Sunteți pe pagina 1din 2

Proiect TCM

1.Analiza constructiv tehnologică a desenului de execuţie


Corectare desen
2.Alegerea semifabricatului
Semifabricatul este din oţel laminat de ∅ = 111 mm şi l= 40 mm, OLC 45.
3.Întocmirea itinerarului tehnologic
Semifabricatul laminat suporta a prelucrare frontală de degroşare şi o finisare până ce obţinem o
rugozitate de 1,6.
Semifabricatul laminat se găureşte din 2 operaţii şi încă o operaţie de lărgire până avem o rugozitate
de 6,3.
Facem o strunjire de degroşare exterioară.
Executăm un canal pentru Zeger.
Executăm un filet M75 pe strung.
Retezăm semifabricatul.
Executăm un canal de strângere pe freză.
Găurim piesa în două locuri, găurile find de ∅ = 6,5 mm.
Tarotăm găurile la un filet M8.
Piesa este supusă unui tratament termic de îmbunătăţire la 65-75 daN/mm2, piesa se brunează.
4.Alegerea maşinilor unelte şi a sculelor aşchietore.
Pentru realizarea operaţilot avem nevoie de două maşini unelte un strung revolver şi o freză.
4.1. Alegerea sculei (1, tb 10.5, p.167)
Se aleg 3 scule din care 2 cu profile dreptunghiulare, şi una pătrată.
Caracteristicile sculelor:
1. Scula 1 e patrata (h*b) 2*2, materialul tăişului este din carburi metalice cu o duritate de 45 daN-mm2.
5.Calculul regimului de aşchiere
5.1Stabilirea adaosurilor de prelucrare
2 Ac min = 2( Rzp + Sp + ρp2 + εo2 [1, 1.3 pg.20]
Rzp - este înălţimea medie a neregularităţilor rezultate la prelucrarea precedentă
Sp – adâncimea stratului de la suprafaţă cu defecte de la prelucrarea precedentă
ρ p - abaterea spaţială de la prelucrarea precedentă
ε o - eroare de prindere (instalare) de la prelucrara precedentă
Rzp= 200nm [2, tb 5.35 pg 70]
Sp =300 nm [2, tb. 5.35 pg 70]
5.1.1 Abaterea spaţială
ρ p = ρ12 + ρ 22 [1,1.8 pg.23]
5.1.2 Abaterea fixării piesei în universal autocentrant în consolă
ρc = 2∆c lc [1, tb. 1.3 pg.27]
∆ c -curbură specifică
lc - distanţa de la prelucrare pînă la capătul cel mai apropiat
∆ c =0,08 nm/mm [1,tb1.4 p.30]
L
lc ≤
2
40
lc ≤ => lc ≤ 20
2
L – lungimea semifabricatului L=40
ρ p =0.08*20*2
=3,2
ε = ε b2 + ε 2f + ε d2
ε b - eroare de bazre
ε f -eroare de fixare
ε d - eroare de poziţie a semifabricatului
În cazul prelucrării semifabricatelor de revoluţie
ε b =0
ε d =0
ε f = 120nm
ε = 02 + 1202 + 02
ε = 120nm
2 Ac min = 2( Rzp + Sp + ρp2 + εo2
2 Ac min = 2(200 + 300 + 3, 22 + 1202
2 Ac min = 1120, 04nm
5.1.3. Alegerea adâncimii de aşchiere
Semifabricatul are adaosuri simetrice
2 Ac
t= (mm)
2
Adaosul de prelucrare după degroşare
Dpiesă ∈ (81 -120) mm
2Ac=1,1 mm [1, tb. 8.2, p.135]
2 Ac 1,1
t= = = 0.55 mm
2 2
5.1.4. Alegerea avansului
Verificarea avansului din punct de vedere a rezistenţei corpului cuţitului
- cuţitul are un corp de secţiune dreptunghiulară
b ⋅ h 2 ⋅τ t
Fz =
6L
τ t - efortul unitar admisibil la încovoiere a materialului din care este confecţionat corpul cuţitului în
DaN/mm2
τ t =20 daN/mm [1, 10.3 , p.173]
b- lăţimea secţiunii cuţitului în mm
h- înălţimea secţiunii cuţitului în mm
L-lungimea în consolă a cuţitului în mm
b ⋅ h 2 ⋅τ t 2 ⋅ 4 ⋅ 20 160
Fz = = = = 0.6
6L 6 ⋅ 40 240
Avansul ales trebuie să fie între 0,5 – 0,9 mm/rot [1, tb.10.6, p.163]
5.1.5.avansul găuririi semifabricatului
h
b ⋅ h ⋅ ⋅τ t
S= 4 [1, 10.6 , p.173]
6 ⋅ C4 HB ⋅ t ⋅
n1 x

h 2
b ⋅ h ⋅ ⋅τ t 2 ⋅ 2 ⋅ ⋅ 20
40
S= 4 = 4 = = 0, 2389 = 0, 488 (mm/rot)
6 ⋅ C4 HB ⋅ t ⋅
n1 x
6 ⋅ 27,90 167, 4