Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
n cazul cnd ionii accelerai au energii mai mari de 10 6 eV, este anihilat efectul
forelor de respingere Coulomb i se produc distrugeri puternice ale materialului
piesei;
(9.1)
117
118
ordinul sutelor de amperi n circuitul anodului. Atomii emii prin evaporare sunt
injectai n plasm. O parte dintre aceti atomi sunt ionizai i accelerai spre
catod, energia lor cinetic fiind de peste 100 ori mai mare dect energia cinetic
a atomilor pulverizai.
Deoarece fenomenul de pulverizare continu i n timpul depunerii
filmului, trebuie ca rata de depunere s fie superioar ratei de pulverizare ionic,
pentru a fi posibil creterea n grosime a filmului de depunere.
La placarea ionic nu mai sunt necesare tratamente complexe ale
suprafeei substratului (ca n cazul depunerii prin pulverizare). Un alt avantaj al
placrii ionice l constituie faptul c nu apar restricii privind natura materialelor
ce pot fi depuse. n general, metoda poate fi aplicat doar materialelor care pot fi
evaporate fr s se descompun din punct de vedere chimic.
n procesul de placare ionic, atomii metalului evaporat sunt injectai n
descrcarea de gaz inert, o parte din ei fiind ionizai printr-un mecanism de
ciocnire electron - atom i accelerai spre substrat. Jetul de depunere are dou
componente: gazul inert i vaporii de metal. Atomii de metal avnd poteniale de
ionizare mai mici dect gazele inerte, gradul de ionizare al vaporilor de metal
este mai mare dect al gazului inert.
Un alt efect caracteristic placrii ionice este rentoarcerea atomilor
pulverizai pe suprafaa probei. Astfel, la o presiune de 10-6 torri, atomii de metal
pulverizai se rentorc n proporie de 90%, datorit ionizrii lor prin ciocniri cu
atomii de gaz nestabili. Aceast redepozitare a atomilor pulverizai depinde de
parametrii plasmei i de debitul gazului din incint.
Bombardamentul ionic i redepozitarea atomilor pulverizai au un rol
major n faza de formare a interferenei, cnd rata de depunere este mai mic
dect rata de pulverizare. Ionii de metal, cu energii cinetice relativ mari (3...5
keV), ptrund n reeaua substratului (pe o adncime de 50 /keV), iar la
suprafa, atomii ce se depun se amestec cu fraciunea pulverizat i
redepozitat, formnd o regiune
122
124
125
127
Materiale implantate
Aliaje de Al
Aliaje de Cu
Aliaje de Zr
Oeluri puternic aliate
Oeluri slab aliate
Superaliaje
Cupru
Ioni
Mo
Cr;Al
Cr; Sn
CR; Ta; Y
Cr;Ta
N; C; Y; Ce
N
Ioni
N
B
N, C, B
C, N
B,C,N,P
Ti+C
N
N,B
N.Co
Y,N,Zr,Cr
Scule de
formare
Scule
Matrie i tane
Burghie de
achieoare
metale
WC-Co
WC-Co
90% Mn
Azot
Azot
5
24
8 %V, diamante
Oel, WC,WC-Co
Azot
24
Azot
Azot
23
134
(9.2.)
n care: G este variaia energiei libere Gibbs; K-coeficient mult mai puin
infuenat de variaia presiunii; k- constanta lui Boltzmann; T temperatura.
Tensiunea superficial a unui cluster poate diferi substanial de cea a unei
suprafee plane de referin, deorece poriuni considerabile ale atomilor din
cluster sunt situate pe suprafaa acestuia, iar proprietile fizice ale clausterului
sunt puternic influenate de suprafaa atomilor.
9.4.4.2. Simularea procesului de formare a clusterelor
Utiliznd teoria clasic a nucleaiei s-a simulat procesul de formare
a straturilor subiri de Al i Ar, ecuaiile de dinamica gazelor pentru conservarea
masei, momentului i energiei fiind date de relaiile:
(9.4)
(9.5)
unde: reprezint densitatea vaporilor; A seciunea transversal a jetului
direcionat spre substrat; raportul de mas dintre materialul n stare
135
(9.6)
unde: A reprezint aria seciunii transversale a jetului direcionat spre substrat; D
diametrul ajustajului duzei (de regul 2mm); unghiul conului de deschidere
la vrful duzei (de obicei, 300).
Presiunea [mbar]
1013
300..1
1.10+3
10-3.10-7
10+7.10-12
10-12
Molecule/cm3
2,7.1019
1016..1018
1016..1013
1013..l09
109.. 104
104
137
Fig. 9.12.
Variaia raportului G/kT
pentru cteva materiale
Fig. 9.13.
Variaia vitezei de nucleaie a
clausterelor n funcie de coeficientul de saturare
139
140
corespunznd
metodelor
142
Aceast
materialelor suport de tip Ge, GaAs, Si, Cu, Mo sau alte tipuri de materiale
dielectrice precum i de materiale compozite.De asemenea, instalaia prepar o
serie de depuneri de straturi subiri de grosimi submicronice specializate pentru
domeniul infrarou (n special la 10,6 m);
- Instalaia Magnetron sputtering de radio-frecven (RF). Aceast
instalaie este construit special pentru monitorizarea in situ i execuia de
componente, dispozitive i elemente complexe pentru:
- optica laser de mare putere;
- optoelectronic;
- filtrajul i detecia radiaiei cu aplicaii speciale n domeniul infrarou
al spectrului electromagnetic (I.R);
- tratamente superficiale cu fascicule de ioni i trimerizri controlate de
143
straturi
subiri;
145
20. Pentru a ncepe depunerea se deschide valva i proba este deplasat n fa,
ntr-o poziie aflat n spatele deschiderii orificiului selectorului de mas. Aici se
afl montat i un electrod, exact sub deschiderea selectorului de mas, care poate
fi utilizat pentru reglarea fasciculului atunci cnd valva este nchis. n acest
scop fasciculul este deviat de la ax cu ajutorul deflectorului Y 17.
La un astfel de echipament, ionizarea (din etapa a patra) se poate face i
prin introducerea unei surse light pulse (impulsuri de lumin) sau FEL pulse
(impulsuri de la o surs laser cu electroni liberi) (fig.9.22 a i b), obinndu-se
nu numai fascicule de clustere ionizate, dar i elemente de mare acuratee pentru
modelarea i simularea formei, dinamicii i calitii fluxului de clustere la
suprafaa substratului (fig.9.23 a,b i c).
Impulsul de lumin (light pulse) surprins n imaginea din figura 9.14,a ,
are o durat de 2,5x10-15 s, fiind cel mai scurt puls de fotografiat pn n prezent
a)
Pentru surprinderea acestei imagini s-a folosit un puls cu durata i mai
scurt, un flash de doar 80 atosecunde (80x10-18 s), acesta find cel mai scurt
impuls de lumin generat pn n prezent. Specialitii de la Institutul Max
Plank pentru Optic Cuantic lucreaz ns deja la un proiect menit s permit
generarea impulsurilor luminoase acesta de doar 24.10-18 s, fiind intervalul
de timp de care are nevoie un electron pentru a traversa atomul de hidrogen,
interval cunoscut ca unitatea atomic de timp.
147
b)
Fig. 9.22. Ionizarea n sisteme Light pulse sau FEL pulse :
a-forma impulsului; b-obinerea de fascicule de clustere
148
149
150
151
152
Figura 9.24.
153