Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
de la criofizic la criotehnologii
Prefa
ntlniri fericite.
Aa considerm noi, autorii acestei cri, c a fost ntlnirea noastr n urm
cu mai muli ani. O ntlnire a unui inginer cu un fizician, un conductor de
doctorat cu un viitor doctorand, dar poate nainte de toate a doi cercettori convini
c pot aborda mpreun cu colegii lor domenii noi.
O ntlnire fericit a fost i cea dintre domnul profesor univ. dr. Karoly
Bondor de la Universitatea din Oradea cu regretatul conf. univ. dr. Ioan Pop de la
Universitatea Politehnica din Bucureti, cei fr de care laboratorul de criogenie i
seciile n care studenii pot s-l foloseasc nu ar exista. La fel, ntlnirea cu
domnul prof. univ. dr. Jean-Paul Issi de la Universitatea Catolic Louvain la Neuve
iar mai apoi cu toi colegii dnsului din laboratorul a cror pori au rmas deschise
pentru toi cei din universitatea noastr, studeni i cadre didactice. Tuturor
acestora le mulumim, convini fiind c nici aceast carte nu ar fi aprut fr
sprijinul domniilor lor.
Aceast carte a fost scris gndindu-ne n primul rnd la studeni i la tinerii
cercettori, dar se adreseaz tuturor celor interesai de fenomenele i tehnologiile
criogenice. Desigur, criogenia este un domeniu tot mai vast, iar importana
aplicaiilor face ca acestea s se dezvolte ntr-un ritm rapid. Noi am ncercat s
prezentm bazele fenomenelor, explicarea acestora, precum i tehnologiile cu
ajutorul crora pot fi studiate.
n primul capitol sunt analizate proprietile fluidelor criogenice cele mai
utilizate practic: azotul i heliul. Am considerat c doar prezentarea proprietilor
acestor fluide nu este suficient. Aceasta, deoarece simpla cunoatere a
proprietilor spectaculoase ale fluidelor criogenice, fr nelegerea fenomenelor
crora se datoreaz, nu va asigura exploatarea lor cu maxim eficien.
Capitolul al doilea este destinat proprietilor materialelor solide la
temperaturi criogenice. n cazul construirii de echipamente destinate a fi
folosite la temperaturi joase se cere utilizarea de materiale cu proprieti
particulare, care uneori variaz foarte mult cu temperatura n intervalele
criogenice, spre deosebire de ceea ce se ntmpl n ingineria de la
temperatura ambiant. Mai mult, la aceste temperaturi poate fi folosit i o
proprietate nou, supraconductivitatea. De aceea, nainte de a fi abordate
tehnicile criogenice, este esenial s se stabileasc cum evolueaz
principalele caracteristici ale materialelor atunci cnd temperatura scade.
Astfel se va putea realiza cea mai bun alegere a materialelor pentru fiecare
aplicaie.
n capitolul al treilea am ncercat s oferim cele mai folosite soluii
pentru cunoaterea temperaturii n sistemele criogenice. Eliminarea ct mai
eficient a erorilor ce pot interveni n estimarea temperaturii se poate face
doar printr-o alegere foarte bun a termometrelor, pe baza principiilor lor de
funcionare. Uneori soluiile ce pot fi alese sunt limitate de particularitile
sistemelor sau aplicaiilor, astfel c pentru a putea determina temperaturile
trebuie folosite orice proprieti care variaz cu temperatura.
n capitolul patru, pe baza primelor trei capitole, sunt descrise cele mai
importante tehnologii de obinere a temperaturilor joase n scop tiinific sau
tehnic. Descrierea acestora este realizat pornind de la principiile refrigerrii
i a reglrii consumului fluidelor termice care stau la baza conceperii,
construirii i funcionrii sistemelor. Sunt descrise att sistemele de obinere
a temperaturilor joase, criostatele cu 3He sau 4He i ultra joase,
refrigeratoarele cu diluie, ct i cele de stocare i manipulare.
Le mulumim tuturor celor care ne vor transmite observaiile lor critice.
Autorii
Cuprins
Capitolul 1
Fluidele criogenice
Capitolul 2
29
Capitolul 3
Termometria temperaturilor joase
126
152
4.1 Introducere......................................................................................152
4.2 Principiile refrigerrii.....................................................................153
4.2.1 Refrigerarea izentropic....................................................153
4.2.2 Lichefierea unui gaz .........................................................154
4.2.3 Refrigerarea izentalpic ....................................................158
4.2.4 Lichefierea 4He .................................................................159
4.2.5 Consideraii generale ........................................................162
4.3 Transferurile termice ......................................................................164
4.3.1 Introducere........................................................................164
4.3.2 Mecanismele de transfer a cldurii ...................................165
4.3.2.1 Transmisia i izolarea caloric ............................166
4.3.2.2 Conducia i convecia n gaze ............................168
4.3.2.3 Radiaia ...............................................................169
4.3.2.4 Rezistena Kapitza ...............................................172
4.3.3 Izolatoare termice .............................................................173
4.3.3.1 Spume izolante ....................................................173
4.3.3.2 Izolatoare pulverizate ..........................................173
4.3.3.3 Izolatoare multistrat.............................................174
4.3.4 Scurgeri termice................................................................175
4.3.5 Suporturile mecanice ........................................................175
4.4 Stocarea i manipularea fluidelor criogenice .................................176
4.4.1 Stocarea ............................................................................176
4.4.2 Manipularea ......................................................................180
4.5 Criostate .........................................................................................182
4.5.1 Principiul criostatului .......................................................183
4.5.2 Ancorarea termic.............................................................186
Bibliografie....................................................................................................218
Fluidele criogenice
Capitolul 1
Fluidele criogenice
1.1 Introducere
Criofizica nseamn n primul rnd producerea frigului, adic gsirea
de sisteme care permit absorbia de cldur la temperaturi joase. Aceasta se
poate realiza fie utiliznd proprietile fizice ale unui fluid, fie cele ale unui
material solid. Prima metod este de departe cea mai rspndit, totui este
interesant de amintit i de metodele de refrigerare care pornesc de la
aplicarea principiilor strii solide.
Temperaturile joase pot fi obinute cu ajutorul fluidelor criogenice
prin dou metode distincte. Prima utilizeaz cldura latent de vaporizare a
unei bi de lichid. A doua const n transferarea cldurii ctre un fluid, n
general un gaz, care este rcit urmrind un ciclu termodinamic continuu.
Aceste dou tehnici se combin perfect.
nainte de a discuta despre producerea de temperaturi joase, trebuie
examinate proprietile speciale ale fluidelor criogenice cele mai utilizate
practic, adic azotul i heliul n stri lichide.
Fluidele criogenice
lichefiat
heliul,
puin
mai
apoi
descoperindu-se
Fluidele criogenice
N2
Ne
H2
243
161
103
31
2.6
0.48
90.2
77.4
27.2
20.4
4.21
3.2
Densitatea (g/ml)
1.14
0.81
1.2
0.07
0.125
0.059
Gazul
He
He
1.2.1 Introducere
Azotul lichid este produs n cantiti mari, fiind utilizat la scar larg
n aplicaii industriale care nu au de-a face neaprat cu criogenia. n fapt
distilarea este metoda cea mai economic de separare a constituenilor
aerului. De asemenea, este mai avantajos transportul i stocarea unui fluid n
stare lichid.
14
N i
15
N, n
Fluidele criogenice
0.0030
Vscozitatea [poise]
0.0025
0.0020
0.0015
0.0010
60
70
80
90
100
Temperatura [K]
110
120
La temperaturi joase variaia este mult mai rapid iar la temperaturi mai mici
de 63 K vscozitatea crete foarte mult i pune probleme de schimb termic
ntre lichid i recipientul n care se afl.
77.4 K
temperatura critic
126.1 K
presiunea critic
33.5 atm
densitatea critic
0.311 g/cm3
63.2 K
0.124 atm
Fluidele criogenice
3.6
-1
-1 -1
3.8
3.4
3.2
3.0
65
70
75
80
Temperatura [K]
85
90
Temperatura
Vscozitatea dinamic
Conductivitatea termic
[K]
[poise x 104]
100
0.687
0.94
150
1.01
1.39
200
1.30
1.82
250
1.55
2.23
300
1.79
2.61
Fluidele criogenice
Fluidele criogenice
1.3.1 Introducere
Pentru temperaturi mai mici dect cele ce pot fi atinse cu ajutorul
azotului lichid, heliul este refrigerentul cel mai utilizat n laboratoare i
practic singurul folosit n aplicaiile industriale.
Heliul este un element rar i practic inert chimic. Concentraia sa n
atmosfera terestr este mai mic de 10-5, dei unele surse minerale, cum sunt
gazele naturale, pot conine pn la 2%.
Spre deosebire de alte gaze, heliul este format din atomi simpli i nu
din molecule. Exist doi izotopi, 3He i 4He. n natur, 3He este de 106 ori
mai rar ca 4He. n general 3He se folosete la experimente n cantiti mici,
de ordinul ctorva cm3, n timp ce 4He se consum cu litrii.
Dac exceptm apa, heliul este fluidul care a fost cel mai studiat.
Heliul lichid prezint proprieti cu totul excepionale, care nu pot fi
explicate pornind de la cunotinele macroscopice care ne permit descrierea
lichidelor obinuite. El este un lichid cuantic. 3He i 4He sunt amndou
lichide permanente, adic la presiunea atmosferic ele rmn n stare lichid
pn la cele mai joase temperaturi. Aceast constatare este deja o ilustrare a
aspectului cuantic al materiei. De asemenea, heliul se comport la
Fluidele criogenice
Fluidele criogenice
vecinii lor, dar vibreaz n jurul poziiei lor de echilibru. Acesta este cazul
solidului.
Energia
0
l
Energia total
a lichidului
Energia potenial
a lichidului
Energia total
(a)
(b)
12
Volumul molar Vm
Solid
16
Lichid
20
24
28
3
Volumul molar Vm [cm /mol]
32
Fluidele criogenice
10
Fluidele criogenice
h2
0 =
8mV
3
2
(1.1)
Cu ct volumul V este mai mic, energia devine mai mare i particula vibreaz
mai intens. La fel i n cazul n care masa m a particulei este mai mic.
Aceast noiune de energie a punctului zero are o influen direct
asupra proprietilor macroscopice ale heliului lichid. Dac rcim lichidul
diminund tensiunea de vaporizare nu vom ajunge niciodat la starea solid,
oricare ar fi temperatura atins. Pentru a atinge acest scop trebuie rcit
printr-o alt metod pn la cel puin 2 K i aplicat o presiune de ordinul a
30 de atmosfere (figura 1.4).
40
4
He solid
Curba de topire
Presiunea [bar]
30
4
20
He lichid
Linia
4
He suprafluid
10
Curba de evaporare
Vapori
2
3
4
5
6
Temperatura [K]
Aa cum vom vedea n continuare i pentru alte gaze rare, n heliu forele de
atracie intermoleculare Van der Waals sunt extrem de slabe. ns, din
contr, energia punctului zero, care practic nu a putut fi calculat pentru alte
11
Fluidele criogenice
substane, este relativ ridicat n acest caz, fiind invers proporional cu masa
particulelor i cu volumul n care sunt constrnse. Rezultatul este c energia
punctului zero este suficient de mare n acest caz pentru a contracara forele
de coeziune i a mpiedica formarea solidului (figura 1.3). Aadar, pentru a
se realiza solidul este necesar aplicarea unei presiuni externe, adic
adugarea la fora Van der Waals a unei fore externe.
Aceasta nu este singura proprietate interesant a heliului. Mai exist o
caracteristic ce intr n contradicie cu fizica clasic i anume
suprafluiditatea, despre care se va discuta n continuare.
Rezumnd, nsi construcia atomului de heliu este responsabil de
cele dou proprieti ce-i confer calitatea de lichid permanent: forele
Van der Waals slabe i energia punctului zero ridicat.
1.3.3 Diagrama de faz a 4He
Pornind de la definiia energiei Gibbs,
G = U TS + PV ,
(1.2)
12
Fluidele criogenice
1.3.4 Suprafluiditatea
n 1930, n Olanda, la Leiden, s-a observat pentru prima oar c
variaia cldurii specifice a heliului lichid n funcie de temperatur prezint
o anomalie la 2.17 K (figura 1.5). n timp ce temperatura scade pn la
aceast valoare, cldura specific crete foarte repede pn la o valoare
foarte mare, pentru a scdea la loc, de asemenea rapid, mai jos de 2.17 K.
Din cauza asemnrii curbei cu litera greac , aceast temperatur se
numete punctul . Variaia brusc a cldurii specifice fiind asociat unei
transformri de faz, ordine-dezordine, feromagnetism-paramagnetism etc.,
s-a dedus c heliul sufer la punctul o tranziie de faz. Pentru a distinge
cele dou faze, s-a numit heliu I faza de deasupra punctului i heliu II faza
de dedesubtul punctului . Aceast din urm faz prezint proprieti care nu
au putut fi explicate dect vreo 10 ani mai trziu.
-1
-1
12
10
8
6
4
2
0
2
Temperatura [K]
13
Fluidele criogenice
14
Fluidele criogenice
(a)
(b)
Figura 1.7: a) Dac introducem un pahar ntr-o baie de heliu II, lichidul va urca pe
suprafaa paharului pn cnd nivelul din pahar va fi acelai cu cel al bii; b) Dac
paharul este ridicat deasupra nivelului bii, heliul va curge peste marginile paharului
15
Fluidele criogenice
Raportul densitilor
1.0
s
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
1.0
1.5
Temperatura [K]
2.0
2.5
16
Fluidele criogenice
= n + s ,
(1.3)
sau
cuprul
(~500 Wm-1K-1).
Contrar
17
Fluidele criogenice
q = n snTvn ,
(1.4)
18
Fluidele criogenice
19
Fluidele criogenice
20
Fluidele criogenice
care
prezint
cteva
analogii
cu
fenomenul
de
supraconductivitate ( 2.7).
Landau a presupus c pentru heliul II atomii lichidului care ocup
nivelul energetic cel mai sczut, adic acela ce suport o condensare
Bose-Einstein, formeaz componenta suprafluid, n timp ce aceia care
ocup nivelele mai nalte formeaz componenta normal. Componenta
suprafluid se gsete deci deja la zero absolut i entropia sa este nul.
1.3.10 3He
Izotopii 3 i 4 ai heliului, avnd proprieti chimice similare, au
proprieti fizice notabil diferite n starea lichid, din cauza diferenei de
compoziie a nucleelor. 4He are doi protoni i doi neutroni, n timp ce 3He nu
are dect un singur neutron. Prima consecin important, masa sa fiind mai
mic, el se lichefiaz la temperatur mai sczut si se solidific la presiune
mai mare.
Cuantic, aceasta se poate nelege uor comparnd energiile n starea
fundamental. Am vzut ( 1.3.2) c dac toate mrimile rmn constante,
21
Fluidele criogenice
energia n starea fundamental crete atunci cnd masa scade. Masa atomului
de 3He este cu 25% mai mic dect cea a celui de 4He. Dei aceast diferen
este relativ mare, clasic nu ar trebui s aib un efect asupra proprietilor
termice a celor dou lichide. Totui, din cauza diferenei energiilor punctului
zero, el are nevoie de mai puin energie termic adiional pentru a face s
treac 3He n stare de vapori i un plus de presiune pentru a-l aduce n stare
solid. Aceasta explic de ce 3He fierbe la o temperatur cu 25% mai mic
dect 4He i de ce are nevoie de o presiune cu 25% mai mare pentru a trece
din stare lichid n stare solid la o temperatur dat (figura 1.10).
40
He solid
spini ordonai
Presiunea [bar]
30
20
Faza B
suprafluid
He solid
spini dezordonai
Faza A
suprafluid
Curba de topire
He lichid
10
Curba de evaporare
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
Temperatura [K]
Vapori
10
He, pentru
He se supune statisticii
22
Fluidele criogenice
23
Fluidele criogenice
Proprietatea
He
He
supraconductor
0.001 0.0027
< 23
particula elementar
atom
atom
electron
magnetic
nu
da
da
statistica
boson
fermion
fermion
cmpul electric
nu
nu
da
entitatea condensat
atom
perechi de
perechi de
atomi
electroni
simetria spaial
da
nu
da
un sistem unic pentru studiul unei diagrame de faz pn la cele mai sczute
temperaturi, fr ca solidificarea s mpiedice observarea tuturor legilor
dinamice ale amestecului.
Figura 1.11 prezint diagrama de faz a amestecului de 3He 4He n
gama de temperatur interesant pentru noi i la presiune inferioar presiunii
de solidificare pentru cei doi izotopi. S remarcm de la nceput c
temperatura de tranziie spre starea suprafluid scade atunci cnd 3He este
introdus n
condensrii Bose-Einstein deoarece 4He este diluat de 3He. Pentru T < 0.85 K
diagrama de faz cuprinde o zon interzis (zona haurat din figura 1.11)
24
Fluidele criogenice
2.0
Temperatura [K]
1.5
3
He/ He suprafluid
1.0
TF
Linia de saparare
a fazelor
0.5
Regiunea celor dou faze
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
3
Concentraia He
Figura 1.11: Diagrama de faz a amestecului 3He/4He
25
Fluidele criogenice
(1.5)
x = 0.065(1 + 10 T 2 )
(1.6)
He ( 3,d ( x = 0)) dect n faza pur de 3He (-L3/NA, unde L3 este entalpia de
-L3/ N0
-3,d (0)
0
x
x3,d = 0.065
26
Fluidele criogenice
He respect statistica
Fermi-Dirac. Energia atomilor de 3He rmai n faza bogat n 4He este deci
o energie total ce va fi
3, d ( x = 0) + k BTF ( x ) .
He pur
-1
C/RT [K ]
5% 3He n 4He
7
6
5
4
3
2
0.1
5 6 7 89
10
5 6 7 89
100
Temperatura [mK]
27
Fluidele criogenice
Figura 1.13
prezint
cldura
specific
molar
funcie
de
specific. Este important de notat c cldura specific scade mai puin rapid
dect fraciunea de 3He. Aceasta datorit entalpiei amestecului de 3He-4He ce
face ca capacitatea caloric pe mol de 3He s creasc cnd x scade.
Proprietile amestecului de 3He 4He descrise mai sus se afl la baza
funcionrii refrigeratorului prin diluie care va fi prezentat n capitolul 4.
28
Capitolul 2
Proprieti ale materiei la temperaturi sczute
29
conductivitatea
(coeficienii
Seebeck
electric ( 2.5),
i
Peltier)
efectele
iar
termoelectrice ( 2.6)
n
final
despre
30
mai rezistent
limita
elasticitii
rezistena la
traciune
mai slab
punctul de
rupere
mai puin
elastic
mai maleabil
mai fragil
mai rigid
mai moale
mai ductil
Alungirea
31
32
-1
2000
1500
4
3
1000
2
1
500
100
200
Temperatura [K]
300
4.2 K
-1
77 K
298 K
150
100
50
33
-1
Solicitarea [Nmm ]
20 K
1000
90 K
500
293 K
0
4
10
10
10
Numrul de cicluri pn la rupere
10
34
35
la punct sczut de topire. Totui, la ora actual aceste aliaje sunt uor
depite de oelurile inoxidabile.
Oelurile inoxidabile sunt relativ ieftine i foarte rspndite iar
utilizarea lor s-a generalizat n aplicaiile criogenice care necesit
conductivitate termic slab i proprieti mecanice bune asociate unei
rezistene chimice bune. Oelurile inoxidabile autentice 18/8 (Cr/Ni) sunt
adaptate n particular pentru temperaturi sczute, cci rezistena lor la
traciune i ductilitatea lor crete cu scderea temperaturii, i aceasta pn la
temperaturile cele mai joase.
Trebuie inut cont c folosirea oelurilor inoxidabile prezint un
inconvenient datorit faptului c dac ele nu sunt clite dup ce au fost
sudate, depunerile de carbon care apar pot cauza o scdere considerabil a
rezistenei la coroziune. O soluie este adugarea n aliaj fie a unei cantiti
de titan de cinci ori mai mare dect cea de carbon (0.08), fie a unei cantiti
de Niobiu de 10 ori mai mare dect cea de carbon. n acest fel, atunci cnd
aliajul este adus la temperaturi nalte, carburile formate vor rmne n soluie
i cromul nu va mai fi afectat. Rezistena la coroziune nu se va modifica i
nu va mai fi obligatorie o clire dup sudur.
Este exclus folosirea oelurilor simple sau a carbonului pentru
aplicaii la temperaturi joase, din cauza transformrilor n urma crora pot
deveni fragile.
Materialele polimere au conductiviti termice inferioare celor ale
aliajelor metalice i constituie o soluie atrgtoare pentru aplicaiile la
temperaturi joase. Coeficientul de dilataie termic mare pune ns probleme
de asamblare. Ele sunt folosite ndeosebi la rezervoarele de heliu.
36
sczute:
conductivitate
termic
mic,
izolare
electric,
transparen, rezisten chimic mare. n plus, dewarele din sticl sunt uor
de realizat, consum puin heliu, dar prezint i inconvenientul de a fi
permeabile la heliu la temperatura ambiant.
2.1.2 Suduri
Metodele de asamblare a pieselor metalice trebuie s in cont de:
- presiunea exercitat asupra mbinrii;
- contraciile diferite ale pieselor asamblate;
- frecvena cu care vor fi montate i demontate;
- numrul de mbinri din jurul unei singure piese.
Sudura este operaiunea prin care se unesc dou corpuri solide pentru
formarea unei mase macroscopice indivizibil, ce se realizeaz fie fr
aportul unui alt material dect cele ale pieselor, fie cu aport de material.
Aliajul fuzibil care servete la sudura metalelor se numete de asemenea
sudur.
Sudurile pot fi clasificate dup punctul lor de fuziune. Sudurile la
puncte joase de fuziune sunt cele mai folosite n criogenie, cci ele permit
separarea i refacerea pieselor fr a fi crescut temperatura metalelor
nvecinate peste 100C.
37
Temperatura [C]
300
232
Pb
200
D
19.2
Sn
100
97.5
61.9
20
40
60
Procentul de cositor [%]
80
100
Figura 2.5: Diagrama de faz plumb cositor. A Amestec lichid Pb i Sn; B amestec
solid Pb i Sn; C Past din Pb solid i Sn lichid; D Past din Sn solid i Pb lichid.
38
Sudur corect
(a)
(b)
39
cldura
specific
elementelor
la
temperatura
40
mai atent arat c anumite elemente (Si, grafit, diamant) prezint o cldur
specific molar la temperatura ambiant mult mai mic dect cea prezis de
aceast lege.
Tabelul 2.1:
Cldura specific i masa atomic a ctorva elemente reprezentative la T = 300 K
Element
Cp (J/gK)
Masa atomic
Cp (J/molK)
Bi
0.1252
209
26.037
Pb
0.1298
207
26.916
Au
0.1293
197
25.535
Pt
0.1330
195
25.995
Sn
0.2327
119
26.728
Ag
0.2340
108
25.242
Cu
0.3890
64
24.781
Fe
0.4600
56
25.702
Al
0.9125
27
24.404
Si
0.7410
28
20.930
grafit
0.9040
12
10.884
diamant
0.5020
12
6.0278
41
NaCl
KBr
PbS
Ag2S
PbCl2
Fe2O3
Cp (J/molK)
49.94
51.23
50.27
74.64
75.55
113.9
Cp (Cp/3R)
2.06
2.01
2.99
3.03
4.6
dx
,
dt
d 2x
x
=
= 2 x unde = / m .
2
m
dt
42
(2.1)
mv 2
x2 m 2
+
= (v + 2 x 2 ) .
E = Ec + E p =
2
2
2
(2.2)
Em =
E
E exp
dv dx
kT
.
E
exp
dvdx
kT
(2.3)
E m = E cm + E pm =
mv 2 1
mv 2
dv
exp
2
2 kT
mv 1
dv
exp
2 kT
m x 1
m x
dx
exp
2
2 kT
(2.4)
= kT / 2 + kT / 2 = kT ,
m x 1
dx
exp
2 kT
deoarece
2
1
y 2 e y dy = 1 / 2
2
(2.5)
e y dy = 1 / 2 .
43
(2.5)
(2.6)
U = 3N AkT = 3RT .
(2.7)
U
Cv =
= 3R = 25 J/mol K .
T V
(2.8)
(2.9)
44
E exp( E / kT ) 3 nh exp( nh / kT )
=
=
exp( E / kT ) exp( nh / kT )
3
Em =
n=0
n=0
n=0
= 3h 0
cu x =
n =0
d
ln
dx
x =0
d
1
1
h
e x = h 0 ln
= h 0 ln
= x 0 ,
x
x
dx 1 e
1 e
e 1
h 0
.
kT
n final se obine
Em =
3h 0
.
e
1
(2.10)
h / kT
h 0 / k
3 N A h 0
.
= 3R
exp(h 0 / kT ) 1
exp(h 0 / kT ) 1
(2.11)
(h 0 / kT ) exp(h 0 / kT ) =
U
Cv =
= 3R
[exp(h 0 / kT ) 1]2
T V
2
( E / T )2 exp( E / T )
= 3R
= 3RE ( E / T ),
2
[
]
(
)
exp
/
T
1
E
unde E =
(2.12)
h 0
se numete temperatura Einstein. Pot fi analizate acum
k
CV = 3R
CV = 3R( E / T ) exp( E / T )
2
45
pt T << E .
(2.13)
10
0.1
Modelul Einstein
(E = 225 K)
7 89
10
5 6 7 89
100
Temperatura [K]
46
+ d sunt
4V 2d
dnl =
,
cl3
(2.14)
47
8V 2 d
dnt =
.
cl3
(2.15)
g ( ) =
1 2
dn dnl + dnt
=
= 4V 3 + 3 2 .
d
d
cl ct
(2.16)
3N =
g ( )d =
4V
3
1 2 3
3 + 3 D .
cl ct
(2.17)
9N
48
3
D
2.
(2.18)
0
Frecvena vibraiilor
h
exp(h / kT ) 1
(2.19)
dU = g ( ) E ( )d .
(2.20)
Integrnd, se obine
U=
Cu
9N Ah
D3
3 d
.
exp(h / kT ) 1
(2.21
h
h
= x i D = D , care este temperatura caracteristic Debye,
kT
k
49
D /T
x 3 dx
ex 1
(2.22)
T
U
CV =
= 3R 3
D
T V
D /T
e x x 4 dx
.
(e x 1)2
(2.23)
CV/3R
3
2
0.1
0.1
T/ D
6 7 8 9
CV 3R,
T << D
CV T3 ,
cu
50
(2.24)
C=T
10
-4
9
8
7
2.4
2.6
51
1/ 3
9N
h D h
D =
=
.
k
k
1 1
4V 3 + 3
cl ct
(2.25)
(2.26)
52
(2.27)
x2 n = exp i (t + ( 2n + 1) qa ) ,
(2.28)
2 m = (eiqa + e iqa ) 2 ,
2 M = (eiqa + e iqa ) 2 .
53
(2.29)
2 cos qa
2 cos qa
2 M 2
= 0,
care ne d
1 1 2
4
1 1
2
= + +
sin 2 ( qa )
M m
M m Mm
1/ 2
(2.30)
Cele
dou
rdcini
(A):
2 = 2a 2 q 2 /( M + m) ,
(B):
2 = 2
corespund
1
1
+ .
M m
celor
dou
(2.31)
curbe
din
ecuaia
de
1 1
2 +
M m
modul optic
(2/m)
1/2
(2/M)
1/2
modul acustic
/2a
54
ca
viteza 2 a 2 /( M + m )
1/ 2
cazul
vibraiilor
acustice
simple,
cu
55
pentru q sunt distribuite uniform n prima zon Brillouin i numrul lor este
de trei ori numrul atomilor din cristal.
Cantitativ, se poate vedea cum dispersia fononilor acustici i optici
influeneaz distribuia frecvenelor i cldura specific a cristalului. Pentru
aceasta, trebuie cunoscute ecuaiile de dispersie n toate direciile reelei, cu
diferitele lor frecvene limit. Ecuaia reprezentnd numrul de moduri de
vibraii cuprinse ntre i + d,
n ( )d =
4V 2
d ,
c3
(2.32)
dq
d ( 2 )d ,
d
(2.33)
predomin.
Frecvena vibraiilor
Figura 2.12: Spectrul vibraiilor reelei n teoria Born Von Karman
56
dou
vrfuri,
corespunznd
diferitelor
limite
pentru
57
4V 2
p dp
h3
(2.34)
2m
F ( )d = 4 2 e 1/ 2 d .
h
(2.35)
n=
8 2me
F ( )d =
3 h2
3/ 2
e03 / 2 .
(2.36)
58
2kT
Energia
Figura 2.13: Densitatea electronilor n funcie de energie la
temperatura T. Doar electronii cu o energie apropiat de 0 pot fi excitai.
(2.37)
dU 0
= 3k 2TF ( 0 ) .
dT
(2.38)
59
1
Ce = 2 k 2TF ( 0 ) .
3
(2.39)
2 k 2 nT
Ce =
= T ,
2 0
(2.40)
unde
3/ 2
2 k 2 n 4 3 2me
2 1/ 2
=
=
2 k 0
2 0
3 h
(2.41.a)
sau
2/3
2 k 2 me 1 / 3
=
n
2
h
(2.41.b)
60
(2.42)
= (Cv / 3V ) ,
(2.43)
61
lichid. Acest aspect este interesant, cci permite efectuarea anumitor teste ale
etaneizrii la azot lichid n loc ca acestea s fie fcute le heliu lichid.
10
Siliciu amorf
0
-10
Inconel
-20
10 (LT - L273)/L273
Oel inoxidabil
-30
Cupru
Alam
-40
Aluminiu
-50
-60
-70
-80
-90
-100
Metacrilat de metil
-110
1
3 4 5 6
3 4 5 6
10
Temperatura [K]
100
62
63
DIAMANT
-1
Conductivitatea termic [W cm K ]
10
ARGINT, AUR
-1
SILICIU
10
GERMANIU
10
-1
10
-2
10
-3
QUARTZ
BISMUT
AgSbTe2
64
suficient
cunoaterea
proprietilor
generale
ale
conduciei
dintre
fluxul
termic
P/A
gradientul
de
temperatur, T/x:
P
T
,
=
A
x
65
(2.44)
termic
cu
ajutorul
electronilor
liberi
ai
solidului
sau
66
= e + r .
(2.45)
~ Cv vl ,
(2.46)
67
e = L0T ,
(2.47)
68
L0 = ( 2 / 3)(k B / q ) = 2.45 10 8V 2 K 2 .
2
10
10
10
10
10
10
-1
-1
Conductivitatea termic [W m K ]
de mprtiere n metale.
Cupru
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
Diamant
Siliciu amorf
-2
-1
10 10 10 10
Temperatura [K]
10
Pornind
de
la
relaia (2.46),
putem
presupune
cum
variaz
69
fononii sunt cei care mprtie electronii. Aa cum numrul de fononi crete
liniar cu temperatura, tot liniar scade drumul liber mediu al electronilor ce
este invers proporional cu temperatura. Aceasta duce la o conductivitate
termic electronic constant la temperaturi nalte, fapt observat i
experimental (figura 2.16). La temperaturi foarte joase este de asemenea uor
de neles comportamentul e. Atunci cnd temperatura scade, amplitudinea
vibraiilor reelei cristaline scade i ea i deci i probabilitatea de mprtiere.
Dac avem un cristal infinit i perfect, limita drumului liber mediu poate fi
infinit. Totui, ntr-un material real, atunci cnd drumul liber mediu devine
de ordinul de mrime al uneia dintre dimensiunile geometrice, electronii sunt
reflectai de ctre suprafaa materialului. La limit, drumul liber mediu este
determinat de ctre dimensiunile cristalului. Se constat aadar c
conductivitatea nu este doar o proprietate specific a materialelor. Lsnd la
o parte dimensiunile finite, mai trebuie inut cont i de faptul c un cristal nu
este niciodat perfect. El conine goluri, dislocri, impuriti, etc., tot ce se
cheam defecte statice ale reelei cristaline. Aceste defecte reduc drumul
liber mediu, care, dac ar fi limitat doar de ciocnirile cu defectele statice, ar
rmne constant indiferent de temperatur. Dac notm contribuia datorat
acestor ciocniri cu Wr, adic rezistivitatea termic rezidual i cu Wi
rezistivitatea termic ideal, atunci rezistivitatea termic electronic va fi
We = Wr + Wi .
(2.48)
70
71
g =
1
3
q max
C v ( q)v g2 ( q) ( q)dq ,
(2.49)
q min
72
cel
de-al
doilea
fiind
vorba
de
unul
,
a a
q3
q2
q3
q1
,
a
a
(a)
2/a
q2
q1
,
a
a
(b)
73
74
log l
constant
exponenial
T -1
log T
75
V = RI .
(2.50)
RA
,
L
(2.51)
ce se msoar n m.
De asemenea, se observ c trecerea unui curent este nsoit de o
degajare de cldur. Acesta este efectul Joule:
Pj = RI 2 ,
(2.52)
Pj fiind puterea termic degajat, care se exprim n Watt. Acest efect Joule
este foarte important n ceea ce privete aplicaiile n ingineria electric. El
76
pierderilor
surselor.
Vom
vedea
mai
ncolo
77
vx
Probabilitatea
vy
Viteza electronului
78
mdv = qEdt
(2.53)
qE
,
m
(2.54)
79
(2.55)
vmax
v0
vd
J = E ,
(2.56)
rezult c
q 2 N
.
m
(2.57)
Drumul liber mediu l este distana parcurs de ctre electron ntre dou
ciocniri,
l = v0 ( 2 ) ,
(2.58)
80
q
m
(2.59)
= qN .
(2.60)
Tabelul 2.3:
Valorile mobilitilor i rezistivitilor ctorva metale la temperatura ambiant.
Ag
Al
Au
Cu
Li
Na
Zn
Cd
(cm2/Vs)
56
12
30
32
18
53
60
80
(10-6 cm)
1.5
2.5
2.0
1.6
8.5
4.3
5.5
6.7
81
10
-2
8
6
4
2
10
T = 3.8 K
-3
8
6
4
2
10
Eantion infinit
-4
10
-3
-2
-1
10
10
10
Drumul liber mediu [cm]
82
83
10 12 14 16 18 20 22
Temperatura [K]
= r + i ,
(2.61)
sau
1
84
(2.62)
85
2.5.2.1 Fotoconductivitatea
Pentru a excita conductivitatea exist i alte metode n afara utilizrii
energiei termice, i anume folosirea luminii. S trimitem un foton luminos de
o anumit energie pe suprafaa unui izolator. Dac energia fotonului este mai
mare dect lrgimea benzii interzise, el poate excita un electron care va trece
n banda de conducie, crend un gol n banda de valen (figura 2.25).
banda de conducie
centru donor
banda interzis
centru
acceptor
banda de valen
86
optic. Acesta este principiul datorit cruia funcioneaz anumite pri ale
aparatelor fotografice. Aceast metod permite de asemenea msurarea
lrgimii benzii interzise a materialelor iradiate. Dac variem lungimea de
und a radiaiei luminoase monocromatice, atunci cnd atingem lungimea de
und corespunztoare energiei benzii interzise se observ un salt brusc, de
cteva ordine de mrime, al conductivitii.
87
obinuit) i aceast energie este n general mult mai mare ca energia termic
medie care este aproximativ egal cu kBT, adic 0.025 eV la temperatura
ambiant.
Aa cum am vzut, statistica clasic poate fi aplicat anumitor
semiconductori, dar nu este indicat pentru metale. Aceast statistic ne
spune c dac energia medie la 300 K este de 0.025 eV exist o probabilitate
diferit de zero, bineeles foarte mic, de a se gsi n distribuia energiei o
valoare foarte mare n raport cu kBT, de ordinul a 1 eV. De aceast
probabilitate foarte mic depind cele mai multe dintre proprietile lor
electrice. Datorit unei astfel de energii, se pot desface anumite legturi
covalente iar electronul astfel eliberat se mic liber n cristal, eventual
accelerat sub aciunea unui cmp electric (figura 2.26.).
E
traiectoria electronului
traiectoria golului
88
cnd
iradiem
un
semiconductor,
excitarea
perechilor
(2.63)
Pentru germaniu foarte pur R poate atinge 10-2 s la temperatura ambiant iar
pentru un eantion de puritate medie 10-4 s. Aceti timpi sunt n general mult
superiori timpilor de relaxare.
Msurarea acestor timpi de via este ngreunat de faptul c R nu este
acelai n miezul probelor i n vecintatea suprafeelor.
Cele mai folosite proprieti ale semiconductorilor sunt acelea ce se
datoreaz impuritilor care pot fi introduse. Introducerea n reeaua de baz
a semiconductorului a ctorva impuriti, atomi bine alei i dozai
89
B
A
(a)
(b)
90
n A, creat de deplasarea electronului din locul su. Acest exces poate atrage
un alt electron, situat n B, spre A, crend un exces de sarcin pozitiv n B
i aa mai departe. Deplasarea unui electron din B spre A este echivalent cu
micarea unui gol dinspre A spre B. Conducia n acest caz se face prin
goluri, fiind vorba de un semiconductor de tip n.
Vedem aadar c conductivitatea extrinsec este de asemenea foarte
sensibil la temperatur i c excitarea electronilor sau golurilor necesit
energii mult mai mici, deci temperaturi mult mai sczute dect pentru
excitarea intrinsec. S notm n plus c densitatea purttorilor n regiunea
extrinsec la o temperatur dat este funcie de proporia impuritilor
adugate.
91
= qN .
(2.64)
=n + p
92
(2.65)
= q( N n + P p ),
(2.66)
= qN ( n + p ) .
(2.67)
V
Seebeck
Peltier
T + T
Thomson
93
S = lim T 0
V
T
(2.68)
i se exprim n V/K.
P
,
I
(2.69)
i se exprim n Voli.
Efectul Peltier, care este obligatoriu nsoit de efectul Joule, se
distinge totui de acesta prin faptul c este reversibil i variaz liniar cu
intensitatea curentului n timp ce efectul Joule este ireversibil i variaz cu
ptratul intensitii curentului electric.
= lim T 0
P
.
I T
(2.70)
94
(2.71)
V =
dT
S (T )
dx =
dx
x1
T2
S (T )dT .
(2.72)
T1
V (T1 , T2 ) = Va Vb =
Sa
dT
dx +
dx
x1
x1
x2
Sb
dT
dx =
dx
T2
(S S )dT . (2.73)
a
T1
95
ntre
cele
dou
elemente.
In
continuare,
prin
putere
96
difuza spre regiunea rece, unde, prin ciocniri, i vor pierde o parte din
energia lor suplimentar n favoarea moleculelor mai reci. Acest flux al
moleculelor dinspre regiunea cald spre regiunea rece este compensat de
ctre transferul energiei calorice de la B la A. Acesta este fenomenul
conductivitii termice care este valabil att pentru un gaz de electroni ct
i pentru moleculele unui gaz perfect. n plus, dac avem de-a face cu un gaz
de particule ncrcate negativ, cum este cazul electronilor liberi ai unui
metal, aceti electroni se acumuleaz n A dnd natere unui cmp electric ce
tinde s contrabalanseze difuzia dinspre B spre A: acesta este cmpul
Seebeck. Aadar n cazul electronilor captul rece este negativ. Prin
convenie, spunem c PTE este negativ. Acesta este cazul unui metal
obinuit.
n cazul semiconductoarelor, cu toate c procesele fizice sunt diferite
de cele descrise mai sus, difuzia datorat gradientului termic se face n
acelai mod, indiferent de semnul sarcinilor. Astfel, ntr-un semiconductor
de tip p golurile au tendina de a se acumula la jonciunea rece i n
consecin aceasta va fi pozitiv. Msurarea PTE permite deci determinarea
semnului purttorilor majoritari ntr-un semiconductor.
97
pot
fi
separate
de
procesele
ireversibile (efectul
Joule,
Tr
I ab (Tc ) I ab (Tr ) + I a dT I b dT + RI 2 .
Tr
Tr
98
(2.74)
b )dT .
(2.75)
Tr
dVab d ab
=
+a b ,
dT
dT
(2.76)
ab (Tc ) ab (Tr )
a b
dS =
dT I .
+
Tr
T
Tc
Tr
(2.77)
ab (Tc ) ab (Tr )
Tc
Tr
Tc
a b
T
dT = 0 .
(2.78)
Tr
d
dT
ab a b
+
= 0,
T
T
r
r
99
(2.79)
1 d
b
( ab ) ab2 + a
= 0,
T dT
T
T
d
( ab ) + a b = ab .
dT
T
(2.80)
(2.81)
ab
T
(2.82)
i derivnd aceasta cu T,
dS ab
d ab
b
.
=
= a
dT
dT T
T
(2.83)
Ecuaiile (2.82) i (2.83) sunt cele dou relaii ale lui Kelvin. Prima
leag coeficientul Peltier de coeficientul Seebeck, n timp ce a doua leag
coeficientul Thomson de coeficientul Seebeck. Astfel, pornind de la unul din
cei trei coeficieni, se pot deduce ceilali doi.
2.6.3 Expresia puterii termoelectrice n solide
PTE este exprimat n termeni ai parametrilor microscopici. Aadar,
pentru a prezice comportamentul PTE n funcie de temperatur i pentru a-l
compara eventual cu rezultatele experimentale, trebuie cunoscut variaia
acestor parametrii microscopici cu T. Vor fi abordate succesiv cazurile
metalelor i semiconductorilor.
2.6.3.1 Metalele
Expresia PTE a metalelor poate fi gsit n majoritatea tratatelor de
fizica strii solide. Ea este stabilit, n general, rezolvndu-se ecuaia lui
Boltzmann pentru un gradient termic diferit de zero i un curent electric nul.
n cazul mai simplu, al unui gaz de electroni liberi care respect statistica
Fermi-Dirac, dac se presupune un timp de relaxare izotrop care descrie
100
2 k B2T
,
S=
q F
(2.84)
mare.
Dac
se
menine
la
extremitate (I)
temperatur
Tr
unui
cealalt (II)
eantion
la
temperatur Tc > Tr, vom avea, statistic, mai muli electroni avnd energii
mai mari la captul cald dect la cel rece (figura 2.31).
II
A
T
Tc
Tr
0
101
f()
kB Tr
k BT c
Figura 2.31: Distribuia Fermi-Dirac la captul rece (Tr) respectiv cald (Tc)
P L
,
A Tc Tr
102
(2.85)
de unde
Tc = Tr +
PL
.
A
(2.86)
2.6.3.2 Semiconductoarele
Dac trecem la cazul semiconductoarelor, va trebui s folosim un
raionament diferit. n afara regiunilor srace, densitatea de purttori n
aceast clas a solidelor depinde puternic de tempertatur:
2m * k BT
N = 2
h2
3/ 2
103
exp( F / k BT ) ,
(2.87)
ms
c
F
metal
v
semiconductor
(tip n)
1
f()
104
coeficientul
Peltier
n 2.6.1.
Transpunnd
la
scar
F ms
q
105
ms F
q
(2.88)
(2.89)
ms c = + r k BT .
5
2
(2.90)
c F = k BT .
(2.92)
Prin convenie, este pozitiv cnd nivelul Fermi se gsete ntr-o band
permis (de conducie sau valen) i negativ cnd se situeaz n banda
interzis. n cazul nostru,
c F = k BT .
nlocuind n (2.88) gsim
k BT 5
q 2
(2.93)
S=
kB 5
.
q 2
106
(2.94)
S=+
kB
q
2 + r + .
(2.95)
kB
(2 ) ,
q
(2.96)
k B k BT
1
= 2 86 10 6
3 10 6 V/K ,
q
F
280
107
a Va + b Vb
,
a +b
(2.97)
V a S a + b S b
,
=
T
a +b
(2.98)
S
.
(2.99)
i pentru n conductoare
S=
i =1
108
2.7 Supraconductivitatea
2.7.1 Introducere
n cele ce urmeaz vor fi descrise cteva proprieti ale materialelor
supraconductoare atunci cnd temperatura scade pornind de la cea ambiant.
Supraconductivitatea este un fenomen care se manifest, cel puin pn
acum, doar la temperaturi criogenice i care a putut fi observat pentru prima
oar graie descoperirii n prealabil a heliului lichid. Supraconductivitatea
este dat de scderea foarte rapid la zero a rezistenei electrice mai jos de o
temperatur specific numit temperatura tranziiei supraconductoare sau
temperatura critic, Tc.
Pentru a studia riguros fenomenul supraconductivitii i pentru a
nelege fenomenele microscopice crora se datoreaz, ar trebui recurs la
noiuni ale teoriei cuantice a solidului. Pentru a evita aceasta, ne vom
mulumi aici cu o abordare fenomenologic ce pleac de la constatrile
109
2.7.2 Istoric
n 1908, fizicianul olandez Kamerlingh-Onnes a reuit pentru prima
oar s lichefieze heliul. Trei ani mai trziu, el anuna c rezistena electric
a mercurului nu mai poate fi msurat mai jos de temperatura de
fierbere a heliului la presiune atmosferic (figura 2.34). Descoperise
supraconductivitatea. n ciuda faptului c aceast nou proprietate a materiei
a fascinat cercettorii nc de atunci i pn n zilele noastre, abia spre
anii 60 descoperirea lui Onnes a prsit laboratoarele de cercetare pentru a
intra n cele tehnologice i a fi folosite n anumite domenii. De la
descoperirea lui Onnes pn n prezent, supraconductivitatea a fost gsit
ntr-un numr nsemnat de elemente metalice i n peste o mie de aliaje i
110
Rezistena []
0.125
0.100
Hg
0.075
0.050
0.025
10-5
0.000
4.0
4.1
4.2
4.3
Temperatura [K]
4.4
111
112
masive
curentul
critic
natere,
la
suprafaa
(2.100)
H c (T )
Stare normal
Stare
supraconductoare
Tc
113
0.10
0.08
0.06
Pb
0.04
Sn
Hg
0.02
Ti
0.00
In
1
3
4
5
6
Temperatura [K]
114
T > TC
115
este
perpendicular
pe
cea
fluxonilor
traverseaz
un
116
117
(2.101)
manifestare
unui
proces
electronic,
cum
este
efectul
de
118
119
de
ce,
exceptnd
ceramicile
supraconductoare,
criocablurile.
Atunci
cnd
120
vorbim
de
aplicaii
ale
La
fel
s-a
ntmplat
cu
circuitele
de
transmisie.
121
mrime.
Aceast
rcire
este
prevzut
pentru
criocablurile
122
123
fiind
ns
curs
de
finalizare (Nijmegen,
Olanda
124
125
Capitolul 3
Termometria temperaturilor joase
126
Q1
T1
Q2
T2
V
= 1
Q2
= f (T1 , T2 )
Q1
(3.1)
i se poate demonstra c
Q1
f (T1 )
.
=
Q2 f (T2 )
127
(3.2)
3.1.2 Generaliti
Msurarea temperaturilor necesit:
-
un captator (termometru);
Tensiunea vaporilor He
3
Tensiunea vaporilor He
Termometru acustic
Sare paramagnetic
0.01
0.1
1
10
Temperatura [K]
100
128
300
20
200
10
300
A V
129
(3.4)
( pv ) / T + ( pV ) / T = ( p0 v ) / T0 + ( p0V ) / T0 .
(3.5)
130
131
dp dS
L
=
=
,
dT dV TdV
(3.6)
132
Presiunea
atmosferic
N2
H2
100
Presiunea vaporilor [mm Hg]
punctul
10
O2
He
1
3
He
0.1
Punct triplu
Temp. critic
0.01
0.001
0.1
1
10
Temperatura [K]
100
Figura 3.5: Msurarea presiunii vaporilor de deasupra unei bi criogenice. (a) Eantionul
este plasat direct n baia criogenic; (b) Presiunea vaporilor este msurat ntr-o incint
mult mai mic, izolat termic cu ajutorul unui spaiu vidat.
133
rezistivitii
electrice
conductoarelor
semiconductoarelor.
134
135
RT - R4K []
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
200
Temperatura [K]
300
Figura 3.6 Variaia rezistenei unui fir de platin n funcie de temperatur. Atunci
cnd T 0 K rezistena rezidual depinde de gradul de perfeciune al materialului
(3.7)
136
(3.8)
A 4 103 , B 6 107 i
C 4 1012.
3.3.3.2 Termometrele semiconductoare
Una din primele aplicaii ce apar evidente atunci cnd se examineaz
caracteristica (T) a semiconductoarelor este folosirea lor ca i captatoare de
temperatur n intervalele unde variaia este foarte rapid. n general, se
poate realiza dopajul n aa fel nct partea sensibil a curbei s se gseasc
n intervalul de temperatur care ne va interesa. Termometrele cu
semiconductoare se folosesc ndeosebi pentru temperaturi foarte sczute, sau
cel puin sub temperatura ambiant. Ele vor trebui s aib un volum redus,
pentru a perturba ct mai puin posibil sistemul cruia vrem s-i msurm
temperatura.
La ora actual se fabric n general captatoare de temperatur din
germaniu, foarte sensibile la temperaturi joase i care permit msurtori pn
la 1 K. Progresele tehnologice permit o reproductibilitate a valorilor mai
bun de 0.1 %, n ciuda frecventelor cicluri n temperatur.
nc din 1957, Kunzler i colaboratorii si au folosit o termorezisten
din germaniu dopat cu arsenic. Monocristalul de germaniu dopat a fost
decupat n form paralelipipedic. Cele patru contacte, dou pentru curent i
dou pentru tensiune, sunt realizate cu ajutorul unor fire de aur lipite de
137
Proprietile
electrice
ale
solidelor
general
caracteristica R(T)
germaniului
dopat
cu
arsen.
138
Magnetorezistena R(B,T)/R(0,T)
12
4.22 K
10
8
6.25 K
7.20 K
8.71 K
10.48 K
12.22 K
14.06 K
19.0 K
29.2 K
68.2 K
4
2
0
5
10
15
Cmpul magnetic [T]
remarcm
faptul
c,
contrar
cazului
metalelor,
139
B
= A+ .
log R
T
(3.9)
150
6
lgR + /lgR
56
5
22
4
10
3
2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-1
1/T [K ]
140
1.45 K
2.38 K
0.800 K
0.596 K
4.2 K
0
-1
-2
6
8
10 12
Cmpul magnetic [T]
14
16
3.3.3.4 Diodele
Tensiunea de prag a diodelor p-n depinde de temperatur. Aceast
caracteristic poate fi folosit ca termometru. Aceste termometre au o
reproductibilitate a valorilor n timp foarte bun i tehnologiile de fabricare
permit realizarea de senzori practic identici. Ele sunt ns foarte sensibile la
cmpul magnetic.
141
(3.10)
Rezistena []
10
10
10
10
0.1
0.2
T
0.3
-0.345
0.4
0.5
-0.345
[mK
Figura 3.10: Variaia rezistenei electrice a ctorva termometre din RuO2 (care difer prin
rezistivitatea la 300 K) funcie de temperatur. Relaia (3.10) este respectat foarte bine la
temperaturi joase
142
3.3.4 Termocuplele
Termocuplele permit msurarea diferenelor de temperatur ntre dou
regiuni unde, dac se dispune de o temperatur de referin (ghea care se
topete, baie criogenic care fierbe), se poate determina temperatura
sistemului. n acest scop sunt folosite diverse cuple metalice i din aliaje
semimetalice, cele mai frecvente fiind n prezent cuplele cupru-constantan,
platin-(platin+rodiu), (nichel + 10% crom)(nichel + 5% aluminiu) i
fier-constantan, iar pentru temperaturile joase aliajele foarte diluate Au(Fe)(nichel + 10% crom). Metalele, cu toate c au o putere termoelectric puin
mai mare, sunt foarte stabile i cu ajutorul unei etalonri prealabile permit
msurtori
reproductibile
ale
diferenelor
de
temperatur.
Cuplul a-b (figura 3.11) este lipit ntr-un punct A, n timp ce celelalte
extremiti, B i B, sunt conectate la cele dou borne ale unui milivoltmetru
prin intermediul a dou fire conductoare din cupru (a i b).
Tx
A
a
b
Tc
mV
143
144
T3
T1
T2
b
T4
prin
secionarea
conductorului
(figura 3.13).
Dac
temperatura peste tot de-a lungul lui c este uniform, fora electromotoare
total a circuitului nu este influenat.
a
T3
c
T1
T2
b
145
Demonstraia
acestei
legi
este
simpl.
Dac
introducerea
146
1950
1700
1500
Fier - Constantan
77
1250
1000
600
Au (Fe) - Ni + 10% Cr
1
300
10
100
1000
Temperatura [K]
Figura 3.14: Intervalele de temperatur n care se folosesc cele mai utilizate termocuple
147
40
35
Au + 2.1% Fe i Cu
30
25
Cu i Constantan
20
Au + 0.03% Fe
i Ni + 10% Cr
15
10
5
Au + 0.03% Fe
i argint
0
1
4 6 8
4 6 8
10
100
Temperatura [K]
148
3.4.2 Exemple
Cu ajutorul firelor extrem de fine ale termocuplelor (de ordinul
a 10 microni) se pot realiza jonciuni cu diametrul de ordinul acestora. De
aici a aprut i sperana c este posibil realizarea de captatoare
termoelectrice cu inerie neglijabil, deci avnd o vitez de rspuns foarte
mare. Aceast speran este totui iluzorie. Cci jonciunea fiind minuscul,
contactul termic cu regiunea de msurat este extrem de dificil de realizat i
149
150
151
Capitolul 4
Producerea temperaturilor joase
4.1. Introducere
Absorbia cldurii la temperaturi joase se poate face fie utiliznd
proprietile fizice ale unui fluid, fie pe cele ale unui material solid. Chiar
dac prima metod este de departe cea mai rspndit, considerm c este
util i cunoaterea metodelor care folosesc principiile fizicii strii solide,
metode deosebit de interesante.
Pe
baza
proprietilor
fluidelor
criogenice
(capitolul 1)
152
X1
Entropia
X2
C
D
Temperatura
153
Mrimea fizic
Metoda
presiunea
destindere adiabatic
diluie
inducia magnetic
demagnetizare adiabatic
154
(4.1)
Presiunea
p V = const T
Volumul
155
Presiunea
de exemplu heliul.
Volumul
Starea lichid
Presiunea
Punctul critic
Regiunea de
echilibru
lichid - vapori
Volumul
T7
T6
T5
T4
T3
T2
T1
Starea gazoas
156
Prima rcire adiabatic a fost cea a lui Simon, care, cu ajutorul unui
refrigerator (figura 4.5) a reuit prima lichefiere a heliului. Bineneles c n
prezent acest lichefactor prezint doar un interes didactic, fiind interesant
mai mult datorit simplitii sale. Pe de alt parte, acest lichefactor, construit
la Oxford n 1932, a permis unei ntregi generaii de cercettori de la
Laboratorul Clarendon s studieze proprietile materialelor la temperaturi
joase.
1
2
3
157
H = U + pV
(4.2)
este nul cnd se trece dintr-o stare 1 ntr-o stare 2. p este presiunea, U
energia intern pe unitatea de mas i V volumul.
Conform relaiei (4.2), destinderea izentalpic a unui gaz perfect,
caracterizat prin relaia pV = RT , nu permite schimbarea temperaturii. n
practic, Joule i Thomson au observat c destinderea izentalpic a unui gaz,
n principiu infinit lent, de-a latul unui dop poros, d loc unei scderi a
temperaturii gazului, mai puin pentru heliu, hidrogen i neon, care se
nclzesc. Aceast abatere este o manifestare a comportamentului gazelor
perfecte, atribuit relaiei (4.1).
Datorit existenei forelor de atracie dintre molecule, pentru a
despri aceste molecule n timpul unei destinderi este nevoie de un lucru
158
Gazul
O2
N2
Ne
H2
Tr (K)
893
621
260
205
He
51
159
Temperatura [K]
50
250 J/g
40
210 J/g
30
165 J/g
125 J/g
100 J/g
80 J/g
60 J/g
40 J/g
20
10
0
20
40
60
80
Presiunea [atm]
100
120
140
supap de eliminare
gaz
L
H A = H L + (1 )H B ,
unde este procentul de lichid obinut. Se poate deci scrie,
160
(4.4)
= ( H B H A ) /( H B H L ) .
(4.5)
TB = TG = TL
(4.6)
H B = HG = H L + ,
(4.7)
HA < HL + ,
(4.8)
ceea ce, n cazul 4He nseamn c TA trebuie s fie sub 7.5 K. Cum aceast
temperatur este imposibil de atins cu ajutorul unui alt fluid criogenic,
lichefierea heliului nu este posibil n aceste condiii.
0.4
Randamentul lichefierii
0.3
T = 10 K
12 K
0.2
14 K
16 K
18 K
0.1
0.0
10
20
30
Presiunea heliului n punctul A [atm]
40
161
Dac din contr untul termic este eficient, lichefierea este posibil, iar
randamentul depinde de TA i pA, aa cum ilustreaz figura 4.8.
P = Qext + Qint .
(4.9)
Temperatura de baz a unui sistem criogenic este cea pentru care P = Qext.
Performanele unui sistem sunt limitate, in mod evident, de ctre
contribuiile calorice externe. Ele trebuie aadar reduse pe ct posibil. n
162
orice caz, cele trei moduri de conducie termic (prin radiaie, conducie i
convecie) trebuie minimizate.
Radiaiile sunt reduse prin amplasarea de ecrane la temperaturi fixe,
date de etapele succesive de rcire n cascad. Conducia este redus prin
folosirea unor materiale slab conductoare de cldur i prin ancorri termice
dup fiecare etap a cascadei. n sfrit, convecia va fi limitat prin
realizarea unui vid foarte bun ntre prile apropiate dar situate la temperaturi
diferite.
Precauiile luate pentru a reduce Qext sunt cu att mai importante cu
ct vrem s atingem temperaturi mai sczute. Trebuie ns neaprat s se in
seama de faptul c puterea de rcire scade foarte tare cu temperatura i c
proprietile unor materiale diferite variaz diferit cu temperatura. Concepia
sistemelor destinate atingerii de temperaturi foarte sczute este condiionat
de cele de mai sus.
Contribuiile calorice interne sunt n principal trei. (1) Semnalele
electrice care ajung la sistemul experimental prin conexiunile conductoarelor
produc cldur prin efect Joule. Aceasta poate duce fie la creterea
temperaturii anumitor elemente, fie la creterea temperaturii ntregului
sistem. Acest fenomen este deranjant datorit perturbrilor introduse, dar i
util, cci permite modificarea temperaturii sistemului, conform relaiei (4.9).
(2) Undele electromagnetice pot ptrunde n criostat i pot fi absorbite de
ctre elementele aduse la temperaturi foarte mici. n acest caz, fr a intra n
detalii, problema poate fi rezolvat doar cu ajutorul unor blindaje foarte
bune, aceasta nsemnnd inclusiv aezarea aparatelor de msur i control
ntr-o cuc Faraday. (3) Vibraiile mecanice pot de asemenea s introduc
163
energie suplimentar n sistem. Ele sunt i mai periculoase atunci cnd este
aplicat i un cmp magnetic. Dac o bucl format de conductori vibreaz
ntr-un gradient de cmp magnetic, conform legilor electromagnetice se va
dezvolta o tensiune alternativ la bornele ei. Dac aceast bucl este nchis,
va circula un curent alternativ care va genera cldur prin efect Joule.
164
165
166
Izolaii
multistrat
izolri cu vid
izolri fr vid
fibre de sticl
spume, pudre
spume, pudre,
fibre
10
-5
10
-4
-3
10
10
-1 -1
Conductivitatea termic [Wm K ]
-2
10
-1
Sunt cazuri cnd soluiile pentru izolarea termic sunt mai complexe.
Astfel, atunci cnd dorim s absorbim cldura dintr-un dispozitiv electronic
167
drumul
liber
mediu
al
molelculelor
datorit
168
4.3.2.3 Radiaia
Legea lui Stefan,
E = T 4
mT = 0.29 cm K ,
exprim faptul c produsul dintre temperatur i lungimea de und m pentru
care E() este maxim la o temperatur dat este constant. Valoarea 0.29,
obinut experimental, exprimat n cmK este constanta lui Wien.
Din legea lui Wien se pot calcula direct valorile pentru m la
temperaturile 4.2, 77 i 300 K: 690, 38 respectiv 9.7 106 m . n practic,
suprafeele metalice folosite n criotehnic sunt departe de a fi corpuri negre
perfecte i emisivitatea lor poate varia de la 0.01 la 1, calculul transferului
termic fiind deci influenat puternic. Acest calcul este cu att mai dificil
169
Radiaie de la
temperatura
radiaie de 14 m pe
radiaie de la
300 K pe o
camerei
o suprafa la 2 K
273 K pe o
suprafa la 78 K
suprafa la 77 K
0.02
0.04
0.011*
0.043**
0.31
Alam lefuit
0.029
0.03
0.018*
0.10**
Alam oxidat
0.6
Cu lefuit
0.015 - 0.019
0.02
0.0062 - 0.015*
Cu foarte oxidat
0.6
Cu foaie
0.08
0.08
0.084**
Au, foi
0.010 - 0.023
0.02 - 0.03
Ni lefuit
0.045
170
Ag foaie
0.008
0.02 - 0.03
Oel inoxidabil
0.048
0.074
0.013
0.06
0.013*
sudur moale
0.03
0.047**
Sticl
0.9
P = A(T14 T24 )
1 2
.
1 + 2 1 2
(4.10)
n cazul particular al unui corp negru ideal, adic atunci cnd 1 =2 =1,
P = A(T14 T24 ) .
Dac 2 este neglijabil n raport cu 1, expresia (4.10) se reduce la
P = A(T14 T24 ) 2 .
Pe de alt parte, pentru o emisivitate foarte mic i egal pentru cele
dou suprafee, se obine
P = A(T14 T24 ) .
2
n sistemele care funcioneaz la temperaturi joase se folosesc ecrane
de radiaie pentru criostate ( 4.5) i rezervoarele de fluid criogenic, pentru a
reduce transferul de cldur spre baia criogenic, ncercndu-se prevenirea
171
va
fi
diferit
fa
cu
de
cteva
un
ordine
metal
de
mrime
pentru
t=
Z
4 Z He Z M
4 He 2 10 2 .
ZM
( Z He + Z M )
172
aparente
permit
exprimarea
conductivitilor
173
174
criteriilor
cerute
de
funcia
lor (rezisten
mecanic,
175
4.4.1 Stocarea
n ceea ce privete recipientele de stocare, trebuie gsit un compromis
de ordin economic. Izolarea fiind un procedeu costisitor, trebuie stabilit
cantitatea de pierderi admis din punct de vedere economic. n practic, un
rezervor de azot lichid are o capacitate de mai multe mii de litri, n timp ce
176
Figura 4.10: Diferite configuraii ale primelor vase Dewar: (a) rata
de evaporare este de 60 cm3/h, (b) 45 cm3/h, (c) ~2500 cm3/h
n toate cele trei cazuri, contribuia cldurii prin convecie este redus prin
prezena ntre perei a unui vid bun. Pereii sunt construii dintr-un material
slab conductor termic, n aceste cazuri din sticl. Pentru a reduce transferul
177
azot
lichid
He
etanare cu
sudur
He
etanare cu
uruburi
etanare
circular
Figura 4.11: Vase Dewar metalice care in cont de principiul rcirii n cascad
178
metalice
care
au
cam
aceleai
caracteristici
179
pierderile cresc, heliul lichid evaporat zilnic fiind cam de 3%, dar
rezervoarele sunt mai uor de manipulat.
Azot lichid
He lichid
pomp de vid
Azot gazos
pomp de vid
nveli protector
vid protector
Azot lichid
He lichid
vid protector
4.4.2 Manipularea
Transferul unui fluid criogenic dintr-un recipient n altul necesit la fel
de multe precauii ca i stocarea. Figura 4.13 reprezint un sifon de
transfer de heliu lichid. Este indispensabil s avem un vid bun i perei care
s reflecte radiaiile. Transferul este pornit cu ajutorul unei surse de presiune
180
(un gaz) asupra bii lichide i nu prin efect de sifon, aa cum numele poate
induce n eroare. Transferul azotului lichid este mai uor datorit faptului c
entalpia de vaporizare este mult mai mare.
181
Tabelul 4.4: Valori orientative pentru cantitile de fluid criogenic necesare. Valorile
sunt date n litrii necesari pentru a rci 0.45 kg de metal.
4
Fluidul
Temperatura iniial a metalului
He
H2
N2
300 K
77 K
300 K
77 K
300 K
30.2
1.45
2.42
0.12
0.46
latent de vaporizare
Oel inoxidabil
15.1
0.65
1.28
0.05
0.24
Cupru
14.1
0.98
1.08
0.08
0.21
Folosind doar
Al
0.73
0.1
0.48
0.06
0.29
entalpia gazului
Oel inoxidabil
0.36
0.05
0.24
0.03
0.15
Cupru
0.36
0.07
0.24
0.04
0.13
4.5 Criostate
Am insistat n introducere asupra importanei cunoaterii variaiei
termice a unei proprieti fizice, att pentru a nelege aceast proprietate la
nivel microscopic ct i pentru a putea stabili aplicaiile practice ale
182
183
184
185
lor
termic
sunt
legate
prin
mai
multe
legturi
186
Convecie
Radiaie
Eantion
Termometru
Conducie
Rezervor termic
Baie criogenic
187
dinspre sau spre baia criogenic. Aceast noiune de ancorare termic este
esenial pentru realizarea criostatelor i n general pentru experienele la
temperaturi joase. Ea permite stabilirea unui circuit termic controlat i
adaptat, care este garania calitii msurtorilor criogenice.
Practic, ancorarea termic se face prin conducie, asigurndu-se un
contact termic bun ntre fire i elementul a crui temperatur trebuie
preluat. Trebuie s ne asigurm c firele rmn izolate electric de acest
element. Ancorarea se face deci prin lipirea firelor pe o poriune suficient.
n cazul ancorrii la nivelul bii criogenice, conducia termic ntre fire i
baie trebuie s fie mai mare dect cea dintre fire i mediul ambiant.
4.5.3 Criostate cu 4He lichid
Figura 4.16
prezint
planul
simplificat
al
unui
criostat
care
4
3
6
2
incinta
experimental
Figura 4.16: Planul simplificat al unui criostat pentru Azot sau 4He lichid. 1 ecran de
radiaie, 2 rezervor termic, 3 robinet, 4, 5 tub de pompare, 6 baia criogenic
188
reglarea
presiunii
vaporilor
cu
ajutorul
unui
simplu
pomp
189
He. Atunci cnd acest strat de suprafluid ajunge n poriunile mai calde, el
190
4.5.4.1 Condensarea
Pentru a porni un experiment cu un astfel de sistem, avem nevoie de
civa litri de 3He gazos la presiunea atmosferic i la temperatura ambiant.
Exist dou metode pentru condensarea acestuia. Prima este cea folosit
pentru lichefierea 4He i care a fost abordat la nceputul acestui capitol. Ea
este greu de pus n practic i nu se folosete deloc, datorit volumului mic
de gaz disponibil. A doua, folosit datorit simplitii i eficienei sale,
const n condensarea gazului pe un perete rcit cu 4He adus la 1.4 K prin
pompare. Figura 4.18 prezint cteva configuraii complexe a unor astfel de
sisteme.
Ca i n cazul criostatului cu 4He, lichidul este extras din baia
criogenic
cu
ajutorul
unui
robinet
adus
rezervorul
de
191
linie de pompare
pentru 4He
azot lichid
4
He lichid ~ 1.3 K
vid
He lichid ~ 0.3 K
(a)
He
pomp
pomp
impedan
vid
baie de 4He
la ~1.3 K
ancoraj
termic
vid
incinta exp.
(b)
baie de 3He
la ~0.3 K
incinta exp.
(c)
192
4.5.4.2 Pomparea
Dup condensare, temperatura nu este ntotdeauna mai joas dect cea
pe care o putem obine prin pomparea pe 4He. Temperatura 3He va fi
cobort micornd presiunea gazului de deasupra lichidului, prin pompare.
Pentru aceasta sunt folosite dou metode.
Este posibil folosirea unei pompe externe (figura 4.18), de exemplu o
pomp de difuzie cu un debit suficient pentru a cobor presiunea pn
la 10-3 mbari. Astfel, la echilibru poate fi atins o temperatur de 0.3 K.
Temperatura poate fi eventual stabilizat la valori cuprinse ntre 0.8 K i
1.4 K folosind un manometru care menine constant presiunea deasupra
lichidului. Aceast metod este simplu de pus n practic, dar nu este
posibil meninerea fix a unei temperaturi din intervalul 0.3 K i 0.8 K.
3
recondensat direct i retrimis spre baia de 3He (figura 4.18.c). Prima soluie
este de departe mai simpl. A doua se aplic atunci cnd autonomia 3He
trebuie s fie foarte mare sau cnd contribuia caloric a experimentului este
prea mare. Atunci cnd transferul de cldur spre baia de 3He este mic, adic
n cazul eantioanelor obinuite, autonomia 3He este de 24 ore.
A doua metod de pompare face apel la principiul absorbiei de
suprafa. Pentru aceasta se folosete carbon activ pentru tensiunea
193
Temperatura [K]
0.5
0.4
0.3
0.2
1
6 8
6 8
10
100
Puterea de rcire [W]
6 8
1000
194
195
196
197
198
199
rezervor
de 1 K
condensator
orificiu
impedan
unt termic al
distilatorului
distilator
unt termic
tubular
unturi termice cu
argint sinterizat
incinta amestecului
3
faza bogat n He
4
faza bogat n He
unt termic cu
argint sinterizat
200
termic
prost
dintre
lichid
toate
solidele
care-l
201
4.6.5 Distilatorul
Dup diluie, 3He trebuie extras din faza bogat n 4He pentru a
permite continuarea procesului. Extragerea se face prin distilarea
He
Temperatura [K]
3
2
4
He
1
6
5
4
He
3
2
0.1
-3
10
-1
10
10
Presiunea [torr]
10
202
spre pomp
impedana
principal
He aproape pur
surs de
cldur
> 90 %
unt termic al
distilatorului
distilator
(0.7 K)
<1%
faza diluat
impedana
secundar
faza diluat
faza concentrat
limita fazelor
100 %
6.5 %
incinta amestecului
(0.01 K)
faza diluat
203
4.6.6 Condensatorul
3
204
205
He rentors, fie
250
200
He
150
3
100
He/ He
50
0
0.1
0.2
0.3
Temperatura [K]
0.4
0.5
206
(4.11)
(4.12)
pentru T < 40 mK. Aceast valoare a cldurii specifice este foarte mare n
comparaie cu cea a metalelor obinuite, cum este cuprul, a crui cldur este
de 30.000 de ori mai mic.
Entalpia corespunztoare este
T
H 3 (T ) = H 3 (0) +
C (T )dT
3
(4.13)
sau
H 3 (T ) = H 3 (0) + 11 T 2 [J/mol]
207
(4.14)
(4.15)
= H 3 TS 3 = H 3, d TS 3, d .
(4.16)
H 3,d (T ) = H 3 (0) + 11 T 2 + T
(C
3, d
/ T C 3 / T )dT
(4.17)
(4.18)
(4.19)
208
(4.20)
95
TIA = 3TIA .
11
(4.21)
3.3
Solid
3.2
3.1
Lichid
3.0
2.9
2.8
10
100
Temperatura [mK]
1000
0.8
ln 2
Solid
Entropia [R]
0.6
0.4
0.2
Lichid
0.0
10
100
Temperatura [mK]
1000
Figura 4.27: Presiunea de tranziie solid lichid n funcie de temperatur pentru 3He i
variaia termic a entropiei pentru cele dou stri
209
refrigerator
izentropic
prezentat
la
nceputul
acestui
capitol.
210
Entropia [J/molK]
6
S = R ln2
5
D
4
3
2
B=0T
1
0
1
0.1
6 8
0.5 1.0
4
6 8
10
100
Temperatura [mK]
6 8
1000
Q = nT [S (0, T ) S ( Bf , T )],
(4.22)
211
Entropia [R]
1.5
FAA
ln 4
FAA
1.0
CPA
CPA
MAS
ln 2
0.5
CMN
pudr
CMN
0
10
100
Temperatura [mK]
1000
S
Q = n Td S = n T
dT .
T
C
212
(4.23)
213
permise
conform
schemei
din
stnga
din
figura 4.30.a.
(a)
+1/2
E = 4.4 K
-1/2
E = 4.4 mK
-3/2
Bi = 8 T
Ti = 6 mK
Bf = 8 mT
Tf = 6 K
(b)
R ln4
0
8 mT
80 mT 0.8 T
8T
0
10
-8
10
-7
-6
-5
-4
-3
10
10
10
10
10
Temperatura nuclear de spin [K]
-2
10
-1
214
215
ale
purttorilor
apropiere
de
300 K.
Pentru
S2
(4.24)
practic
al
fenomenelor
termoelectrice
necesit
deci
216
217
BIBLIOGRAFIE
J. Wilks, An introduction to liquid helium, Clarendon Press, Oxford
(1970)
F. London, Superfluids, Wiley (1954)
K.R. Atkins, Liquid helium, Cambridge University Press, London (1959)
I.M. Khalatnikov, Introduction to the theory of Superfluidity, Benjamin,
New York (1965)
J.F. Allen (editor), Superfluid Helium, Academic Press, New York
(1966)
H.M. Rosenberg, Low Temperature Solid State Physics, Clarendon Press
(1963)
K. Mendelssohn, Cryophisique, Dunod, Paris (1963)
R.B. Kubo, Thermodynamics, North-Holland (1968)
G.K. White, Experimental tecniques in Low-Temperature Physics,
Oxford Science Publications (1987)
I. Pop, Introducere n criogenie, Universitatea din Oradea (1996)
M. Gerl, J.-P. Issi, Trait des matriaux, Presses polytechniques et
universitaires romandes, Lausannes (1987)
J.G. Weisend (editor), The Handbook of Cryogenic Engineering, Library
Binding (1998)
224
P. Berce,
H. Iancu,
T. Cherebeiu,
Gh. Achima,
Pressure
measurement
in
vacuum
systems,
Science
Paperbacks (1964)
O.V. Lounasmaa, Experimental Principles and Methods below 1K,
Academic Press, New York (1974)
A. Roth, Vacuum Tecnology, North Holland (1989)
M.N. Wilson, Superconducting Magnets, Clarendon Press, Oxford
(1983)
R.B. Scot, Cryogenic Engineering, D. van Nostrand Company, Princeton
(1959)
R.F. Barron, Criogenic Systems, Clarendon Press, Oxford (1985)
225