Sunteți pe pagina 1din 30

IV-2 Metode, procedee și dispozitive de depunere prin pulverizare

IV-2.1 Pulverizarea catodică


IV-2.1.A Pulverizarea catodică tip diodă în c.c.
IV-2.1.A.a Pulverizarea catodică tip diodă în c.c., cu substratul la potențial nul
(Pulverizarea catodică tip diodă în c.c., standard)
Este cel mai simplu și totodată și cel mai vechi proces de pulverizare pentru depuneri
de straturi subțiri în vid ce utilizează ca sursă de ioni pentru bombardament descărcarea
luminiscentă anormală în c.c.
La pulverizarea catodică tip diodă în c.c. se utilizează o schemă simplă de pulverizare
cu doi electrozi, așa cum se prezintă și în figura IV-7.

Fig. IV-7 Schema pulverizării catodice tip diodă în c.c.


Electrodul pozitiv, anodul (poz.1), este legat la masă, iar electrodul negativ, catodul
(poz.3), este izolat față de masă prin izolatorul 3 și, eventual, înconjurat cu un ecran de
limitare a plasmei (poz.4).
Substratul 2 se așează pe anod. Descărcarea luminiscentă, ca sursă de ioni pentru
bombardament, se realizează între cei doi electrozi: anod și catod, între care se aplică o
tensiune continuă de (0,5...5) keV, într-o atmosferă de argon rarefiat la presiunea de (1...10)
Pa, menținută constantă de sistemul de pompare (poz.6).
În procesul de pulverizare, sistemul de pompare lucrează încontinuu, iar argonul pur
(99,99%) se introduce printr-un sistem de dozare (poz.7), manual sau automat, astfel încât în
camera tehnologică să se mențină o valoare fixă a presiunii în domeniul specificat.
Presiunea optimă pentru pulverizarea catodică tip diodă în c.c. este între 25 și 75
mbar, adică (0,25...0,75) Pa.
Pentru a se reduce presiunea parțială a gazelor reziduale reactive din camera
tehnologică (O2, N2, H2, CO2 etc.), care pot impurifica pelicula depusă și pot reacționa cu
ținta, reducându-i randamentul de pulverizare, înainte de introducerea argonului se realizează
în camera tehnologică un vid înainte cât mai scăzut (sub 10 -3...10-4 Pa), utilizând sisteme de
vidare pe bază de pompe de vid cu difuzie, pompe turbomoleculare sau pompe criogenice.
Sistemele de vidare folosite în procesele de pulverizare trebuie să asigure un vid curat, în
sensul de a nu impurifica cu vapori de ulei camera tehnologică, deoarece vaporii de ulei pot
impurifica pelicula depusă, fie prin depunere directă, fie ca urmare a descompunerii
moleculelor aflte în descărcarea luminiscentă sau pe ținta de pulverizare.
Reducerea presiunii parțiale a gazelor reactive din camera tehnologică se poate realiza
și prin purjarea repetată (de două, trei ori) cu argon a camerei tehnologice.
În acest mod se elimină în mare parte și gazele reactive adsorbite pe pereții camerei
tehnologice și pe suprafața echipamentelor tehnologice din spațiul de lucru.
La introducerea argonului pur în camera tehnologică, datorită fotoemisiei catodului,
influenței radiației cosmice și a altor factori, în spațiul dintre anod și catod apar și electroni
liberi, așa încât, după stabilizarea presiunii în domeniul (1...10) Pa, câmpul electric de
străpungere este în jur de 0,5 keV/cm.
Pentru distanțe anod-catod uzuale, L= (3...8) cm, tensiunea necesară pentru
străpungerea și aprinderea descărcării luminiscente (tensiunea de aprindere) va fi de (1,5...4)
kV. În practică, în situațiile în care nu se utilizeză ecran pentru catod, distanța anod-catod nu
mai este fixă, așa încât tensiunea de aprindere a descărcării scade până la 500 V.
După cum se știe, tensiunea de străpungere depinde în principal de drumul liber
mijlociu al electronilor secundari, care este inflențat direct de presiunea de lucru și de distanța
dintre anod și catod. Pentru ca descărcarea luminiscentă să se inițieze este necesar ca fiecare
electron secundar să producă 10...20 ioni.
Dacă presiunea gazului este prea mică (sub 1 Pa) sau distanța anod-catod prea mică
(L<2dk), electronii secundari nu pot efectua un număr suficient de ciocniri cu atomii gazului
înainte de a se ciocni de anod, și descărcarea nu se inițiază.
Cele expuse exprimă calitativ legea lui Paschen.
După aprinderea descărcării, electronii, dobândind energie în câmpul electric dintre
anod și catod, se vor deplasa spre anod, iar ionii spre catod. În drumul lor spre anod electronii
vor ioniza atomii de gaz, rezultând în final, datorită unor procese în avalanșă, intensificarea
curentului electronic spre anod și a curentului ionic spre catod. Pentru că descărcarea
liminiscentă să se producă, așa cum am văzut, trebuie ca fiecare electron secundar să producă
10...20 ioni. Ca urmare a creșterii numărului de purtători de sarcina în spațiul anod-catod,
crește conductibilitatea spațiului gazos, ceea ce conduce la scăderea tensiunii și creșterea
curentului.
Dacă sursa de alimentare permite creștere nelimitată a curentului, se poate parcurge
întreaga caracteristică a descărcării, până la trecerea ei în arc electric.
Prin utilizarea unei surse de curent constant, sau a unei surse cu posibilitatea de
reglare și de limitare a curentului în descărcare, se poate ridica caracteristica volt-amperică a
descărcării.
Pentru diferite presiuni în descărcare, în domeniul (1...10) Pa, caracteristicile se
translatează, fără a se menține paralele, în sensul scăderii tensiunii.
În figura IV-8 sunt prezentate calitativ zonele anormale ale caracteristicii volt-
amperice ale descărcării pentru cinci presiuni de lucru.
Pentru ca descărcarea să se stabilizeze în zona anormală a caracteristicii, trebuie ca
dreapta de sarcină a sursei de alimentare a descărcării să intersecteze caracteristicile
voltamperice în zona anormală, așa cum se arată în figura IV-8.

Fig. IV-8 Caracteristicile voltamperice ale descărcării luminiscente anormale pentru


diferite presiuni de lucru (p1>p2>p3>p4>p5) și caracteristica de sarcină a sursei de
alimentare.
Din studiul figurii IV-8 rezultă că, practic, pentru reglajul caracteristicilor descărcării
luminiscente (adică a tensiunii de descărcare UDL și a curentului în descărcare IDL) se reglează
presiunea în camera tehnologică.
Parametrii practici de lucru ai descărcării luminiscente pentru pulverizarea catodică
tip diodă în c.c. sunt:
U DL=500 … 5000 V
I DL =100 … 500 mA
P DL=50 … 2500 VA
Reglajul presiunii în camera tehnologică se poate face prin:
- dozarea manuală a debitului de argon introdus în camera tehnologică printr-un robinet
dozator cu ac;
- dozarea automată a debitului de argon introdus în camera tehnologică printr-o buclă
de automatizare ce conține un robinet dozator electromagnetic sau piezoelectric, un traductor
de presiune și un regulator specializat. În schemele moderne de reglare a presiunii de lucru se
folosesc mass-flow-metre pentru măsurarea debitelor de gaz vehiculate.
De importanță practică pentru pulverizare este lungimea spațiului întunecat catodic
(spațiul Crookes) și a coloanei pozitive. Spațiul descărcării luminiscente poate fi împărțit în
două zone de bază, și anume: spațiul întunecat catodic și coloana luminoasă pozitivă.
Mărimea dk a spațiului întunecat catodic (SIC) este aproximativ egală cu distanța
medie pe care o străbat electronii secundari din catod până la prima ciocnire ionizantă. Mai
departe electrodul poate ioniza încă multe molecule de gaz, deoarece energia sa în momentul
primei ciocniri este de sute de electroni-volți și, desigur, depășește energia necesară pentru
ionizarea atomilor, care pentru argon, de exemplu, este de 17,5 eV.
De aceea din zona primei ciocniri, unde se termină SIC, densitatea electronilor şi
ionilor creşte, zona devine luminoasă datorită excitării moleculelor neutre de gaz, prin
ciocnirea lor cu electronii şi datorită recombinării ionilor. Ionii din SIC în deriva lor,
ajungând la graniţa dintre SIC şi coloana luminoasă pozitivă, se accelerează puternic şi
bombardează catodul de unde se pulverizează material şi se emit electroni secundari.
Din cauza vitezelor diferite din SIC a ionilor şi a electronilor, la marginea SIC se
formează o sarcină spaţială pozitivă care asigură o importantă cădere de tensiune şi un câmp
electric înalt în SIC. Căderea de tensiune catodică, U K este foarte apropiată de tensiunea
anod-catod, CAC.
Lungimea spaţiului întunecat Crookes variază invers proporţional cu presiunea din
camera tehnologică.
În domeniul de presiuni opim pentru pulverizare catodică de (25...75) mbar, lungimea
SIC este de (1...2) cm.
Valoarea minimă a distanţei dintre anod şi catod ( L ) , conform regulei stabilite de
Maissel, trebuie să fie de cel puţin două ori mai mare decât lungimea spaţiului întunecat
Crookes ( d k ) în practică ea se stabileşte experimental.
Dacă distanţa L este foarte mare (peste 10 d k ) atunci materialul pulverizat din catod,
datorită ciocnirilor cu gazul de lucru, nu mai ajunge la substrat, dispersându-se în volumul
camerei tehnologice, sau întorcându-se din nou la ţintă.
Dacă distanţa L este sub cea stabilită de regulă lui Maissel, atunci din cauza scăderii
numărului de ciocniri ale electronilor cu gazul de lucru, numărul de ioni se reduce, coloana
pozitivă se reduce şi ea şi descărcarea devine instabilă. În plus, bombardamentul intens cu
electroni a substratului se intensifică, rezultatul fiind scăderea vitezei de depunere şi chiar
distrugerea straturilor de suprafaţă ale depunerii.
Dacă substratul are grosime variabilă, astfel încât părţi ale acestuia intră în SIC, atunci
depunerea va fi foarte neuniformă, fiind foarte mică pentru porţiunile de substrat ce s-au aflat
în interiorul SIC.
Randamentul pulverizării catodice tip diodă, ca şi în cazul general al pulverizării,
depinde de:
- energia ionilor incidenţi (deci de tensiunea de accelerare);
- masa ionilor incidenţi (deci de natura gazului de lucru);
- materialul ţintei;
- şi într-o oarecare măsură de: temperatura ţintei, starea suprafeţei şi unghiul de
incidenţă a ionilor.
Cantitatea de material, în grame, pulverizată de pe un centimetru pătrat de catod, într-
o secundă, pentru pulverizarea catodică tip diodă se poate determina cu relaţia:
w=k (U AC −U k )∙ j/( p ∙ L) (IV-24.)
unde: UAC - tensiunea anod-catod
Uy - căderea normală de tensiune catodică
j - densitatea curentului în descărcare
p – presiunea gazului în descărcare
L - distanţa anod-catod
k - constantă ce depinde de natura gazului şi de natura materialului ţintei.
În Tabelul IV-8 şi în Figura IV-9 se prezintă, pentru câteva materiale uzuale, rata de
pulverizare în funcţie de tensiunea de polarizare a ţintei, pentru un catod de pulverizare cu
diametrul ţintei de 75 mm, distanţa catod-substrat de 36 mm şi presiunea gazului de lucru
(Ar) de 8 ∙ 10-3 mbar.
Tabel IV-8
Ratele medii de pulverizare pentru pulverizarea catodică tip diodă în curent continuu
Tensiunea de polarizare a
Material Rata de pulverizare
țintei în KV
2,55 2,6
Au 1,20 1,9
1,05 1,5
0,90 2,8
Cr 0,50 1,9
0,25 1,5
1,70 2,7
Cu 1,00 1,9
0,60 1,5
0,90 2,7
Ni/Cr (80/20) 0,45 1,9
0,30 1,5
0,60 2,8
Si3N4 0,25 2,0
0,15 1,5
0,40 2,6
SiO2 0,30 2,2
0,15 1,5
0,55 2,5
Ta 0,30 1,9
0,20 1,5
Ti 0,70 2,1
0,40 1,9
0,20 1,5
0,90 2,6
Zr 0,50 1,9
0,35 1,5

lV-2.1.A.b Pulverizarea catodică tip diodă în c.c. cu substratul la potenţial flotant.


Pentru pulverizarea catodică standard în c.c., ţinta de pulverizare constituie catodul
descărcării luminscente, iar suportul pe care se va depune stratul subţire (substratul) este
aşezat pe anod, care este legat la masă.
În cazul în care substratul este izolat electric faţă de masă, el va căpăta potenţialul
flotant al plasmei, care este un potenţial uşor negativ de (6...8) V, deoarece orice corp imersat
într-o plasmă, dacă nu este legat la pământ, va căpăta un potenţial negativ faţă de masă,
datorită mobilităţii mai mari a electronilor faţă de ioni. Peliculele obţinute în acest caz, sunt
mult mai contaminate decât peliculele depuse pe substrat legat la masă, din cauza înglobării
în peliculă a ionilor pozitivi ce lovesc anemic pelicula în timpul creşterii acesteia.
În plus, în pulverizarea cu substratul la potenţial flotant, suporţii substratului, izolaţi şi
ei electric faţă de anod, trebuie priviţi ca ţinte de pulverizare, crescând astfel posibilităţile de
impurificare ale peliculei depuse.

IV-2.1.A.c Pulverizarea tip diodă în c.c. cu substratul polarizat la potenţial negativ:


 cu un singur gaz de lucru (BIAS SPUTTERING)
Pentru a elimina bombardarea stratului depus de către electronii secundari, precum şi
pentru a reduce contaminarea substratului cu gazele reactive reziduale, care pot ajunge la
substrat, acesta este polarizat la o tensiune negativă redusă faţă de anod (de câteva sute de
volţi), astfel încât pelicula în creştere este supusă continuu bombardamentului ionilor pozitivi
ai gazului inert de lucru, cu o energie scăzută de (50...200) eV.
Potenţialul negativ al suportului se alege suficient de mic (50...300) V, pentru a nu
produce repulverizarea masivă a atomilor peliculei depuse, ceea ce ar duce la scăderea
drastică a ratei de depunere. Prin bombardarea continuă a peliculei în formare se realizează
repulverizarea particulelor slab aderente şi îndepărtarea moleculelor de gaz care ajung la
substrat, asigurând astfel posibilităţi de obţinere a unor depuneri aderente, neimpurificate, şi
cu o bună împachetare a atomilor (se împiedică formarea de structuri columnare).
 cu două gaze de lucru (Ar + un gaz reactiv) (ION PLATINO sau pulverizare
catodică reactivă)
Se poate folosi în mod deliberat, ca avantaj, fenomenul de impurificare a peliculei
depuse, ca urmare a bombardării continue a acesteia, în cazul polarizării uşor negative a
substratului, dacă pe lângă gazul de bombardament (argonul) se introduce separat în camera
tehnologică (şi în apropierea substratului), un al doilea gaz de lucru reactiv, ca de exemplu:
azot, oxigen, metan etc. În felul acesta, la substrat are loc reacţia materialului de depunere cu
gazul reactant (foarte reactiv chimic din cauza ionizării), obţinându-se astfel compuşi
complecși (nitruri, oxizi, hidruri, cuarburi, siliciuri, etc).
Astfel o metodă pur fizică de depunere a straturilor subţiri (pulverizarea catodică
standard) se transformă într-o metodă fizico-chimică de depunere.
În practică este necesar să se ia măsuri pentru ca gazul reactant să nu bombardeze
ţinta, deoarece ar forma compuşi complecşi pe aceasta, care au rate de pulverizare foarte
reduse.
Din cauza randamentelor de pulverizare scăzute, şi implicit, şi a ratelor de depunere
reduse, în aplicaţii industriale practice aceste metode sunt înlocuite de pulverizarea
magnetron reactivă.

IV-2.1.A.d Pulverizarea catodică tip diodă în c.c. cu substratul polarizat la potenţial


pozitiv
În cazul în care substratul este polarizat la un potenţial uşor pozitiv faţă de masă, se
produce o bombardare continuă a peliculei cu electroni din plasma descărcării luminiscente,
ceea ce poate duce la încălzirea excesivă a substratului
În plus, substratul nefiind bombardat continuu de ionii pozitivi ai gazului inert (ca în
BIAS PUTTERING sau ION PLATING), iar presiunea de lucru fiind relativ ridicată, gazele
care ajung în timpul depunerii la substrat pot fi adsorbite şi încorporate în peliculă, ceea ce
poate duce la impurificarea accentuată a peliculelor depuse. Din aceste motive metoda nu a
avut utilizări practice deosebite.

IV-2.1.A.e Pulverizarea catodică tip diodă în c.c., cu substratul polarizat în RF


Atunci când substratul (piesa de acoperit) este izolant, pentru a putea asigura
degazarea peliculei pe timpul depunerii prin „bias sputtering” în RF, precum şi repulverizarea
peliculelor slab aderente, este necesară polarizarea portsubstratului în RF. Portsubstraturile
standard de RF sunt realizate sub forma unui disc (uzual, cu dimensiuni de 100, 150 sau 200
mm) din oţel inoxidabil, răcit cu apă şi montat ca o țintă de RF, aşa cum se va arata în figura
IV-13.a. şi figura IV-13.b.
Pentru a asigura localizarea plasmei în zona de interes, precum şi pentru a elimina
impurificarea peliculei depuse, portsubstratul şi tija acestuia de susţinere, sunt prevăzuţi cu
ecrane de limitare a plasmei.
Portsubstratul polarizat în RF trebuie să poată fi deplasat în lungul axei sale, pentru a
asigura distanţa optimă catod (ţinta de pulverizare) — anod (portsubstrat).
Uneori, pentru a asigura o îmbunătăţire a uniformităţii depunerilor, portsubstratul
polarizat în RF, permite şi rotaţia acestuia.
Polarizarea în RF a pieselor izolante este utilizată şi pentru:
- curăţirea (clining-ul) acestora prin bombardamentul ionic, înaintea depunerii
corodarea peliculei depuse.

IV-2.1.A.f Pulverizarea catodică tip diodă în c.c. asistată de bombardament cu


fascicul de ioni sau de atomi neutri
În vederea îmbunătăţirii compactităţii, structurii şi aderenţei peliculei depuse poate fi
utilizat şi bombardamentul „lejer” al peliculei în timpul depunerii, cu fascicul de ioni sau de
atomi neutri (în cazul substraturilor sau depunerilor din dielectrici).
Din cauza randamentului redus al pulverizării tip dioda în c.c., „asistarea“ depunerii
prin bombardament cu fascicul de ioni sau de atomi neutri nu are utilizare în practică ci
numai teoretică şi de laborator.
Asistarea depunerilor cu fascicule de ioni sau atomi neutri este utilizată cu bune
rezultate, în special în cazul evaporării termice, care asigură rata ridicată de depunere, dar
aderenţa scăzută a depunerii.
 Concluzii privind pulverizarea catodică tip diodă în curent continuu
Încă utilizat şi astăzi, din cauza simplităţii sale, procedeul de depunere a straturilor
subţiri prin pulverizare catodică tip diodă în c.c, îşi restrânge aria de utilizare din următoarele
motive esenţiale:
1. Viteza (rata) de depunere este foarte scăzută (cu 1...2 ordine de mărime mai
mică decât în cazul evaporării termice rezistive).
2. Temperatura la care poate ajunge substratul în timpul pulverizării este relativ
ridicată (300…500) °C, din cauza bombardamentului cu electroni secundari la care este
supus. De aceea, în practică, trebuie acordată o atenţie deosebită problemei transferului
termic între substrat şi suportul acestuia. De cele mai multe ori este necesară răcirea forţată a
suportului şi a camerei tehnologice.
3. Întreţinerea descărcării la o presiune de cca. 10-2 mbar, necesită utilizarea unei
tensiuni mai mari de 3 kV, impunând măsuri suplimentare pentru protecţie la străpungeri sau
conturnări.
4. Geometria electrozilor trebuie să fie bine definită, atât catodul cât şi anodul
trebuie sa fie plan paraleli, iar distanţa anod-catod trebuie să fie între 2 şi 4 cm.
5. Din cauza presiunii crescute de lucru se produce contaminarea stratului depus
(aflat la electrodul pozitiv), cu gazele active din incintă (O 2, N2, H2O, CO, CO2), care în
plasmă tind să formeze ioni negativi, ca urmare a creşterii sensibile a reactivităţii acestor gaze
în stare ionizată.
De asemenea, în timpul procesului de pulverizare, în stratul de formare se
încorporează şi o anumită cantitate din gazul de lucru.
Cantitatea de gaz încorporată în pelicula depusă depinde de:
- tensiunea de polarizare a suportului
- distanţa ţintă-substrat
- presiunea gazului din incintă
- compoziţia gazului din incintă
- temperatura suportului
- grosimea peliculei.
Îmbunătăţirile aduse prin procedeul „bias sputtering“ face ceva mai atractivă această
metodă, dar avantajele aduse nu compensează rata scăzută de depunere a peliculei.
Pulverizarea reactivă tip diodă în c.c., deşi foarte interesantă, din cauza ratei scăzute
de depunere, nu prezintă, nici ea, interes practic.
Un alt dezavantaj important al pulverizării tip diodă în c.c. îl constituie şi
imposibilitatea pulverizării materialelor dielectrice. Dacă ţinta este din material izolant, ionii
ce lovesc ţinta nu pot să se neutralizeze cu electronii din suprafaţa ei, din cauza
conductibilităţii electrice foarte scăzute se formează o sarcină superficială pozitivă, care
opreşte orice bombardament al ţintei cu ionii pozitivi ai gazului de lucru.
Metoda pulverizării catodice tip diodă în c.c. este înlocuită astăzi cu metode
perfecţionate de pulverizare cu rate mult mai mari de depunere, şi deci cu eficienţă mult mai
ridicată.

IV-2.1.B Pulverizarea catodica tip dioda în RF


Descărcarea luminiscentă anormală, poate fi obţinută nu numai în curent continuu
(c.c.) ci şi în curent alternativ (c.a.). Ca sursă de ioni pentru bombardament prezintă interes
numai descărcarea luminiscentă anormală în RF.
Pentru descărcarea luminiscentă în c.a. la 50 Hz. mobilitatea ionilor este suficient de
ridicată pentru ca în fiecare semiperioadă, la schimbarea polarităţii pe electrozi, ionii pozitivi
ai gazului de bombardament să aibă timp să parcurgă întregul spaţiu dintre electrozi şi să-i
bombardeze consecutiv.
Exceptând faptul că ambii electrozi sunt bombardaţi consecutiv, descărcarea
luminiscentă în c.a. nu diferă prin altceva de descărcarea luminiscentă în c.c. Acest lucru este
valabil pentru tensiuni alternative cu frecvenţe de până la 50 Hz.
Acest lucru se poate vedea mai clar din calculul vitezelor şi al timpilor necesari
electronilor şi ionilor din plasma descărcării luminiscente pentru a străbate spaţiul anod-
catod.
Viteza electronilor, acceleraţi de căderea de tensiune anod-catod ( U A C ) , se determină
pornind de la relaţia:
2
me v e 2 2 eU AC
=eU AC sau v e = (IV-25.)
2 me
unde UAC = tensiunea anod-catod
Pentru me =m p /1860=1,67 ∙ 10−31 kg/1860=8,978∙ 10−31 kg ≈ 9 ∙10−31 kg şi

e=1,602 ∙10−19 C rezultă


v e ≈ 5,96 ∙107 √ U AC [m/s] (IV-26.)
Cum în descărcarea luminiscentă utilizată în pulverizarea tip diodă tensiunea anod-
catod ( U A C ) utilizată este între 1 şi 3 kV, considerând U A C = 1600 V, rezultă
v e=5,96∙ 10 7 ∙ 40=23,84 ∙ 108 [m/s ]≈ 2,4 ∙10 9 [m/s] (IV-27.)
Pentru o distanţă anod-catod, uzuală de 4,8 cm, timpul necesar electronului pentru a-1
străbate, considerând pentru simplificare o mişcare uniformă, va fi:
4,8∗10−2 m −7
t eAC = 9
=2∗10 s=0,2 µ s (IV-28.)
2,4∗10 m/s
care este mult mai mică decât perioada de oscilaţie a tensiunii de accelerare.
1 1
T 50 Hz=s=0,02 s=20 ms ; T 50 kHz = =2 ∙10−5 s=20 μs (IV-29.)
50 50∗10 3

În cazul ionilor, ţinând seama că m i = m A r + = 39,9 ∙ 1,67 ∙ 10-19 kg = 6,66 ∙ 10-59 kg,
formula de calcul a vitezei de deplasare a acestora va fi:
V Ar +¿=0,219 √ U =0,219 √1600 m/ s=8,76 m / s ¿
AC
(IV-30.)
Timpul necesar ionului de argon pentru a străbate spaţiul anod-catod va fi:
4,8∙ 10−2 m −2
t iAC= =0,55 ∙10 s=5,5 ms (IV-31.)
8,76 m/s
La frecvenţe de peste 50 kHz, apar două efecte importante şi anume:
- electronii, datorită oscilaţiilor în câmpul de înaltă frecvenţă dintre electrozi,
capătă suficientă energie pentru a produce suficiente coliziuni cu generare de ioni şi electroni,
eliminând astfel dependenţa descărcării de electronii secundari generaţi la impactul
electronilor cu ţinta şi scăzând tensiunea de aprindere şi presiunea de lucru a descărcării;
- electrozii nu trebuie să mai fie buni conductori electrici, deoarece înalta
frecvenţă poate fi cuplată prin orice fel de impedanţă, permițând astfel pulverizarea
dielectricilor.
La frecvenţe tipice de pulverizare de (5…30) MHz, din cauza mobilităţii scăzute,
numai un număr foarte scăzut de ioni ar reuşi să bombardeze electrozii şi anume numai cei
aflaţi mai aproape de electrodul polarizat negativ în semialternanţa respectivă, în timp ce un
număr mult mai mare de electroni ar bombarda electrodul respectiv, în semialternanţa
pozitivă, datorită mobilităţii mult mai ridicate a acestora.
Dacă ţinta unuia din electrozi este realizată din material izolant, datorită mobilităţilor
diferite ale ionilor şi electronilor, se poate obţine autopolarizarea electrozilor şi, în
consecinţă, pulverizarea numai a unui singur electrod.
Astfel, la cuplarea generatorului de RF între cei doi electrozi, în prima semialternanţă
pozitivă, un număr redus de ioni vor bombarda ţinta, crescându-i uşor potenţialul din cauza
imposibilităţii de neutralizare a sarcinii pe suprafaţa ţintei izolante.
În semialternanţa următoare, cu minus pe ţinta izolantă, un număr mult mai mare de
electroni vor bombarda ţinta, datorită mobilităţii mai mari a acestora, neutralizând sarcina
pozitivă acumulată pe ţintă şi producând totodată şi o polarizare suplimentară cu sarcini
negative uniform dispersate pe suprafaţa ţintei.
Cu fiecare nouă perioadă a tensiunii alternative, sarcina negativă se acumulează pe
ţinta izolantă, iar ca rezultat, potenţialul negativ al ţintei creşte.
Pentru a se întreţine descărcarea este necesar să se menţină cvasineutralitatea plasmei
şi pentru aceasta trebuie ca la fiecare semialternanţa aceeaşi cantitate de sarcină electrică să
se transfere din plasmă spre fiecare electrod, adică
I i ∙ t i =I e ∙t e (IV-32.)
I I
unde i și e curentul ionic, respectiv electronic, ce ajunge la ţintă
t i și t e = durata de scurgere a curenților ionici şi electronici spre ţintă
În cele din urmă apare o tensiune negativă constaţi pe ţintă, tensiune care se va
suprapune cu tensiunea alternativă de radiofrecvenţă, ceea ce este echivalent cu deplasarea
axei tensiunii de radiofrecvență, ca în figura IV-10.
Fig. IV-10 Procesul tranzitoriu de autonegativare a ţintei în pulverizare catodică în
RF
Componenta continuă Ud de antopolarizare a ţintei izolante este aproximativ egală cu
amplitudinea tensiunii variabile de radiofrecvenţă şi, practic, determină energia medie a
ionilor ce bombardează ţinta.
În realitate componenta U d este pulsatorie. Sistemul compus din substrat cu pista
dielectrică şi suprafaţa sarcinii electronice, se comportă ca un condensator care, practic, se
încarcă cu fluxul de electroni în semialternanţa pozitivă şi se descarcă cu fluxul de ioni în
semialternanța negativă.
Variația componentei Ud (ΔUd) depinde de curentul ionic, de timpul de bombardament
cu ioni a ţintei, care este dat de frecvenţa tensiunii de RF şi de capacitatea țintei.
Pentru valorile practice I i=2 A ,C ≈2 ∙ 10−3 μF.
1 1 (IV-33.)
t i= = s=7,37 ∙ 10−8 s=0,0737 μs
13,56 MHz 13,56 ∙ 10 −6

Din relația i i =C ∙U d rezultă ∆ U d ≈ 100V


I ∙ t
Cum tensiunea de autopolarizare U d este aproximativ egală cu valoarea tensiunii de
RF, care este de (1...2) kV, rezultă că variaţia tensiunii U d este sub 10%.
În condițiile descărcării de înaltă frecvență, particulele încărcate (electronii şi ionii)
efectuează mişcări oscilante cu amplitudinea:
E (IV-34.)
A=μ
ω
unde: μ = mobilitatea particulei ce depinde de presiunea gazului, de sarcina şi de masa ei
E = amplitudinea câmpului electric
ω = pulsația tensiunii de alimentare.
Dacă distanţa dintre electrozi depăşeşte amplitudinea A, la electrozi ajung numai
particule care se găsesc față de electrod la distanțe ce nu depășesc A. Aceasta înseamnă că în
partea mediană a descărcării, electronii efectuează mișcări oscilatorii care efectiv ionizează
gazul, de aceea descărcarea, electronii efectuează mișcări oscilatorii care efectiv ionizează
gazul, de aceea descărcarea în RF poate să aibă loc la presiuni cu mult mai scăzute (practic
până la 10-3 mbar) și necesitatea sistemelor complicate tip triodă pentru pulverizarea
dielectricilor nu mai este necesară.
Dacă în sistemul de pulverizare se introduce şi un câmp magnetic, orientat în lungul
descărcării, pentru a creşte gradul de ionizare şi a reduce împrăștierea şi difuzia electronilor,
prin confinarea plasmei în zona de interes, presiunea de menţinere a descărcării scade şi mai
mult (cu un ordin de mărime).
Acelaşi lucru se întâmplă şi în cazul în care ţintele electrozilor sunt din materiale
conductive electric, dar unul din electrozi este cuplat la generatorul de radiofrecvenţă printr-
un condensator, iar aria acestuia este mult mai mică decât a electrodului cuplat direct la
generator şi, de regulă, legat la masă.
În practică se utilizează o reţea specială de adaptare (boxa de adaptare — matching
network), pentru cuplajul generatorului de RF la electrodul de pulverizare.
În figura IV-11 este prevăzută caracteristica voltamperică a descărcării şi apariţia
tensiunii negative pulsatorii pe electrodul cuplat capacitiv.

Fig. IV-11 Procesul tranzitoriu de formare a tensiunii negative şi pulsatorie pe


electrodul cuplat capacitiv în descărcare luminiscentă în RF (a) caracteristica voltamperică
a descărcării (b) şi distribuţia potenţialului (c).
La aplicarea tensiunii de RF prin condensator, un curent electronic iniţial mare se
scurge spre electrod.
Deoarece prin condensator nu se poate tranfera nicio sarcină, sarcina negativă
acumulată va autopolariza negativ suprafaţa ţintei, până ce curentul ionic devine egal cu cel
electronic, aşa cum se arată în figura IV-11.c obţinută prin deplasarea axei tensiunii de RF cu
valoare Vd.
Raportul dintre tensiunea spaţiului luminos şi electrodul cuplat capacitiv (Vc) şi
tensiunea spaţiului luminos şi electrodul legat la părmânt (Vd) este egal cu puterea a patra a
inversului raportului ariilor celor doi electrozi.
Vc Ad 4 (IV-35.)
Vd
=
Ac ( )
În practică, electrodul legat la pamânt include și platanul şi pereţii camerei
tehnologice, aşa încât Ad ≫ Ac .
Drept urmare V d se reduce foarte mult şi deci şi bombardamentul acestui electrod
devine nesemnificativ, în comparaţie cu bombardamentul electrodului cuplat capacitiv.
Distribuţia potenţialului este arătată în figura IV-11.c.
Aşadar, pentru a obţine pulverizarea numai dintr-un singur electrod în sistemul de
pulverizare în RF, trebuie fie ca ţinta unuia din electrozi să fie din material izolant fie ca unul
din electrozii metalici să fie cuplat la generatorul de radiofrecvență printr-un condensator, iar
aria electrodului cuplat capacitiv să fie mult mai mică decât aria celui legat la masa
instalaţiei.
În ambele sisteme de cuplare prezentate, denumite sisteme asimetrice, se asigură
pulverizarea intensivă a ţintei de pulverizare, dar şi bombardamentul slab cu ioni a peliculei
în creştere, ceea ce asigură o scădere importantă a gazelor adsorbite în pelicula depusă:'
La sistemele asimetrice de pulverizare în RF sunt necesare mijloace speciale şi
complicate de protecţie la descărcări parazite faţă de pământ, în interiorul camerei
tehnologice.
La astfel de sisteme este posibilă pulverizarea interiorului camerei şi. impurificarea
peliculei depuse, de aceea alături de sistemele asimetrice (legate la pământ, vezi şi figura IV-
12.a.) se utilizează sisteme simetrice, fără împământare, aşa cum se arată în figura IV-12.b. şi
IV-12.c.
În sistemele cu doi electrozi-ţintă se produce pulverizarea alternativă a ţintelor și
depunerea materialului pe substratul izolat.

Fig. IV-12 Sisteme de alimentare pentru pulverizare în RF a) –asimetric; b) și c) –


simetric
1 - ținta; 2 – sistem magnetic; 3 – portsubstrat; 4 - inductor
În figura IV-12.c se folosesc două inductoare de RF în spaţiul dintre ţintă şi substrat,
care obligă electronii să se. mişte în spirală, cu schimbarea direcţiei de rotaţie, datorită căreia
gradul de ionizare al plasmei creşte foarte mult, permițând întreţinerea descărcării până la
presiuni de 0,05 Pa (5 ∙ 10-4 mbar). Datorită scăderii presiunii în camera tehnologică şi a
posibilităţilor de obţinere de pelicule „curate“ pulverizarea catodică în RF se foloseşte cu
succes şi pentru pulverizarea materialelor conductoare.
Elementul esenţial al echipameutului de pulverizare catodică în RF, responsabil de
generarea şi de întreţinerea descărcării în camera tehnologică şi generator al materialului de
depunere sub formă de atomi ejectaţi îl constituie ansamblul catod de pulverizare. Realizarea
practică a acestuia pune o serie de probleme legate de ecranarea acestuia, prinderea şi răcirea
corespunzătoare a ţintei de pulverizare şi izolarea electric. În figura IV-13 a şi b, sunt
prezentate două soluţii practice de realizare a catozilor de pulverizare RF [30; 31].

Tipul catodului A [mm] B [mm] C [mm] D [mm]


CRF 100 99 134 74 106
CRF 150 148 188 74 106
CRF 200 198 240 74 106
Fig. IV-13 Soluţii practice de realizare a catozilor de pulverizare
IV-2.1.C. Pulverizarea catodică tip triodă (pulverizarea plasmo-ionică)
Descărcarea luminiscentă anormală (GLOW DISCHARGE), utilizată în pulverizarea
catodică tip diodă, este o sursa ineficientă de ioni de bombardament pentru pulverizarea
catodică, deoarece numai un procent mic din atomii gazului de lucru sunt ionizaţi în
descărcare, iar din aceştia un număr redus participă la bombardarea şi pulverizarea ţintei
catod.
Pentru a creşte concentraţia ionilor de bombardament, în scopul creşterii ratei de
pulverizare, este necesar să se crească gradul de ionizare al plasmei. Acest lucru este posibil
prin sprijinirea termoelectronică şi magnetică a descărcării.
Presiunea de lucru ridicată, utilizată în pulverizarea tip diodă, duce la impurificarea
peliculei depuse, precum şi la reducerea substanţială a ratei de pulverizare, la creşterea
distanţei anod-catod.
Cele două dezavantaje (rata scăzută de pulverizare şi impurificarea peliculei depuse
din cauza presiunii de lucru ridicate), ale pulverizării catodice tip diodă, ca metodă de
depunere a straturilor subţiri în vid, pot fi eliminate prin utilizarea metodei de pulverizare
catodică tip triodă, denumită în literatura de specialitate şi pulverizare plasmo-ionică.
Sistemul de pulverizare plasmo-ionică (sistemul de pulverizare catodică tip triodă),
este obţinut dintr-un sistem clasic de pulverizare tip diodă, prevăzut cu doi electrozi (anodul
cu rol de substrat şi catodul cu rol de ţintă de pulverizare), la care se adaugă un sistem
suplimentar anod-catod termoelectronic, pentru sprijinirea termoelectronică a descărcării.
În figura IV-14, este prezentată schema unui sistem de pulverizare catodică tip triodă.

Fig. IV-14 Schema pulverizării catodice tip triodă


1 — termocatod
2 — ţintă
3. — anod
4. — substrat
5 — portsubstrat
Prin utilizarea catodului încălzit (realizat sub forma unui filament de wolfram şi
încălzit la 2500°C) se emite de către acesta electroni care vor fi acceleraţi în câmpul electric
stabilit între anod şi termocatod, stabilind o descărcare luminiscentă neautonomă, care poate
fi amorsată datorită existenţei emisiei termoelectronice, la presiuni mai scăzute de până la 10-
2
mbar şi la tensiuni anod-catod mult mai reduse (de 100 V faţă de 500 V la pulverizarea tip
diodă standard).
În cele mal multe cazuri practice, în scopul intensificării descărcării luminiscente,
deci a creşterii concentraţiei ionilor, respectiv a curentului de descărcare, în sistemele de
pulverizare tip triodă se utilizează şi un câmp magnetic axial slab, ce se suprapune peste
câmpul electric dintre anod şi catod. Prin alungirea traiectoriilor de deplasare spre anod a
electronilor emiși de termocatod, se măreşte eficienţa de ionizare a gazului şi se asigură o
concentrare a plasmei în spaţiul anod termocatod.
Ansamblul termocatod (filament de W)-anod-bobină, constituie un dispozitiv
generator de plasmă, independent de prezenţa electrozilor ţintă-substrat ai sistemului de
pulverizare catodică tip diodă.
În figura IV-15 este prezentată o configuraţie practică de pulverizare catodică tip
triodă.

Fig. IV-15. Configurație practică a unui sistem de pulverizare catodică tip triodă cu
descărcare Pening și emisie termoelectronică.
Parametri tipici pentru pulverizarea tip triodă, prezentată în figura IV-15, sunt:
- presiunea de lucru: sub 10-3 mbar
- tensiunea de polarizare a ţintei (700...5000) V, polarizat negativ faţă de masă
- tensiunea de polarizare a anodului faţă de catod: +100 V
- curentul în descărcare: (1...10) A
- densitatea curentului pe ţintă: j = 250 mA/cm3
- viteza de depunere: (200...500) A/min
Pentru distanţa substrat-ţintă de 5 cm; presiune de 10 -3 Torr; tensiune de polarizare
ţintă: 1000 V; curent ţintă: 300 mA şi curent anodic: 7 A, vitezele de pulverizare obţinute
sunt conform tabelului IV-9:
MATERIAL Cu Ni Al Ta
VITEZA DE DEPUNERE [µ/H] 12 7 5,2 4,5
Variaţia vitezei de depunere funcţie de curentul prin ţintă, pentru câteva materiale
uzuale este prezentată în figura IV-16.

Fig. IV-16 Variația vitezei de depunere funcție de curentul prin țintă


Pulverizarea catodică tip triodă asigură metalizarea suprafeţei interioare a tuburilor şi
ţevilor. În figura IV-17 este prezentat schematic un sistem de pulverizare catodică tip triodă
pentru depunerea de Niobiu pe interiorul unei ţevi de cupru [30].
Fig. IV-17 Metalizarea interioară a cavităţilor prin pulverizare catodică tip triodă
Dezvoltarea în continuare a sistemelor de pulverizare tip triodă, a condus la utilizarea
de surse de ioni (independente) autonome. Pe această bază se asigură îndeplinirea uneia din
cerinţele de bază a sistemelor de pulverizare şi anume reducerea presiunii de lucru în vederea
reducerii impurificării peliculei depuse. Astfel, în timp ce în camera de descărcare cu
termocatod (camera sursei de ioni), presiunea este de cca. 0,5 Pa, în camera de depunere
presiunea este de cca. 0,015 Pa.
Avantajele sistemelor de pulverizare catodică tip triodă faţă de cele tip diodă:
a) — tensiunile de lucru sunt mult mai reduse
b) — viteza de depunere este mult mai mare
c) —puritatea stratului depus este mult mai bună, deoarece se lucrează la presiuni mai
scăzute
d) — forma substratului şi dispunerea acestuia faţă de ţintă permit o libertate mai mare
în alegere.
Dezavantajele metodei:
a) — necesită o aparatură mai complexă
b) — nu permite pulverizarea materialelor dieletrice
c) — nu se pot obţine, pelicule cu grosime uniformă pe suprafeţele mai mari de câţiva
cm2.
d) — utilizarea metodei în procese reactive este limitată din cauza oxidării şi arderii
filamentului.

IV-2.1.D Pulverizarea catodică tip magnetron în c.c.


Generalităţi
Aşa după cum am mai spus, descărcarea luminiscentă fiind o sursă ineficientă de ioni
pentru pulverizare, s-au căutat diverse căi de creştere a gradului de ionizare a gazului din
descărcare, în scopul intensificării bombardării ţintei de pulverizare şi deci în scopul creşterii
ratei de pulverizare.
Utilizarea în sistemele de pulverizare catodică tip diodă, de câmpuri magnetice slabe
(200 Gs...lG00 Gs) şi paralele cu planul ţintei de pulverizare, asigură localizarea şi confinarea
plasmei în imediata vecinătate a catodei, precum şi intensificarea şi îmbogăţirea acesteia
(creşterea concentraţiei ionilor de bombardament şi deci a curentului în descărcare).
Principiile de bază ale tuturor tehnicilor de pulverizare cu sprijinire magnetică, au fost
descoperite de Penning, dezvoltate ulterior de Kay şi de alţii şi au condus în final la realizarea
unor dispozitive speciale de pulverizare precum: magnetronul plan, magnetronul conic (tunul
de pulverizare) şi magnetronul cilindric. Lucrările lui Penning au condus anterior la
inventarea pompelor ionice, a căror dezvoltare a contribuit indirect la înţelegerea şi evoluţia
surselor de pulverizare, îmbogăţite (sprijinite) magnetic.

IV-2.1 .D.a Magnetroane. Sisteme de pulverizare magnetron


a.l) — Generalităţi
Magnetroanele sunt dispozitive speciale de pulverizare catodică tip diodă (deci cu
catod şi anod), prevăzute cu câmpuri electrice şi magnetice încrucişate şi cu o anumită
configuraţie a electrozilor (anod şi catod) şi a sistemului magnetic, care să asigure o capcană
magnetică electronilor secundari pentru intensificarea şi localizarea plasmei la suprafaţa ţintei
de pulverizare, în vederea creşterii ratei de pulverizare.
Câmpul magnetic, paralel cu planul ţintei, neomogen şi pe cât posibil perpendicular
pe cel electric în zona de pulverizare, este asigurat de electromagneţi sau de magneţi
permanenţi.
De multe ori anodul, ce constituie electrodul polarizat pozitiv în pulverizarea catodică
tip diodă, nu este integrat dispozitivului de pulverizare magnetron ci, alaturi de catodul de
pulverizare prevăzut cu sistem de magneţi, formează sistemele de pulverizare magnetron
(SPM).
De aceea considerăm că noţiunea de SPM este cea mai generală şi cea mai corectă şi
că:
- denumirea de „catozi Penning de pulverizare“, utilizată şi în literatura tehnică
de specialitate, este indicat să fie folosită pentru dispozitivele de pulverizare (catozii de
pulverizare) ce nu includ în construcţia lor şi anodul care asigură o anumită configuraţie
câmpului electric, dar care sunt prevăzute cu un sistem de magneţi ce asigură o configuraţie
dată câmpului magnetic.
- denumirea de „magnetroane“ sau de sisteme de pulverizare tip magnetron este
indicat să se utilizeze numai pentru dispozitivele de pulverizare care posedă câmpuri electrice
şi magnetice încrucişate, cu o configuraţie stabilă şi independentă de poziţia de montaj a
acestora, asigurate de o anumită geometrie a electrozilor anod-catod şi a sistemului magnetic.
Denumirea acestor dispozitive şi sisteme speciale de pulverizare catodică magnetron
vine de la dispozitivele de ultraînaltă frecvenţă, numite magnetroane, cu care se aseamănă
numai prin existenţa câmpurilor electrice şi magnetice încrucişate. Totuşi, denumirea de
magnetroane pentru dispozitivele de pulverizare ce folosesc câmpuri electrice şi magnetice
încrucişate sau de sisteme de pulverizare magnetron pentru instalaţiile de depunere în vid ce
utilizează aceste dispozitive, a intrat de mult în literatura tehnică de specialitate şi nu se mai
fac confuzii.
În funcţie de forma ţintei de pulverizare, la suprafaţa căreia este localizată şi confinată
plasma, magnetroanele pot fi:
- cu ţintă cilindrică
- cu ţintă sferică
- cu ţintă conică
- cu ţintă plană.
În funcţie de natura tensiunii de polarizare a ţintei catod, magnetroanele se pot
clasifica în:
- magnetroane de curent continuu (c.c.)
- magnetroane de radio frecvenţă (RF).
Primul magnetron de c.c. cu ţintă conică, denumit si tun de pulverizare, a fost brevetat
de Clarke în 1971 (brevet USA nr. 3.616.450). În 1974 Chopin a prezentat primul magnetron
de RF ce utilizează pentru realizarea câmpului magnetic un electromagnet de c.c. Nu a fost
prezentat nici un parametru de lucru, decât acela că impedanţa plasmei este mult mai scăzută
decât la pulverizarea tip diodă în RF şi că pot fi pulverizate ţinte din material izolant cu rate
foarte ridicate.
De atunci şi până astăzi a fost brevetat un număr extrem de mare de magnetroane în
diverse soluţii constructive, cu ţintă plană, conică sau cilindrică, cu diverse configuraţii de
câmp magnetic, obţinute cu electromagneţi sau magneţi inelari sau paralelipipedici, realizaţi
din AlNi, AlNiCo, ferite cu bariu sau stronţiu, pământuri rare de tip samariu-cobalt, cu
diverse tehnici de prindere a ţintei şi cu diverse soluţii tehnice şi tehnologice de realizare.
Răcirea catodului în pulverizarea planar-magnetron este importantă din cauza marii
disipări de putere la catod. În pulverizarea catodică convenţională se estimează că (55...70)%
din energia transferată catodului este preluată de agentul de răcire. Puterea maximă de
funcţionare a unui magnetron plan este determinată de condiţiile de răcire ale ţintei de
pulverizare.
Răcirea cu apă este cea mai obişnuită metodă de menţinere a unei temperaturi scăzute
a catodului, deşi a fost folosită răcirea cu gaz precum şi răcirea cu ulei. Debitele apei de
răcire trebuie determinate astfel ca supratemperatura acesteia să nu depășească, de regulă,
10°C. În tabelul IV-10 se prezintă debitele minime necesare în raport cu puterea disipată
pentru o supratemperatura ΔT de 10°C.
Conductivitatea electrică a apei de răcire (vezi şi tabelul IV-11) trebuie să fie suficient
de joasă pentru a minimiza curentul de scurgere la masă. Când se aplică tensiunea maximă,
curenții de scurgere prin conductele de apă spre masă, din motive de protecție a muncii,
trebuie să nu depășească 10 mA.
TABELUL IV-10
Debite de apă pentru diferite puteri de pulverizare,
pentru ΔT = 10°C.
Nr. Puterea disipată Debitul apei de răcire Diametrul nominal de racordare a apei
Crt. [kW] [l/min] [mm]
1. 2 2,8 6
2. 4 5,6 6
3. 6 11,2 6
4. 8 11,2 6
5. 10 14 6
6. 15 21 9
7. 20 28 9
8. 25 35 12
9. 30 42 12

TABELUL IV-11
Rezistivitățile electrice ale diferitelor tipuri
de apă de răcire
Nr. Rezistivitatea
Tipul de apă de răcire
crt. ρ[ohm∙m]
1. Apă de mare 3,0
2. Apă de pârâu şi râu 20,0
3. Apă de iaz sau de izvor 40,0
4. Apă de subteran 50,0
5. Apă de munte 700,0

Pentru a se asigura o răcire eficientă a ţintei catod, corpul magnetronului trebuie să


aibă o grosime mică pe faţa dinspre ţintă, dar care să asigure totuşi rezistenţa mecanică
necesară (să reziste fără deformare la presiunea atmosferică însumată cu presiunea apei de
răcire). În cele mai multe situaţii practice corpul magnetronului este şi el polarizat negativ,
îndeplinindu-și rolul de catod.
Ţinta-catod este prinsă de faţa frontală a corpului magnetronuiui, fie prin lipire, fie
prin fixare mecanica.
Lipirea este cea mai eficace din punct de vedere al transferului de căldura, dar este
mai puţin convenabilă. Pentru lipirea ţintei de corpul magnetronului se folosesc aliaje de
lipire cu punctul de topire scăzut, cum ar fi aliajul cu 50% Sn şi 50% In şi uneori răşini
epoxidice, conductoare termic. Inconvenientele apar atunci când se epuizează viaţa ţintei şi
trebuie înlocuită, proces care adesea necesită reprelucrarea corpului catodului. Pentru a fi
eficientă lipirea trebuie să fie completă pe toată suprafaţa spatelui ţinte. În cazul în care apar
imperfecţiuni la interfața catod-țintă, se vor forma puncte fierbinţi pe suprafaţa ţintei.
Ca aliaj de lipire cu puncte de topire scăzute se utilizează aliaje pe bază de Bi, In, Pb
și Sn așa cum se prezintă în tabelul IV-12.
TABELUL IV-12
Aliaje de lipire cu puncte de topire scăzute
Compoziţia în [%] Temperaturi în °C
Bi
In Pb Sn Lichid Solid
49 21 18 12 58 58
56 — 22 22 104 95
— 52 — 48 117 117
— 50 — 50 127 117
— 25 37,5 37,5 138 —
58 — — 42 138 —
— 42 — 58 145 117
— 80 15 — 149 141
— 99 — — 153 153
— 100 — — 157 157
— 12 18 70 174 150
— 70 30 — 174 160
— — 37 63 182 —
— — 30 70 186 183
— — 40 60 188 183
— — 50 50 214 183
— — 60 40 238 183

Pentru lipirea ţintelor pe Cu, dar şi pe alte materiale se utilizează cu bune rezultate
aliajul cu 50% Sn şi 50% In.
Galiul poate fi utilizat la temperatura ambiantă pentru umezirea suprafeţelor pieselor
(curăţate în prealabil), ce urmează a fi ataşate, permițând lipirea acestora cu oxidarea minimă
a suprafeţelor ce se unesc. Trebuie folosită o cantitate minimă de galiu, deoarece aceasta
formează un aliaj casant cu In şi Sn, Galiul nu poate fi utilizat în cazul pieselor din aluminiu,
deoarece la temperatura ambiantă Ga difuzează rapid.
Când este necesară o rezistenţă termică de contact cât mai scăzută, precum şi o gazare
redusă, fixarea ţintei de corpul magnetronului se poate face prin sudare.
O altă tehnică, mai simplă, este fixarea mecanică a ţintei de corpul magnetronulul. În
cazul ţintelor metalice sau din aliaje metalice nu este nevoie de pregătire specială, cu excepţia
prelucrării feţei posterioare a ţintei pentru a asigura un bun contact termic cu catodul.
Este recomandabil ca ţintele sinterizate, precum şi cele din materiale izolante să fie
lipite pe nişte plăci subţiri din cupru, care apoi să fie fixate mecanic de corpul magnetronului.
Ţintele din materiale dielectrice, precum şi cele din materiale sintetizate, în multe
cazuri sunt acoperite pe partea posterioară cu pelicule metalice şi fixate apoi prin lipire de
corpul magnetronului.
Pentru a se reduce gazările abundente în timpul pulverizării, ţintele de pulverizare
trebuie realizate, de regulă, din materiale dense, obţinute prin topire şi turnare în vid, dar
aceasta nu exclude de exemplu utilizarea ţintelor obţinute din materiale sinterizate.
Ţintele feromagnetice, cum ar fi cele din nichel şi cobalt, trebuie să fie destul de
subţiri, pentru a fi saturate de câmpul magnetic. Pentru magneţi din ferite, grosimea ţintei
feromagnetice nu depăşeşte 2-3 mm. Pentru ţinte din materiale clasice, grosimile uzuale sunt
de 6 şi 9 mm.
Un dezavantaj al pulverizării magnetron este acela că ţinta se erodează numai în
regiunea câmpului magnetic transversal (paralel cu planul ţintei) şi pe măsura ce eroziunea
continuă, ionii ce bombardează ţinta sunt focalizaţi într-o regiune din ce în ce mai îngustă,
conducând la un profil de eroziune în formă de „V“, rezultând astfel un coeficient de utilizare
al materialului de 2 5 % . . . 4 5%.
În scopul îmbunătăţirii utilizării materialului ţintei se foloseşte:
- mărirea grosimii ţintei în regiunea de eroziune
- suprapunerea peste câmpul magnetic constant a unui câmp magnetic oscilant
- mișcarea mecanică a sistemului magnetic (metodă utilizată la magnetroanele
cilindrice).
Creşterea gradului de utilizare al ţintelor pentru magnetroanele plane este extrem de
importantă pentru ţintele din materiale scumpe.
Sistemul magnetic, care este un element de bază al dispozitivelor de pulverizare
magnetron, trebuie să asigure la suprafața țintei un câmp magnetic de o anumită configurație
și o anumită mărime, altfel încât acesta împreună cu suprafața țintei să constituie o capcană
magnetică efectivă pentru electroni.
Componenta orizontală a câmpului magnetic la suprafața țintei de pulverizare în
sistemele magnetron, este de 200 Gs...1000 Gs. Valoarea de prag la care încetează
descărcarea magnetronului este de 80...90 Gs.
Sistemele magnetice ale dispozitivelor de pulverizare magnetron se pot realiza din
magneți permanenți, electromagneți sau dintr-o combinație a acestora.
Utilizarea magneților ale dispozitivelor de pulverizare în sistemele de pulverizare
magnetron, față de utilizarea electromagneților, prezintă anumite avantaje și anume:
- se elimină necesitatea utilizării unei surse de alimentare de c.c.
- se elimină disiparea suplimentară de căldură
- se elimină posibilitatea defectării izolației
- se reduce volumul și greutatea dispozitivului de pulverizare, în condiții
obținerii unui câmp magnetic echivalent
- se elimină posibilitatea întreruperilor accidentale de câmp magnetic.
Dezavantajele utilizării magneților permanenți în sistemele magnetron sunt:
- imposibilitatea modificării valorii câmpului magnetic în procesul de
pulverizare, în scopul modificării sau menținerii ratei de pulverizare.
- murdărirea suprafeței ţintelor de pulverizare prin atragerea de particule
magnetice de către câmpul magnetic.
Deși electromagneţii cresc complexitatea magnetroanelor, utilizarea lor poate fi
justificată, dacă se doreşte alternarea pulverizării convenţionale cu cea magnetron sau
menținerea constantă pe perioade mari a ratei de pulverizare.
Materialele magnetice adecvate pentru realizarea sistemelor magnetice ale
magnetroanelor sunt: feritele cu bariu sau cu stronţiu, aliajele AlNi şi AlNiCo şi aliajele de
pământuri rare cu cobalt.
Toate aceste materiale au câmp coercitiv mare şi inducţie remanentă mare şi se
demagnetizează repede când sunt lăsate în câmp deschis, ceea ce constituie situaţia normală
pentru catodul unui magnetron Feritele, neoxidându-se, permit amplasarea lor în circuitul de
răcire.
Magneţii permanenţi din pământuri rare cu cobalt, deşi scumpi, având energii
remanente ridicate de peste 40 kJ/m3, se utilizează pentru pulverizarea materialelor
feromagnetice, unde ţinta trebuie saturată magnetic, pentru a se putea crea un câmp magnetic
util la suprafaţa ţintei.
Cercetările pe modele şi machete au permis să se optimizeze variantele constructive
ale sistemelor magnetice din punct de vedere al simplităţii construcţiei, precum şi a mărimii
şi a geometriei câmpului magnetic, în scopul realizării unei anumite geometrii a câmpului
magnetic, pe lângă magneţi permanenţi de diferite forme şi dimensiuni, se utilizează pentru
închiderea şi reducerea pierderilor de câmp magnetic, piese polare şi juguri magnetice,
realizate din oţel moale.
Corpul magnetronului aflat sub tensiune este înconjurat de o carcasă izolantă, pentru a
asigura protecţia personalului de exploatare. Ca materiale de izolare se utilizează cu
precădere teflonul şi duramidul, materiale izolante cu gazări reduse.
La montarea magnetroanelor în interiorul camerei tehnologice, corpul acestora este
înconjurat opțional de un ecran legat la masă, care servește la reținerea plasmei numai la
suprafața țintei de pulverizare, precum și la împiedicarea bombardamentului și a pulverizării
corpului magnetronului.
Pentru a fi eficace, ecranul de limitare a plasmei trebuie să se afle la o distanță mai
mică decât spațiul întunecat catodic.
Anodul suplimentar este folosit în mod opțional cu scopul de a reduce încălzirea
stratului, ca urmare a reținerii electronilor secundari, scăpați din capcana magnetică, electroni
ce constituie sursa principală de încălzire a substratului.
 Concluzii privind utilizarea pulverizării magnetron și a dispozitivelor de
pulverizare magnetron
Indicatori privind avantajele pulverizării magnetron
Pulverizarea magnetron a căpătat o largă utilizare în realizarea industrială a
acoperirilor cu rol decorativ sau funcțional, datorită eficienței procedeului precum și datorită
avantajelor și posibilităților noi pe care aceasta le asigură.
Avantajele majore oferite de pulverizarea catodică magnetron pot fi scoase în
evidență prin analizarea unor indicatori tehnică-economici și a unor caracteristici esențiale
specifice proceselor de depunere a straturilor subțiri.
Tabelul IV-13
Caracteristici tehnice comparative esențiale
Ale proceselor de pulverizare în plasmă
Diodă Magnetron
Nr. Caracteristica standard Diodă în RF
Triodă Cu țintă Cu țintă
Crt. procesului cu țintă cu țintă plană
conică plană
plană
1. Presiunea [Pa] 10 0,5 0,07 0,3…0,7 0,1…0,5
Tensiunea pe țintă
2. 3…5 1…3 0,5…1 0,4…0,7 0,4…0,7
[kV]
Puterea medie
3. 2 5 5…10 80 100
[W/cm2]
4. Densitatea 1 5 5 160 200
curentului ionic
[mA/cm2]
Distanța dintre
5. țintă și substrat 10 10 40 25 5
[cm]
Viteza de depunere
6. pentru cupru 0,5 0,8 2 3 30
[nm/s]
Aspectul mișcării Sub formă de Rotație Rotație Deplasare
7. Plan static
substratului plan static planetară planetară liniară
Temperatura de
8. încălzire a 250…300 250…300 70 50 80
substratului [°C]
Gradul de utilizare
a materialelor
9. 60…80 60…80 30 30 60…80
țintei
[%]
Eficiența
10. pulverizării 10-8 7 25 20 35 35
[cm3/J]

În tabelul IV-13 sunt prezentate comparativ, în mod sintetic, caracteristicile tehnico-


constructive şi funcţionale esenţiale ale proceselor de pulverizare în plasmă a materialelor.
Competitivitatea şi avantajele utilizării pulverizării magnetron şi a dispozitivelor de
pulverizare de tip magnetron sunt evidenţiate în principal de următorii indicatori:
1. Flexibilitatea şi gama largă de posibilităţi tehnologice de depunere
2. Viteza de depunere
3. Uniformitatea depunerii
4. Aderenţa stratului depus
5. Efectul procesului asupra substratului
6. Structura fină a stratului depus.
1. Flexibilitatea şi gama largă de posibilităţi tehnologice de depunere
Pulverizarea catodică magnetron permite depunerea atât a materialelor conductoare,
realizate din metale sau aliaje metalice prin alimentarea în c.c. a dispozitivelor de pulverizare
(magnetroanelor) cât şi a materialelor dielectrice, prin alimentarea în RF a magnetroanelor.
Prin utilizarea pulverizării magnetron reactive în c.c. sau RF se pot realiza straturi
subţiri de: nitruri, carburi. oxizi, siliciuri, etc. obţinute prin reacţii chimice la nivelul
substratului între materialul de depunere (metalic sau nemetalic) şi un gaz, reactant (N2, CH4,
O2, SiH4 etc.).
În mod practic, prin pulverizarea catodică tip magnetron se pot depune toate
materialele care prin metode metalurgice sau de prelucrări mecanice, clasice sau speciale, pot
fi aduse sub forma unor ţinte de pulverizare uzuale.
Datorită dimensiunilor mari la care pot fi realizate dispozitivele de pulverizare
magnetron s-a creat posibilitatea depunerilor de straturi subţiri pe suporturi de dimensiuni
mari, într-un singur ciclu de lucru al instalaţiilor cu funcţionare periodică.
Astfel catozii magnetron sunt utilizaţi pentru realizarea de acoperiri reflectorizante
sau termoreflectorizante pe sticle cu dimensiuni mari, sau pentru realizarea de acoperiri
decorative sau funcţionale pe folii de plastic sau hârtie, bobinate în rulouri.
În prezent se comercializează instalaţii de pulverizare magnetron şi dispozitive de
pulverizare magnetron cu dimensiuni ale ţintelor de pulverizare de la 5 cm în diametru până
la 20 cm în diametru, pentru cele circulare şi de la (20...50) cm lungime până la câţiva metri
lungime, pentru cele rectangulare.
Faţă de sursele de evaporare termică, magnetroanele pot fi folosite în orice poziţie.
Materialul de acoperire poate fi pulverizat în jos, în sus, sau lateral, spre substrat. Ultima
dispunere este de preferat în cele mai multe aplicaţii deoarece orice depuneri de impurităţi ce
se detaşează de pe suprafaţa interioară a pereţilor camerei tehnologice nu vor produce daune
pe substraturi sau catozi.
2. Viteza de depunere
Viteza de depunere în sistemele de pulverizare magnetron este aproape cu două ordine
de mărime mai mare decât cea obţinută în pulverizarea standard tip diodă în c.c. fiind
comparabilă cu cea obţinută prin evaporare termică cu tun electronic.
Caracteristic este faptul că viteza de pulverizare, la cea mai mare parte din materiale,
se diferenţiază cu mai puţin de un ordin de mărime, în timp ce viteza de evaporare pentru
aceste materiale se schimbă considerabil (cu câteva ordine de mărime) la schimbarea
temperaturii de evaporare. Astfel, de exemplu, la tensiuni pe ţintă de 600 V, viteza de
pulverizare a W şi Al diferă numai de două ori, în timp ce viteza de evaporare a acestor
metale la temperatura de 2000 °C diferă cu nouă ordine de mărime.
Viteza de depunere, respectiv cea de pulverizare, în pulverizarea magnetron este
direct proporțională cu puterea electrică injectată în plasma descărcării magnetron.
Factorii care limitează puterea electrică a magnetroanelor sunt:
- capacitatea sistemului de răcire de a prelua căldura acumulată de ţinta de
pulverizare
- conductibilitatea termică a materialului ţintei
- toleranţa substratului la temperaturi înalte,
3. Uniformitatea depunerii
Pentru cele mai multe procese de realizare a staturilor subţiri, în vederea asigurării
unei uniformități corespunzătoare a depunerilor este necesară o mişcare de rotație planetară a
substratului.
Deoarece materialul de depunere obţinut din dispozitivele de pulverizare magnetron
provine din regiunile cu densitate mare a .plasmei şi nu de pe întreaga suprafaţă a ţintei de
pulverizare și datorită distribuţiei cosinusoidale a materialului pulverizat, dispozitivele de
pulverizare magnetron sunt în mod inerent surse neuniforme de depunere.
S-a demonstrat experimental că distribuţia materialului depus de la un magnetron
circular, o confirmă pe cea calculată pentru o sursă inelară având o caracteristică
cosinusoidală. Pentru o astfel de sursă s-a raportat că uniformitatea optimă se obţine atunci
când raza interioară a inelului de pulverizare este de cca. 0,7 din distanţa h dintre sursă şi
substrat, iar raza exterioara a inelului de pulverizare este de cca. 0,8 h. Dacă presupunem
grosimea inelului de plasmă de 2 cm şi o distanţă sursă-substrat de 5 cm, diametrul exterior
optim al inelului de plasmă ar fi de cca. 9,5 cm.
Îmbunătăţirea uniformităţii depunerilor din magnetroanele plane, circulare se poate
realiza prin utilizarea de n inele magnetice concentrice cu polarităţi magnetice opuse, având
ca rezultat n - 1 regiuni toroidale de plasmă. În figura IV-28.a. se prezintă distribuţia grosimii
depunerii dintr-o sursă magnetron plană cu multe inele magnetice concentrice.
La magnetroanele plane rectangulare distribuţia grosimii depunerii funcţie de distanţa
de la centrul sursei este prezentată în figura IV-28.b.
Se constată că:
- uniformitatea depunerii se îmbunătăţeşte prin mărirea distanţei substrat-ţintă,
iar rata de depunere se reduce sensibil.
- grosimea depunerii se reduce spre capetele magnetronului.

Fig. IV-28.a. Distribuția calculată a grosimii depunerii, pentru o sursă de pulverizare


magnetron cu 1…4 inele concentrice multiple.
Distanța substrat-sursă: 5 cm.
Lățimea inelului de plasmă: 2 cm.
Spațiul dintre inele: 2 cm.
Numărul de surse inelare: 1…4.
Fig. IV-28.b. Distribuția grosimii depunerii asigurată de un magnetron rectangular
Realizarea dispozitivelor de pulverizare magnetron de dimensiuni mari au permis
realizarea de acoperiri cu uniformitate ridicată (sub 30%) numai prin mişcare de translaţie a
substratului în faţa dispozitivelor de pulverizare şi perpendiculara pe latura mare a acestora.
Îmbunătăţirea uniformităţii depunerii pe substrat la utilizarea magnetroanelor
rectangulare se poate realiza prin:
- mărirea raportului dintre lungimea L şi lăţimea l a magnetronului: L/l ≥ 3
- utilizarea de magnetroane rectangulare cu lungimea mai mare decât
dimensiunea substratului
- plasarea unui ecran ca o fereastră (spărtură) în faţa catodului mai mare decât
dimensiunile ţintei de pulverizare, permiţând obţinerea unei uniformităţi de ± 3 %.
Prin modificarea poziţia magneţilor (şi deci şi a zonei cu densitate mare a plasmei)
prin ajustarea geometriei dispozitivelor de pulverizare, prin mărirea distanţei dintre ţinta de
pulverizare şi substrat, prin mişcări de rotaţie sau de translaţie a substratului etc.,
uniformitatea depunerii materialului pe acesta poate fi mult îmbunătăţită.
4. Aderenţa stratului depus
Straturile depuse prin pulverizare au reputaţia unei aderenţe superioare celei obţinute
prin evaporare, datorită energiei înalte a particulelor pulverizate. Energia tipică a particulelor
provenite din surse de evaporare termică este în intervalul 0,1 eV…40 eV. Reputaţia
aderenţei foarte ridicate este valabila numai pentru straturile depuse prin pulverizarea
catodică tip diodă, în care substratul este supus in timpul depunerii unui bombardament
electronic intens şi chiar unui bombardament ionic în cazul pulverizării negative a acestuia.
Bombardamentul continuu al substratului în timpul depunerii asigură „curăţirea“ şi degazarea
continua a suprafeţei de depunere, rearanjarea atomilor depuşi pe suprafaţa substratului şi
pulverizarea celor slab fixaţi.
Se cunoaşte că metoda larg utilizată pentru a asigura o îmbunătăţire a aderenţei
straturilor depuse prin evaporare termică este „curăţirea şi activarea“ substratului înaintea
depunerii prin bombardament cu electroni şi ioni din plasma descărcării luminiscente.
Un efect şi mai important de „curăţire“ al substratului în vederea asigurării unei
aderenţe ridicate a peliculelor depuse prin evaporare termică, dar şi prin pulverizare catodică
tip diodă sau tip magnetron, îl are bombardamentul ionic al substratului, datorită polarizării
negative a acestuia în raport cu potenţialul plasmei, care realizează o pulverizare superficială
şi o „activare“ a suprafeţei substratului înaintea depunerii.
Curăţirea prin pulverizare în plasma îmbogăţită a descărcării magnetron este un
proces şi mai puternic şi se realizează prin trecerea substratului direct prin plasma din faţa
magnetronului. Pentru perioada în care substratul este în plasmă, el joaca rol de ţintă şi suferă
o pulverizare cu viteză mare.
Pulverizarea uşoară a substratului prin bombardament cu fascicul de atomi neutri de
gaz inert, generat de surse speciale, poate fi folosită ca metodă eficientă de curăţire a
substratului înaintea depunerii, în vederea îmbunătăţirii aderenţei.
Preîncălzirea substratului, atunci când se poate realiza, constituie de asemenea o
metodă eficace de îmbunătăţire a aderenţei depunerilor.
În sistemele de pulverizare magnetron este necesară curăţirea substratului în vederea
asigurării unei aderenţe ridicate şi se poate utiliza oricare din metodele enumerate de
îmbunătăţire a aderenţei.
Curăţirea substratului prin trecerea acestuia prin plasma descărcării magnetron este de
preferat a fi folosită în sistemele de pulverizare magnetron, datorită eficienţei curăţirii
acestuia, dar şi datorită simplificării instalaţiilor prin eliminarea unor echipamente (surse,
dispozitive etc.) independente și suplimentare.
5. Efectele asupra substratului
Din punct de vedere practic, cel mai important efect la proceselor de depunere a
straturilor subțiri asupra substratului este cel al încălzirii.
Cele mai multe substraturi metalice, ceramice sau semiconductoare sunt relativ
insensibile la creșterea temperaturii, temperaturile ridicate neavând efecte negative asupra
calității stratului depus. Din contră, cele mai multe substraturi din polimeri sunt extrem de
sensibile expunerii la sarcini termice mari. Deși evaporarea termică este capabilă de viteze de
depunere sensibil mai mari, impuse în timpul evaporării, pot face de neatins aceste viteze
mari de depunere.
Întrucât catozii Penning, prin comparație cu sursele de evaporare termică sunt surse
„reci”, radiația termică joacă un rol nesemnificativ în încălzirea substratului. Aceasta
favorizează utilizarea pulverizării magnetron la realizarea de acoperiri cu rol decorativ sau
funcțional pe materiale plastice, pe sticle sau pe alte materiale cu rezistență termică redusă.
Situația se schimbă destul de mult în cazul pulverizării magnetron reactive, când
substratul fiind polorizat negativ este supus unui bombardament cu ioni ai gazului reactiv.
6. Structura fină a stratului depus
Structura unui strat depus este funcţie de un număr de variabile de proces, cele mai
importante fiind:
- temperatura substratului
- viteza de depunere
- prezenţa sau lipsa polarizării substratului.
La temperaturi joase mobilitatea atomilor este scăzută şi stratul depus este compus în
principal din granule columnare.
Acest mod de creştere a granulelor tinde să se perpetueze, întrucât granulele produc o
îmbinare care minimizează potenţialul de creştere laterală a granulelor.
Cu creşterea temperaturii creşte mobilitatea atomilor, având ca rezultat creşterea unor
granule mai mari. La temperaturi foarte mari de depunere, difuzia de masă în interiorul
stratului devine importantă şi dă naştere la granule mari.
Straturile cu granule de dimensiuni mici pot fi obţinute prin polarizare, de obicei în
RF, a substratului.
În condiţii de polarizare, temperatura substratului poate deveni nesemnificativă ca
factor de determinare a structurii stratului depus, deci polarizarea poate fi folosită pentru
controlarea structurii stratului depus, în cazurile în care proprietăţile termice ale substratului
interzic încălzirea acestuia. Polarizarea, în timpul depunerii, poate avea avantaje şi în
îmbunătăţirea aderenţei şi densităţii stratului depus, deoarece bombardamentul lejer, în timpul
depunerii, repulverizează impurităţile şi materialul imperfect aditivat.
Dezavantajele potenţiale ale pulverizării cuprind: creşterea încălzirii termice a
substratului, modificări ale conţinutului chimic al stratului depus datorită pulverizării
preferenţiale a unuia dintre componenţii săi şi în fine capturarea gazului în strat.
Modificările compoziției statului depus prin repulverizarea preferențială pot fi evitate
prin ajustarea adecvată a compoziției aliajului țintei.