Sunteți pe pagina 1din 39

C API T O LU L9

PRELUCRAREA DIMENSIONAL CU JET DE IONI


9.1. Consideraii generale
Posibilitatea de utilizare a electronilor i ionilor dirijai la
realizarea anumitor tipuri de prelucrri (prelevri sau depuneri de anumite
materiale) a fost semnalat nc din secolul al XIX-lea, de ctre Grove, care a
pus n eviden faptul c la descrcarea electric n vid ntre doi electrozi, apare
o pierdere de mas la catod/58/,/147/,/224/,/226/,/293/,/294/,/433/,/434/.
Explicaia fenomenelor care au loc n timpul bombardamentului ionic a
fost emis la nceputul secolului al XX-lea, cnd s-a pus, de altfel, problema
utilizrii jetului ionic la aplicaii practice industriale.
Densitile mari de putere, obinute prin focalizarea jetului de ioni permit,
astzi, folosirea cu succes a acestuia la executarea unor operaii de gurire,
frezare, sudare, depuneri, acoperiri, prelevri de straturi subiri etc.
9.2. Mecanismul prelucrrii cu jet de ioni
Similar cu prelucrarea cu fascicul de electroni, prelucrarea cu jet de ioni
are la baz emisia de ctre catod a electronilor care ionizeaz moleculele de gaz
( argon, xenon etc.) ulterior, ionii astfel obinui fiind puternic accelerai de ctre
un cmp electric.
Succesiunea fenomenelor, care definesc formarea jetului de ioni, poate fi
analizat cu ajutorul modelului lui Keywell. Conform acestui model (fig. 9.1),
care descrie parcursul unui ion accelerat, acesta, sosind cu vitez ridicat la
suprafaa piesei, ptrunde n adncime pn cnd ciocnete un atom. Dac
energia ionului accelerat este nc suficient de mare, n urma ciocnirii cu atomul
(din materialul piesei), l proiecteaz pe acesta n interiorul materialului. Atomul
deplasat ciocnete, la rndul su, atomii situai pe traiectoria lui i are loc o
succesiune n lan de astfel de aciuni, pn cnd se ajunge la nivelul suprafeei
115

piesei supuse bombardamentului.


Dac atomii deplasai au nc o energie corespunztoare, acetia ciocnesc atomii
din stratul superficial i i proiecteaz n afara piesei, sub form de atomi de
material evaporat, avnd astfel loc prelevarea unei anumite cantiti de material
din pies.
n acelai timp, ionul incident accelerat parcurge o nou distan n pies
i au loc noi ciocniri primare, pn cnd energia ionului scade, astfel nct nu
mai poate determina deplasri ale atomilor ciocnii Trebuie menionat faptul c,
n funcie de energia ionilor incideni, interaciunile dintre acetia i atomii
materialului supus bombardamentului pot fi aciuni de trei tipuri, i anume:
-

n cazul cnd ionii accelerai au energii mai mari de 10 6 eV, este anihilat efectul
forelor de respingere Coulomb i se produc distrugeri puternice ale materialului
piesei;

Fig. 9.1. Mecanismul i fenomenele care definesc


formarea jetului de ioni

- n cazul cnd ionii accelerai au energii medii (104...105 eV), acetia,


mpreun cu electronii care nconjoar atomii, formeaz un ecran n jurul
nucleului;
- n cazul cnd ionii accelerai au o energie relativ redus (103 ... 104 eV),
ciocnirile dintre acetia i electroni sunt similare cu ciocnirile dintre dou sfere
dure, satisfcnd astfel cerinele impuse de bombardamentul ionic. Efectele
116

bombardamentului ionic pot fi de natur fizic sau chimic, funcie de mrimea


energiei de accelerare, ct i de natura cuplului ioni-material de prelucrat.
Astfel, pentru energii de accelerare cu valori de 5 10 3 eV, la care ionii de
argon ptrund, de exemplu, n aluminiu, la o adncime de cca. 20 , o mic
parte este transferat atomilor ciocnii, ducnd la excitarea acestora i nclzirea
piesei supuse bombardamentului.
Efectul fizic al bombardamentului ionic se determin prin randamentul
de pulverizare p, exprimat ca raportul dintre numrul de atomi ejectai din pies
i numrul de ioni incideni i care se determin cu ajutorul relaiei:
p = 26,6 m/(AIt) [nr.atomi/nr.ioni]

(9.1)

unde: m este pierderea de mas din piesa supus bombardamentului ionic , n


g; I intensitatea curentului ionic, n A; A - masa atomic a atomilor
materialului supus prelucrrii, n

g; t timpul ct piesa este supus

bombardamentului ionic, n ore.


n general, randamentul de pulverizare depinde de trei categorii de
parametrii ce caracterizeaz toate elementele instalaiei (tunul ionic) i
materialul piesei de prelucrat, care pot fi grupai astfel:
- caracteristicile fasciculului ionic: energia i densitatea ionilor,
natura ciclului ionic;
-

- caracteristicile materialului piesei: structura i orientarea


cristalin, starea i temperatura suprafeei;
- caracteristicile funcionale ale tunului ionic: unghiul de inciden
al fasciculului, presiunea din camera de bombardament.
Valoarea randamentului de pulverizare depinde de energia ionilor,
conform unei variaii de tipul celei prezentate n figura 9.2.

117

Fig. 9.2. Variaia randamentului de pulverizare cu energia de ionizare

Aa cum se observ, pentru a realiza ndeprtarea de material din piesa


supus prelucrrii, se impune o valoarea a energiei de prag Ep, caracteristic
materialului respective, care urmeaz a fi prelucrat cu jet de ioni.
Creterea, n continuare, a energiei ionilor pn la valoarea maxim E max ,
implic creterea rapid a randamentului de pulverizare (1 p 50), dup care
creterea n continuare a energiei de accelerare a ionilor (E>Emax) implic o
scdere lent a randamentului de pulverizare. Acest fenomen se explic prin
faptul c, la valori mari ale energiei de accelerare, ionii ptrund mult n
adncimea materialului i se reduce probabilitatea de ciocnire a atomilor din
stratul superficial, care s fie apoi ejectai.
Mrimea randamentului de pulverizare depinde nemijlocit de unghiul de
inciden al jetului ionic , definit ca fiind unghiul format de axa fasciculului
ionic cu normala la suprafaa de prelucrare n punctul de impact (fig.9.3).
De exemplu, la bombardarea unei suprafee din cupru, cu un jet ionic de
argon i xenon, cu diferite energii, se observ c valoarea maxim a
randamentului de pulverizare se obine pentru unghiuri de inciden de =
10...50, dup care se remarc o scdere pronunat, odat cu creterea mrimii
unghiului de inciden (fig. 9.3) unde valorile unghiului sunt reprezentate n
scar logaritmic.

118

Fig. 9.3. Variaia randamentului de


pulverizare n funcie de unghiul de inciden a jetului de ioni

Acest fenomen se explic prin faptul c la valori mari ale unghiului de


inciden, o bun parte din ionii accelerai sunt reflectai de suprafaa piesei i nu
mai particip la procesul de excitare a atomilor din material.
Efectele chimice ale bombardamentului ionic apar n condiiile
interaciunii chimice dintre materialul supus prelucrrii i ionii jetului. Aceste
fenomene se manifest de regul, prin apariia unor oxizi pe suprafaa
bombardat ionic.

Fig. 9.4. Schema de principiu a instalaiei de prelucrare cu jet de ioni:


1-tub de sticl Pyrex; 2- camera de ionizare; 3- anod; 4- catod; 5- camera de accelerare; 6- jet de ioni;
7- camera de bombardare; 8- piesa de prelucrat.

9.3. Instalaii de prelucrare cu jet de ioni (tunurile ionice)


O instalaie de prelucrare cu jet de ioni este alctuit, n principiu, din
119

urmtoarele elemente componente (fig. 9.4): un tub de sticl Pyrex 1, n care


este nglobat camera de ionizare 2, anodul 3 i catodul 4, cuplai la tensiunea de
accelerare i care, constructiv, formeaz camera de accelerare 5.
Jetul ionic 6 trece prin camera de bombardare 7, n care presiunea are
valori de 10-6...10-7 torri, i acioneaz asupra piesei de prelucrat 8, aezat pe un
dispozitiv de manevrare .
Existena vidului naintat n camera de bombardare se impune pentru
anihilarea fenomenelor secundare, care rezult prin prezena ionilor de oxigen
sau azot. n condiiile n care , prelucrarea cu fascicul de ioni se face n
atmosfer neutr sau n vid, se pot utiliza echipamente cu o schem de principiu
prezentat n figura 9.5, n care principalele elemente componente sunt: anodul
1, catodul 2, care accelereaz jetul de ioni 3, ce trece prin grila 4 i bombardeaz
piesa 5, montat pe suportul 6.
Alimentare cu
gaz

Fig.9.5. Instalaie de prelucrat cu jet de ioni n atmosfer neutr:


1- anod; 2- catod; 3- jet de ioni; 4- gril; 5- piesa de prelucrat; 6- suport; 7- cilindru de sticl Pyrex;
8- suport inferior; 9 - capac

Toate aceste elemente sunt incluse ntr-un cilindru de sticl Pyrex 7,


incinta fiind nchis de suporii 8 i 9. ntregul montaj, prevzut cu garnituri de
etanare, este poziionat pe placa de baz 10.
De menionat c celelalte sisteme de acionare din construcia instalaiilor
120

de prelucrare cu jeturi de ioni sunt similare celor prezentate la instalaiile de


prelucrare cu fascicule de electroni (sisteme de focalizare, deflexie etc.).
De regul, toate instalaiile de prelucrare cu jeturi de ioni sunt construite
n concordan cu tipul de prelucrare, care urmeaz a fi executat.
9.4. Tehnologii de prelucrare cu jet de ioni
Procedeul s-a dovedit a fi deosebit de eficient la prelucrarea materialelor
dure i extradure, cum sunt carburile metalice dar i pentru materialele
compozite.
Condiiile de desfurare a acestor tipuri de prelucrri sunt similare cu
cele prezentate la utilizarea fasciculului de electroni. Cele mai utilizate
prelucrri se prezint succint n continuare.
9.4.1. Depunerea de straturi subiri
Un domeniu, n care jetul de ioni i-a gsit o larg aplicabilitate,
este cel al depunerilor de micro i nanostraturi, denumit i placarea ionic
-proces fizic de depunere prin vaporizare. n acest caz, stratul pe care se face
depunerea este supus unui bombardament cu jet de ioni cu energie mare, inta i
sursa de evaporare fiind catodul i respectiv, anodul. Catodul se afl la tensiune
nalt, iar anodul este legat la pmnt.Bombardamentul ionic al suprafeei
implic dou procese: pulverizarea i implantarea.
Prin pulverizare se obin suprafee curate, lipsite de oxizi i alte impuriti,
determinndu-se un contact direct ntre atomii stratului i cei ai filmului depus,
fapt ce duce la o mai bun aderare a filmului pe suportul de depunere.
Implantarea creeaz straturi cu o compoziie i structur gradat , chiar
din substane care, fiind insolubile, nu pot fi n mod normal amestecate.
n procesul de placare, prima operaie este cea de curire a suprafeei
substratului, prin bombardarea cu ioni ai unui gaz inert (de regul brom). Dup
un anumit timp, se ncepe evaporarea termic, prin introducerea unui curent de
121

ordinul sutelor de amperi n circuitul anodului. Atomii emii prin evaporare sunt
injectai n plasm. O parte dintre aceti atomi sunt ionizai i accelerai spre
catod, energia lor cinetic fiind de peste 100 ori mai mare dect energia cinetic
a atomilor pulverizai.
Deoarece fenomenul de pulverizare continu i n timpul depunerii
filmului, trebuie ca rata de depunere s fie superioar ratei de pulverizare ionic,
pentru a fi posibil creterea n grosime a filmului de depunere.
La placarea ionic nu mai sunt necesare tratamente complexe ale
suprafeei substratului (ca n cazul depunerii prin pulverizare). Un alt avantaj al
placrii ionice l constituie faptul c nu apar restricii privind natura materialelor
ce pot fi depuse. n general, metoda poate fi aplicat doar materialelor care pot fi
evaporate fr s se descompun din punct de vedere chimic.
n procesul de placare ionic, atomii metalului evaporat sunt injectai n
descrcarea de gaz inert, o parte din ei fiind ionizai printr-un mecanism de
ciocnire electron - atom i accelerai spre substrat. Jetul de depunere are dou
componente: gazul inert i vaporii de metal. Atomii de metal avnd poteniale de
ionizare mai mici dect gazele inerte, gradul de ionizare al vaporilor de metal
este mai mare dect al gazului inert.
Un alt efect caracteristic placrii ionice este rentoarcerea atomilor
pulverizai pe suprafaa probei. Astfel, la o presiune de 10-6 torri, atomii de metal
pulverizai se rentorc n proporie de 90%, datorit ionizrii lor prin ciocniri cu
atomii de gaz nestabili. Aceast redepozitare a atomilor pulverizai depinde de
parametrii plasmei i de debitul gazului din incint.
Bombardamentul ionic i redepozitarea atomilor pulverizai au un rol
major n faza de formare a interferenei, cnd rata de depunere este mai mic
dect rata de pulverizare. Ionii de metal, cu energii cinetice relativ mari (3...5
keV), ptrund n reeaua substratului (pe o adncime de 50 /keV), iar la
suprafa, atomii ce se depun se amestec cu fraciunea pulverizat i
redepozitat, formnd o regiune
122

gradat n concentraie i compoziie, numit zon de trecere substrat - film sau


interfa. Tensiunile mecanice, care apar n timpul depunerii filmului, sunt
micorate prin acest gradient, obinndu-se astfel o foarte bun adezivitate pe
substrat.
n urma ciocnirilor cu suprafaa catodului, atomii neutri de gaz inert pot fi
ncorporai n film, dar acest efect depinde de presiune i temperatur i
afecteaz, n
special, eficiena de pulverizare i adezivitatea filmului. Aceti atomi pot fi
eliminai prin nclzirea substratului n timpul sau dup realizarea depunerii.
nainte de a atinge substratul, atomii evaporai sufer cteva ciocniri cu
moleculele de gaz deoarece, n condiii date, drumul liber mijlociu este mai mic
dect distana surs - substrat. Muli dintre atomi sunt astfel antrenai i
mprii, nct ei pot atinge toate regiunile substratului, obinndu-se o acoperire
relativ uniform, indiferent de complexitatea geometriei suprafeei.
Procesele de nucleaie i de cretere a filmelor de substrat sunt puternic
influenate de prezena descrcrii n gaz inert.
Bombardamentul ionic i energia cinetic mare a atomilor de metal ce se
depun, mresc densitatea de centre de nucleaie i micoreaz dimensiunile
cristalelor, mbuntind calitatea filmelor depuse.
n general, operaia de placare ionic are urmtoarele etape:
- se videaz sistemul la presiunea limit necesar ( < 10-4 torr);
-se introduce argon pn la o presiune de 10-2...510-2 torr) i se amorseaz
descrcarea n gaz la o tensiune de 2...5 kV i o densitate de curent catodic de
0,3...0,6 mA/cm2. Proba este curat prin bombardament ionic o perioad de
timp, care depinde de natura i starea suprafeei substratului;
- se ridic ncet temperatura sursei de vapori la temperatura de evaporare
a materialului i obturatorul dintre surs i substrat este nlturat, permind
depunerea materialului evaporat pe suprafaa substratului;
- se formeaz interfaa prin stabilirea unui echilibru ntre rata de
123

pulverizare i rata de depunere;


- se continu procesul de depunere pentru obinerea grosimii dorite.
Parametrii principali ai procesului de placare ionic, necesari a fi
controlai n vederea obinerii de depuneri reproductibile i cu proprietile
dorite, sunt: presiunea gazelor reziduale (vidul limit); presiunea argonului; rata
de depunere; distana surs - substrat; potenialul electronic al substratului;
densitatea curentului catodic i durata de curire prin pulverizare.
O variant a acestui procedeu este placarea ionic reactiv. Aceast
placare const n introducerea n camera de descrcare a unui gaz reactiv
( oxigen, hidrogen, hidrocarburi etc.) la presiune joas, ceea ce permite
depozitarea unor compui ai metalului evaporat cu gazul respectiv.
n principiu, o astfel de instalaie de depunere (fig. 9.6) este alctuit din:
sursa de ioni 1, electrodul de accelerare 2, sistemul de focalizare 3 (incluse n
incinta A, a instalaiei), deflectorul 4, materialul de depus 5, supus
bombardamentului ionic i care este montat pe suportul 6.
Jetul de ioni 7, care acioneaz asupra piesei 5, confecionat din material
de depunere, provoac smulgerea de atomi care, sub form de vapori 8, se depun
pe piesa 9, ce trebuie acoperit i care este montat pe suportul 10.
Tensiunea de accelerare a ionilor n cazul acestui tip de prelucrare este de
5 - 10 kV, asigurndu-se n aceste condiii egalizarea vitezelor de evaporare ale
diferiilor constituieni.
Utilizarea tunurilor cu jet de ioni a permis evaporarea cu rate mari a unor
materiale cu puncte de topire nalte ca: molibdenul, titanul, wolframul,
cobaltul etc.

124

Fig. 9.6. Instalaie pentru placarea ionic reactiv:


1-sursa de ioni; 2- electrodul de accelerare; 3- sistemul de focalizare; 4- deflector;5- materialul de
depunere; 6- support; 7- jetul de ioni; 8- vapori; 9-piesa de acoperit; 10-suportul port-pies;11-sistemul
de concentrare a jetului de ioni

n incinta B de prelucrare (bombardare) a instalaiei se gsete i sistemul


de concentrare 11, a jetului de ioni.
Datorit adezivitii deosebite a filmelor depuse i posibilitii de a
acoperi suprafee complexe, placarea ionic s-a dovedit util n aproape toate
domeniile de aplicare a proceselor de depunere: protecia suprafeelor metalice
mpotriva coroziunii, oxidrii etc; realizarea de contacte electrice cu proprieti
superioare; lubrificaie solid, acoperiri cu plumb, staniu etc; placri iniiale
pentru acoperiri prin electroliz; obinerea de suprafee reflectante (depuneri de
argint pe oel); mbuntirea coeficientului de uzur; durificarea suprafeelor.Ca
urmare, procedeul permite realizarea, n bune condiii, a depunerilor din
construcia circuitelor integrate, a rezistenelor din componena microcircuitelor
etc.

125

9.4.2. Prelucrarea straturilor subiri


Jetul ionic poate fi utilizat n cazul cnd se impune prelevarea unor
pelicule subiri de pe diferite piese sau curarea acestora de oxizi sau anumite
impuriti. n cazul acestor tipuri de prelucrri se pot utiliza tensiuni de
accelerare de 2...30 kV i presiuni joase de ordinul 10-5 torri. De asemenea,
pentru a preveni fenomenele chimice secundare de oxidare, se impune utilizarea
unor perei reci n apropierea piesei, n scopul reducerii energiei termice a
oxigenului rezidual i implicit, a afinitii acestuia la suprafaa piesei de
prelucrat.
9.4.3. Implantarea ionic
Una dintre aplicaiile tehnologice cele mai importante a jetului de ioni
este implantarea ionic. Implantarea de ioni aparine grupului de tehnologii
pentru modificarea micro i nanostraturilor.
Ionii pot fi implantai ntr-un solid n mod continuu (utilizare de durat i
bine ntreinut) i n impuls (n faza de cercetare de laborator i insuficient
ntreinut).
Implantarea cu und de ioni continu implic introducerea n mod
constant (implantarea) de atomi ai unui element selectat, sub forma unei ionizri
simple sau multiple ntr-un strat superficial.
Aceasta este afectat de energia cinetic nalt la care ajung ionii n vid (6
10-5 Pa), ntr-un cmp electric care accelereaz ionii grupndu-i ntr-o und.
Ca rezultat al implantrii cu ioni, un numr specific de atomi sunt
introdui n zona de sub suprafa, crend astfel un strat implantat de grosime
0,01 pn la 1 m i proprietile fizico-chimice diferite de cele ale substratului (
fig. 9.7)
Distana penetrrii ionilor implantai, care ar putea fi numit adncimea
de penetrare (implantare) i distribuia ionilor implantai n materialul gazd
depinde de energia lor cinetic, numrul atomic, unghiul de inciden i de
proprietile materialului gazd, cum ar fi; numrul atomic i masa de atomi
126

care-l formeaz, microstructura etc. Adncimea de penetrare crete rapid odat


cu mrirea energiei ionilor ( la aproximativ 1 MeV nu depete 0,1 m).

Fig. 9.7. Schem pentru procesul de implantare:


a- jetul de ioni;b-variaia concentraiei de ioni cu grosimea stratului; c- stratul implantat cu ioni.

n ceea ce privete implantarea ionilor cu puls de und, pe seama


caracterului nonstaionar al interaciei pulsului undei cu materialul, datorit
pulsului de ioni suficient de scurt (ns, s) de energie foarte mare, unda provoac
topirea stratului subire de suprafa a solidului (care nu este observat n timpul
aplicrii undei continue) i introducerea unei componente strine (ionii undei) n
lichidul topit.
Participarea relativ a acestor procese depinde de parametrii undei de ioni,
energia sczut i proprietile termice ale materialului supus implantrii.
Pentru a desfura implantarea cu und de ioni sunt folosite acceleratoare
speciale de ioni numite implantoare cu und de ioni. Implantoarele cu und de
ioni, n general pot fi divizate n dou grupe i anume:
-

cu und continu numit i implantoare de ioni ( fig.9.8 );

cu und de ioni n impulsuri numit i ionotroni (fig. 9.9).

127

Fig. 9.8. Implantor de ioni cu und de ioni deviat


1 catod luminiscent; 2 anod; 3 introducerea mediului ionizat; 4 magnei; 5 surs de ioni;
6 camer de extragere; 7 separator de ioni; 8 tub de accelerare; 9 sistem de deviere;
10 materialul implantat; 11 pies suport; 12 camera de lucru; 13 surs de curent; 14 ecran
protector; 15 zon de nalt tensiune; 16 consol de control; 17 ecran de vizualizare; 18 sistem
de vidare

Fig. 9.9. Schema unui Ionotron

Avantajul fundamental al tehnologiei implantrii de ioni, este posibilitatea


implantrii oricrui material, metalic sau nu, cu orice componente alese ioni de
gaze sau solide. n plus, materialul implantat poate fi nenvelit, ca n majoritatea
cazurilor, sau prenvelit, de obicei de un strat de metal, mai puin de o
combinaie de straturi sau nvelit n timpul implantrii de atomi sau ioni, n
128

majoritatea cazurilor, de ctre elemente metalice. Acest ultim caz, pn acum,


are cele mai puine aplicaii, dar pare s fie foarte promitor.
Utilizarea implantrii de ioni pentru modificarea proprietilor diferitelor
materiale compozite a fost posibil datorit dezvoltrii implantoarelor eficiente
de curent nalt, care depesc 1 mA. Aceasta produce obinerea de structuri non
echilibrate, structuri amorfe, soluii supersaturate i compui i faze metastabile.
Implantarea permite introducerea selectiv a unuia sau mai multor
elemente n stratul de suprafa a materialului (fie nenvelit sau nvelit de un
strat de metal diferit) fr a ine cont de echilibrul termodinamic. Aceasta
produce obinerea de structuri non echilibrate, structuri amorfe, soluii
supersaturate i compui i faze metastabile.
Bombardamentul cu ioni de energie mare poate duce la fragmentarea
incluziunilor i precipitaiilor prezente n materialul implantat i la o mrunire
mai bun precum i la o omogenizare a structurii materialului.
Tabelul 9.1 prezint efectul implantrii ionilor n raport cu diferitele
proprieti ale materialelor.
Schimbrile corespunztoare ale proprietilor straturilor de suprafa din
materiale compozite sunt obinute prin selecia tipului sau tipurilor elementelor
implantate, dozele i energiile lor, temperaturilor suprafeei implantate. Pentru
fiecare din elementele de implantat, exist o doz optim, valoare care variaz n
funcie de proprietile dorite (de exemplu, tribologice, oboseal, coroziune),
care urmeaz a fi mbuntite.
Tabelul 9.1. Efectele implantrii de ioni asupra proprietilor materialelor
Mecanice
Chimice
Electromagnetice
Uzur Frecare Coroziune
Superconductibilitate
Duritate
Oxidare
Fotoconductibilitate
Oboseal
Cataliz
Rezisten
Plasticitate
Electrochimice
Proprieti magnetice
Ductilitate
Reflexie
Adeziune
Proprieti dielectrice

Pentru a mbunti proprietile tribologice prin implantarea azotului,


doza optim este 21017 ioni/cm2; aceeai doz n implantarea ionilor de carbon
129

este de 11017 ioni/cm2, n timp ce pentru ionii de argon este de aproximativ


61016 ioni/cm2.
mbuntirea rezistenei la uzur este de obicei legat de urmtorii
factori:
- o cretere n duritate apare datorit introducerii ionilor de
elemente strine (de obicei ioni de elemente uoare, ca de exemplu: azot,
carbon, boron, sau gaze nobile) precum i datorit formrii de tensiuni de
compresiune, blocri sau deplasri de dislocaii sau formarea de incluziuni dure
(cele mai comune sunt azotrile, carbonrile sau borrile) sub form de dispersii
fine.
- o ductilitate mai mare a suprafeelor metalice se obine prin
implantarea ionilor de metale grele (de exemplu: Sn, Mo), care provoac
netezirea suprafeei de frecare fr achiere, ca i formarea de straturi
lubrificante solide prin implantarea acestor ioni care cresc proprietile de
lubrificare (de exemplu: Sn, Mo, S, Mo+S, N+Ca, N+Mo) sau chiar formarea
unui strat de lubrificant n procesul uzrii (de exemplu: Cr). O alt posibilitate
este formarea de straturi fine de oxizi moi de titan sau ytriu la suprafa, care
scad forele de frecare i protejeaz straturile mai adnci mpotriva uzurii rapide.
- rezistena la coroziune a materialelor metalice este mbuntit
prin implantare de ioni ai urmtoarelor elemente: N, Cr, Al, Ta, Y, Sn (tab.9.2.),
dar i de Ar, He, Xe, Cu, Ni, Mo. Majoritatea investigaiilor efectuate pn
astzi, sunt dedicate efectului implantrii mpotriva coroziunii atmosferice.
Implantarea ionilor n majoritatea materialelor metalice, ceramice i
compozite cu N, P, Co, Y, Cr, Ti, Mo, Zr, Nb i Ta provoac o cretere a duritii
stratului metalic implantat (tab. 9.3.) i a nveliului depus pe substrat nainte de/
sau n timpul procesului de implantare.

Tabelul 9.2. Ioni implantai care mbuntesc rezistena la coroziune


130

Materiale implantate
Aliaje de Al
Aliaje de Cu
Aliaje de Zr
Oeluri puternic aliate
Oeluri slab aliate
Superaliaje
Cupru

Ioni
Mo
Cr;Al
Cr; Sn
CR; Ta; Y
Cr;Ta
N; C; Y; Ce
N

Avantajele implantrii ionilor sunt urmtoarele:


Tabelul 9.3 Ionii implantai care conduc la creterea duritii stratului suport
Materialul implantat
Aliaje de Al
Aliaje de Be
Aliaje de Ti
Aliaje de Zr
Aliaje de Cu
Oeluri puternic aliate
Oeluri slab aliate
Oeluri rapide
Cobalt nvelit cu carbid tungsten
Ceramic calcaros

Ioni
N
B
N, C, B
C, N
B,C,N,P
Ti+C
N
N,B
N.Co
Y,N,Zr,Cr

- posibilitatea potenial de implementare de orice element la oricrui


material ntr-un timp scurt ( de ordinal 10 la 100 s/cm 2 de suprafa)i la orice
temperatur (fr a depi 6000 C);
- posibilitatea introducerii de combinaii aditive aliate;
- posibilitatea obinerii de concentraii de aditive aliate care depesc
solubilitatea lor n materialul aliat (de obicei, aproximativ 20% pn la
peste maxim 50%);
- uurina controlului procesului electric, ca i posibilitatea controlului
precis

al concentraiei i distribuiei de aditive aliate prin programarea dozei i

energiei ionilor, cu posibilitatea monitorizrii;


- posibilitatea derulrii procesului de aliere la temperaturi mici (de obicei
sub

200oC), aplicaiile lui independent de tratamentele clasice de nclzire al

componentelor finisate, fiind fr schimbri de form i dimensiuni( aceast


131

tehnic permite meninerea cmpului de toleran dimensional la civa


nm, fr ajutorul unor operaii ulterioare);
- grosimile mici de structuri tratate (de la civa nm la 1m);
- independena tehnicii de efectul de adeziune;
- consumul mic de energie electric;
- curenia procesului (vid) i nepoluarea mediului;
- economia de material.

Scule de
formare

Tabelul 9.4. Exemple de aplicaii ale implantrii de ioni


Unelte sau component implantate
Material
Factor de
de
cretere al
Tip scul
Material scul
implantare durabilitii
1
2
3
4
5
Filier de trefilare pentru
WC-Co
Carbon
5
fire de cupru
Foarfece
Foarfece pentru plastice

Scule

Matrie i tane
Burghie de

achieoare

metale

WC-Co

WC-Co
90% Mn

Azot
Azot

5
24

8 %V, diamante
Oel, WC,WC-Co

Azot

24

Azot

Azot

23

Cteva aplicaii ale implantrii cu ioni sunt prezentate n special pentru


materialele compozite de tipul carburilor metalice din care sunt confecionate
diversele scule ( tab. 9.4. ).
9.4.4. Depunerea de straturi subiri cu fascicule de clustere ionizate
Depunerea cu fascicule de clustere ionizate (Ionized Cluster Beam ICB)
este o tehnologie de depunere a straturilor subiri, asistat de ioni, prin care se
formeaz straturi subiri metalice, dielectrice i semiconductoare de nalt
calitate. n procesul de depunere ICB, materialul de depus este evaporat din
creuzete de mici dimensiuni n condiii la care rezult formarea agregatelor de
atomi (clustere). Clusterele astfel formate sunt ionizate n urma impactului cu
electronii i ca urmare a acestui impact sunt accelerate la tensiuni ridicate. Prin
selectarea parametrilor de proces este posibil controlul energiei medii de
depozitare a particulelor ionizate peste nivelul de 200eV/atom, ceea ce face
132

posibil controlul depunerii straturilor cristaline i a celor epitaxiale.


n cazul depunerilor ICB, caracteristicile stratului subire sunt determinate
mai ales de proprietile structurale ale clusterelor i de efectul de ionizare i de
accelerare al acestora.
Aspecte particulare ale acestei tehnici de depunere a straturilor subiri
apar la depunerea reactiv cu fascicule ionizante i n cazul depunerii simultane,
utiliznd fascicule ionizante i surse ionice activate cu microunde, caz n care
sarcina ionilor devine comparabil cu cea nregistrat la depunerea n plasm.
Tehnologia de depunere a clusterelor ionizate are cteva caracteristici
specific i anume:
- formaiuni mari de agregate atomice (clustere) coninnd
100... 200 atomi sunt generate prin expansiunea vaporilor puri, ceea ce este
dificil de obinut prin alte procedee tehnologice din substane solide la
temperatura camerei;
- clusterele, ai cror atomi constitueni nu sunt fixai puternic, sunt
ionizate i transportate ctre suprafaa substratului odat cu clusterele neutre. n
acest fel se stabilete o tehnic de transport a ionilor care poate produce
fascicule ionice de energie foarte joas, de la civa eV, pn la cteva sute de
eV, dar de intensitate nalt, ceea ce este deosebit de util depunerii straturilor
subiri;
- cnd clusterele bombardeaz suprafae de depunere, migraia
atomilor poate fi mbuntit de creterea tensiunii de accelerare, cea ce este
deosebit de util la formarea straturilor subiri de bun calitate la temperaturi
joase ale substratului;
- noua tehnologie de formare a straturilor subiri i de cretere a
cristalelor (ICB) utilizeaz interaciunea substratului cu clusterele ionizate i
neutre incidente la suprafa i efectele ionilor n formarea straturilor subiri.
Efectul sarcinii ionice a clusterului este suficient pentru a influena procesul de
formare a stratului, chiar i n cazul n care numrul purttorilor de sarcin din
133

fluxul total este foarte sczut.


Deoarece tehnologia ICB este caracterizat de o valoare sczut a
raportului dintre sarcin i mas, depunerea semiconductorilor i a izolatorilor
devine posibil, fr obinuitele probleme de ncrcare electric.
Prin experimentele de bombardare cu fascicule de clustere ionizate s-a
demonstrat fr echivoc faptul c energia cinetic a atomilor individuali din
clusterele accelerate este mult mai mic dect cea a ionilor singulari.
Sarcina electric a ionilor are un efect deosebit de important n facilitarea
procesului de formare a filmului (stratului subire) i n desfurarea reaciilor
chimice, chiar i fr o accelerare semnificativ a ionilor sau cu activarea doar a
unei pri din numrul acestora.
9.4.4.1 Procesul de formare a clusterelor .
Din punctul de vedere al tiinei materialelor, agregatele atomice (clusterele) pot
fi clasificate n funcie de numrul de atomi, ca in figura 9.10. O zon cuprinde
clusterele de mici dimensiuni, care numr pn la cteva zeci de atomi, iar o
alta cuprinde n schimb particulele extrafine, care au n compoziie 10 4 sau mai
muli atomi. n prima zon se utilizeaz cu precdere metode chimice pentru
investigarea proprietilor clusterelor formate, n timp ce n zona particulelor
extrafine prevaleaz metodele fizice.

134

Fig. 9.10. Clasificarea clusterelor

Specificitatea tehnologiei ICB const n faptul c sursa de material se


gsete n stare solid la tempeatura camerei, iar clusterele sunt generate prin
ejectarea materialului vaporizat dintr-o incint de tip creuzet ntr-o zon cu vid
nalt printr-un ejector sub form de fascicule.
Viteza de nucleaie a clausterelor J, poate fi exprimat cu relaia:
J = K e T/ kT

(9.2.)

n care: G este variaia energiei libere Gibbs; K-coeficient mult mai puin
infuenat de variaia presiunii; k- constanta lui Boltzmann; T temperatura.
Tensiunea superficial a unui cluster poate diferi substanial de cea a unei
suprafee plane de referin, deorece poriuni considerabile ale atomilor din
cluster sunt situate pe suprafaa acestuia, iar proprietile fizice ale clausterului
sunt puternic influenate de suprafaa atomilor.
9.4.4.2. Simularea procesului de formare a clusterelor
Utiliznd teoria clasic a nucleaiei s-a simulat procesul de formare
a straturilor subiri de Al i Ar, ecuaiile de dinamica gazelor pentru conservarea
masei, momentului i energiei fiind date de relaiile:

(9.4)

(9.5)
unde: reprezint densitatea vaporilor; A seciunea transversal a jetului
direcionat spre substrat; raportul de mas dintre materialul n stare
135

condensat i cel aflat n stare de vapori; h fg-coeficient de nclzire lent la


condensare.
S-a constatat pe parcursul experimentelor c geometria fluxului de vapori
care prsete creuzetul ndreptndu-se ctre suprafaa suportului (fig.9.11)
variaz odat cu distana x de la suprafaa sursei, conform relaiei:

(9.6)
unde: A reprezint aria seciunii transversale a jetului direcionat spre substrat; D
diametrul ajustajului duzei (de regul 2mm); unghiul conului de deschidere
la vrful duzei (de obicei, 300).

Figura 9.11. Geometria fasciculului de vapori emergeni

n teoria cinetic drumul liber mediu al unei particule, de exemplu al


unei molecule, este distana medie pe care o strbat particulele pn la ciocnirea
cu alte particule i este dat de relaia:
(9.7)
unde: R este constanta universal a gazelor (Boltzmann), T temperatura, N A
numarul lui Avogadro, P presiunea; d- diametrul particulelor n stare gazoas.
n tabelul 9.5 sunt prezentate cateva valori ale drumului liber mediu al
particulelor pentru diferite valori ale presiunii.
Cu ajutorul acestor date i relaii s-au realizat experimente i simulri ale
136

procesului, pe parcursul crora s-au modificat valorile parametrilor de proces


obinndu-se att curbe teoretice ct i validarea experimental a modelelor
propuse, care au fost comparate cu datele din baza de date cuprinznd parametrii
de proces ai tehnologiilor de depunere a straturilor subiri.
Astfel , figura 9.12 ilustreaz variaia raportului G/kT n funcie de raza
clusterelor pentru cteva materiale, la presiunea P=100 torr i coeficientul de
saturare S=100 , n timp ce n figura 9.13 este reprezentat viteza de nucleaie a
clustrelor pentru cteva materiale n funcie de coeficientul de saturare, la
presiunea constant P=10 torr.
Tabelul 9.5. Drumul liber mediu al particulelor
Nivel de vid
Presiunea normal
Vid sczut
Vid mediu
Vid nalt
Vid ultra-nalt
Vid extreme

Presiunea [mbar]
1013
300..1
1.10+3
10-3.10-7
10+7.10-12
10-12

Molecule/cm3
2,7.1019
1016..1018
1016..1013
1013..l09
109.. 104
104

Drumul liber mediu


68 mm
0,1.100 m
0,1. 100 mm
10 cm .1 km
1 km .. 105 km
105 km

Echipamentul utilizat la depunerea straturilor subiri prin tehnologia ICB


(fascicule de clustere ionizate) conine cteva elemente de baz care sunt
prezentate n figura 9.14.

137

Fig. 9.12.
Variaia raportului G/kT
pentru cteva materiale

Fig. 9.13.
Variaia vitezei de nucleaie a
clausterelor n funcie de coeficientul de saturare

Fig.9.14. Echipament pentru depunerea de straturi subiri prin tehnologia ICB

9.4.4.3. Mecanismul formrii stratului subire la depunerea ICB


La depunerea straturilor subiri i a nanostructurilor prin
tehnologia fasciculelor de clustere ionizate apar cteva procese specifice care
particularizez acest procedeu. Atunci cnd clusterele bombardeaz suprafaa
substratului, att clusterele ionizate (fig.9.15) ct i cele neutre (fig.9.16) sunt
descompuse n atomi care se mprtie, cu energie ridicat, pe suprafaa
substratului. Un atom ajuns pe suprafaa substratului este atras fizic de atomii

superficiali ai acestuia, dar se poate mica liber pe suprafa (migraia atomilor)


datorit valorii ridicate a momentului ce faciliteaz deplasarea pe o direcie
138

paralel cu suprafaa, ca urmare a transformrilor energetice aprute n urma


impactului cu substratul.
Adatomii (atomi n echilibru termodinamic instabil) fie interacioneaz,
fie formeaz mpreun cu atomii stratului superficial al substratului centre
stabile de nucleaie, pentru ca, n final, s-i nceteze deplasarea pe suprafa i
s devin i chimic atomi adsorbii.

Fig. 9.15. Clustere ionizate

Astfel, facilitnd migraia atomilor, se obine o cretere a vitezei de


nucleaie i o vitez sporit de cretere a formaiunilor elementare de acoperire a
substratului (insule, provenite din coalescena centrelor de nucleaie, a dubleilor
i a altor formaiuni tranzitorii ce apar ca urmare a deplasrii , ciocnirii i
aglomerrii atomilor), aa cum se vede n figura 9.17.
Adatomii care nu au ntlnit ali adatomi sau zone de nucleaie vor prsi
suprafaa substratului mai rapid, reevapornduse.

139

Figura 9.16. Clustere neutre

Efectele energiei cinetice, specifice tehnologiei ICB de formare a


straturilor subiri, pot fi cuantificate prin msurarea masei depuse pe substrat ca
funcie de temperatura substratului.

Fig. 9.17. Formarea straturilor subiri cu clustere ionizate

140

Fig. 9.18. Variaia masei stratului funcie de temperatur

Ct vreme ad > d ,curba evoluiei masei stratului subire va avea o


pant ascendent fa de reciproca temperaturii (fig.9.18). n aceai figur este
reprezentati starea cristalin a straturilor depuse la diferite tensiuni de
accelerare

(Va). Pentru clusterele neionizate,

corespunznd

metodelor

convenionale de depunere, masa depus crete odat cu descreterea


temperaturii substratului.
La o temperatur dat a substratului masa depus descrete odat cu
creterea tensiunii de accelerare, datorit pulverizrii i reevaporrii, iar panta se
modific n funcie de tensiunea de accelerare.
Aceasta este o caracteristic deosebit de important a depuneri ICB care
difereniaz aceast tehnologie de depunerea convenional cu utilizarea
atomilor, particulelor neutre sau ionizate, n cursul crora energia este constant.
Migraia particulelor i curarea suprafeei substratului sunt efecte ce
apar la utilizarea acestei tehnolgii, iar calitatea efectelor este comparabil cu cea
nregistrat la creterea siliciului epitaxial n vid ultranalt (UHV).
Prin intermediul tehnologiei de depunere cu fascicule de clustere ionizate
s-au realizat att depuneri de straturi subiri ct i creteri de nanostructuri din
141

cele mai diverse materiale: metale, semiconductoare, materiale izolatoare i


materiale organice.
Pe parcursul experimentelor s-au relevat importante caracteristici care
apar pe parcursul metalizrii termic stabile a semiconductorilor cu monostraturi
epitaxiale, a acoperirilor cu straturi subiri multiple prin interdifuzie la presiune
i temperatur ridicat sau a definirii dispozitivelor izolatoare, semiconductoare
sau nano-electro-organice.
De asemenea, s-a realizat prin tehnologia ICB nu numai creterea
straturilor subiri dintr-un singur element sau accelerarea creterii celor
compuse, dar s-a obinut i creterea filmelor de hidruri, oxizi i nitruri printr-un
mecanism care permite controlul riguros al cristalinitii, iar depunerile se fac la
temperaturi mai joase dect n cazul altor metode de obinere a straturilor subiri.
9.4.4.4. Instalaii specifice tehnicilor ICB
O serie de echipamente i instalaii fac parte din dotarea de baz a oricrui
laborator n care se desfoar cercetri sau aplicaii ale tehnologiilor de
obinere a straturilor subiri, printre acestea numrndu-se: instalaiile de
evaporare termic , cele de tip magnetron , pulverizare (magnetron sputtering),
pulverizare n RF sau tunuri de ioni. Sunt ns i echipamente specializate pentru
formarea clusterelor sau a fasciculelor de clustere, precum i instalaii de tip
light puls (impuls de lumin), laser puls (impuls laser) sau FEL puls (Free
Electron Laser puls) care asigur nivelul i densitatea de energie pe parcursul
desfurrii proceselor fizice i chimice din timpul generrii straturilor i
nanostructurilor prin aceste tehnologii specializate.
Astfel de instalaii cu aplicaii mai generale sunt:
- Instalaia de evaporare termic BALZERS BA 510 (fig. 9.19).

142

Fig.9.19. Vederea general a unei instalaii BALZERS BA 510

Aceast

instalaie de evaporare termic este dedicat pregtirii

materialelor suport de tip Ge, GaAs, Si, Cu, Mo sau alte tipuri de materiale
dielectrice precum i de materiale compozite.De asemenea, instalaia prepar o
serie de depuneri de straturi subiri de grosimi submicronice specializate pentru
domeniul infrarou (n special la 10,6 m);
- Instalaia Magnetron sputtering de radio-frecven (RF). Aceast
instalaie este construit special pentru monitorizarea in situ i execuia de
componente, dispozitive i elemente complexe pentru:
- optica laser de mare putere;
- optoelectronic;
- filtrajul i detecia radiaiei cu aplicaii speciale n domeniul infrarou
al spectrului electromagnetic (I.R);
- tratamente superficiale cu fascicule de ioni i trimerizri controlate de
143

straturi

subiri;

- procesri de structuri nanometrice monostrat i multistrat;


- procesri de nanomateriale i materiale compozite;
- cercetri avansate de straturi subiri de carburi de Si i a nanotuburilor de
carbon.
Instalaia VARIAN ER 3119 ( fig.9.20) magnetron sputtering de RF,
completat cu o instalaie de evaporare n vid tip BALZERS BA 510, permite
desfurarea unor etape intermediare care intervin in mod obiectiv n fluxul
tehnologic de pregtire a probelor n vederea depunerii straturilor subiri sau a
creterii / formrii nanostructurilor.

Fig. 9.20. Vedere general a unei instalaii VARIAN ER 3119

Acurateea n proiectarea unei surse de clustere depinde n mare parte de


respectarea unei proceduri normalizate care ine cont de complexitatea
proceselor fizice i chimice ce apar la formarea clusterelor, dar i de pecizia de
prelucrare, parametrii funcionali i calitatea suprafeelor, deoarece orice abatere
a preciziei geometrice sau a strii suprafeei unei surse poate conduce la
modificri semnificative n starea sistemului.
Construcia unei astfel de surse de condensare a clusterelor gazoase,
utilizat pentru depunerea clusterelor de dimensiuni selectate, este ilustrat n
144

figura 9.21. Funcionarea acesteia se realizeaz conform unei succesiuni de


etape pe parcursul crora fasciculul de clustere este generat, colimat i focalizat
ctre suprafaa substratului, astfel:
- heliul ptrunde n camera de condensare rcit cu ap 1 exact deasupra
creuzetului 3 prin intermediul unui tub subire 2;
- metalul vaporizat n creuzet este rcit de He i condenseaz formnd
clustere care sunt aspirate ctre duz 5;
- amestecul de He i vapori de metal sufer o expansiune la vitez
supersonic ntr-o regiune meninut la presiune constant (10 -4 mbar) ce ctre o
pomp de difuzie 6 cu debitul de 3000 l/s (Varian VH S-6);
- fasciculul este ionizat pe msur ce nainteaz n vid, prin intermediul
unui catod fierbinte (surs de ioni din arc de plasm sau alte soluii tehnologice,
n funcie de procedeul ales de ionizare a clusterelor) 7 i apoi trece printr-un
separator 8 n zona de vid nalt asigurat de o pomp cu azot 11 avnd debitul de
700 l/s (Edwards , 160/700M Diffstak);
- fasciculul este accelerat, focalizat 12 i apoi aliniat printr-un deflector
13. O alt serie de lentile 15 focalizeaz fasciculul ctre deschiderea selectorului
de mas 19 localizat dincolo de filtrul de vitez Wien 16 care mprtie
fasciculul n funcie de raportul dintre masa i sarcina particulelor;
- particulele neutre sunt ndeprtate din fascicul sub un unghi de deviere
de 2o, introdus prin filtrul de mas;
- un alt set de plci de deviere Y 17 poate fi utilizat pentru a dirija
fasciculul ctre centrul deschiderii selectorului de mas 19 de la captul tubului
de curgere 18;

145

Fig. 9.21. Construcia unei instalaii pentru depunerea clusterelor


1- Camera de condensare; 2- Admisie tub He; 3- Creuzet; 4 - Sistem rcire cu H2O; 5-Diuz;
6- Pompa de difuzie (He, 3000 l/s) ;7 Surs de ioni; 8 Separator; 9 Linie de degroare;
10- Manometru cu limitator; 11- Pompa de difuzie cu deflector ; 12- Lentile de accelerare;
13- Deflector X-Y; 14- Tub protecie fascicule; 15- Lentile; 16- Filtru de viteza Wien; 17- Plac
deflectoare Y;18- Tub de curgere; 19- Diafragm selector mas, 20-Valv deschiere;
21- Suport prob; 22- Linie de msur; 23- Ghidaj.

- suportul probei 21 este montat pe un ghidaj 23 n spatele ieirii valvei


146

20. Pentru a ncepe depunerea se deschide valva i proba este deplasat n fa,
ntr-o poziie aflat n spatele deschiderii orificiului selectorului de mas. Aici se
afl montat i un electrod, exact sub deschiderea selectorului de mas, care poate
fi utilizat pentru reglarea fasciculului atunci cnd valva este nchis. n acest
scop fasciculul este deviat de la ax cu ajutorul deflectorului Y 17.
La un astfel de echipament, ionizarea (din etapa a patra) se poate face i
prin introducerea unei surse light pulse (impulsuri de lumin) sau FEL pulse
(impulsuri de la o surs laser cu electroni liberi) (fig.9.22 a i b), obinndu-se
nu numai fascicule de clustere ionizate, dar i elemente de mare acuratee pentru
modelarea i simularea formei, dinamicii i calitii fluxului de clustere la
suprafaa substratului (fig.9.23 a,b i c).
Impulsul de lumin (light pulse) surprins n imaginea din figura 9.14,a ,
are o durat de 2,5x10-15 s, fiind cel mai scurt puls de fotografiat pn n prezent

a)
Pentru surprinderea acestei imagini s-a folosit un puls cu durata i mai
scurt, un flash de doar 80 atosecunde (80x10-18 s), acesta find cel mai scurt
impuls de lumin generat pn n prezent. Specialitii de la Institutul Max
Plank pentru Optic Cuantic lucreaz ns deja la un proiect menit s permit
generarea impulsurilor luminoase acesta de doar 24.10-18 s, fiind intervalul
de timp de care are nevoie un electron pentru a traversa atomul de hidrogen,
interval cunoscut ca unitatea atomic de timp.
147

b)
Fig. 9.22. Ionizarea n sisteme Light pulse sau FEL pulse :
a-forma impulsului; b-obinerea de fascicule de clustere

Pornind de la aceeai schem de principiu (fig.9.13) a instalaiei de


producere a clusterelor ionizate sau neutre s-au dezvoltat o serie de alte aplicaii,
pe parcursul crora s-a perfecionat i partea de achiziie, prelucrare, stocare i
modelare a datelor culese din procesele desfurate.
Este de ateptat ca pe msur ce tehnologia de obinere a fasciculului cu
clustere ionizatre se dezvolt s apar foarte multe aplicaii nu numai n tehnic
ci i n medicin.

148

Fig. 9. 23. Elemente de definire a fasciculului de clustere de ioni de Ag:


a-schema de principiu a formrii de clustere de ioni de Ag; b-schema instalaiei;c- variaia intensitii
curentului fasciculului de clustere cu dimensiunea clusterului Ag N.

149

Cteva tipuri de echipamente i piese obinute prin metoda prelucrrii


dimensionale cu jet ioni se prezint n figura 9.24.

150

151

152

Figura 9.24.

153