22 noiembrie 2014

Lista de subiecte teoretice pentru examenul partial DE (dispozitive electronice), anul II E

(decembrie 2014)
Subiectele sunt extrase din primele 8 cursuri (predate pana la data de 20 noiembrie 2014).
1.

Proprietatile dispozitivelor electronice.

2.

Electroni si goluri in semiconductorul intrinsec (structura retelei siliciului, legatura chimica, electroni liberi
si goluri, efectul temperaturii).

3.

Rolul impuritatilor electronice in siliciu (donori, acceptori, fenomenul de compensare, efectul variatiei
temperaturii).

4.

Conductia curentului electric prin drift (curent de camp). Mobilitatile purtatorilor de sarcina (efectul doparii,
efectul variatiei temperaturii, campului electric intens).

5.

Curentul de difuzie in semiconductori. Curentul total (difuzie si drift). Relatia lui Einstein.

6.

Generarea si recombinarea termica. Definirea timpului de viata al purtatorilor minoritati, in conditiile de nivel
mic de injectie.

7.

Ecuatiile de continuitate pentru electroni si goluri in semiconductori. Aplicatie: iluminarea unei bare
semiconductoare determina paritia unor purtatori minoritari in exces, care dispar dupa inlaturarea excitatiei.

8.

Jonctiunea pn la echilibrul termic: electrostatica regiunii de sarcina spatiala, in aproximatia golirii totale.

9.

Jonctiunea pn polarizata direct: natura fizica a curentului prin dispozitiv si expresia matematica a acestuia.

10. Jonctiunea pn polarizata invers: natura fizica a curentului invers prin dispozitiv si expresia matematica a
acestuia.
11. Dioda pn abrupta, ideala: polarizarea in curent continuu (direct si respectiv invers) si efectul variatiei
temperaturii
12. Abateri ale caracteristicii I-V de la legea diodei ideale (polarizare directa, respectiv polarizare inversa).
13. Strapungerea jonctiunii pn (cele doua mecanisme fizice). Formula empirica pentru caracteristica I-V in zona de
strapungere.
14. Modelarea diodei pn pentru functionarea la semnale mici. Rezistenta interna (diferentiala) a diodei. Conditia
de semnal mic.
15. Capacitatea de bariera a jonctiunii pn polarizate invers.
16. Curentii care circula prin tranzistorul polarizat normal (in varianta pnp). Factorul de amplificare in curent in
conexiunea BC si respectiv in conexiunea EC.
17. Curentii care circula prin tranzistorul polarizat normal (in varianta npn). Factorul de amplificare in curent in
conexiunea BC si respectiv in conexiunea EC.
18. Modelul Ebers-Moll (cele doua variante). Set de ecuatii si circuit echivalent. Determinarea experimentala a
parametrilor modelului.
19. Caracteristicile statice in conexiune EC
20. Caracteristicile statice in conexiune EC. Abateri de la caracteristicile teoretice.
21. Strapungerea tranzistorului bipolar: (a) in conexiune BC; (b) in conexiune EC