentului iB0, determin punctul static de
funcionare M, de coordonate uCE0 , iC0 .
54

2. SEMICONDUCTOARE

De asemenea, dac se d tensiunea EC i punctul static de funcionare, se pot

calcula rezistenele RC i RB care s asigure punctul static de funcionare dat.
S-a artat c variaia temperaturii produce modificarea caracteristicilor statice
ale tranzistoarelor. Considernd modificarea temperaturii la o valoare mai ridicat,
punctul static de funcionare se modific din M n M' (fig. 2.31). Curentul de
colector crete, iar uCE scade. O cerin important impus circuitului de
polarizare a tranzistorului, care nu este ndeplinit de schemele din fig. 2.30, este
asigurarea stabilitii punctului static de funcionare la variaia temperaturii.
innd seama de influena temperaturii asupra curentului rezidual ICB0,
tensiunii uEB (corespunztoare unui curent iE = const.) i asupra factorului N ,
precum i de efectul acestor mrimi asupra curentului de colector exprimat de
relaia:
iC = iC (ICB0 , UEB , N),
se obine variaia total a curentului de colector, prin diferenierea relaiei i
trecerea la diferene finite:
iC =

i
iC
iC
I CB 0 +
U EB + C N
I CB 0
U EB
N

sau:

iC = S I I CB 0 + SU U EB + S N , unde
SI =

iC
iC
i
; SU =
; S = C
U EB
N
I CB 0

sunt factorii de sensibilitate ai curentului de colector, n raport cu ICB0 , UEB i

N. Micorarea variaiei iC , la modificarea temperaturii, se realizeaz cu ajutorul

unor scheme de polarizare a tranzistorului, care asigur stabilizarea termic a

punctului static de funcionare.

55

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

NTREBRI PROBLEME
1. Cum se comport semiconductoarele din punct de vedere al conductivitii la
temperaturi foarte joase?
2. Care este energia de activare a electronilor de valen W dintr-un
semiconductor (exprimat n eV)?
3. Cine particip la conducie ntr-un semiconductor intrinsec?
4. Ce efect are creterea temperaturii asupra numrului de electroni liberi din
materialele semiconductoare?
5. Cine asigur conducia electric n semiconductoarele intrinseci?
6. Ce relaie este ntre masa electronului de conducie mn i masa electronului
me?
7. Care este sarcina electronului de conducie, fa de sarcina electric elementar
e?
8. Ce relaie respect, pentru un semiconductor pur, la echilibru termic la o
temperatur dat, concentraiile de electroni n0 i de goluri p0?
9. Ce valen au impuritile folosite pentru a realiza un semiconductor extrinsec
de tip n?
10. Ce valen au impuritile folosite pentru a realiza un semiconductor extrinsec
de tip p?
11. Ce valoare poate avea din punct de vedere al energiei un electron liber dintr-un
material semiconductor?
12. Ce valoare poate avea din punct de vedere al energiei un gol dintr-un material
semiconductor?
56

2. SEMICONDUCTOARE

13. Cum depinde de temperatura absolut T concentraia de electroni i de goluri

generai prin mecanism intrinsec ntr-un semiconductor la echilibru termic?
14. Unde este plasat nivelul energetic donor introdus ntr-un semiconductor
extrinsec de tip n de impuritile donoare?
15. Unde este plasat nivelul energetic acceptor introdus ntr-un semiconductor
extrinsec de tip p de impuritile acceptoare?
16. Ce se constat din punctul de vedere al concentraiei purttorilor majoritari n
vecintatea suprafeei de separaie a unei jonciuni p n ?
17. Ce efect are cmpul intern al regiunii de trecere creat de sarcina spaial a unei
jonciuni p-n asupra difuziei purttorilor majoritari?
18. Cine formeaz sarcina spaial a unei jonciuni p n ?
19. n ce relaie se afl, la regimul de echilibru termic al unei jonciuni p-n
nepolarizate, curentul de difuzie id i curentul de conducie ic ?
20. n ce relaie se afl, pentru o jonciune p-n polarizat n sens direct, curentul de
difuzie id i curentul de conducie ic?
21. n ce relaie se afl, pentru o jonciune p-n polarizat n sens invers, curentul de
difuzie id i curentul de conducie ic?
22. Cum variaz la o jonciune p-n, la aplicarea unei tensiuni inverse, limea
regiunii de trecere n funcie de concentraiile de impuriti din zonele
respective?
23. Cum se comport, din punct de vedere al conduciei electrice, regiunea de
trecere a jonciunii p n?
24. Ce efect are asupra lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni p n tensiunea
invers aplicat jonciunii?
25. Ce reprezint caracteristica static a diodei semiconductoare?
57

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

26. Ce se constat la aplicarea pe dioda semiconductoare a unor tensiuni inverse

mari?
27. Cum depinde din punct de vedere al legii matematice, n expresia caracteristicii
teoretice a unei diode semiconductoare, curentul de tensiunea aplicat
jonciunii?
28. Ce efect are creterea temperaturii jonciunii unei diode semiconductoare
asupra valorii curentului prin diod?
29. Cum se definete riguros rezistena intern a unei diode semiconductoare
funcionnd n punctul static M(Ua0 , Ia0), cu variaii de semnal mic ua , ia ?
30. Cine determin apariia capacitii de barier Cb a unei jonciuni p-n?
31. Ce efect are asupra capacitii de barier creterea tensiunii aplicate pe
jonciunea p-n?
32. Ce se ntmpl cu valoarea rezistenei interne a diodei la o valoare mai mare a
curentului de punct static al diodei semiconductoare?
33. Unde se plaseaz n mod normal punctul de funcionare la o diod Zener?
34. Ce regiune a tranzistorului bipolar este caracterizat de cel mai nalt nivel de
dopare cu impuriti?
35. Ce regiune a tranzistorului bipolar este caracterizat de cel mai redus nivel de
dopare cu impuriti?
36. Care este cea mai ngust regiune ntr-un tranzistor bipolar?
37. Cine asigur conducia ntr-un tranzistor bipolar?
38. Cum se definete pentru un tranzistor pnp, factorul de amplificare n curent N?
39. Cine asigur, n cea mai mare parte, pentru un tranzistor pnp curentul de
difuzie prin jonciunea emitorului?
58

2. SEMICONDUCTOARE

40. Ce se ntmpl cu golurile n baza unui tranzistor pnp?

41. Cine determin, pentru un tranzistor pnp, transferul aproape integral al
golurilor din regiunea de emitor n cea de colector?
42. Care este, pentru un tranzistor bipolar n conexiune normal, valoarea tipic a
factorului static de amplificare n curent N ?
43. n ce relaie se afl, pentru un tranzistor bipolar n conexiune normal, curentul
de colector i curentul de emitor?
44. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
activ direct (normal)?
45. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
activ invers?
46. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
de blocare?
47. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
de saturaie?
48. Care este valoarea tipic a factorului de amplificare static n curent al
tranzistorului n conexiunea emitor comun N ?
49. Cum variaz, conform caracteristicilor de intrare ale tranzistorului n
conexiunea emitor comun, pentru aceeai valoare a tensiunii uBE, iB n funcie
de uCE?
50. Ce efect are creterea temperaturii asupra curbelor din familia caracteristicilor
de ieire pentru un tranzistor bipolar funcionnd n conexiunea emitor comun?
51. Ce efect are creterea temperaturii asupra tensiunii emitor-baz pentru un
tranzistor bipolar funcionnd n conexiunea emitor comun?

59