UNIVERSITATEA TITU MAIORESCU

IOAN VEDINA EMIL CREU

BUCURETI
- 2007 -
 PREFA

Dezvoltarea tiinei a demonstrat c progresele cele mai spectaculoase se

obin prin cercetare pluridisciplinar, situat la grania dintre diferite discipline.
Cu ct numrul acestor discipline concurente este mai mare, cu att este mai
rapid dezvoltarea noii tiine iar impactul pe care l va avea asupra societii va
fi mai mare.
Dicionarul Webster definete cuvntul nanotehnologie ca fiind arta
manipulrii unor dispozitive minuscule, de dimensiuni moleculare. Guvernul
american ns a investit n ultimii ani miliarde de dolari n cercetarea n
domeniul nanotehnologiilor, n ncercarea de a transforma-o dintr-o art ntr-o
tiin. Ca urmare, activitatea de cercetare din domeniu este prodigioas.
Progresele rapide, mai ales din chimie, au pus la ndemna cercettorilor n
domeniu o varietate de unelte miniaturale minunate.
Nanotehnologia a fost iniial introdus pentru a furniza o int concret
acurateei pentru procesele de fabricaie care implic finisri de ultraprecizie,
cum ar fi: tieri ultrafine, diverse tipuri de prelucrare (procesare) cu fascicule
energetice, utiliznd fascicule de fotoni, electroni sau ioni, evaporarea n strat
subire, corodri superficiale ultrafine, etc.
De la prezentarea conceptului de nanotehnologie n anul 1974 la Tokyo,
acesta a ctigat teren att n Europa ct i n S.U.A., referindu-se aici la tiina
fenomenelor la scar atomic.
Cercetarea tiinific este evident necesar ntruct nanotehnologia nu
poate avea succes fr o nelegere tiinific de baz a fenomenelor petrecute la
scar atomic.
Noua tehnologie va transforma produsele de fiecare zi i modul n care
sunt fabricate prin manipularea atomilor astfel nct materialele s poat fi
micorate, mbuntite i uurate n acelai timp. Dei modeste, produsele
actuale bazate pe nanotehnologie, precum esturi rezistente la pete i ambalaje
pentru alimente proaspete, care au intrat pe pia, unii oameni de tiin
estimeaz c nanotehnologia va juca un rol deosebit de important n viitor.
Datorit unor mbuntiri a microscoapelor, oamenii de tiin pot acum
plasa pentru prima dat atomi singulari unde doresc. Aplicaiile poteniale sunt
numeroase: computere microscopice, nanoparticule pentru tratarea cancerului i
motoare nepoluante. Potrivit celor mai muli oameni de tiin, viitorul
nanotehnologic ar putea s ia avnt peste 10-20 de ani, deoarece trebuiesc
depite principalele obstacole cum ar fi n primul rnd lipsa unei producii
economice de mas.
Unele dintre cele mai complicate dispozitive vor necesita o poziionare
exact a miliarde de atomi.

3
 O alt provocare este crearea unei puni de legtur ntre dimensiunile
nanoscopice i macroscopice. Cu alte cuvinte, dispozitivele nanoscopice sunt
nefolositoare atunci cnd trebuie ataate la dispozitive mari, rmnnd
deocamdat nesoluionat problema depirii neajunsurilor menionate. La
acestea se adaug temerile derivate din domeniul SF, care amenin s deraieze
nanotehnologia, n acelai mod n care populara anxietate provocat de super-
plante i super-alimente au mpiedicat dezvoltarea biotehnologiei n
agricultur.
La nivel mondial, cele dou domenii care ar putea ctiga potenial de pe
urma nanotehnologiei, sunt electronica i biotehnologia.
Spre exemplu, n domeniul biotehnologic, oamenii de tiin promoveaz
noiunea de nanoparticule din aur care ar putea fi activate prin telecomand
pentru a se nclzi i a omor celulele canceroase.
Lucrarea de fa i propune s realizeze o trecere n revist a unora dintre
dispozitivele minuscule i modaliti de realizare cu ajutorul acestora a
diferitelor produse, pind astfel ntr-o nou er a tehnicii de vrf.

Autorii

4
 CUPRINS

pag.
Prefa 3
CUPRINS 5
Capitolul 1 INTRODUCERE N NANOTEHNOLOGIE 7
1.1 Prezentarea conceptului 7
1.2 Scurt istoric 8
1.3 Obiective principale 12
1.4 Tendine actuale de dezvoltare tiinific i tehnologic 12
1.5 Procesarea nanostructurilor 13
1.6 Direcii de utilizare a nanotehnologiei n confecionarea 14
echipamentelor militare
1.7 Cercetri n domeniul confeciilor inteligente 15
1.8 Nanotiina n dezvoltarea electronicii i a tehnicii hardware 16
1.9 Dezvoltarea produselor nanochimice 23
Capitolul 2 PROPRIETILE NANOMATERIALELOR 27
2.1 Generaliti privind propritile nanomaterialelor 27
2.2 Modelul cuantomecanic monopartic de formare a mediilor 30
condensate
2.3 Modelul cuantomecanic bipartic a nanomaterialelor 34
2.4 Nanotehnologia de obinere a metaloceramicii 36
2.5 Proprietile mecanice ale nanomaterialelor 37
2.6 Proprietile mecanice ale materialelor compozite 39
2.7 Propagarea sunetului n corpurile solide i lichide 39
2.8 Proprietatile termice ale nanomaterialelor 40
2.9 Proprietile de emisie ale nanomaterialelor 47
Capitolul 3 NANOLITOGRAFIA SAU SISTEME DE GRAVARE 51
BIDIMENSIONALE
3.1 Gravarea fotorezistului 51
3.2 Fotolitografia 57
3.3 Electronolitografia (litografia cu fascicul de electroni) 68
3.4 Litografia cu fascicul ionic focalizat (ionolitografia) 76
3.5 Litografia sincrotronic cu raze X 84
Capitolul 4 SISTEME DE PROCESARE LA NIVEL NANOMETRIC 94
4.1 Unitate de procesare, tensiuni de rupere i densitate de 94
energie de procesare
4.2 Metode de prelucrare cu uniti de prelucrare atom cu atom 97
i cluster de atomi
4.3 Procesarea la nivel de clusteri atomici cu abrazivi fini mobili 97

5
Capitolul 5 PRELUCRARE NANOTEHNOLOGIC 106
5.1 Generaliti 106
5.2 Procesarea subgranul 108
5.3 Procesarea nanofizic 120
5.4 Procesarea nanochimic i electrochimic 132
Capitolul 6 SISTEME DE FABRICAIE PENTRU 140
NANOANSAMBLE COMPUSE DIN COMPONENTE DE
PRECIZIE NANOMETRIC
6.1 Producia de ULSI 140
6.2 Discuri optice 149
6.3 Tub videocaptor de imagine (SATICON) 154
6.4 Dispozitive cu cuplaj de sarcin (CCD) 159
6.5 TFT-LCD-uri 174
6.6 Panouri de afiaj cu plasm (PDP) 179
6.7 Fibre optice i componente optice aferente 185
6.8 Giroscoape pentru sisteme ineriale de navigaie 192
6.9 Micromaini i dispozitive nanomecanice 199
Capitolul 7 DEZVOLTAREA DE PRODUSE DE NALT 210
INTELIGEN I SISTEMATIZAREA NANOTEHNOLOGIEI
7.1 Nanoprocesarea materialelor pentru circuite integrate de 210
densitate supernalt
7.2 Procesarea circuitelor integrate MOS n domeniul de 212
interacie mesoscopic sau cuantic
7.3 STM i AFM pentru nanotehnologia sistematizat 212
7.4 Nanoprocesarea materialelor pentru componente 213
optoelectronice i microelectronice
7.5 Componente nanomecanice pentru nanotehnologie 213
7.6 Dispozitive de servopoziionare nanomecanic pentru 213
nanotehnologie
7.7 Procesarea cu fascicul ionic a materialelor n nanotehnologie 214
7.8 Pocesare cu fascicul laser a materialelor n nanotehnologie 214
7.9 Simularea pe calculator a achierii la scar atomic sau 214
molecular
7.10 Nanotehnologia i micromainile 214
BIBLIOGRAFIE 216

6
 CAPITOLUL 1
INTRODUCERE N NANOTEHNOLOGIE

1.1 Prezentarea conceptului

Nanotehnologia este acea ramur a tiinei care permite crearea de
materiale, de dispozitive i de sisteme la scar nanometric (1-100 nm), prin
manipularea materiei la aceast scar, precum i prin exploatarea noilor
proprieti ce rezult la scar nanometric, avnd un puternic impact asupra
numeroaselor aplicaii comerciale, militare i spaiale.
n cele ce urmeaz va fi prezentat o descriere de ansamblu al conceptului
de nanotehnologie, pe baza unor exemple menite s ajute la nelegerea
conceptului legat de fabricarea, caracteristicile, aplicaiile i comercializarea
produselor din aceasta categorie.
Conceptul de nanotehnologie se caracterizeaz prin faptul c toate
procesele care se studiaz i se produc, au ca unitate de referin nanometrul, ce
reprezint a miliarda parte dintr-un metru (3 - 4 atomi).
Pornind de la definirea acestei dimensiuni, se poate uor deduce c
nanotehnologia reprezint practic un procedeu de asamblare la nivel molecular.
Noua tehnologie are menirea de a transforma produsele de fiecare zi i
modul n care acestea sunt fabricate prin manipularea atomilor, astfel nct
materialele s poat fi micorate i mbuntite n acelai timp.
Dei produsele actuale bazate pe nanotehnologie sunt modeste - precum
esturi rezistente la pete i ambalaje pentru alimente proaspete - care au intrat
deja pe pia, unii oameni de tiin estimeaz c nanotehnologia va juca un rol
deosebit de important n viitor.
Datorit unor mbuntiri a microscoapelor, oamenii de tiin pot acum
plasa pentru prima dat atomi singulari acolo unde doresc. Aplicaiile poteniale
sunt numeroase: computere microscopice, nanoparticule pentru tratarea
cancerului, motoare nepoluante, etc.
Utiliznd binecunoscutele proprieti chimice ale atomilor i moleculelor
(care vizeaz modul de lipire a acestora), nanotehnologia propune construirea
de dispozitive moleculare inovatoare, cu caracteristici extraordinare. Secretul
const n a manipula atomii individual i de a-i plasa exact acolo unde este
nevoie, astfel nct s produc structura dorit.
Nanotehnologia se poate defini i ca fiind abilitatea de a transforma
materia ordonnd cu precizie atom dup atom i molecul dup molecul,
pentru ca n final s se produc nanostructuri din care s se poat forma
nanoproduse, adic dispozitive i maini.

7
 Fig.1.1 Exemplu de nanomaini

Rezultatele anticipate datorate mnuirii acestei tehnologii sunt dincolo de

imaginaia omului i de ceea ce s-a realizat pn acum.

1.2 Scurt istoric

La 29 decembrie 1959, laureatul premiului Nobel, Richard Feynman n
cuvntarea intitulat There is Plenty of Room at the Bottom n cadrul ntrunirii
anuale a Societii Americane de Fizic, a fcut prima aluzie la nanotehnologie,
referindu-se la avantajele nc neexplorate ale miniaturizrii. n cuvntarea sa, el
a descris o disciplin menit a manipula uniti de materie din ce n ce mai mici,
permind aranjarea atomilor dup bunul plac al cercettorilor.
Aceast viziune a fizicianului este considerat de mult lume ca fiind
prima discuie tiinific despre nanotehnologie. Cu toate acestea, abia n 1974
termenul de nanotehnologie a fost adoptat de catre Universitatea Norio
Taniguchi din Tokyo. Taniguchi a delimitat ingineria la scala micrometric aa
numita micro-tehnologie de o noua inginerie, de aceast dat la nivel sub
micrometric, pe care a numit-o nanotehnologie.
Pentru nc un deceniu, nanotehnologia a rmas departe de cunotina
publicului larg. Apoi, n 1986, fizicianul american K. Eric Drexler, a scris
Engines of Creation, carte considerat de majoritatea ca fiind cursul de baz al
nanotehnologiei, crend nanochimia ca ramur a nanotehnologiei, domeniu
menit a schimba radical n cteva decenii, toate laturile fundamentale ale vieii
omenirii.
n timp ce Drexler i scria cartea, cercettorii de la Universitatea Rice
studiau o molecula bizar. Prin evaporarea carbonului i condensarea acestuia
ntr-un gaz inert, Richard Smalley i echipa sa au observat cum carbonul a
format cristale extrem de stabile formate din cate ase atomi. Au observat cum
cristalele mpart structura cunoscut sub numele de minge de fotbal, folosit n
domesticele geodezice ale arhitectului R. Buckminster, i au numit descoperirea
"buckminsterfullerene", denumire scurtat apoi la "fullerene" sau "buckyball".

8
 Buckyball rmne ca cea mai important descoperire a nanotehnologiei.
A dus la ctigarea premiului Prize n Chimie de ctre Smalley i colegii si, n
1996 i a consolidat reputaia nanotehnologiei ca un domeniu de cercetare de
vrf.
Nanotehnologia, n ansamblul ei, este un domeniu multidisciplinar.
Conceptele generale provin mai ales din biologie. n plus, n laboratoare s-au
construit deja maini pentru autoreproducere i autoactivare, care i
realizeaz produsele fr zgomot, cldur, gaze arse toxice sau manoper
uman. n acest sens vom meniona n cele ce urmeaz principalele laboratoare
cu activiti n domeniul nano indicnd i obiectul de activitate al fiecruia:
n plus, aceste maini despre care s-a menionat la nceputul capitolului
consum unele substane poluante la fel cum fac plantele. Fr ndoial, n
funcionarea acestor maini se respect riguros toate legile fizicii, chimiei i
biologiei. Se apreciaz c un rol foarte important l are chimia, deoarece practic
toi atomii (hidrogen, carbon, azot, oxigen, fluor, siliciu, fosfor, sulf, clor, .a)
sunt implicai n nanostructuri. n mod practic, se estompeaz graniele dintre
fizic, chimie, biologie i alte discipline datorit interaciunilor la nivel
submolecular ce se realizeaz la scar nanometric. Calitativ, se trece i de la
fizica clasic la cea cuantic, deoarece dispozitivele electronice moderne se
miniaturizeaz odat cu creterea vitezei de funcionare.
Practic, se vor produce dou categorii principale de dispozitive, i anume:
dispozitive convenionale cu dimensiunea din ce n ce mai mic, pn ajunge n
domeniul nanometric i dispozitive noi, acestea din urm concepute pe baza
unor efecte cuantice direct la dimensiuni nanometrice astfel nct lungimea de
und a electronilor s fie de ordinul dimensiunilor acestor dispozitive.
Din cele prezentate rezult c putem defini nanotehnologia ca fiind
abilitatea de a transforma materia ordonnd cu precizie atom dup atom i
molecul dup molecul pentru ca n final s se produc nanostructuri iar din
aceste nanostructuri nanoproduse, adic dispozitive i maini. Aceast metod
este cunoscut sub denumirea de la baz n sus, spre deosebire de metoda
denumit cu vrful n jos prin care se pornete de la suprafa (interfa) spre
interiorul nanofazelor pentru a forma un nanoprodus.
Exist o mare varietate de interpretri ale noiunii de nanotehnologie,
fiecare specialist adaptnd-o la domeniul su i evideniind n primul rnd
dimensiunea nanometric a produsului.
Interpretarea creatoare dat de cel mai recunoscut pionier n domeniu, K.
Eric Drexler, susine c esenial pentru conceptul de nanotehnologie este
capacitatea unei nanomaini (denumit n mod obinuit dispozitiv de
asamblare) s se autoreproduc.
Figurativ, se afirm c dispozitivul de asamblare ar fi prevzut cu un bra
submicroscopic de robot asistat de un nanocalculator. Asemenea dispozitive vor
funciona, de fapt, pe baza unor reacii chimice cunoscute n mare msur, care
vor aeza diferii atomi cu mare precizie n molecule, iar apoi vor aeza

9
molecul cu molecul pentru a construi n final orice produs, realizat n
conformitate cu legile naturii. Dispunnd de programe i materiale potrivite,
dispozitivele de asamblare vor fi capabile s realizeze i copii dup ele nsele,
respectiv s se reproduc n milioane de exemplare. Dispunnd de nenumrate
tipuri de maini reproductoare, omenirea va putea produce n cantiti
nelimitate orice fel de material de care are nevoie n prezent i chiar unele
materiale pe care deocamdat nu ni le putem imagina.
n prezent, comunitatea tiinific internaional apreciaz c
nanotehnologia dispune de potenialul necesar pentru a influena fiecare faet a
vieii oamenilor cu mai mult for dect toate marile descoperiri tiinifice i
invenii anterioare prin aplicaii n toate domeniile tiinei i tehnicii.
Unii specialiti teoretizeaz genurile posibile de aplicaii ale
nanotehnologiilor, clasificndu-le n principal n urmtoarele trei categorii:
umede, uscate i hibride (umede-uscate).
Nanotehnologia umed studiaz sistemele biologice aflate, n principal,
n mediul acvatic. Nanostructurile funcionale care prezint interes umed sunt
membranele, enzimele genetice i alte componente celulare. Succesul acestor
nanotehnologii este convingtor demonstrat de existena organismelor vii ale
cror form, funcie i evoluie sunt guvernate de interaciunile structurilor la
scar nanometric.
Tehnologiile uscate provin din studiul suprafeelor (interfeelor) i, n
prezent, au reuit s asigure fabricarea structurilor de carbon (ex. fullerene i
nanotuburi), siliciu i alte substane anorganice. Spre deosebire de
nanotehnologia umed, tehnologiile uscate permit producerea
nanometalelor i nanosemiconductorilor. Electronii cu conductan activ
din aceste materiale le fac prea reactive pentru a fi utilizate deocamdat n medii
umede. Aceiai electroni asigur proprieti fizice care fac ca nanostructurile
uscate s fie utilizate deja cu succes ca dispozitive electronice, magnetice i
optice.
Un important obiectiv n acest domeniu este realizarea unor
nanocalculatoare uscate, care s prezinte, n principiu, aceleai atribute cu cele
ale inteligenei umane. S-a ajuns astfel la o nou abodare a inteligenei
artificiale, capabil s ne asigure noi i noi succese i o soluie acceptabil n
1015 ani, cu o suficient capacitate analitic i de predicie. Nu trebuie s
omitem faptul c naturii i-au trebuit cteva sute de milioane de ani pentru a crea
pe cale umed nanomaterie (creierul uman) funcional.
O analiz mai amnunit a viitoarelor sisteme de nanocalcul trebuie s
permit reducerea timpului de elaborare a nanotehnologiilor att uscate ct i
hibride umede-uscate, iar n viitorul previzibil chiar al nanotehnologiilor
umede. Aceste trei tipuri de aplicaii nanotehnologice prezint un grad nalt de
interdependen. Progresele majore din fiecare direcie vor putea determina
rezultate importante n celelalte dou direcii prin adaptarea informaiilor
provenind dintr-una din celelalte nanodomenii sau chiar din ambele.

10
 Privind din perspectiva nanoproduselor finale (i nu al metodei de
producere), cteva domenii vor fi probabil mai puternic afectate de
nanotehnologie dect altele. Spre exemplu, ntr-un raport elborat de Ministerul
pentru tiine din Australia, s-au identificat trei domenii largi considerate ca
urmnd s fie afectate n mod deosebit de nanotehnologie: separrile Novel,
biosenzorii, electronica. Tehnologia separrilor Novel rezolv o serie de
probleme, cum ar fi purificarea apei, asimilarea medicamentelor (n organism),
filtrarea sngelui. Biosenzorii se produc prin inginerie molecular pentru
aplicaii n medicin. S-au conceput, de exemplu, biosenzori pentru
recunoaterea unei molecule extrem de specifice n concentraii foarte sczute.
De asemeni, nanotehnologia are un puternic impact i asupra
comunicaiilor, calculatoarelor i produselor din sfera automatizrii. Eficiena
sporit a dispozitivelor noi, cum ar fi capacitatea acestora de a funciona la
vitez mare i cu o mai mare flexibilitate, reprezint avantajul lor principal.
Analiznd la un nivel tehnic elementar, aplicaiile nanotehnologiei pot fi
mprite pentru o serie de domenii generale, cum ar fi: medicin, mediul
nconjurtor, cosmetic, tehnologie electronic bazat pe semiconductori,
aparatur de uz casnic, etc.
Nanochimia ca ramur a nanotehnologiei se bazeaz pe ncrederea c
noile descoperiri tiinifice vor face posibile i profitabile aa-numitele
nanotehnologii, cu ajutorul crora specialitii vor putea controla poziia
fiecrui atom i a fiecrei molecule n structura diferitelor materiale anorganice
i organice, inclusiv n celulele vii. Ca urmare, asamblarea structurilor noi, cu
asemenea materiale, va permite obinerea mai uoar i mai ieftin a tot ce este
necesar omenirii.
Noua tiin pornete de la realizri anterioare cunoscute i aplicate astzi
la scar industrial. Este suficient s amintim producerea diodelor,
tranzistoarelor i a circuitelor integrate electronice, prin prelucrarea tot mai
rafinat a cipurilor de siliciu, unde intervenia omului se face, n prezent, la
dimensiunea unor microni, adic a miimilor de milimetru. Este cazul s
precizm c un nanometru, adic o miliardime dintr-un metru, este de un milion
de ori mai mic dect dimensiunea prelucrrii actuale a circuitelor integrate pe
cipurile de siliciu. n plus, ntr-un nanometru se nscriu zeci de atomi. Prin
urmare, nanotehnologiile trebuie s aib o precizie de zeci de milioane de ori
mai mare dect tehnologiile circuitelor integrate. Iat de ce exist nc sceptici,
care consider obinerea preciziei respective drept o utopie, tratnd nanochimia
ca pe o nou alchimie. Cte s-au schimbat ns, n relativul scurt segment de
timp de pe vremea alchimiei i ct de rapide sunt astzi progresele tiinei!
Au fost suficieni zece ani de la naterea nanochimiei, pentru ca, n
prezent, s funcioneze cu succes circa 2000 ntreprinderi comerciale care
furnizeaz, contra cost, produse i servicii nanotehnologice.
Un exemplu, luat nu la ntmplare, este dat de tuburile din diamant, prin
care se introduce cu mare precizie, pictura de azot lichid n operaiile pe

11
creierul uman. Nici o alt tehnologie nu poate asigura producerea acestor tuburi,
indiferent din ce material s-ar ncerca fabricarea acestora. Depunerea controlat
prin nanotehnologie a fiecrui atom de carbon la locul lui este singura capabil
s produc tubul microscopic cu rezistena cerut, att la solicitrile mecanice
ct i la cele termice. Este de la sine neles c i acest produs tehnologic are o
contribuie semnificativ la schimbarea sntii oamenilor.
nc de la nceput, fizicianul Eric Drexler clasific produsele
nanotehnologice n urmtoarele trei categorii principale: asambloare,
reproductoare i nanocalculatoare.
Asambloarele sunt tehnologii menite a produce noi materiale, cu
microstructurile necesare, asigurnd asigurarea fiecrui atom i/sau molecule la
locul potrivit.
Reproductoarele sunt tehnologii care produc, n flux continuu,
produsele finite de care omenirea are nevoie, inclusiv maini care sunt copii
fidele dup ele nsele.
Nanocalculatoarele sunt maini electronice de calcul, cu puterea
supercomputerelor generaiilor viitoare, dar cu dimensiuni nanometrice.

1.3 Obiective principale

Sintetizarea i procesarea nanostructurilor au ca obiect nlocuirea
diverselor tipuri de materiale organice, anorganice i biologice, mai bune dect
cele realizate pn n prezent.
O atenie sporit va trebui acordat sintetizrii i asamblrii
nanostructurilorla un nalt nivel de precizie, prin procesri inovative. Rezultatul
va consta n controlul mrimii, formei, structurii, morfologiei legturilor dintre
molecule, nano-obiecte i materiale nanostructurate.
Principalul obiectiv const n realizarea de noi combinaii la nivel nano
capabile s formeze noi materiale i mainrii nanostructurate ale cror limite de
capabilitate s fie limitate doar de imaginaia cercettorului.

1.4 Tendine actuale de dezvoltare tiinific i

tehnologic
Ultimul deceniu a cunoscut numeroase realizri n obinerea de
componente organice de o complexitate considerabil. Descoperirea de noi
tehnologii pentru polimeri, dendrimeri, a dus la obinerea unei clase interesante
de componente la nivel nano, cu proprieti mecanice i optice deosebite.
Arhitecturile precise de tip nano, cu dimensiuni variind ntre 10 i 100 nm
au fost sintetizate cu succes. Componentele de acest tip implic reacia unui
nveli reactiv de dendrimer cu un miez reactiv de dendrimer. Noile componente
astfel obinute se refer la compoziii moleculare ale dendrimerilor, ducnd ntr-
o etap de cercetare imediat urmtoare la obinerea de noi faze folosind blocurile

12
copolimerice. Sunt cercetri recente n cercetarea i obinerea de noi blocuri
copolimerice din trei componente.
Nanocristale
n ultimii ani, un semnificativ progres a fost nregistrat n obinerea de
nanocristale. Multe materiale comune, precum metalele, semiconductorii i
magneii pot fi obinute din nanocristale, avnd la baz procedee chimice
coloidale. Conceptul schimbului de legtur a fost bine dezvoltat, aceast
metod permind nanocristalelor caracterizai printr-o distribuie limitat a
mrimii diametrului (n general cu o variaie n diametru ntre 5-15%) de a fi
izolai i folosii ulterior ca reactivi chimici. n acest domeniu un factor esenial
a constat n cercetrile efectuate asupra rolului dimensiunilor care au avut la
baz studii fundamentale n domeniul chimiei fizice i al fizicii materiei
condensate. Faptul c o simpl proprietate precum emisia de lumin depinde att
de mult de proprietile semiconductorilor a facilitat dezvoltarea obinerii
efective. Aceeai dependen de mrime a fost exploatat n obinerea unor
aplicaii i n alte domenii cum ar fi cel biologic.
Nanotuburi
Captivanta descoperire a fulerenilor a fost urmat aproape imediat de
descoperirea nanotuburilor de carbon. Nemaipomenita construcie a
nanotuburilor este promitoare n realizarea unor matrici pentru obinerea de
noi materiale. Graie topologiei i n pofida legturilor interatomice foarte mici,
la nanotuburile de carbon nu ntlnesc efecte de suprafa.
n consecin, nanotuburile analizate individual sunt caracterizate de
proprieti electrice, optice i mecanice ideale.
Structuri din nanoparticole
Obinerea controlat a particulelor reprezint o metod sintetic foarte
important necesar realizrilor unor structuri de dimensiuni nano, constituind
tehnologia de fabricare a diferitelor produse, de la cele ceramice pn la cele
specifice industriei farmaceutice.
Astfel, structurile de tip nano pot fi ntlnite sub diverse forme, dintre care
cele mai importante sunt:
- aglomerrile de nanoparticule;
- aerogeluri.
Trebuie menionat faptul c n particular, aceste structuri se caracterizeaz
printr-o morfologie proprie, spre exemplu: dimensiunea fractalilor i numrul de
coordinaie dar i prin energia de legtur care are rolul de a pstra particulele ca
pe un tot unitar.

1.5 Procesarea nanostructurilor

Dezvoltarea metodologiei de autoasamblare a permis extinderea cu
uurin a metodelor de obinere a nanostructurilor. n proiectarea structurilor

13
complexe cum ar fi componentele electrice trebuie s ne valorificm abilitile
n scopul realizrii modelelor litografice. Astfel, au fost dezvoltate noi
modaliti de realizare, asamblare i legare a macromoleculelor i
nanoobiectelor, avndu-se la baz interaciuni ce sunt cu mult mai complexe
dect cele ntlnite n mod curent.

1.6 Direcii de utilizare a nanotehnologiei n

confecionarea echipamentelor militare
Domeniul cercetrii militare este unul extrem de strict, iar informaiile
care ajung la public nu reprezint probabil nici 5% din realitatea analizat i
procesat de oamenii de tiin. Se cunoate totui c tehnologia folosit la
confecionarea materialelor folosite pentru echipamentul are la baz viitorului
este n strns legtur att cu avansata nanotehnologie precum i cu materialele
sintetice fortificate cu diveri polimeri.
Este cunoscut faptul c aprarea american cheltuiete anual sume
fabuloase pentru modernizarea forelor militare. Miliarde de dolari sunt destinate
domeniilor de cercetare care au o singur preocupare: modernizarea
echipamentelor militare.
n pofida faptului c forele militare americane sunt i n prezent cele mai
dotate i mai eficiemnte din lumea ntreag, autoritile americane sunt foarte
interesate de a aduce noi i noi mbuntiri att echipamentelor ct i aparaturii
i armamentului din dotare.
Ultimele descoperiri n materie de echipamente vor fi implementate
curnd, urmnd ca pn n anul 2025 militarul american s aib o uniform
inteligent, capabil s-i adapteze instantaneu culoarea ntr-o perfect corelare
cu zona geografic i fauna, dar i cu modificarea proprietilor de izolare
asigurnd o temperatur optim n funcie de condiiile de mediu specifice
zonelor din teatrele de operaii unde militarii i execut misiunile.
Uniformele inteligente se bazeaz pe inserarea n materialele din care
acestea sunt produse a unor particule inteligente, programate special pentru a se
adapta situaiilor. Dincolo de faptul c aceast uniform se va comporta ca un
cameleon, are i proprieti inteligente: dac se rupe, se activeaz un mecanism
de regenerare, iar n cazul n care intr n contact cu substane chimice, are un
sistem de autoaprare prin care se va evita deteriorarea. n plus, uniformele
militare din viitor nu fie i nu fac nici un fel de zgomot pe timpul micrii.
Principala caracteristic a hainelor i uniformelor inteligente fabricate din
materiale mbogite cu anumii polimeri este c fac corp comun cu purttorul.
Aceste haine respir. n ciuda faptului c sunt rezistente i acioneaz
descurajator asupra efectelor mediului exterior, purttorului i dau senzaii dintre
cele mai benefice: sunt uoare, nu se transpir n ele, asigur o lejeritate n
micare. Dac la toate acestea mai adugm i faptul c aceste haine anticipeaz
multe dintre posibilele efecte ale mediului nconjurtor i apr purttorul de o

14
mulime de pericole, putem recunoate pe bun dreptate c aceasta reprezint
haina ideal pentru om i nu doar pentru militarii viitorului.
Cercetrile efectuate au luat i iau n considerare mbuntirea inutei
militare n ansamblul ei, deci nu numai a uniformelor propriuzise dar i a
ctilor din dotare, accesoriu care a fost ntotdeauna cea mai blamat
component a inutei militare.
Fiind de obicei dintr-un material dur de cele mai multe ori din fier i de
civa ani din kevlar cascheta este un obiect vestimentar dificil de purtat chiar
de cei mai clii i antrenai militari din lume. Pentru a contribui pe deplin la
mmrirea gradului de mobilitate al militarului pe timpul misiunilor, n
laboratoarele americane s-au mpins cercetrile astfel nct se afl n stadiu de
proiect o caschet ce va fi confecionat dintr-un material de 70 de ori mai uor
dect actuala pies a garderobei militare.

1.7 Cercetri n domeniul confeciilor inteligente

Cercetarea civil a nregistrat i ea anumite succese n domeniul hainelor
inteligente, ns este cu siguran, mult n urma celei militare. Explicaia ar
putea fi simpl: n timp ce n domeniul militar se urmrete n special
pragmatismul i eficacitatea hainelor, domeniul civil este dominat de casele de
mod i de designerii preocupai doar de mod i, de multe ori, de un succes
imediat.
Cu toate acestea, au fost deja create cmile care i ruleaz singure
mnecile, dar i tricourile cu ecrane din particule speciale, oferind purttorilor
posibilitatea de a opta pentru anumite filme care se pot derula pe obiectele
vestimentare.
ns, de departe, cea mai senzaional realizare n domeniu o constituie
haina-computer. Este vorba de o uniform mai puin aspectuoas, care include n
diversele componente ale sale un calculator miniatural cu accesoriile necesare.
Practic, exist un monitor miniatural i o tastatur delicat inclus pe una dintre
mnecile hainei. Aceste demonstraii sunt ns departe de realizrile cercetrii
militare.
Un alt exemplu din categoria hainelor inteligente destinate domeniului
civil l constituie materialul denumit Nano Dew.
Din acest nou material sunt confecionate hainele menite a preveni
mbtrnirea. Este produs pe baza unei tehnologii speciale ce aparine n
exclusivitate companiei japoneze Kanebo Spinning Corp aa numita
nanotehnologie. Acest material conine vitamina E i enzime speciale. A fost
deja creat o colecie vestimentar pe baza tehnologiei Nano Dew, ce include
tricouri i chimonouri. Hainele cu efect mpotriva mbtrnirii vor fi curnd
disponibile n orice magazin care vinde medicamente i produse cosmetice din
Japonia.
Abia aprute pe piaa nipon, hainele respective se bucur deja de mare
popularitate n aceast ar, unde oamenii sunt foarte preocupai s aib o via

15
sntoas. Specialitii cred ns c aceste produse vestimentare nu se vor bucura
de acelai succes i pe piaa internaional ntruct nu se vor putea oferi
europenilor haine care s-i protejeze de razele ultraviolete, dac acetia prefer
s mearg la plaj pentru a se bronza. Cu siguran ns, c acele persoane
ahtiate dup mod vor da o suficient de mare importan i noilor produse
vestimentare.
Aa-numitele haine inteligente civile par s se afle n perioada epocii de
piatr n comparaie cu tehnologia militar conceput n scopul mbuntirii
inutelor militare, ntruct n misiunilor de lupt tendinele modei sunt cu totul
diferite.

1.8 Nanotiina n dezvoltarea electronicii i a tehnicii

hardware
Un adevr incontestabil const n faptul c evoluia tehnologiilor de calcul
a avut o acceleraie greu de imaginat. Timp de cel puin 40 de ani, de la
inventarea circuitelor integrate, rata de cretere a performanei a fost
exponenial, dublnd puterea de calcul la fiecare 18 luni. Aceast evoluie a
fost att de inexorabil nct a fost denumit lege: aceasta este celebra lege a
lui Moore.
Termenul poate fi ns neltor: legea lui Moore este doar o observaie
empiric i nu o lege a naturii. Reputaia ei a fost ntrit de faptul c adesea
experii au prezis bariere care vor stvili avntul tehnologiei i vor ncetini
evoluia. De fiecare dat ns, realitatea a depit prediciile, i legea lui Moore a
funcionat timp de 40 de ani. Limitele finale sunt ns din ce n ce mai aproape.
ntr-un mod mai mult sau mai puin surprinztor, cele mai amenintoare bariere
care se profileaz sunt de natur economic.
Spre exemplu, dac evalum costul unei fabrici care produce circuite
integrate vom observa c urmeaz aceeai curb exponenial pe care o urmeaz
performana circuitelor integrate. O astfel de fabric a ajuns la ora actual s
coste cam 2 miliarde de dolari, i la aceeai rat de cretere va ajunge la 50
miliarde n 2010. Acesta este un cost pe care foarte puine companii i-l pot
permite, mai ales c investiia nu este lipsit de riscuri, cum ar fi spre exemplu,
rzboiul Intel-AMD, cu tot spectrul de ntorsturi neateptate n poziia de lider
al pieei.
Chiar dac poate fi argumentat construirea fabricilor n comun de ctre
consorii de fabricani, exist o serie de costuri care nu pot fi distribuite: fiecare
circuit integrat este construit folosind o serie de mti, i costul acestora suferind
la rndul su o evoluie exponenial, ceea ce face deja prohibitiv fabricarea de
chip-uri de ctre companiile mici.
Creterea costului de fabricaie este dat de costul dispozitivelor mecanice
care sunt folosite la fabricarea integratelor. Pe msur ce dimensiunea
tranzistoarelor scade, cerinele de precizie pentru alinierea mtilor, lefuirea

16
suprafeei plcii de siliciu, montarea nivelelor de metal ale circuitului final, etc.,
cresc i ele; costul unor dispozitive mecanice care fac operaii att de precise
crete deci exponenial cu scderea dimensiunii.
Anticipnd sfritul acestei ere prodigioase din istoria calculatoarelor,
cercettorii au nceput s investigheze modele alternative de calcul. n cele ce
urmeaz se va prezenta pe scurt o alternativ pentru urmtoarea generaie
arhitectural care substituie actualele circuite integrate CMOS (Complementary
Metal-Oxide Semiconductor) cu circuite construite prin nanotehnologie
electronic.
1.8.1 Componente nanotehnologice n electronic
Primul ingredient necesar pentru a construi circuite la scar molecular
este srma. Astfel de srme trebuie s fie foarte subiri, lungi, rezistente
mecanic i s aib o conductan electric bun. Din fericire chimitii au
descoperit o serie de molecule care au exact proprietile necesare.
Fig.1.2 prezint un fragment din cea mai celebr dintre moleculele
descoperite, i anume nanotubul de carbon. Nanotubul de carbon este
caracterizat prin faptul c fiecare atom de carbon este legat covalent cu vecinii
si. Pentru descoperirea acestor molecule, Richard Smalez de la Universitatea
Rice din S.U.A. a primit premiul Nobel pentru chimie n anul 1996. Astfel de
molecule au un diametru de 5nm i pot avea lungimi de ordinul milimetrilor. Se
caracterizeaz prin excelente proprieti electrice i mecanice, n pofida
dimensiunilor minuscule.

Fig. 1.2. Nanotubul de carbon. Partea din stnga a unei singure molecule

Al doilea ingredient de care avem nevoie este un comutator, care poate

nchide i deschide circuite. Din fericire i pentru acest dispozitiv exist o
pletor de alternative. n fig. 1.3. este prezentat un astfel de comutator
molecular.
Molecula polarizat prezentat n fig. 1.3.(a) este caracterizat printr-un
nor de sarcin electric asimetric. n poziia din stnga norul blocheaz trecerea
curentului electric. Aplicnd un potenial ridicat cauzm rotirea moleculei i

17
reorientarea norului electronic; molecula din poziia din dreapta a figurii
menionate conduce curent electric ntr-o singur direcie, comportndu-se ca o
diod.
Molecula are memorie, deoarece rmne mult vreme n poziia n care
a fost pus. Un potenial mare negativ poate muta molecula napoi la starea
neconductoare.

Fig 1.3 a) Comutatorul molecular cruia i s-a aplicat un potenial ridicat;

b) Comutatorul molecular plasat ntre dou nanosrme.
n fig. 1.3.(b) este prezentat micrografia unui comutator molecular cuplat
cu dou nano srme. Acest comutator poate fi poziionat cu precizie ridicat
prin urmtoarele procedee chimice simple, astfel:
1. Cele dou srme se fabric separat;
2. Se nmoaie una dintre srme ntr-o soluie care conine molecule-
comutator;
3. Cele dou srme se suprapun n unghi drept.
Respectnd cele menionate mai sus, comutatorul de la intersecia celor
dou srme se va cupla de ambele, devenind astfel operaional.
Faptul c putem construi srme izolate i legate prin comutatoare nu este
suficient pentru a construi circuite complexe. Trebuie s fim capabili s
construim n mod eficient (n paralel) multe astfel de srme cuplate cu
comutatoare.
Din fericire, chimitii au descoperit un fenomen care ne ofer soluia
ntr-un mod aproape miraculos. Acest fenomen se numete auto-asamblare (self-
assembly). Una din formele sale se manifest astfel: se realizeaz o soluie cu un
anumit tip de molecule.
n soluie se nmoaie un suport dup care soluia se nclzete, se extrage
suportul i n mod spontan, fr a avea vreun control dinafar, moleculele din
soluie se aeaz ntr-o structur aproape regulat.
n acest mod se pot construi simultan zeci sau sute de srme paralele,
aflate la distane foarte mici una de alta.

18
 1.8.2 Caracteristici ale procedeului de autoasamblare
Autoasamblarea este un procedeu foarte ieftin de construcie a unor
structuri minuscule. Cu toate acestea, trebuiesc subliniate cteva din tre
limitrile sale inerente:
- Prin folosirea procedeului de autoasamblare nu pot fi construite
structuri neregulate, aperiodice. Circuitele integrate prin tehnologia
CMOS sunt ns structuri neregulate. Va trebui deci s se renune la
modelul circuitelor integrate digitale CMOS.
- Cel puin n viitorul apropiat, prin folosirea procedeului de
autoasamblare se poate afirma c este practic imposibil de construit un
dispozitiv cu trei terminale, cum este tranzistorul. La dimensiuni
moleculare este imposibil de coordonat simultan poziia a trei srme
pentru a le face s se ntlneasc aproximativ n acelai loc. Printr-o
manipulare minuioas sub microscopul electronic poate fi construit un
tranzistor, dar nu pot fi construite simultan n mod automat milioane
de astfel de componente. Tranzistorul rmne ns ingredientul
fundamental al circuitelor integrate digitale CMOS, fr de care
acestea nu pot fi concepute. Rmne de soluionat problema realizrii
circuitelor integrate digitale.
Pentru a gsi soluia la problemele menionate trebuie n primul rnd s
renunm la metodele tradiionale. Din fericire, rspunsul poate fi gsit prin
rsfoirea unor publicaii vechi, ngropate n praf prin biblioteci.
La nceputul anilor 50, nainte de inventarea tranzistorului, pentru o
vreme cercettorii au studiat o metod alternativ de a construi pori logice,
folosind numai diode i rezistene.
n fig. 1.4.(a) este prezentat implementarea unei pori logice i prin
folosirea diodelor i rezistorilor, n timp ce n fig. 1.4.(b) este prezentat
posibilitatea implementrii unui astfel de circuit folosind nanotehnologia. Acest
mod de a construi circuite a fost abandonat dup apariia tranzistorului, deoarece
se consum prea mult curent i este mai ineficient. Cu toate acestea, consumul
dispozitivelor nanoelectronice este minuscul, putnd fece acest model viabil din
nou.
n cazul porii logice i implementate cu diode i rezistene, atunci cnd
una dintre intrri va avea tensiune joas, dioda corespunztoare va conduce, deci
tensiunea la ieire va fi i ea joas. Cnd ambele intrri au un potenial ridicat,
nici una dintre diode nu va conduce i potenialul la ieire va fi i el ridicat.
La folosirea nanosrmelor i nanocomutatoarelor se observ structura
regulat precum i folosirea exclusiv a srmelor care se ncruieaz n unghi
drept.
n circuitele integrate digitale tranzistorul are un dublu rol: servete att la
implementarea porilor logice ct i la amplificarea semnalului electric care se
degradeaz.

19
Fig. 1.4 (a) Reprezentarea unei pori logice i implementate cu diode i rezistene;
(b) Implementarea porii logice prin folosirea unor nano-srme i nano-
comutatoare

S-a artat mai sus cum prima funcionalitate poate fi nlocuit prin
nanocristale folosind diode. Este ns nevoie i de amplificatoare la scar
molecular. Cercettorii n domeniu i-au propus realizarea unui astfel de
dispozitiv menit s ndeplineasc simultan trei funcii:
- Amplific semnalul electric restaurndu-l la valoarea normal;
- Ofer sincronizare cu un semnal de ceas;
- Poate fi folosit pe post de element de memorie.
Acesta este echivalentul molecular al unui latch (un registru).
Atunci cnd avem structuri att de mici, este inevitabil s avem o cantitate
ne-neglijabil de defeciuni. Mici fluctuaii termodinamice, un grunte de praf,
pot perturba imediat regularitatea srmelor i comutatoarelor. Circuitele
integrate digitale clasice trebuie s fie perfecte; dup fabricaie fiecare circuit
este testat extensiv iar cele cu defeciuni vor fi aruncate. Aceast metodologie va
fi aplicat nanocircuitelor, ntruct un numr mare de defeciuni fac practic
imposibil existena unui circuit perfect. n cele ce urmeaz va fi prezentat nc
o posibil soluie pentru aceast ultim problem.
1.8.3 Hardware reconfigurabil
Hardware-ul reconfigurabil reprezint o nou tehnologie de construire a
calculatoarelor, fiind caracterizat de trsturi indezirabile, cum ar fi
posibilitatea de tolerare a defeciunilor i capacitatea de a oferi performan
computaional foarte ridicat. Un dezavantaj al hardware-ul reconfigurabil
implementat n tehnologia CMOS const n faptul c are o densitate sczut (se
pot implementa mult mai puine elemente computaionale pe aceeai suprafa
dect dac s-ar folosi hardware-ul tradiional).
Dac pe un substrat nanotehnologic s-ar implementa un hardware
reconfigurabil s-ar putea obine beneficiile ambelor domenii, putndu-se astfel
evita dezavantajele lor, prin atingerea urmtorilor performane:

20
 - Datorit dimensiunii foarte reduse a componentelor, nanohardware-ul
va compensa densitatea sczut a dispozitivelor reconfigurabile;
- Datorit toleranei la defecte, hardware-ul reconfigurabil va putea
exploata fr probleme nanocircuitele cu defeciuni;
- Va putea fi exploatat viteza excelent de execuie a hardware-ului
reconfigurabil.
Un circuit reconfigurabil (fig.1.5.) conine, ca i un circuit digital normal,
pori logice i srme. Spre deosebire de circuitele obinuite ns, fiecare poart
reconfigurabil nu are o funcionalitate fix, ci poate fi reprogramat electronic
pentru a implementa orice funcie logic dorit. n plus, srmele din hardware-ul
reconfigurabil nu sunt conectate direct ntre pori; ntre srme avem comutatoare
care pot lega i dezlega srmele ntre ele, fiecare dintre acetia fiind controlat tot
n mod electronic.
c) Reprezentarea memoriilor care funcioneaz ca tabele de adevr
n exemplul prezentat n fig.1.5., memoria implementeaz o poart logic
i. Hardware-ul reconfigurabil este deci un caz particular de circuit integrat.
Atunci cnd se compar un circuit reconfigurabil cu unul normal care are
aceeai funciune, cel reconfigurabil este mai mare (cam de 10 ori mai mare).
Este uor de neles de ce: o poart logic implementat cu o memorie este mult
mai mare dect aceeai poart fcut din tranzistori, iar comutatoarele i
memoriile lor aferente ocup spaiu suplimentar. Viteza lui mai sczut este dat
de comutatoare, care ncetinesc semnalul electric.
Avantajul hardware-ului reconfigurabil vine ns din flexibilitatea sa i
anume, poate fi schimbat funciunea lui pentru fiecare nou aplicaie cu care
avem de-a face. Microprocesoarele ofer i ele flexibilitate, dar sunt n general
mai ineficiente dect hardware-ul reconfigurabil, n principal, din urmtoarele
dou motive:
- Un procesor interpreteaz programele scrise n cod main, pe cnd
hardware-ul reconfigurabil le execut direct. Interpretarea introduce
ineficien;
- Programele executate de un procesor trebuie scrise prin folosirea unui
set de instruciuni (n cod main), care nu este neaprat ideal pentru
orice aplicaie. Hardware-ul reconfigurabil poate fi adaptat special
fiecrei aplicaii (spre exemplu, pentru efectuarea unor operaii de 5
bii nu este nevoie s folosim mereu cte 32 de bii).
n plus, capacitatea de reconfigurare poate fi folosit pentru a tolera
defecte. S presupunem c una dintre porile universale este defect din
fabricaie. Dac cunoatem acest lucru, putem face ca niciunul din programele
noastre s nu o foloseasc. ntruct toate porile sunt echivalente, putem folosi
oricare alta, pe care o putem conecta n locul celei defecte folosind reeaua
reconfigurabil.

21
 Fig. 1.5 a) Porile logice universale legate cu o reea de conectare n cadrul
hardware-ului reconfigurabil; b) Poziia de nchis/deschis realizat cu ajutorul
memoriei de 1 bit;

Trebuie menionat c procesul de compilare pentru hardware

reconfigurabil se realizeaz n dou etape; n prima etap programul este tradus
ntr-un circuit, dup care circuitul trebuie aezat n plan, atribuind fiecrei
operaii una sau mai multe pori universale iar srmelor atribuinduli-se
interconexiuni. Aceast ultim faz se numete plasare i rutare (place and
route) i este de obicei foarte costisitoare i complex (ore sau zile ntregi).
Cercetri recente au demonstrat c aceast faz poate fi accelerat
substanial, pn la viteze comparabile cu compilarea normal de programe.
n general, problema transformrii eficiente a unui program dintr-un
limbaj de nivel nalt n hardware este nc nerezolvat satisfctor. Un motiv
const n faptul c limbajele contemporane au fost proiectate pentru un model de
execuie von Neumann, n care maina are procesor i memorie.
1.8.4 Nanocalculatoarele
n aceast seciune ne-am propus s schim modalitatea de mbinare a
nanotehnologiei i a hardware-ului reconfigurabil n scopul construirii mainilor
de calcul.
Avnd n vedere cercetrile n domeniu, n fig.1.6 este prezentat
arhitectura unui sistem de calcul bazat pe nanotehnologii ce const dintr-un
nanocircuit ce are la baz o gril bidimensional de grupuri (clusters), legate
prin srme configurabile de lungimi diferite, fiecare grup constnd dintr-o
gril de nanoblocuri.
Structura aceasta este foarte asemntoare cu cea a circuitelor
reconfigurabile disponibile comercial numite FPGA (Field Programmable Gate
Array), pentru care exist deja mult experien n proiectarea sculelor i
tehnologiilor de compilare, plasare i rutare.

22
 Fig. 1.6 Reprezentarea structurii unui nanocircuit i a unui nanobloc

Astfel de circuite pot fi fabricate printr-o mixtur de tehnologii: fiecare

nanobloc este fabricat folosind nanotehnologii. Lcaurile pentru grupuri i
srmele lungi sunt fabricate prin tehnologia CMOS, fiecare nanobloc este apoi
inserat ntr-un astfel de loca. Au fost puse la punct metode prin care se pot
configura nanoblocurile.
Dup fabricaie, circuitele vor fi cuplate ntr-un calculator care va testa
grupurile, pentru a gsi unul perfect funcional. Urmeaz apoi configurarea
acestui grup de ctre calculator cu ajutorul unui program de autotestare, prin
care restul circuitului este testat pentru a gsi alte defecte.
Nanoblocurile defecte vor fi nregistrate ntr-o list de defecte ataat
circuitului. Atunci cnd circuitul este utilizat, compilatorul care genereaz
configuraia va folosi aceast list de defecte pentru a genera un circuit care
folosete numai prile funcionale.

1.9 Dezvoltarea produselor nanochimice

Materialele n faz nanochimic i nanocompozitele, ce sunt caracterizate
printr-o dimensiune ultra fin a granulelor (sub 50nm), prezint un mare interes
tiinific i comercial datorit proprietilor lor mecanice, electrice, optice i
magnetice deosebite.
n cele ce urmeaz vom prezenta o parte dintre produsele nanochimice
ntlnite pe piaa mondial, precum i utilitatea pe care acestea o prezint:
- Ceramicile n faz nanochimic sunt mai ductile la temperaturi ridicate
n comparaie cu ceramicile cu granulaie mai mare;
- Semiconductorii cu structur nanochimic prezint proprieti optice
neliniare diverse, fiind de menionat efectele cuantice ce pot duce la
proprieti speciale, cum ar fi luminiscena pulberilor de siliciu i de
siliciu-germaniu ce sunt utilizate pentru producia dispozitivelor
optoelectronice n infrarou;

23
 - Pulberile metalice nanochimice se folosesc la producerea materialelor
impermeabile la gaze, a pieselor dense i a materialelor de acoperire
poroase. Proprietile de sudare la rece combinate cu plasticitatea lor,
fac ca acestea s fie adecvate pentru lipirea metal pe metal, n special
n electronic;
- Particulele magnetice nanochimice singulare reprezint monodomenii,
ceea ce duce la formarea n granulele magnetice n faz nanom,etric
a mono-domenii. Particulele foarte mici au structuri atomice speciale,
cu stri electronice discrete, ce dau natere unor proprieti speciale,
suplimentare comportamentului super-paramagnetic. Nanocompozitele
magnetice sunt folosite pentru transmiterea forei mecanice la
ferofluide, pentru stocarea informaiilor cu mare densitate i pentru
rcirea magnetic;
- Clusterele i coloizii de metale cu structur nanochimic, inclusiv cu
compoziii plurimetalice, au un impact special n aplicaiile catalitice.
Acestea pot fi folosite ca precursori pentru un nou tip de catalizatori
eterogeni (catalizatori Cortex) i prezint avantaje considerabile
privind activitatea, selectivitatea i durata n cataliza chimic sau n
electrocataliz (pile de combustie). Cataliza enantioselectiv s-a
realizat folosind modificatori chirali pe suprafaa particulelor metalice
nanometrice;
- Filmele subiri de oxizi metalici cu structur nanochimic prezint un
interes tot mai mare pentru obinerea senzorilor de gaze (NOx, CO,
CO2, CH4 i hidrocarburi aromatice) de mare sensibilitate i
selectivitate;
- De dat mai recent este folosirea oxidului metalic cu structur
nanochimic (MnO2) pentru fabricarea bateriilor uoare i
rencrcabile pentru automobile i aparatur electro-casnic.
- Compozitele pe baz de polimeri cu un coninut ridicat de particule
anorganice permit obinerea unei constante dielectrice mari i
reprezint materiale de mare interes pentru fabricarea de structuri
fotonice speciale;
- Semiconductorii cu o structur nanochimic se folosesc la fabricarea
celulelor solare, deoarece filmele siliconice nanocristaline sunt foarte
transparente, iar filmele poroase din oxid de titan au puteri mari de
transmisie i arii considerabile, ceea ce asigur o puternic absorbie a
luminii n celulele solare.
Aspecte tehnologice n nanochimie
Ingineria nanochimic se extinde rapid ntr-un mare numr de tehnologii
pentru producerea de noi materiale electronice, anorganice i organice, cu
perfecionri de excepie n domeniile optice i electronice.

24
 Producia de materiale nanochimice sau asamblate de clustere se bazeaz
n mod obinuit pe crearea unor clustere mici separate, care apoi se livreaz n
vrac sau ca materiale lichide i solide compacte. De exemplu, siliciul
nanochimic care are proprieti fizice i electronice diferite de ale siliciului
monocristal poate fi folosit la fabricarea semiconductorilor macroscopici
speciali pentru noi dispozitive electronice. Alt exemplu l d sticla obinuit
dopat cu nanocoloizi semiconductori, devenind astfel mediu optic de nalt
performan cu aplicaii poteniale n viitoarele calculatoare optice.
Pentru o mai mare claritate, se impune s precizm c produsele
nanochimice se pot asambla n dou tipuri de microstructuri diferite: chimice i
fizice. Ca exemple de microstructuri chimice pot fi date compozitele cu legturi
chimice ntre nanoparticule de diferite compoziii chimice. Microstructurile
fizice sunt formate din nanoparticule, de exemplu, cu aceeai compoziie
chimic dar fr legturi chimice ntre ele.
De asemenea, precizm c, n mare, se disting dou tipuri de efecte induse
de structura nanochimic. n primul rnd, se evideniaz efectul dimensiunii, n
care structura electronic volumetric normal este nlocuit cu mai multe
niveluri electronice discrete. n al doilea rnd, se evideniaz efectul produs de
mrimea ariei suprafeei totale sau a interfeei, care este cu att mai important cu
ct crete aria suprafeei specifice din sistemele de particule.
n timp ce primul efect se folosete la descrierea proprietilor fizice, al
doilea efect joac un rol determinant n procesarea chimic, mai ales n cataliza
eterogen.
Pe cale experimental, efectul dimensiunii nanoparticulelor se pune n
eviden prin diferite metode fizice, n timp ce efectul produs de mrimea ariei
suprafeei se evideniaz prin msurarea proprietilor termodinamice, cum ar fi
presiunea de vapori, cldura specific, conductivitatea termic i punctul de
topire al particulelor metalice.
Subliniem nc odat faptul, c datorit dimensiunilor mici, orice
acoperire a suprafeei nanoparticulelor nflueneaz puternic proprietile
acestora. Fiecare din cele dou tipuri de efecte ale dimensiunii a fost clar
difereniat n studiile efectuate asupra proprietilor optice ale compozitelor din
clusterele metalice. Studiile au artat c nanoparticulele de silicon au un
comportament total diferit la cristalizare dect cel al pulberilor de dimensiuni
micronice sau al filmelor subiri. S-a observat astfel c n fiecare nanoparticul
se formeaz policristalite chiar i la temperaturi relativ moderate.
Printre alte exemple ale efectelor dimensiunii particulelor, se constat c
aceeai conducie electric a rinilor epoxidice cu umplutur din argint se poate
obine cu un coninut din ce n ce mai mic de metal pe msura micorrii sub
100 nm a particulelor folosite ca material de umplutur. n acest caz, constanta
dielectric a compozitului titanat de plumb-polimer scade substanial n cazul
folosirii particulelor mai mici de 200 nm.

25
 Tabel 1.1

Proprietate
De volum:
-Domeniu magnetic singular
-Dimensiune mai mic dect lungimea
de und
-Absorbie optic mare i selectiv la
nanoparticulele din metale
-Formarea porilor ultrafini datorit
aglomerrii suprafine a nanoparticulelor
-Amestec omogen de diferite tipuri de
nanoparticule
-Dimensiune mai mic a granulei dect
dislocaiile stabile posibile
De suprafa (de interfa):
Utilizare
-nregistrare magnetic
-Absorbia luminii sau a cldurii
-Culori, filtre, absorberi solari, materiale
fotovoltaice, fotografice i fototropice
-Filtre moleculare
-Cercetarea i dezvoltarea de noi
materiale
-Rezisten i duritate nalt la materiale
metalice

-Suprafa specific mare -Cataliz, senzori

-Suprafa mare, capacitate caloric -Materiale pentru schimbtoare de
mic cldur
-Catalizatori de combustie
-Temperatur mic de sintetizare -Acceleratori de sintetizare
-Arie interfazic mare -Producerea materialelor cu nanostructur
-Comportament superelastic al -Ceramice plastice
ceramicelor
-Acoperiri cu clustere -Rezistori speciali, senzori de
temperatur
-Nanoparticule multistrat -Catalizatori foarte activi

Semiconductorii foarte mici (sub 10 nm), compozitele sticl-metal

precum i compozitele semiconductor-polimer prezint interesante proprieti
optice i electrice neliniare.
Pentru producerea din faz gazoas a particulelor nanochimice i pentru
fabricarea materialelor nanochimice se folosesc reacii activate de laser sau
plasm, mecanisme de evaporare-condensare, metode de gelificare sau alte
metode chimice pe cale umed. Cele mai multe dintre aceste metode pot asigura
obinerea unor particule foarte fine, care sunt mai mult sau mai puin
aglomerate. Pulberile pot fi amorfe, cristaline sau pot s prezinte faze
metastabile neateptate, insuficient clarificate.
n tabelul 1.1 sunt prezentate posibilitile de utilizare ale
nanomaterialelor n funcie de proprietile chimice ale acestora.

26
 CAPITOLUL 2
PROPRIETILE NANOMATERIALELOR

2.1 Generaliti privind propritile nanomaterialelor

Mediu condensat este starea lichid i cristalin a substantei. Sistemele
moleculare complicate pot fi transformate n stare condensat ca o trecere din
starea gazoasa n stare condensat.
n stare cristalin se ntilnesc toate corpurile solide. Cu studierea diferitor
structuri cristaline se ocup cristalografia. Fr ideile de baz formate n
cristalografie, nu se poate ntelege ce reprezinta un corp solid. Meritele
cristalografiei au fost att de convingatoare, c n mare msur au influenat
dezvoltarea de mai departe a ideilor noastre despre fizica corpului solid. Aa c
simetria translativ a cristalelor a determinat celul elementar a cristalului.
Fiecarui tip de cristal i corespunde o singura celul elementar. Unirea celulelor
elementare formeaz structura cristalin. Fiecare structur cristalin are
proprietile sale geometrice. Pentru descrierea diferitelor direcii n cristal se
introduc indici de direcie. Toate acestea mpreun permit s descriem corect
structura cristalin.
2.1.1 Simetria cristalelor
Corpurile cristaline au proprieti de simetrie. Se numesc simetrice acele
corpuri, care snt formate din pari identice. Elementele simetriei sunt suprafaa
de simetrie i axa de simetrie. La axele de simetrie se adaug irul simetrei. Toate
cristalele sunt simetrice, i aceasta nseamn, c n fiecare cristal se pot defini
suprafaa de simetrie i axa de simetrie de diferite ordine.
Dupa simetria formei exterioare cristalele se mpart n 32 de clase, unite n
apte sisteme: cubic, hexagonal, tetragonal, trigonal, rombic. Fiecare sistem
se caracterizeaza printr-un ansamblu determinat de elemente ale simetriei. n
cristalele sistemului cubic sunt prezente trei axe de ordinul patru; n sistemul
hexagonal axe de ordinul ase; n cel trigonal axe de ordinul trei; n sistemul
rombic sunt prezente trei axe perpendiculare una pe alta de ordinul doi; n
cristalele sistem monopana se conine numai o singur axa de ordinul doi i n
sfrit n sistemul tripan lipsesc total suprafeele de simetrie i axele de simetrie.
2.1.2. Structurile cristaline tipice
Multe material constructive, ca metalele, au structuri cristaline simple.
Dintre cele mai rspndite este structura hexagonal compact (SHC.) i structura
cubic cu fee centrate (SCFC). Numrul de atomi n celula elementar a SHC
este 5, iar n SCFC este 4. Structura cubic centrat intern (SCCI) se ntlnete

27
mai rar, iar structura cubic simpl (SCS) are un singur element. Numrul de
atomi n celula elementar a acestor structuri este doi sau unu.
n structura cubic simpl atomii sunt distribuii numai n colurile
cubului, i se ating reciproc de-a lungul laturilor cubului.
Structura centrat intern se ntlnete la toate metalele alcaline i alte
metale, iar unele au o structura centrat intern numai ntr-o gam de temperaturi.
celula elementar n SCCI reprezint un cub cu atomii n fiecare col i n centru.
Aa cum numrul de atomi n SCI este de numai doi i aceasta structura nu are
ambalare compact. Totalitatea atomilor n SCI sunt aranjai n lungul diagonalei
cubului. Fiecare atom n aceast structur este nconjurat de 8 atomi.
Structura cubic cu fee centrate este destul de densa. Celula elementar
conine patru atomi, care ocup toate colurile cubului i centru fiecrei fee.
Aceast structur are simetrie, care permite rotirea la 900 a fiecrei laturi a
cubului. Fiecare atom din acesta structura este nconjurat de 12 vecini. Atomii se
ating unul cu altul n lungul feei pe diagonala.
Structura hexagonal compact n cristale se ntlneste destul de des.
Aceasta structura se formeaza prin asezarea suprafetelor compacte n
consecutivitate (ir) simpl: doua suprafee compacte se ating uor una cu alta,
aa ca, fiecare atom a unei suprafee cade ntre trei atomi a suprafeei vecine.
Fiecare atom in asa structura este inconjurat de 12 vecini apropiati.
Piramida tetragonal. Aceast structur are 6 atomi, iar n stratul doi de
coordonare se afl 8 atomi, care sunt ecranai de 6 vecini apropiai. n natur se
gsesc structuri i mai compacte, ca de exemplu diamantul.
Structura diamantului. Reeaua diamantului are structura cubic.
n colurile cubului de baz, avnd structura cu fee centrate, sunt adaugai
atomi, care mpart cubul de baz n 8 pri egale. De aceea o parte din atomi se
aseaza n vrfuri i centrele feelor unui cub, iar alta n vrfuri i centrele feei
altui cub. Prima sfera de coordonate a reelei diamantului conine 4 atomi,
distana dintre ei este de 3a / 4 . A doua sfera de coordonate se afl la distana
a / 2 i conine 4 atomi. A treia sfera de coordonate conine de asemenea 4 atomi,
care sunt asezai la distana 10a / 4 , i n sfrit sfera patru de coordonate se afl
la distana de 13a / 4 i are 4 atomi. n calculele energetice ale straturilor
cristaline esta necesar s se analizeze cristalul din diferite directii n spatiu. n
legatur cu aceasta n cristalografie se studiaza cteva metode descriere a
propritilor substanei.
2.1.3. Proprietile geometrice generale ale structurilor simple
Cristalele formeaz atomi i molecule aparte. Aezarea lor n cristal se
determin n coresponden cu legile generale ale naturii: toate corpurile tind s
ocupe o energie potenial minim. Aa cum energia interaciunii mrime
negativ, din legatura fiecarui atom cu toi atomii apropiai dup valoare absolut
tind la maxim. Particulele din imediata apropiere formeaz sfere de coordonare.
Atomii primei sfere de coordonare se afl fa de atomul urmrit la distana cea

28
mai mic. A doua sfera de coordonare se afl de asemenea la distan mic, dar
puin mai departe ca n prima sfera de coordonare. A treia sfera de coordonare se
formeaz din atomi din urmtoarea distan apropiat de faa particula studiat.
Cantitatea atomilor n fiecare sfer de coordonare este numrul de coordonare.
Distana minim pentru prima sfera de coordonare se determin din ecuaia
forelor de atracie i respingere. Forele de atracie se determin din legatura
covalent i ionic, iar mai departe interaciunii dipol-dipol.
Forele de respingere sunt n principal fore Culon, care iau natere ntre
nucleele ncarcate pozitiv ale atomilor sau moloculelor i norii lor electronici
ncrcai negativ. n rezultatul aciunii reciproce a acestor fore se formeaz
formele exterioare a cristalelor.
Distana ntre atomi n cristale poate fi determinat n 2 moduri: 1) dup
mrimea densitii substanei, 2) dup valoarea lungimii feei nucleului
elementar. Distanele calculate dup valoarea densitii substanei ntre atomi n
cristale totdeauna sunt mai mici i coincid rar cu distanele dimensiunilor
geometrice ale celulei elementare.
Corpurile policristaline conin regiuni de lipire a cristalelor independente,
care trebuie s cresc puin distana dintre nuclee, care este rezultat din valoarea
densitii substanei. n realitate situaia este invers. De aceea pentru S.F.C.C.
deosebirile sunt mai mari dect la S.C.C.I. Se presupune c aceast deosebire se
afla n limitele erorilor de dimensiune. Dar n realitate nu este aa. Erorile
dimensionale (msurare) ale parametrilor reelei constituie mai puin de 1%, iar
la msurrile densitii substanei ele constituie mai puin de 1%. Rezult c n
corpurile solide exist regiuni cu densitate mai mic i mai mare a particulelor de
substana. Regiunile cu o densitate mai mare prezint nite structuri clusterice, iar
spaiul dintre clausteri este umplut cu particule cu densitate de concentrare mic
sau n genere pot fi libere de particulele substanei. O astfel de interpretare
schimba complet imaginaiile noastre despre construcia corpului solid la nivel
micro.
Dupa descoperirea radiaiei Roentgen i proprietilor de und ale
microparticulelor n micare a fost posibil evidenierea structurii cristaline a
corpurilor solide.
2.1.4. Strile cristalolichide
n momentul de fa sunt analizate diferite modele ale strii lichide:
modelul sferelor dure, modelul J. Barnal, teoria fisurilor I.I. Frenchel, modelul
volumului liber, modelul cvazipolicristalic, modelul cvazichimic i modelul
cluster.
Mai acceptabil este modelul cvazichimic, care rezult din urmtoarele
condiii :
1. Ecuaia micrii oscilatorii i de translaie a particulelor strii lichide.
2. Un rol deosebit l joac forele de atracie dintre particule.

29
 3. Simetria cmpului de fore al interaciunii dintre particule se pstrez
numai n mediul apropiat.
4. Energia interaciunii dintre particulele strii lichide a structurii chimice
diferite se deosebesc considerabil.
Mai amnunit starea lichidocristalic va fi studiat n continuare. Starea
lichidocristalic se deosebete de corpul solid prin poziia particulelor mobile a
lichidului raportat la sistemul de coordonate fix funcie de timp i spatiu, adic
densitatea particulelor n locul dat a spaiului are caracter static.
Cum se comport starea lichidocristalin n dependen de temperatur, a
fost cercetat pe aluminiu lichid. Pe masura ridicrii temperaturii lichidului starea
lichidocristalic dispare treptat. La ridicarea temperaturii are loc o distrugere
radical a legturilor cu sferele de coordonare doi i trei. Ordinul de apropiere
este conditionat de interaciunea cu prima sfera de coordonare.
Distrugerea efectiv ordinului de apropiere trebuie s se petreac la
temperaturi mult mai mari.
Astfel scurta analiz fcut asupra structurii diferitor cristale i a strii
lichide n continuare va fi folosit ca baz la alctuirea teoriei cuantice a
substantelor lichide i solide.

2.2. Modelul cuantomecanic monopartic de formare a

mediilor condensate
Primul model cuanto-mecanic a corpurilor solide a fost dezvoltat de
Brilliuen, iar pe baza ei electronii n corpul solid se distribuie pe zone energetice
zonele Brilliuen. n toate teoriile problema multielectronilor a fost direcionat
ctre micarea unui electron n cmpul periodic n reeaua cristalina i a folosit
modelul cuanto-mecanic monopartic. Aceasta teorie a permis s se determine
trecerea corpurilor solide la dielectrici, semiconductori i metale. Proprietile
electrice, magnetice, termice i optice ale corpurilor solide au gsit o explicaie
calitativ. n continuare se vor analiza strile diferitelor modele cuantomecanice
monopartice n domeniul descrierii prorietilor de baz ale corpurilor solide.
2.2.1 Analiza diferitor metode de calcul a potentialului de
interactiune si energia legaturilor
Corpul solid reprezint un sistem multinuceleic i multielectronic, n care
acioneaz forele electrostatice. Acest sistem poate fi descris cu ecuaiile lui
Sroedingher, determinate pentru diferite particule. n cazul ideal se folosete
ecuaia staionar a lui Sroedingher. O rezolvare aproximativ se poate face prin
reducerea la modelul monopartic. Astfel, trecerea la cristale este format n teoria
regiunilor corpurilor solide. La alctuirea teoriei regiunilor se poate apela la dou
ci: Prima cale prevede trecerea la un ansamblu mare de atomi izolai ai
corpurilor solide, deasemenea i apropierea lor treptat. Al doilea rezolv
problema legat de micarea electronilor n cmpul periodic al reelei.

30
 Corespunztor primei metode, doi atomi identici (A i B) la nceput se afl
la o distana considerabil i practic nu reacioneaz. Nivelele enrgetice ale
atomilor sunt identice. La apropierea lor, apare ntre ei o interaciune, care crete
repede cu micorarea distanei i duce la dereglarea nivelelor i la scindarea lor.
Fiecare nivel se va scinda n dou subnivele, conform principiului lui Paulli,
adic n sistemul electronilor care interacioneaz numai doi electroni cu spin
opus pot s dein aceeai valoare a energiei. Interactiunea reciproc a atomilor
influeneaz n primul rnd stratul exterior. n straturile interne, ea este mai slab
i nivelele disociaz mai puin, de aceea cu ct este mai mic distana ntre atomi,
cu atit este mai mare interaciunea, i corespunztor, este mai mare disocierea
nivelelor. Daca apropiem nu dou, ci trei sau mai multe particule, atunci fiecare
nivel se divide n trei sau mai multe subnivele,.
n interiorul acestor gropi de potenial se afl nivelele energetice, pe care
sunt asezai electronii. Atomii sunt separai unul de altul de o barier de potenial
de grosime anumit i nlime diferit pentru diferii electroni de lungime egal
de la nivelul corespunztor pna la nivelul energetic nul. Aceasta barier
mpiedic trecerea liber a electronilor de la un atom la altul. Fiecare stare
stationar a elecronilor n atom se caracterizeaz printr-o distribuie determinat
a sarcinii norilor electronici.
Pe msura apropierii atomilor i formarea reelei cristaline interaciunea
dintre atomi crete i cmpul electric al atomilor din vecinatate schimb valoarea
energiei electronilor izolai i duce la amestecarea nivelelor atomice, aa cum se
are loc prin efectul Starc.
Interactiunea dintre atomi duce nu numai la amestecarea i scindarea
nivelelor atomilor, dar i la extinderea lor n zone. Acest efect deasemenea este
determinat de proprietatea de und a electronilor i este legat de micorarea
localizrii lor n cristal n comparaie cu atomul izolat.
n cristal, electronii, prin efectul de tunel, pot s treac de la atom la atom
prin bariera de potenial, care desparte atomii. n reeaua cristalin viteza
electronului pstreaz o valoare medie, aa cum de fiecare data se oprete i
primete o viteza la trecerea prin barierele de potenial ntre ionii i atomii din
reea.
Proprietile electrice, optice, mecanice, termice si magnetice ale corpului
solid sunt condiionate de electronii de valen. De aceea teoria zonelor, care
dezvolt legile micrii electronilor de valen n cristale, are un rol fundamental
n fizica corpurilor solide.
Teoria zonelor se reduce la urmtoarele ipoteze:
1. Cristalul este ideal periodic.
2. Micarea nucleelor se reduce numai la oscilaii mici lnga poziii de
echilibru nemodificate. Aceasta este aa numita apropiere adiabatic. n
asemenea apropiere cristalul se divizeaz n nuclee de atomi, care sunt dispui n
nodurile reelei cristaline.

31
 3. Interactiunea dintre atomi poate fi descris prin cmpul periodic
staionar, format de particulele nconjurtoare ale cristalului. Ca rezultat se
formeaz un cmp oarecare, cnd interaciunea electronului dat cu toi ceilali
electroni i nuclee se schimb odat cu actiunea asupra lui a cmpului electric
staionar.
Aceste cazuri joac un rol deosebit n fizica corpurilor solide i nu pot fi
cercetate n teoria zonelor.
n metoda a doua se foloseste modelul cmpului electric, formulata de :
1) Distribuirea momentan a ionilor i atomilor n nodurile reelei, care pot
fi considerate periodice raportate la orientarea din micarea termic.
2) Distribuirea continu a sarcinii electrice corespunztor cu aranjarea
ionilor.
Ca rezultat, lanul periodic real a gropilor de ponial, aezate n direcii
determinate, se schimb cu lanul gropilor de potenial cu o form special,
asezate unul fa altul la aceeai distan, ca i atomii din cristale. Aceast trecere
pentru prima dat a fost folosit de Zeitz i Vigner.
n aceasta teorie funciile de und se folosesc pentru electroni liberi. Lund
n calcul periodicitatea, s-a studiat numai o singur celul de cristal, care
corespunde volumului unui singur atom n cristal i reprezint n sine prima zona
a lui Brilliuen pentru reeaua invers.
O coinciden bun a energiei de legatur a atomilor n cristal, din datele
experimentale, a fost obinut pentru litiu i natriu, dar pentru kaliu valorile din
calculul energiei de legatur rezult de dou ori mai mici ca valorile
experimentale. Modelul fizic a lui Vigner si Zeitz nu a luat in considerare :
- influena ionilor la micarea electronilor prin pereii Vigner-Zeitz;
- rolul ionilor n procesul ciocnirii electronului cu pereii celulei Vigner-
Zeitz;
- marimea aportului de ioni n procesul interactiunii ionilor cu electronii.
Ca i n modelul Vigner-Zeitz, n modelele urmtoare de calculul energiei
de legtur a atomilor n cristal, au fost luate n considerare urmtoarele ipoteze:
1. Electronii la nivelul Fermi sunt liberi.
2. n zona de valen sunt independeni.
3. Timpul de relaxare n procesul de ciocnire nu depinde starea
electronilor.
Toate metodele de calcul a energiei de legtur a atomilor n interiorul
cristalului folosesc metoda celulelor lui Vigner-Zeitz. Potenialul dat adesea ia n
considerare :
- potrenialul Sili;
- potentialul Berudi i Van der Zil;
- potentialul MT;
- Pseudopotenialul.
Aproximarea funciiilor de und s-au redus la urmtorele metode :
- metoda funciilor de und ale particulelor n micare liber

32
 - metoda undelor plane legate;
- metoda funciilor Green;
- metoda undelor plane ortogonalizate.
n toate metodele se folosete aproximarea electronilor liberi. ntr-o
singur celul elementar, corespunztor principiului Pauli, sunt prezeni doi
electroni, care interacioneaz unul cu altul.
2.2.2 Starea modelelor fizice de topire i fierbere
n procesul de topire i fierbere nu apare nici o problem legat de
nelegerea fenomenului. Aceste procese la nivelul macro sunt bine determinate
de analiza transformrii termodinamice a diferitelor stri de agregare a
substanei. Aa c, topirea se determin ca o transformare a corpului solid n stare
lichid, petrecut cu absorbire de energie. Aceasta este aa numita transformare
de ordin unu, care se realizeaz pentru fiecare substanta la temperatura
deteminata temperatura de topire. Dependena temperaturii de topire de
presiune se determina cu ecuatia Clapeiro-Clausius.
Topirea se manifest odat cu schimbarea impulsiva a energiei interne.
Aceasta se petrece ca rezultat al ruperii reelei cristaline. Dup transformarea
termodinamic a unui fenomen sau altul se analizeaz numai aspectele lor
energetice nu i nsi natura fizica de formare a acestui fenomen. Iat de ce
apare necesitatea descrierii unui model fizic mai exact de topire, care ar permite
s se determine energia de legatur, temperatura de topire, procesul de distrugere
a reelei cristaline la topire i s se descrie corect energia cldurii ascunse de
topire.
Fierberea este procesul de transformare a lichidului n vapori n interiorul
lichidului i prezint o transformare fazic de ordinul unu, care, de asemenea
poate fi descris cu ecuatia lui Clapeiron-Clausius.
Procesul de fierbere ncepe n momentul, cnd presiunea de saturaie a
aburului deasupra lichidului este egal cu presiunea extern. Dac presiunea
aburului n urma vaporizrii la suprafaa lichidului este mai mic dect presiunea
de saturaie a aburului la o presiune extern dat, atunci evacuarea cldurii se
compenseaz cu procesul vaporizrii de pe suprafaa extern a lichidului. Din
perspectiva teoriei cuanto-moleculare o determinare mai exact a procesului de
vaporizare presupune o presiunea egal a aburului deasupra seciunii libere a
lichidului cu presiunea extern, evacuarea cldurii de pe suprafaa liber a
lichidului nceteaz. ncepe s se formeza un strat ncalzit n apropierea
suprafeei vasului, prin care se evacueaz caldura. Procesul formrii aburilor are
loc n interiorul lichidului. Se formeaz bule de vapori, dimensiunile crora se
determin cu forele de tensiune de suprafa i marimea cldurii de aport.
n final temperatura de fierbere se determin cu valoarea energiei de
legatur ntre particule din interiorul lichidului. Iat de ce este necesar s se tie
nu numai energia de legatur, dar i dependena ei de temperatur i s se

33
primeasc aceste date de poziii singulare. Proprietile de emisie ale corpurilor
solide i lichide se determin cu lucrul de ieire.

2.3 Modelul cuantomecanic bipartic a nanomaterialelor

Modelul cuantomecanic monopartic n conformitate cu potenialul
aplicabil corpurilor solide, permite s primim imaginea energetic de distribuire a
electronului de valen n prima zon a lui Briliuen. Prima zona este cea mai
adnc i de aceea nivelul Fermi, corespunztor cu modelul considerat, trebuie s
se afle mai jos de starea de baz a atomului neutru.
n urma acesteia apar un ir de contradicii :
1. Lucrul de ieire al electronului din corpul solid trebuie s aib valoarea
cel puin egal cu energia de ionizare a atomilor neutri a sustanei date; pentru
majoritatea substanelor lucrul de ieire al electronilor este mult mai jos dect
energia de ionizare.
2. La determinarea energiei de legatur a particulelor n corpurile solide
este neaprat nevoie de rezolvat problema binar a interaciunii cu multe
particule din mediul apropiat. n cazul acesta ajungem s folosim funciile de
und, considerate la rezolvarea problemei monopartice cu potenial dat. Dar n
calculul energiei de legatur este neaprat s lum n considerare interaciunea cu
toate particulele apropiate.
3. Dependena de temperatur a energiei de legatur rmne n
considerentelor noastre. Este de ajuns ca s se renune la modelul monopartic
cuanto-mecanic de descriere a corpului solid i lichidului. Vom studia trecerea
simpla la rezolvarea problemei multipartice a corpului solid , ct i n lichide i
folosirea interciunii binare i prin acest calcul i a deformrii norului electronic
n procesul interaciunii binare i de asemenea structura strii condensate la
calculul numrului particulelor n mediul apropiat i la interaciunea lor
reciproc.
2.3.1 Principiile de baz pentru formarea energiei legturilor
n mediile condensate
n baza modelului fizic propus pentru corpurile solide i lichide au fost
puse urmtoarele principii :
1. Interaciunea particulelor n corpul solid se determin cu interaciunea
binar a celor trei stri de condensare aproximative cu calculul structurii
cristalului. Restul structurilor se neglijeaz. Potenialul interaciunii binare
introdus de Berudi i Van der Zil este schimbat cu potenialul interaciunii
introdus de Sili.
2. Probabilitatea distribuiei electronilor de valen se determin dup
energiile din interiorul metalului, n legtur cu lrgirea strii de baz i a tuturor
strilor de agitare ale atomilor neutri i care formeaz structura cristalin cu
calculul numrului de nivele n starea energetica dat. Probabilitatea participrii
strii agitate n formarea zonei Briliuen se determin cu mrimea nchiderii sau

34
lrgirii lor, ca stare de baz, i la nivelele excitate. Nivelul Fermi se determin nu
de la adncimea zonei de trecere , ci de la valoarea nul a energiei.
3. n fiecare interaciune binar s-au luat n considerare legturile
covalente:
ale electronilor de valen de ordinul I de ionizare;
ale electronilor de ordinul II de ionizare cu electronii de valen de
ordinul I de ionizare, a electronilor de ordinul III de ionizare cu ordinul I i II de
ionizare;
ale electronilor de ordinul II i III de ionizare unul cu altul.
4. n starea condensat, interaciunea reciproc a particulelor, n procesul
interaciunii binare se determin cu coeficientul de observare.
5. Partea legturii ionice pentru particulele atomice se determin dup
timpul de aflare a electronului de valen n apropierea fiecrui atom, n
interaciune binar cu calculul interaciunilor, iar pentru particulele moleculare,
care detin contin momentul electric dipol dupa metoda C. Coulson.
6. n interaciunea binar se iau in considerare toate legturile energetice
posibile, care se prezint n form de ir :
2.3.2 Clusterul metalului pur
Modelul cluster al strii condensate este bine determinat n lucrrile de
specialitate.
Interaciunea cu prima sfer coordonativ formeaz clusterul cu o
condensare mult mai bun (dens) i cu o energie de legatur mult mai mare.
Acesta este un cluster elementar care conine apte atomi n cazul unei structuri
simple cubice, nou atomi n cazul structurii volumului centrate i treisprezece
atomi n cazul stucturii centrate periferic.
Clusterul principal interacionnd cu atomii liberi n volumul intern al
clusterului poate s-i creasc mrimea.
Energia de legatura a atomului liber cu clusterul se determin cu o
legatur covalent i datorit energiei fizice determinat de electronii celei de-a
doua ii ultimei ionizri.
La temperaturi sczute, atomii liberi n volumul intern al clusterului
lipsesc. Interactiunea intercluster folosete structura dat i atunci fiecare atom
posed o energie de legtur care este determinat de legatur covalent a
tuturor atomilor celor trei sfere coordonative, cu coeficienii corespunztori. n
acest caz, toate substanele inclusiv metalele, au cristale covalente. Se
formeaz o ngheare cu o condensare puternic a clusterului, cnd limita
dintre clustere dispare i lipsete dintre ei spaiul liber.
Ruperea legturii cu cea de-a treia sfera coordonativ duce la faptul c
cristalul covalent ncepe s se destrame n clustere separate. n cristale se
formeaza goluri interclustice care se completeaz cu atomii liberi.

35
 Odat cu descompunerea cristalului la temperaturi mici pe clusterele
individuale energia legturii dintre a II-a i a III-a sfer coordonativ se
schimba esenial, ns repartizarea prilor n structur rmne neschimbat.
2.3.3 Cristale ionice
Cristalele ionice, de obicei sunt formate din molecule nzestrate cu o mare
putere energetic de formare a momentelor binare, n general sunt molecule
biatomice la care unul din atomi posed o anumit atracie de electron i rezult o
electronegativitate maxim. Ionul de cristal tipic este clorura de natriu (NaCl).
Partea legturii ionice pentru aceasta molecula alcatuieste 66,5%. Distana dintre
nuclee n molecula NaCl este 2.361 o .
Prezint interes dinamic formrii cristalelor semiconductoare cu model
cuantic dublu. Pentru aceste cristale este caracteristic apariia zonelor interzise n
spectrul electronilor de valen.

2.4 Nanotehnologia de obinere a metaloceramicii

Materialele metaloceramice se folosesc n diferite domenii: construcii
de aeronave, motoare, n medicin i alte domenii. O mare importan are
ceramica pe baza de Ti. Tipic reprezentativ pentru ceramic, reprezint topirea
pe baz de ( Ti -2%), aluminiu titan (Ti - % Al) i deasemenea topirea tripl
de forma (Ti- % C i % Al).
Tehnologia de obinere a astfel de substane metaloceramice la
nanonivele este grea i complicat. Este condiionat de faptul c tehnologia de
obinere nu are n baza sa un model fizico-chimic de formare a materialelor
metaloceramice la nanonivele. La fabricarea acestor materiale nu se obin
rezultate bine determinate. Aceast tehnologie este extrem de costisitoare i ca
atare limitez utilizarea acestor materiale pe o scar mai larg.
Pentru obtinerea aliajelor triple de titan e necesar de a aplica metalurgia
granular. Proporia optim a greutii compoziiei este Ti-0,35%, C-6,44% i
Al. Temperatura nclzirii compoziiei amestecului trebuie s fie mai mare dect
temperatura de topire a aluminiului, dar s nu ntreac temperatura de topire a
Ti, adica trebuie sa fie o medie ntre aceste dou temperaturi i anume 1300-
1400 K. La presiunea 200 MP are loc un oc triplu de temperatur, cu ncalzire
la 1100 K. S-a dovedit experimental c scderea temperaturii trebuie s dureze
pna la 1 or n aer atmosferic. Cu acest procedeu de nclzire i rcire straturile
superioare vor fi saturate cu atomi de oxigen i azot, i care trebuie s umple
golurile intercluster de domensiuni mici din titan, odat cu formarea catalitic a
moleculelor TiO i TiN. Aceasta va duce la o evident mbuntire a
proprietilor mecanice ale acestui material metaloceramic. Astfel c straturile
superioare vor umple toate golurile fisurale i sferice de mici dimensiuni.

36
 2.5 Proprietile mecanice ale nanomaterialelor
Mecanica solidului rigid deformabil, se studiaz n momentul actual la
nivel micro, mezo i macro. Mult timp, deformarea solidului rigid se studia prin
metoda determinarii cantitative a proprietilor de deformare la nivel micro, cu
trecerea la nivel macro, prin introducerea caracteristicilor integrale ale
comportrii solidului rigid n condiiile diferitor influene mecanice, trecnd
pragul interfazal spre formarea nanoparticulelor sub forma de clustere cu
compozitia lor interioar i influena intercluster. Acest gol l-a umplut
mezomecanica.
Rezultatele obinute la acest nivel de studiere a proprietilor solidelor
rigide, a permis cunoaterea dinamicii solidului rigid deformabil i n special a
proprietilor plastice ale diferitelor materiale compozite.
ns n mezomecanica nu studiaz mecanica formrii particulelor relativ
mari la nivel micro i interaciunea lor la nivel mezo.
n continuare se studiaz aceast problem din perspectiva modelului
parial cuantomecanic al deformrii solidului rigid, aplicabil la proprietile
mecanice ale materialelor.
Solicitrile mecanice asupra solidului rigid sunt: compresiunea, rsucirea,
ncovoierea. Proprietile electrice, magnetice i altele vor fi studiate aparte.
Construcia de maini din secolul XXI pune mari probleme i noi cerine
n faa diferitelor materialelor. Materialele trebuie s lucreze n condiii
deosebite: s reziste la temperaturi joase i nalte, stri de tensiune prelungite, s
aib rigiditate nalt i oboseal joas. Cu toate acestea, caracteristicile masice
trebuie s fie minime. Pentru a asigura astfel de proprieti, este necesar s se
formuleze clar modelul fizic a reacionii solidului rigid la diferite solicitri
mecanice avnd n vedere ultimele descoperiri n acest domeniu.
n momentul actual s-au propus urmtoarele modele de teorii asupra
solidului rigid: 1. Teoria inelar a lui Frenkel; 2. Modelul volumului liber; 3.
Teoria sibotaxis; 4. Modelul cvasichimic; 5. Modelul clusterial.
n toate aceste modele, s-a revzut interaciunea binar cu aplicarea
potenialului Lenard-Jones i modelului cuantomecanic monoparticular. La
prima vedere se prea c folosirea pseudopotentialului evident n modelul
monoparticular n locul potenialului Lenard-Jones este de perspectiv. ns,
toate modelele studiate sunt semiempirice. Fiecare model explic mulumitor
doar unele proprieti ale solidului rigid, iar calculele teoretice pentru un model
sau altul au condus la diferene fa datele experimentale cu cel puin un ordin
de mrime. Materialul experimental foarte bogat obinut n domeniul mecanicii
corpului rigid, a permis aprofundarea mecanicii diferitelor materiale constructiv
pentru diferite solicitri mecanice.
De exemplu: obinerea diagramei tensiune-deformaie (-) la ntindere a
permis determinarea precis n domeniul deformaiilor rigide i plastice, de a
determina pentru tip de materiale limita rigiditii i limita de curgere.

37
 Limitele deformaiilor elastice depind de temperatur. Cu creterea
temperaturii deformaiei elastice scade spre zero.
n conditii dinamice ale ncrcrii apare deformarea neuniform.
Deformarea intirzie, adic creterea deformaiei ncepe nu imediat ci peste un
timp oarecare dupa nceputul ncrcrii.
Pentru un rind de materiale compozite, astfel de aliaj este Cu- 12%Al-
4,5%Mn si nichelat de Ti, are loc efectul retinerii formei. Astfel de materiale la
comprimare-intindere n conditii izotermice de ncrcare au proprietatea de
histerezis.
Deformarea plastic a corpului solid policristalin este nsoit de o
reformare structural cnd se petrece transformarea din policristalin n
monocristalin. Aceast proprietate a corpului solid a fost observat n etapa de
nceput a folosirii razelor Roentgen pentru analiza corpului solid.
n articolul su Panin V.E evideniaz foarte clar mezomecanica, ca baz
pentru studierea proprietilor mecanice ale corpului solid. Prima curb
"ncrcare-deformare" poate fi definit prin trei etape ale curbei deformrii i
anume:
I. cmpul liniar, descris de legea lui Hook;
II. dependena neliniara reversibila, care de asemenea poate fi descris de
Legea lui Hook, nsa folosind modelul lui Young;
III. cmpul de trecere de la dependenta reversibila la ireversibila.
Primele dou nivele ale dezvoltrii deformrii pot fi nelese destul de
convingtor. Al treilea nivel este determinat ca un mezonivel. La mezonivelul-1
se formeaz structuri disipative n structura iniial a modelului i la
mezonivelul 2 apar distribuiri stochastatice mezopolos i are loc fragmentarea
modelului. Trebuie s presupunem ca mezonivelul-1 incepe s se formeze pe o
poriune nelinear reversibil dependenei tensiune-deformare, i mezonivelul 2
n zona de curgere a modelului. La macronivel apare formarea "gtului"
modelului cu pierderea global a rezistenei lui ca un ntreg. Toate acestea apar
ca macrolinii localizate. La dilatarea modelului apare formarea "gtului" exact la
mijloc. Caracterul reaciunii se transmite cu o anumit vitez prin corpul solid
de la fiecare zon a solicitrii modelului i aceste reaciuni se ntlnesc cu
exactitate la mijlocul modelului, se amplific unul pe altul i ca rezultat n aceste
locuri apare o distrugere puternic.
Ce genuri de interaciuni determin viteza distribuirii reactiunii n corpul
solid poate fi nteles doar la micronivele. Toate materialele constructive conin
un numr mare de defecte de diferite proveniene i diferite mrimi. Distributia
acestor defecte pe volumul corpului este ceva aleator. Aleatoare pot fi i
aciunile exterioare. Acest fapt a condus la descrierea problemei distrugerii
folosind metoda statistic. Datele experimentale la diferite ncercri de modele
din acelai material confirm natura statistica a distrugerii.
Scurta analiza efectuat a proprietilor mecanice iniiale ale corpurilor
solide ne permit s punem problema foarte precis: trebuie s obinem explicarea

38
fizico-matematic a tuturor proprietilor la micronivel. O astfel de explicare
este necesar pentru modelarea la calculator a proprietilor fizico-mecanice prin
metoda analizei rezultate la micro-, mezo- si macronivele. Modelul
monomolecular cuantomecanic nu a permis efectuarea acestei analize pe deplin.
De aceea astfel de probleme se pot rezolva la un nivel nou prin aplicarea
modelului bimolecular cuantomecanic.

2.6 Proprietile mecanice ale materialelor compozite

Toate materialele constructive sunt compozite. Proprietile mecanice ale
acestor materiale sunt foarte apreciate. Ele difer prin duritate nalt, plasticitate
mare, rezisten la oboseal mic i unele dintre ele au o proprietate interesanta-
efectul memoriei formei. Materialele compozite sunt de trei tipuri: amorfe, de
amestec si eutectice. Materialele compozite amorfe prezinta o mprire haotic
ale structurilor clusterale de tip reea, ale substanelor una fa de alta.
Interaciunea dintre aceste structuri cluster are loc doar printr-o legatur
covalent. Prin nclzirea materialului compozit, energia se pierde doar pentru
excitarea armonicilor i ruperea legturilor dintre clusterele diferite, energia
practic nu se foloseste. Amestecurile materialelor compozite prezint n sine un
sistem independent al structurilor cluster de tip reea, care sunt introduse unul n
altul i interaciunea dintre ele are loc din legatura covalent dintre clusterii
diferitor substane i interaciunii dintre atomii suprafeelor de contact a
diferitelor clusteri. Un reprezentant clar al unui astfel de material este TiNi. n
urma interactiunii diferitor structuri cluster apare i deformarea lor. n nichelatul
de titan structura reelei cluster a nichelului se deformeaza puternic i aceasta
deformaie la rndul su are o influen asupra structurii reelei titanului.
Materialele compozite eutectice - au structura cristalin unic, se
formeaz din clustere, care sunt compuse din atomii diferitor substane, care
formeaza o structur cristalin general a clusterelor cu o legatur covalent i
de schimbare energetic. Proprietile mecanice ale materialelor constructive
compozite ca de exemplu TiNi. Nichelatul de titan este compus din domenii
structurale, care au o orienatre cristalografic diferit. Fiecare domeniu este
dublat pe interior. Ca rezultat la "ncrcarea-deformarea" aliajului TiNi se
realizeaza dou limite de curgere, dou portiuni dure i dou etape de deformare
nedur.

2.7 Propagarea sunetului n corpurile solide i lichide

n procesul deformrii corpului solid are loc micarea tripl a
mezovolumului pe schema "micare - ntoarcere". Din punct de vedere al
construciei cristalului clusterului aceasta apropiere trebuie neleas i explicat
prin faptul c la clusterii structurii de tip reea sunt introdui unul n altul cu
generalizarea atomilor sferei a treia coordinative, care intr n calitate de verig
de legatur, lipirea clusterilor avnd loc pe planele formate de atomii sferei

39
coordinative unu i doi. Deplasarea clusterilor unu fa de altul nu are loc
imediat, fapt care duce la schimbarea clusterilor la limita lipirii lor. Pornind de
la tabloul deformrii spaiale a reelei cristaline, s revedem cazul general cnd
fora aplicat la planul reelei de clustere este ndreptat sub un unghi oarecare,
n direcia axei OZ. Partea de jos a forei aplicate se comprim, i partea de sus
se extinde. Ca rezultat fora aplicat se mparte neuniform pe toate cele trei
coordonate. Apariia forelor pe axele OX i OY are importan diferit, i acest
fapt duce la rotirea cristalului deformat pe elipsa. n cazul forei aplicate normal
pe planul reelei de clustere rotirea va avea loc pe circumferin.
Dac perturbarea reelei cristaline este format de aciunea forei periodice
a frecvenei sonore, atunci prin cristal trebuie s se propage unde sonore. Cu
toate acestea sunetul se va propaga pe toate direcii ale cele trei axe de
coordonate, ns cu viteza diferit. De-a lungul unei axei vor aparea oscilaii
longitudionale, i de-a lungul celorlalte axe apar oscilaii transversale. Oscilaiile
transversale se determin prin deformarea micrii de deplasare. Proprietile
elastice ale micrii de deplasare sunt diminuate la deformarea de comprimare i
ntindere. De aceea viteza oscilaiilor transversale trebuie s fie mai mic dect
viteza propagrii oscilaiilor transversale. Pentru explicaia acestei afirmaii
exist teoria lui Newton care descrie propagarea sunetului n corpurile solide,
mai precis a undelor longitudinale.
Viteza propagrii undelor transversale este tot timpul mai mic dect
viteza propagrii undelor longitudinale n corpuri solide. Este cunoscut c n
timp proprietile mecanice ale materialelor constructive se schimb ntr-un mod
substanial.

2.8 Proprietatile termice ale nanomaterialelor

Proprietatile termice ale corpurilor solide sunt n primul rnd, dependena
legturilor energetice de temperatur, capacitatea termic, conductibilitatea
termic, dilatarea termic, transformrile fazice. Modelul cuanto-mecanic
permite obinerea valorii energiei legturilor atomilor n materialele solide
independent de variaia temperaturilor. Acesta este singurul neajuns principial.
Dependena legturilor energetice de temperatura este foarte important, nct
apare necesitatea analizarii mai detaliate a proprietilor fizice. Variaia
temperaturii favorizeaz apariia transformrilor fazice de primul i al doilea
ordin. Din punct de vedere termodinamic pe baza ecuatiei lui Clapeiron-Clauss
transformrile fazice pot fi explicate foarte uor.
Dac se cunosc parametri termodinamici iniiali ai transformrii fazice,
atunci se poate obine soluia ecuaei. Pn n acest moment astfel de abordare
satisfcea practica i nu era nevoie de analiza mai detaliat a transformrilor de
primul i al doilea ordin. n prezent se cerceteaz modul de comportare a
sistemelor condensate n condiii extremale. Ca exemple putem enumera,
arderea combustibilului n camera de ardere, arderea suprafeei termoizolante,
comportarea materialelor n spaiul cosmic etc. Apare necesitatea analizrii

40
transofrmrilor fazice, inind cont de variaia curgerii diferitelor structuri.
Trecerile fazice n materiale compozite i n procesul mririi rezistenei
materialelor constructive sunt foarte puin studiate. n toate cazurile mai sus
mentionate folosirea ecuaiei Clapeiron-Clauss pentru descrierea transformrilor
fazice nu mai este suficient. Este necesar determinarea unei alte proceduri de
descriere a transformarilor fazice de primul i al doilea ordin innd cont de
toate interaciunile din interiorul mediului de condensare, ntre particule i
molecule separate.
Dilatarea corpurilor solide (liniar i volumic) odat cu creterea
temperaturii - este un fapt experimental demonstrat. Cu toate acestea
coeficientul dilatrii liniare ntr-un interval de temperatura dat este o valoare
cunoscut constant. S-a determinat c dilatarea termic este determinat de
existena prii nearmonice n procesul interaciunii. O asemenea tratare nu este
criticabil, deoarece n banda temperaturilor mici, membrul nearmonic nu este
esential. Dilatarea termic pentru unele materiale depinde de temperatur mai
mult dect ali parametri.
Ecuaia conductibilitii termice obinut de Fourier pe cale empiric, a
devenit de baz n termodinamica neliniar. Rezolvarea acestei ecuaii prin
cunoaterea coeficienilor termici permite la nivel macro transpunerea corect a
datelor obinute experimental. Apare necesitatea cunoaterii nu doar a
rezultatului final a arderii materiei, dar si cum decurge ntregul proces de ardere.
Aceasta este foarte important pentru determinarea optim a proceselor termice
tehnologice. De aceea apare necesitatea analizrii procesului conductibilitii
termice la nivel micro innd cont de viteza de propagare a undei de caldur i a
dinamicii transmiterii ei n dependen de cantitatea de cldur sub influena
sursei externe. Pe baza acestei abordri obinem, modul de propagare a cldurii
n corpuri solide n condiii neproporionale.
2.8.1. Fazele transformrii n corpuri solide
n cazul general energia legturilor se determin prin interaciunea binar
a: atomilor din interiorul moleculelor; atomilor de pe orbitele de ordin doi;
atomilor sferei de ordinul trei;
Se cheltuiete mai mult energia pentru ruperea legturii, dect pentru
formarea altor noi.
Vom trata transformarea fazic de gradul nti- topirea- din postura
construciei clusterului corpului solid.
1. Transformarea fazic de gradul intii topirea
La trecerea n stare lichid reaezarea elementelor materiei tinde s
construiasc o structur cu o compacticitate maxim. n coresponden cu
energia potentiala minima n ordinul apropiat apare o compacticitate maxim cu
o structura cubic, n care sunt rupte legturile cu a doua i a treia sfera de

41
coordonare. Se formeaza molecule cu 13 atomi, 6 atomi ntr-un singur plan i
cite 3 atomi deasupra i dedesubt inind cont de atomul principal.
Transformarea nencetata a moleculelor formeaza starea lichid.
2. Evaporarea de la suprafaa mediilor de condensare
Fenomenul de evaporare se trateaz n general pentru lichide, dar pentru
corpurile solide, elemente din materie prsesc suprafaa, ocolid starea lichid.
Din acest motiv acest fenomen pentru corpurile solide a primit denumirea de
sublimaie. Att n primul ct i n al doilea caz elementele prsind suprafaa
trec peste bariera de potenial. Fluxul elementelor ce se evaporeaz depind de
temperatura suprafeei i de energia de legatur a elementelor n interiorul
lichidului sau corpului solid.
Fluxul total al aburului apei determin procesul condensaiei. Se ia n
calcul c elementele aburului se lovesc de suprafaa lichidului sub unghiuri
diferite,
Dac temperatura suprafeei lichidului este egal cu cea a gazului
nconjurtor atunci fluxul aburului condensat la suprafaa lichidului depete
fluxul de evaporare. Pentru a asigura echilibrul dinamic n aceste condiii este
necesar s presupunem c presiunea aburului la suprafaa lichidului este mai
mic dect n mediul nconjurtor, sau temperatura suprafeei lichidului este mai
mare dect a ntregii mase a lichidului, aflndu-se n echilibru termodinamic cu
mediul nconjurtor. Prima ipoteza nu o putem considera, deoarece n acest caz
presiunea aburului la o distan suficient de suprafaa lichidului trebuie n
continuu s se micoreze n urma condensrii continue, ceea ce este imposibil n
conditiile reale. A doua ipoteza tot nu ne satisface deoarece, n condiii reale
dup normala la suprafaa lichidului gradienii de temperatur lipsesc. De aceea
trebuie presupus, ca la ciocnirea moleculelor izolate din abur cu suprafaa
lichidului se produce ciocnirea cu clusterii. Acestea sunt elemente destul de
mari, de aceea o parte din moleculele aburului care cad sub o inciden mai mare
se vor reflecta de la suprafaa lichidului.
Coeficientul de evaporare reprezint probabilitatea ca elementul de abur
ales s dein energie cinetic, care s fie mai mare dect energia liber la
suprafeei lichidului, ce revine unei molecule, care cade pe suprafata lichidului
sub un anumit unghi i cu anumit probabilitate i care transmite energia sa
clusterului, dar i cvasielementelor, dispuse la suprafaa lichidului.
Dac n mediul nconjurtor presiunea parial a aburului lichidului
studiat, tinde la zero, atunci asemenea proces trebuie analizat ca evaporare n
vid. Se evapor cu precdere elementele de lichid, care se afl n interiorul
golurilor dintre clusteri. Acestea pot fi atomi separai, molecule separate sau
chiar clusteri de dimeniuni mici, infiltrai n reeaua structural a materialului de
baza. Bariera potenial pentru asemenea elemente se determin din energia
legturii interaciunii reciproce din interiorul golurilor dintre clusteri. Deci
evaporarea intensiv de la suprafaa corpurilor lichide i solide n vid duce la

42
micorarea brusc a energiei legturilor interaciunii dintre clusteri n straturile
superioare. Corpurile solide vor incepe s se sfrme, iar cele lichide s fiarb.
Acest fenomen prezint pericolul principal pentru aparatele de zbor, care
efectueaz zboruri lungi n cosmos. De aceea pentru aceste aparate trebuie
folosit ca material constructiv n special ceramic, i care nu are n golurile
cilindrice dintre clusteri elemente libere.
Important este analizarea procesului de fierbere din punct de vedere al
teoriei cuantice a corpurilor solide i lichide cu obinerea structurilor clusterilor.
3. Procesul de fierbere in medii de condensare
La temperaturi mai mari dect temperatura de topire toate corpurile trec n
starea lichid. Pe msura evaporrii atomilor, moleculelor din volumul dintre
clusteri n mediul nconjurator energia legturilor inter clusteri slbete.
Spaiile dintre clusteri se mresc, difuzia de elemente libere crete la suprafaa
lichidului pna cnd nu se vor egala fluxurile de evaporare i condensare. n
procesul evaporrii intensive de la suprafaa lichidului apare rcirea lichidului.
Ca acest lucru s nu se ntmple este necesar s aducem lichidului cldur
suplimentar. n cazul unei nclziri slabe a lichidului, procesul de evaporare
compenseaz acest lucru i ncepe pn la final echilibrul dinamic ntre cldura
primit i cea pierdut prin evaporare, odat cu elementele evaporate. Pe msura
mririi cldurii aduse lichidului, se realizeaz trecerea pn cnd, n stare
gazoas, pe suprafaa de lichid nu va ncepe condensarea total. Aceasta se va
ntmpla atunci cnd presiunea parial a aburului asupra lichidului va fi egal
cu presiunea mediului nconjurtor.
Pe msura mririi temperaturii, evaporarea de la suprafaa lichidului nu
mai poate s compenseze cldura primit, ce conine i cldura elementelor ce se
evapora. Se petrece un proces intensiv de evaporare n golurile dintre clusteri n
interiorul lichidului, i aceasta duce la apariia bulelor de gaz din interiorul
lichidului. Bulele de gaz ies la suprafaa lichidului. Cnd bulele ajung la
suprafaa lichidului, se formeaz o pelicul semisferic de lichid, care
explodeaz i se fragmenteaz n picturi mici lichide, formnd ceaa.
Picturile lichide constituie nu mai mult de 5% din masei totale pierdute.
Dimensiunea bulei de gaz se gsete din ecuaia lui Laplace.
Astfel la temperatura fierberii, concentraia aburului deasupra lichidului
este determinat de valoarea presiunii externe i a temperaturii de fierbere.
Odat cu atingerea temperaturii de fierbere a fluxul aburului n lichid
(condensarea) este egal cu fluxul elementelor evaporate. Degajarea de caldur
ca urmare a evaporrii se oprete, i atunci ncepe evaporarea n interiorul
lichidului, iar caldura adus se degaj n urma procesului hidro-dinamic de
ridicare al aburului i la spargerea bulelor la suprafaa lichidului.

43
 2.8.2 Dilatarea termica a corpurilor solide.
La creterea temperaturii, atomii, moleculele n corpurile solide execut
vibraii. Amplitudinea vibraiilor este limitat de structura cristalului i,
corespunztor a potenialului interaciunii. n intervalul deformaiilor liniare
potenialul interaciunilor se determin sub forma dependenei parabolice.
Distana medie dintre elemente n corpurile solide crete odat cu
creterea temperaturii doar pentru vibraiile transversale, care apar perpendicular
fa de vectorul de legatur al dou elemente. Vibraiile perpendiculare nu duc la
modificarea distanei medii dintre elemente n cristal.
La temperatura de topire, cnd cristalul trece total n stare lichid, toate
legturile binare cu a doua sfer de coordonare sunt rupte. n acest caz energia
legturii bazat doar pe interaciunea cu prima sfera de coordonare. La nclzirea
cristalului pn la temperatura de topire nu toate legturile binare cu a doua
sfera de coordonare sunt rupte.
O astfel de abordare este justificat doar n cazul cnd poziia nivelului
Fermi i a ncrcrii efective a nucleului elementelor ce interacioneaz nu se
schimb. De asemenea se cunoate la ce temperatur se realizeaz distana de
echilibru dintre nucleele cristalului dat. n realitate aceti parametri variaz. n
prima aproximare aceste variaii pot fi controlate.
2.8.3 Dilatarea termic a materialelor compozite
Multe metele se folosesc n construcie doar n combinaie cu alte
elemente. De exemplu, fierul se aliaz cu nichelul, aluminiul-cupru
(duraluminiu), cupru-aluminiu sau sruri. Pentru asemenea materiale compozite
este important de tiut coeficientul liniar de dilatare deoarece ele se folosesc pe
scara larg n construcia de maini n calitate de materiale de construcie. Vom
analiza un caz concret cnd fierul se aliaz cu nichel. Deci, invarul
(Fe+36,1%Ni) deine un coeficient mic de dilatare linia (0,9 10-6 grad -1) n
condiii normale, pe cnd fierul pur are coeficientul de dilatere liniar 12,3 10-6
grad-1 i nichelul 12,8 10-6 grad-1. De ce se ntmpl acest lucru nu este clar.
Vom analiza mai detaliat interaciunea atomilor de fier cu nichel n
condiiile n care aceti atomi pot forma o legatur comun. Dac presupunem
c fierul interactionnd cu nichelul formeaz un cluster al structurii centrat
volumic atunci n aceast energie a legturii interaciunii elementelor n
interiorul clusterului i ntre clusteri.
Dup rcirea amestecului fierului cu nichel care se afla n stare normal,
la nceput se va forma un cluster principal aa cum legatura binar a atomilor de
fier cu atomii de nichel este maxim. Clusterul principal trebuie saturat de
atomii de fier din a doua i a treia sfer de coordonare. n condiii normale acest
cluster conine 11 atomi de fier i 8 atomi de nichel. n amestec, n uniti de
greutate Ni reprezint 44,26% i Fe 11,7%. Dac inem cont c pe clusterul
principal se poate absorbi fierul, fcnd al patrulea, al cincilea i al aselea strat

44
de coordonate. Raportul se va micora pentru nichel i va crete pentru fier.
Raportul de baz n amestec este de 36,1% Ni i 63,9% Fe.
Pentru aliajul fier-nichel punctul de topire este de 1490 K. Acesta este
punctul eutectic. La aceast temperatura interaciunea ntre clusteri se
micoreaz printr-un salt i devine mai mic dect energia atomilor liberi de fier
n micarea n spaiul dintre clusteri. La ciocnirea acestor elemente cu clusterul
se rupe reeaua structural. tiind punctul eutectic putem determina dependena
distanei dintre clusteri de temperatur.
Rezult c invarul pn la temperatura de 400 K se dilat, i la creterea
n continuare a temperaturii se contract. n intervalul de temperaturi 1000- 1100
K se produce o dilatare brusc, apoi din nou o contractare treptat. De aceea n
dictionarele de spcialitate coeficientul de dilatare liniar pentru invar este dat
doar pentru intervalul de temperaturi 273- 293 K i este de 0,910-6 grad-1.
Coeficientul mediu calculat de dilatare liniar pentru invar n intervalul de
temperatura 273-400 K este 1,910-6grad-1, adic aproximativ de dou ori mai
mare. Un asemenea comportament al invarului n dependen de temperatur
este greu de explicat.
Amestecul titanului cu nichel nu formeaza un amestec eutectic, deoarece
ambele elemente au structura cristalic asemantoare. Amestecul Ti+ 51,2% Ni
dispune de proprietate interesant - efectul de memorie al formei initiale. Datele
obinute experimental de apariie a memoriei formei se explic n special la nivel
calitativ. Cantitativ descrierea poate fi facut din poziia de interaciune a
clusterilor.
Dilatarea termica ale materialelor metalo-ceramice i ceramice depinde a
adausurile din material, dar i de o mulime de factori tehnologici. Coeficientul
de dilatare termic pentru asemenea materiale se modific n intervale mari nu
doar n dependen de material, dar i de condiiile n care a fost obinut acest
material.
2.8.4 Efectul de memorare a formei
Efectul de memorare a formei trebuie analizat prin apariia unor
proprieti speciale ale corpurilor solide, odat cu ncetarea aciunii sarcinii, dar
la : pstrare ndelungat; nclzirea materialului; transormarea plastic direct n
sensul transformrilor tangeniale interne; rcirea corpului deformat. Un
asemenea caracter de comportare a corpurilor solide trebuie analizat prin apariia
unei proprieti de pseudorezisten. Doar o anumit clas de materiale
compozite dein asemenea proprietate. Acestea sunt n primul rnd materialele
compozite i eutectice.
Vom analiza datele experimentale despre efectul de memorie din poziia
nivelului mediu al corpului solid, adic din poziia interaciunii ntre clusteri.
Mecanizmul fizic de interaciune ntre clusteri permite descrierea apariiei
efectului de memorie nu doar calitativ, dar i cantitativ. Mai jos vom explica
interaciunea ntre clusteri din pozitia teoriei cuantice a dou elemente a corpului

45
solid i a construciilor clusterilor n reeaua structural pe baza aliajului de titan
cu nichel i a nichelului cu fierul, care posed efectul de memorie a formei.
Nichelina de titan este un material compozit, iar nichelina de fier este un
material eutectic. Starea nichelinei de fier n punctul eutectic (Fe+36,1% Ni)
este invarul. i titanul i fierul la anumite temperaturi dispun de transformri
martesitice, i acest factor influeneaz efectul de memorie.
Un exemplu comun de refacere a deformaiei corpului solid n procesul de
nclzire este prezentat n lucrarea pentru materiale ce dein memorie de form,
Cu+18% Zn+7% Al. Asupra efectului de memorie influeneaz urmtorii
factori:
- mrimea deformaiei i condiiile n care se realizez ;
- refacerea deformaiei se petrece nu doar n afara aciunii sarcinii dar i n
timpul aciunii forelor exterioare;
- viteza de variaie a temperaturii n cele mai multe cazuri nu are
importan asupra cinematicii i asupra efectului de memorie a formei, dar n
timpul nclzirii rapide se poate ajunge la comprimarea intervalului de
temperatur al transformrii inverse;
- pentru poli i monocristale efectul de memorie a formei este calitativ la
fel, dar pentru monocristale deformarea reversibil de obicei este mare;
- aciunea mecanic de nceput nu schimb doar intervalul de form dar i
se reflect asupra mrimii i cineticii efectului de memorie a formei;
- prelucrarea termic iniial influeneaz semnificativ asupra procesului
de refacere a formei.
Toate proprietile descrise ale materialelor care dein efectul de memorie
din poziia construciei clusterului a materialului compozit se explic din punct
de vedere calitativ i cantitativ analiznd reeaua dintre clusteri innd cont de
proprietilor materialelor compozite.
2.8.5. Conductibilitatea termic a corpurilor solide
Considerm un sens de propagare a cldurii n corpul solid. nclzirea
corpului solid reprezint vibraii longitudinale i transversale ale atomilor reelei
cristaline.
Procesul de propagare a vibraiilor n mediul rigid sub aciunea fluxului de
caldur, n caz general, este descris de vectorul lui Umon.
Fie un element n stare condensat la o anumit temperatur i care
execut vibraii rigide. Dup determinarea lui R. Polea, in interiorul
monocristalului zone separate schimb cu locul ntre ele i difuzeaz n
exteriorul cristalului neschimbat. n intelegerile moderne termenul zone
reprezint clusteri. Clusterii n corpurile solide formeaz interaciuni binare cu
prima, a doua i a treia sfera de coordonare. Numrul de atomi n clusteri este
determinat de structura cristalului. Aa cum pentru structurile centrate volumic
interaciunile binare cu prima sfera de coordonare formeaz cluster cu nou
atomi; interaciunea binar cu a doua sfer de coordonare formeaz un cluster cu

46
treisprezece atomi i interaciunea binar cu a treia sfera de coordonare
formeaz un claster cu 19 atomi. Pentru structurile centrate pe fee clusterii
contin corespunzator 13, 12 i 21 atomi. n starea lichid, numrul de ordine
apropiat determin numarul de atomi n cluster, ceea ce corespunde structurii
centrate pe fee cu legaturile rupte cu a doua i a treia sfera de coordonare i
acetia sunt 13 atomi.
Cnd se rupe legatura cu a treia sfera de coordonare atunci clusterul
format de interactiunea cu a doua sfer de coordonare, intr n rolul de element
liber i atunci el poate executa vibraii circulare.
Ruperea legturii cu prima sfer de coordonare determin libertatea total
a dou elemente deodat, care pot executa micari lineare i circulare. Ca
rezultat clusterii se schimb[ cu atomii liberi i n acest fel determin procese
difuze n interiorul corpului solid.
Calcularea coeficientului conductibilitii termice este destul de dificil,
deoarece viteza propagrii frontului de cldur nu este constant i depinde de
mrimea fluxului de caldur.

2.9 Proprietile de emisie ale nanomaterialelor

Modelul de clusteri trateaz proprietile de emisie pe baza construciei i
caracterului interaciunii elementelor n interiorul clusterului i ntre clusteri.
Interactiunile din interiorul clusterilor se analizeaz din poziia modelului
cuanto-mecanic a dou elemente, interaciunea dintre clusteri se determin
pentru elementele pure n special prin schimb, iar pentru cele compozite prin
interactiunea dipol. Caracterul legturilor valente cu asigurarea minimului de
energie potenial determin construcia geometric a clusterului. Pentru
structurile centrate volumic cristalul clusterului reprezint o prism patrulater,
iar pentru structurile centrate pe fee o biprism trilateral.
Elementele separate din care este compus clusterul reprezint o
macromolecul cu electroni valeni. Electronii valeni mbogii cu
probabilitatea schimbului interaciunii i formeaz norul electronic exterior.
Elementele interioare atomului sunt ionizate i formeaz o reea structural a
clusterului ncarcat pozitiv. n interiorul clusterului se afl un nor electronic
ncrcat negativ valent. Norul ncarcat negativ este bine legat de cel ncarcat
pozitiv. Repartizarea electronilor valeni dup energie determin caracterul
interaciunii binare a elementelor din interiorul clusterului unele cu altele.
Suprafaa de separare iniial mediul condensat-vid poate fi reprezentat
de un strat electric dublu legat ntre ele: un strat de electroni i stratul
superficial ncrcat pozitiv i ionizat a elementelor reelei structurale din
interiorul clusterului. Fiecare electron al stratului dublu superficial este legat de
fortele coulombiene cu ai si atomi ionizai i se afl n groapa potenial
comun pentru toi electronii. Valoarea groapei de potenial este determinat de
interaciunea dintre dou elemente.

47
 innd cont de cele spuse mai sus sub actiunea diferiilor parametri
(termici, electrici, electromagnetici etc.) are loc emisia diferitelor elemente de
pe suprafaa mediului condensat. Aciunea exterioar n primul rnd are loc
asupra elementelor stratului electric dublu, i anume: ionii ncrcai pozitiv din
interiorul reelei cluster i electronii norului exterior ncrcat negativ. De aceea
de pe suprafaa mediului condensat n primul rnd n mediul nconjurtor se vor
emite ionii i electronii ionizai. Alte elemente sub form de atomi neutri i ioni
ncrcai negativ trebuie s prseasc suprafaa cu o probabilitate mai mic.
Energia minim necesar unui element pentru ca el s prseasc
suprafaa materialului se numete lucru de ieire. Lucrul de ieire este o
constant de baz, fundamental care caracterizeaz proprietile de emisie ale
unui material. Teoria i practica de obinere a acestei constante necesit
modificri profunde din postura construciei clusterului mediului condensat.
2.9.1 Lucrul de ieire al electronilor, ionilor i atomilor de pe
suprafaa mediului condensat
Fiecare element prsind suprafaa deine un lucru de ieire propriu.
Aceasta este determinat de energia de legatur din interiorul mediului condensat
i este diferit pentru fiecare element. n afar de aceasta, pe msura ndeprtrii
de suprafaa, apar fore de interaciune ntre elementele ce prsesc suprafaa i
suprafaa mediului condensat, care, la fel, difer de la material la material.
Cristalele ionice n general sunt nitrati, oxizi i clorai, care dein un
moment electric mare i sunt buni dielectrici. Lucrul de ieire pentru astfel de
substane trebuie s fie semnificativ. Msurrile concrete efectuate au condus la
o mare mprtiere a rezultatelor.
Msurrile experimentale a mrimilor termoelectrice i fotoelectrice sunt
realizate funcie de condiiile de lucru. Dac analizm condiia n care s
efectum msurarea, metodelor folosite vor putea fi sistematizate astfel:
1) Substana conine amestecuri;
2) Msurarea s-a produs n cmpuri electrice puternice;
3) S-a produs activizarea n jetul altei substane, ce deine proprieti
metalice;
4) Straturi subiri sunt depuse pe un miez metalic;
5) Straturi subiri sunt expuse ntr-un mediu oxigenat sau azotat.
La temperature nalte, de pe suprafaa corpului solid sau lichid se vor
evapora particulele libere din golurile dintre clustere i particulele de legtur a
clusterului principal din substana dat. Att pentru particulele libere aa i
pentru particulele de legtur lucrul de ieirii este determinat de energia de
legtur a particulelor n clusterul principal la o temperatur dat. Pe baza
construciei clusterice a mediului condensat particulele libere interacioneaz cu
clusterele, care urmeaz a fi privite ca nite macromolecule.
Pentru atomii de legtur din cluster, electronii valeni sunt generalizai iar
ionii formeaz o structur de reea n interiorul clusterului (impuriti ionice),

48
adic se realizeaz un model de constructie tip macroatom dup Thompson,
dar cu o structur ordonat.
Pentru atomii de wolfram la temperatura de 2750 K energia legturii
particulelor, ndeosebi clusterii, au valoarea de 8,69 eV. Valoarea experimental
a cldurii de evaporare a wolframului, la temperaturi ridicate este de 8,6 0,4
eV. Se constat, c la temperaturi ridicate energia legturii particulelor
clusterului principal al wolframului corespunde cu cldura de evaporare a
atomilor neutri ai wolframului.
n procesul de evaporare a ionilor pozitivi, suplimentar trebuie de luat n
consideraie fora de interaciune opus. Pentru wolfram lucrul pentru nlturarea
forelor de interaciune opuse este egal cu 1,655 eV. Energia legturii rezulat
pentru ionii de wolfram este egal cu 10,4 eV, iar valoarea experimental
11,8 0,4 eV. Pentru ionii negativi lucrul de ieire trebuie s fie de aceeai
valoare ca pentru ionii ncrcai pozitiv. Rezultatele sunt destul de satisfctoare.
2.9.2 Evenimentul emisiei termoelectrice
n anul 1883 Edisson a descoperit, c majoritatea substanelor, la nclzire
emit electroni. Acest eveniment a primit denumirea de emisie termoelectric.
Bazndu-se pe teoria electric clasic, Richardson a obinut formula densitii de
saturatie a curentului.
Plecnd de la consideraiile termodinamice ale teoriei cuantice Dasmen a
descoperit o alt formul. Urmtoarele cercetri experimentale au artat c
formulele lui Richardson i Dasmen sunt necorespunzatoare pentru descrierea
emisiei termoelectrice.
Prin suprapunerea unor cmpuri electrice relative slabe se observau nite
oscilaii sinusoidale ale emisiei curentului pe dreapta lui Sottchi. A trebuit s se
presupun, c electronii, trecnd bariera potenial, trebuie s se reflecte de pe
pereii acestei bariere i ca rezultat al interferenei undelor electrice apare o
schimbare periodic a curentului emisiei. n urma acestuia n formula lui
Dasmen s-a introdus un membru de interferen i astfel a fost definit ecuaia
lui Richardson-Laue-Dasmen. A. Modinoe comenteaz situaia dat astfel: De
remarcat, c reflexia electronului de la limitele metalului vacuum i
evenimentul conditionat de ea nu se supun unei analize precise chiar i n
apropierea electronilor liberi, aa cum n majoritatea cazurilor reflexia
electronilor la limite este legat de natura cristalic a metalului i de structura
regiunii treptelor energetice ale sale.
Atomii din formaiunile de clustere sunt sub forma ionilor pozitivi.
Variaia acestor ioni n raport cu poziia de echilibru determin ieirea
electronilor de pe suprafaa mediului condensat. Aceast situaie o vom analiza
pe exemplul wolframului. Pentru descrierea schimbrilor atomilor n structurile
de cluster trebuie s folosim nu statistica cuantic, ci statistica Maxwell-
Boltzman. n condiii de temperatur normal prile sferei a treia de

49
coordonare, de obicei sunt libere i se afl n golurile intracluster, asigurnd
schimbul interaciunii interclusterale.
Variaiile au loc n prile sferei a doua de coordonare. Potenialul
interaciunii prilor sferei a doua de coordare pentru formaiile clusterale ale
wolvramului la temperaturi diferite ine seama c, pna la temperatura de
evaporare wolvramul se afl n stare cristalin, iar peste temperatura de
evaporare sub forma de stare lichid. Atomii sferei a doua de coordonare n
formaiunile clusterice se afl sub forma ionilor pozitivi, care odat cu ridicarea
temperaturii realizeaz o micare de variaie cu amplitudinea.
Odat cu micarea ionului n adncimea cristalului distana dintre electron, care
se afl la suprafaa - Fermi, se micoreaz cu o anumit valoare i interaciunea
ionului pozitiv cu electronul va crete, iar cu electronul, care se afl la suprafaa
exterioar, dimpotriv, se micoreaz. Diferena acestor energii se consum la
excitarea electronilor valeni. Dac aceast energie va fi mai mare ca lucrul de
ieire al electronului, se va produce interaciunea electronului cu mediului
nconjurtor, deci apare o emisie termoelectric.
La cercetrile asupra materialelor cu proprieti de termoemisive a fost
nevoie de msurarea curentului electric termoemis. Se folosete pentru aceasta
metoda potentialului reinut, ca i metoda folosirii emisiei termice i electrice,
propus de Sottki. Ideea lui Sotki conduce la aceea c[ suprapunerea polului
electric exterior s nu micoreze lucrul de ieire prea mult i de aceea calculul
curentului emis trebuie s corespund curentului termoemis. S-a presupus, c
suprafaa este ideal i nu are rugoziti. n prezena rugozitii pe unele zone,
cmpul exterior poate s creasc de zeci sau sute de ori. Ca de exemplu, pentru
suprafeele netede ale wolframului aceasta cretere ajuns la 100 300 ori.
Cnd se produc cteva strpungeri prin impulsuri ale ncrcturii electrice,
coeficientul de concentrare scade pn la 20-25 ori, iar la nclzire, la
temperaturi de 1000 2700 oC, acest coeficient scade pn la 10 20 ori.
Analiznd aceast situaie la un cmp electric exterior slab pe micropraguri se
pot realiza cmpuri electrice, din care se poate observa o emisie autoelectric.
La termoemisia de pe suprafaa cristalelor ionice poziia este deviat
periodic de la curba lui Sottki i acest lucru este ami mult dect sugestiv.
O situaie analoag trebuie s aib loc pentru toat suprafaa cristalelor
ionice. Pentru suprafetele policristalelor deviaiile periodice de la curba lui
Sottki vor fi puin netezite, dar devierea trebuie s aib loc.

NOT: Studenii vor ntocmi o tem de cas cu subiectul Proprietile

nanomaterialor.
Termen de predare 12.05.2007.

50
 CAPITOLUL 3
SISTEME DE PROCESARE LA NIVEL NANOMETRIC

3.1 Unitate de procesare, tensiuni de rupere i

densitate de energie de procesare
n ultima vreme a devenit tot mai necesar fabricarea de produse
inteligente precise cu o acuratee extrem de nalt i realizare fin de ordinul
nanometrilor. n mod clar, pentru a produce astfel de produse de nalt precizie
trebuie utilizate sisteme de prelucrare/procesare n domeniul subnanometric sau
de tip atom cu atom. Unitatea de prelucrare/procesare corespunde dimensiunii
unei poriuni din cip n procesele de mascare, unui pas din procesele de
deformare i unui cluster molecular n procesele de consolidare.
3.1.1 Tensiunea de rupere n domeniul reelei atomice
Atunci cnd sunt utilizate uniti de prelucrare de dimensiuni atomice,
apare o problem serioas: rezistena al forfecare sau tensiunea de rupere s (N
mm-2) sau energia specific la forfecare (J cm-3) devine extrem de mare.
Un exemplu de dependen a tensiunii de forfecare de grosimea probei
pentru oel carbon este prezentat n figura 6.1.

Fig. 3.1 Relaia dintre grosimea probei i rezistena la forfecare pentru oel-carbon
SAE 1112

94
 Curba arat c, cu ct grosimea probei devine mai mic, rezistena la
forfecare la frontul de atac al sculei de achiere sau al granulei abrazive devine
extrem de mare, apropiindu-se de tensiunea de forfecare teoretic th din
materialele fr defecte sau de tria legturii din oel-carbon:
th=G/2=1,3104 Nmm-2 (3.1)
unde G = 8,2 104 N mm-2 este modulul de rigiditate al oel-carbonului.
Motivul pentru care rezistena la forfecare devine aa de mare la frontul
de achiere pentru nivelul atomic, este acela c exist numai defecte punctuale
care pot iniia ruperea structurii la nivelul legturilor atomice. Totui, dup cum
se prezint schematic n figura 6.2, n metalele ductile, ruperea prin alunecare
pentru uniti de prelucrare/procesare ntre 0,1 i 10 m provine din dislocaiile
relativ uor de deplasat din granula cristalin metalic, n care intervalul mediu
de reapariie a unei dislocaii mobile este de circa 1 m, iar n granula cristalin
a unei ceramici fragile, ruperea apare datorit microfisurilor care sunt, de
asemenea, distribuite pe un interval mediu de circa 1 m.

Fig. 3.2 Distribuia defectelor n materiale: rupere datorat dislocaiilor mobile n

materialele ductile, respectiv microfisurilor n materialele fragile

Pentru uniti de procesare mai mari de 10 m, ruperea metalelor ductile

datorat deplasrii prin forfecare ncepe ntr-un punct slab la limita de granul
sau ntr-o cavitate, iar n ceramicile fragile ruperea apare n principal din fisurile
din jurul interfeelor granulare. Din acest motiv, prelucrarea cu maini-unelte

95
obinuite ce utilizeaz muchii ascuite sau abrazivi fixai pe sculele de lefuire
(rectificare) nu poate produce achii de dimensiuni atomice, ntruct muchiile
de tiere se uzeaz rapid datorit naltei rezistene la forfecare. ns, sculele i
abrazivii pe baz de diamant pot fi utilizate pentru achiere i rectificare fin
datorit rezistenei lor mari la uzur. Mai mult, lepuirea i lustruirea, care
folosesc abrazivi liberi, pot fi utilizate pentru procesarea atom cu atom a
materialelor.

3.1.2 Densitatea de energie de prelucrare sau limite ale

energiei specifice de procesare
Limitele energiei specifice de prelucrare sau densitatea de energie
marginal (J cm-3) pentru diverse tipuri de prelucrri atomice sunt prezentate
n figura 4.3.

Fig. 3.3 Ruperea elastic i limita de rupere, unde: este energia specific de
rupere a materialului (J cm-3), >> s; th = limita de rupere elastic a domeniului
fr dislocaii; ps = energia specific pentru forfecare tangenial (s= ps); th = limita
de rupere elastic fr microfisuri (th = E/2); ts = limita de rupere elastic echivalent n
domeniul fr microfosuri (forfecare); pt = energia specific ruperii la forfecare (t = pt).

Pentru unitile de prelucrare la dimensiuni atomice/moleculare < 1 nm,

energia limit specific de prelucrare pentru a rupe materiale le dimensiuni
atomicesau moleculare variaz n domeniul 104 - 106 J cm-3, ceea ce corespunde
energiei de legtur atomic.
Separarea bucilor atomice poate fi realizat pe baza proceselor
chimice i electrochimice utiliznd atomi reactivi, solubilizri, topirea i difuzia
pe baza energiei termice a atomilor, pe baza fasciculelor de fotoni i electroni,

96
procese de mprtiere (sputtering) ionic i fotonic, precum i recenta metod
de evaporare n cmp electric.
Pentru unitile de prelucrare a clusterilor atomici, pentru care defectele
punctuale n granulele policristaline variaz de la 1 la 100 nm, densitatea de
prelucrare pentru ruperea din material este de circa 103 104 J cm-3. Achierea
ductil, lepuirea i lustruirea pe baza abrazivilor foarte fini aparin acestei
categorii.
Pentru unitile de prelucrare ntre 0,1 i 10 m, separarea sau deformarea
apare ca rezultat al dislocaiilor mobile sau microfisurilor. Densitatea de energie
de prelucrare este aproape 103 J cm-3 pentru ruperile fragile datorate
microfisurilor i de circa 101 103 J cm-3 pentru ruperile ductile datorate
dislocaiilor.
Pentru unitile de procesare a granulelor cristaline multiple, densitatea de
energie de procesare bazat pe defectele la limitele de granule este mai mic de
102 J cm-3 pentru ruperea fragil i de 10 J cm-3 pentru iniierea ruperii ductile.
Totui, pentru a ndeprta materialul n acest ultim proces este necesar
ndeprtarea unor buci din materialul masiv prin depirea tensiunii de
rupere ductil, ceea ce face necesar adugarea unui surplus de energie
specific, = 0,1 1 J cm-3.

3.2 Metode de prelucrare cu uniti de prelucrare atom

cu atom i cluster de atomi
Pentru a se obine componente i produse fine i ultraprecise, cu acuratee
nanometric este n general necesar utilizarea unei uniti de procesare de tip
atom cu atom sau de clusteri de atomi.
Procesarea atom cu atom este realizat prin tratamentul atom cu atom al
materialelor, i prin urmare realizarea rezoluiilor de ordinul subnanometrilor, n
timp ce procesarea tip cluster atomic consider clusteri de atomi, ceea ce face
ca rezoluia s fie de ordinul a ctorva nanometri.
Dup cum s-a putut observa n figura 6.3, densitatea de energie de
procesare pentru zone atomice la punctul de prelucrare trebuie s ajung la
104 106 J cm-3, ceea ce corespunde, la nivel microscopic, energiei specifice
volumice de legtur de reea Ub (MJ m-3 sau J cm-3) sau energiei de legtur
atomice Eb (J/atom) conform tabelului 6.1. valorile pentru abrazivi ca Al2O3,
SiC i diamant sunt cu 2 3 ordine de mrime mai mari dect pentru Fe; pentru
prelucrarea la nivel de clusteri atomici, valorile pot fi cu 1 2 ordine de mrime
mai mici.

3.3 Procesarea la nivel de clusteri atomici cu abrazivi

fini mobili
Mainile-unelte obinuite de tiere sau cu discuri abrazive nu pot fi
utilizate la tierea i achierea/rectificarea n uniti de procesare de tipul

97
clusterilor atomici datorit faptului c uzura muchiei achietoare devine extrem
de mare pentru panul din oel. Pentru metalele uoare ductile cum ar fi
aluminiul, este totui posibil realizarea unei microprelucrri pe baza procesrii
de clusteri atomici utiliznd scule diamantate sau pulbere de diamant (figura
3.4).
Tabelul 3.1
Duritate Duritate
Ub Eb [eV/ Knopp Morse
Material Observaii
[MJ m-3] [J/atom] /atom] (indentare) Woodwell
(10 MPa) (zgriere)
Fe 2,6 103 1,6 10-20 0,1 pentru sarcin 200 durificat
(1,03 103) (8 10-21) 0,05 pentru forfecare 700 800
SiO2 5 102 4,24 10-19 2,65 pentru forfecare 820
Al 3,34 103 2,06 10-21 0,013 pentru forfecare
Al2O3 6,2 103 5,26 10-18 32 pentru sarcin 1600 2050 9
Si 7,5 103 1,59 10-17 36 pentru sarcin 2400 2550 11
SiC 1,38 103 1,1 10-17 67 pentru sarcin 2400 2550 14
B4C 2,26 103 1,8 10-17 111 pentru sarcin 2700 2800 19,7
Diamant I
5,64 103 4,56 10-17 274 cu N abundent 8000 8500 71
(natural)
Diamant II 1,02 103 1,6 10-17 513 fr N 5700 42,5
10400

Fig.3.4. Sisteme tipice de procesare: a) tiere rectificare; b) strunjire (tip oglind)

98
 n plus, sunt larg utilizate n procesarea de tip cluster atomic lepuirea pe
baz de abrazivi fini de diamant, Al2O3, SiC, etc. precum i lustruirea cu
abrazivi fini de pulbere de Fe2O3, Cr2O3, CeO2, etc. Abrazivii de lepuire sunt
remprosptai i reascuii prin sfrmare n timpul operaiei pentru a realiza
ndeprtarea continu a materialului, n timp ce abrazivii de lustruire sunt lefuii
sub aciunea tensiunilor de forfecareextrem de mari, pe baza defectelor
punctuale din domeniul clusterilor atomici. Din acest motiv, lustruirea se
realizeaz cu abrazivi duri i rezisteni termic.
Contururile geometrice de suprafa pot fi precis modelate prin lepuire
folosind plci de duritate medie i printr-o lustruire ulterioar utiliznd plci mai
moi ntruct suprafeele acestor plci se uzeaz puin pe durata procesrii
datorit mecanismului de prelucrare. Prin urmare, procesarea continu a
suprafeei cu o acuratee aproape nanometric este posibil de realizat.
Pn n prezent a fost foarte dificil generarea suprafeelor nesfericesau de
alte curburi, deoarece micarea rlativ de nalt precizie dintre piesa de prelucrat
i plac era dificil de realizat. Totui, recent a fost realizat un control numeric de
pai fini de 0,1 m i drept rezultat n curnd vor fi dezvoltate noi tehnologii de
fabricare a suprafeelor curbate de precizie care utilizeaz sisteme generatoare
cu unelte de lepuire i lustruire (figura 6.5).

Fig.3.5 Sisteme tipice de prelucrare: lepuirea i lustruirea prelucrarea cu placa de

contur (sferic i plan); b) generatoare de profil

99
 3.3.1 Procesarea atom cu atom utiliznd particule elementare
de nalt energie sau un cmp electric intens
Pentru a realiza ndeprtarea materialului atom cu atom, pentru care este
necesar o energie de procesare ridicat 104 - 106 J cm-3, au fost dezvoltate
metode de procesare cu particule de nalt energie, n care un fascicul de
particule elementare, cum ar fi: fotoni, electroni sau ioni, atomi reactivi chimic
sau electrochimic ori chiar atomi neutri, este aplicat asupra punctului ce trebuie
prelucrat (figurile 4.6 i 4.7, tabelele 4.2 i 4.3).

Fig. 3.6. Sisteme tipice de prelucrare: prelucrare cu fascicul ionic; a) texturare fin;
b) prelucrarea lentilelor sferice.

Metodele de prelucrare care utilizeaz particule de nalt energie au

rezoluii de prelucrare la scar atomic sau subnanometric. Totui, este foarte
dificil poziionarea punctului de prelucrare cu acuratee nanometric, ntruct
spre deosebire de situaia utilizrii mainilor-unelte sau sculelor monobloc, nu
exist nici o suprafa sau ax geometric de referin pentru controlul poziiei
fasciculului de particule la o precizie aa de nalt. n consecin, prelucrarea cu
fascicul de particule de nalt energie se realizeaz n prezent numai cu comand
n bucl deschis a poziiei axei fasciculului energetic, fr nici un fel de
informaie de tip feedback al poziionrii n timpul efectiv al prelucrrii.
n prezent, inscripionarea bidimensional este efectuat cu o masc de
inscripionare utiliznd fascicule largi sau siteme de fascicule vectoriale de
baleiaj cu fascicul orientat.
Pentru prelucrarea tridimensional cu fascicul de energie a suprafeelor
curbate se controleaz timpul de expunere. n viitorul apropiat, vor trebui
dezvoltate sisteme de senzori i acuatori de precizie ultranalt care s opereze n
timp real, cu controlul reglrii n bucl nchis a punctelor de prelucrare.
Recent, utilizarea sistemelor de microscopie de baleiaj cu efect tunel
(STM Scanning Tunnelling Microscope) a fcut posibil ndeprtarea atomilor

100
specificai, cu ajutorul unui cmp electric de nalt tensiune. n acest sistem,
comanda n bucl nchis a fost utilizat cu succes n poziionarea punctului de
prelucrat a atomilor specificai cu acuratee subnanometric.

Fig. 3.7 Modele schematice de prelucrare cu fascicule energetice

Pentru prelucrarea atom cu atom, care implic aglomerri sau formarea de

straturi subiri pe suprafaa de lucru, au fost utilizate pe scar larg fascicule de
ioni cu energie redus, cu mprtiere atomic (fascicul rece) i atomi
evaporai termic (fascicul cald) prin utilizarea fotonilor, electronilor sau prin
nclzire direct.
Totui, pentru a se asigura legarea atomilor de pe suprafa cu atomii
proiectai de fascicule, atomul sau molecula trebuie s aib energia optim
pentru realizarea adeziunii. Dac aceast energie este prea mare, materialul va fi
ndeprtat, iar dac energia este prea sczut, legtura adeziv nu se va mai
realiza.
Implantarea ionic n straturile de suprafa i amestecarea ionic a
structurii de suprafa este larg utilizat n practic.

101
 Tabelul 3.2
Sisteme de control al preciziei
Mecanismul de Metoda de procesare
dimensionale (1D);
Tip procesare (energia fasciculului de
desenconfiguraie (2D);
(dimensiune atomic) particule)
form (3D)
1 2 3 4
ndeprtarea
clusterilor
atomici
Nanoachiere Alunecare prin Achiere fin cu cuit de Precizia formei i a
forfecare, rupere la diamant cu un singur rugozitii suprafeei
traciune, buci vrf (pentru materiale (dependent de maina-
de clusteri atomici moi), lepuire ultrafin unealt)
Superlustruire Prelucrare prin Lustruire fr contact tip Precizia formei (lustruire);
rupere atomic EEM*, prelucrare cu Precizia profilului i
elastic, ndeprtarea fluid magnetic, lustruire adncimii (micro)
chimic reactiv ultrafin (pentru
(solid, poriuni materiale dure)
atomice, rupere)
Separare Descompunere Corodare chimic Acurateea formei
(ndeprtare) chimic (gaz, lichid, (izotropic, (profiluri performante),
la nivel solid); anizotropic), corodare precizia adncimii
atomic Activare termic n plasm reactiv, (macro), precizia
prelucrare confioguraiei (masc)
mecanochimic
(corodarea fotorezistului
asistat de fascicul laser,
ionic, electronic)
Descomunere Lustruire electrolitic; Acurateea formei
electrochimic Procesare electrolitic (profiluri performante),
(lichid, solid), (corodare) precizia adncimii
activare electrolitic (macro), precizia
configuraiei (masc)
Vaporizare termic Prelucrare cu fascicul Precizie liniar a poziiei
(gaz, solid) electronic, prelucrare cu (control), precizie planar
laser, prelucrare cu (macro), precizia
radiaie termic adncimii (macro),
precizia configuraiei

Separare prin difuzie ndeprtarea de material Precizia configuraiei

(termic), (solid, prin difuzie (dizolvare) (masc), precizia formei
lichid, gaz) (macro), precizia
adncimii
Separare prin topire ndeprtarea topiturii Precizia formei desenului/
(termic), (lichid, /configuraiei (masc),
gaz, solid) precizia formei (macro),
precizia adncimii (macro)

102
 1 2 3 4
Prelucrare ionic Ruperea direct a
(solid), (dinamic) legturii cu fotoni
(excimeri, raze X)
ndeprtarea n cmp Evaporarea de ctre Sistem de comand
electric a atomilor cmpul electric /control STM la scar
superficial ionizai (prelucrare cu microscop atomic
cu efect tunel cu nbaleiaj
STM**; prelucrare cu
microscop de fore
atomice AFM***)
Consolidare Depunere i legare Acoperire chimic, Precizia configuraiei
la nivel chimic (gaz, lichid, acoperire n faz (masc), precizia grosimii
atomic solid) gazoas, oxidare, (macro)
(depunere/acu nitrurare, acoperire prin
mulare reacie activat (ARP)
Depunere i legare Electroacoperire, Precizia configuraiei
electrochimic (gaz, electroformare prin (fasonarea mtii),
lichid, solid) oxidare anodic, precizia grosimii (micro)
formare electroforetic
Depunere i legare Depunere din vapori, Precizia configuraiei
termic (gaz, lichid, cretere epitaxial, (fasonarea mtii),
solid) epitaxie cu fascicul precizia grosimii (micro)
molecular
Legare prin difuzie, Sinterizare, formare de Precizia configuraiei
topire (legare goluri, nitrurare ionic, (masc), precizia grosimii
termic) imersare, acoperire prin (adncimii) (macro)
topire
Depunere i legare Depunere prin Precizia configuraiei
fizic (dinamic) pulverizare, acoperire (masc), precizia
prin ionizare, epitaxie de adncimii (micro)
clusteri ionici, depunere
cu fascicul ionic,
amestecare cu fascicul
ionic
Implantare ionic Implantare (injectare) Comanda/controlul
(dinamic) ionic prin prelucrare cu poziiei cu precizie a
Evaporare n cmp STM configuraiei (masc),
electric precizia adncimii (micro)
Deformare la Curgere termic Nivelare prin tensiunea Precizia formei (macro),
nivel atomic superficial (termic, (profiluri preformate),
optic, laser, fascicul precizia adncimii,
electronic, gaz de configuraiei (la fasonare)
temperatur nalt)
Curgere vscoas Lustruire prin flux de Precizia formei (macro),
lichid (hidrolustruire),
formare prin injecie

103
 1 2 3 4
Lustruire prin curgerea Precizia formei (micro)
de particule fine
(polizare, lustruire,
Curgere plastic prin lepuire), imprimare, Precizia configuraiei
frecare (alunecare tanare (tanare)
prin forfecare)
Tratamentul Activare termic Durificare, clire Macro: comand i control
suprafeei (electroni, fotoni, (metale, n bucl deschis a
ioni); semiconductoare), condiiilor macroscopice
Amestecare, glazurare, solidificare de procesare sau a strilor
depunere; (rini); de procesare a agenilor de
Reactivare chimic; Difuziune, amestecare prelucrare , de exemplu
Reactivare chimic (ionic); atomi, molecule de gaz
asistat energetic Polimerizare, sau lichid, ioni, electroni,
(asistat de fascicul depolimerizare; fotoni, etc;
electronic, ionic, Finisare reactiv a Micro: comand i control
fotonic). suprafeei. n bucl nchis a strilor
microscopice ale piesei de
prelucrat cu ajutorul
comenzuii feedback al
strii de lucru.
Reactivare catalitic Promovarea reaciei Controlul/comanda
feedback al strii de lucru

* Elastic Emission Machining (prelucrare elastic prin emisie)

** Scanning Tunnelling Microscope (microscop tunel cu baleiaj)
*** Atomic Force Microscope (microscop de fore atomice)

Tabelul 3.3.
Mecanism
Tratamentul
de ndeprtare/separare mbinare/consolidare Formare
suprafeei
prelucrare
1 2 3 4 5
1. Fascicul Procese termice: Sudur, laser sau Lustruirea Durificarea
luminos Laser (ZAG, CO2, termic suprafeei suprafeei cu
(ultraviolet la etc.)/ procese de cu laser laser sau termic
infrarou) prelucrare termic sau termic
ractiv;
Fotocorodare, iradiere Polimerizare/
(asistat de corodare depolimerizare
chimic)
Radiaie Procese reactive: Polimerizare/
(raze , raze expunere/ corodare cu depolimerizare
X i SOR) radiaii

104
 1 2 3 4 5
2. Procesare cu fascicul de electroni i fascicule energetice nrudite
Fascicul Procese termice Sudur cu fascicul Lustruirea Durificarea i
electronic (bombardare): electronic i depuneri suprafeei clirea suprafeei
prelucrare cu fascicul prin evaporare cu cu fascicul
electronic fascicul electronic
Procese reactive electronic Polimerizare/
(excitare): depolimerizare
Expunere/corodare cu cu fascicul
fascicul electronic electronic
Fascicul Procese dinamice: Implantare ionic, Polizare Nitrurare ionic/
ionic Corodare prin acoperire ionic, ionic amestecare
pulverizare ionic, depunere de ioni ionic
corodare chimic pulverizai
asistat de ioni
Procese reactive: Acoperire cu ioni Finisarea
Corodare cu ioni reactivi suprafeei cu ioni
reactivi, corodare n reactivi
plasm rece
Fascicul cu Procese termice (bombardare i nclzire rezistiv, inductiv i dielectric)
descrcare
electric Procese cu descrcare Sudare prin descrcare Lustruirea Durificarea
(curent direct de electroni (frezare electric suprafeei suprafeei prin
pt. metale/ prin copiere, gurire, prin descrcare
curent de i.f. tierea srmelor) descrcare electric
pentru electric
dielectrici)
3. Procesare cu fascicul de atomi sau molecule
Fascicul de Procese dinamice i termice
atomi reci Corodare prin difuzia Depunere de atomi/ Finisare Difuzie termic a
sau calzi/ atomilor/ moleculelor molecule, cretere dinamic atomilor/
molecule epitaxial a cristalelor cu atomi/ moleculelor
prin spargere molecule
4. Procesare cu fascicul de plasm
Fascicul de Procese termice: Sudur n arc cu Lustruire Durificarea
plasm Prelucrare n jet de plasm, topire n jet de n arc cu suprafeei n arc/
fierbinte plasm plasm, acoperire, fascicul jet de plasm
combinare de plasm
5. Procesare cu fascicul reactant chimic i electrochimic
Fascicul Procese chimice: Acoperire/ turnare Lustruirea Finisare chimic
chimic Corodare/ prelucrare chimic, depunere n flux reactiv a
chimic, corodare chimic reactiv/ chimico- suprafeei
chimico-mecanic, vapori, cementare mecanic
fotocorodare chimic, creterea
cristalelor sintetice
Fascicul Procese electrochimice:
electrochimic Prelucrare Acoperire/ turnare Finisare
electrochimic electrochimic electrochimic

105
 CAPITOLUL 4
PRELUCRARE NANOTEHNOLOGIC

4.1 Generaliti
Nanoprelucrarea este realizat prin nanoachiere, nanolefuire i honuire,
nanolepuire i lustruire, etc.
Unitatea de procesare n aceste metode este de civa zeci de nanometri,
astfel c o comportare la indentare i zgriere n domeniul clusterilor atomici
const, n principal, n alunecare prin forfecare datorit ruperii elastice, care are
la baz defectele punctuale din domeniul fr dislocaii i fr microfisuri.
Nanoachierea este principala metod de prelucrare bazat pe forfecare
utiliznd cuite diamantate cu un singur vrf pentru materialele moi i ductile, n
timp ce nanolefuirea i honuirea sunt utilizate la prelucrarea ductil fr
fisurare a materialelor dure i fragile, prin folosirea discurilor i granulelor de
diamant. Nanolepuirea i lustruirea sunt utilizate pentru prelucrarea materialelor
dure i fragile cu pulberi abrazive.
Nanoachierea implic o mrime de prelucrare de civa zeci de
nanometri, dar tensiunea de tiere care acioneaz la extremitatea sculei este
foarte mare, comparabil cu forele de legtur atomice. Drept rezultat, singurele
scule disponibile se limiteaz la diamant, iar prelucrarea este limitat la
materialele moi i ductile. Nanoachierea produce o suprafa foarte fin de tip
oglind, iar stratul degenerat rezultat este extrem de subire. De curnd, s-au
ncercat simulri computerizate ale achierii la scar atomic.
Nanolefuirea i honuirea creeaz o alunecare prin forfecare cu o
adncitur de tiere de civa zeci de nanometri i sunt cele mai des folosite la
obinerea suprafeelor lipsite de fisuri pe materiale dure i fragile, cum ar fi
sticla i ceramicile. Nu este nevoie de spus c tensiunea de lucru care acioneaz
la muchia tietoare a abrazivilor este extrem de ridicat. n consecin, pot fi
utilizai numai abrazivi de diamant cu granule foarte fine prelucrare cu abrazivi
staionari n domeniul de procesare la nivel de clusteri atomici.
Spre deosebire de prelucrarea cu abrazivi staonari, lepuirea fin i
lustruirea tip oglind n domeniul clusterilor de atomi fac apel la abrazivi
regenerabili (mobili) foarte fini, dar mecanismele celor dou metode sunt destul
de diferite, dup cum se indic n figura 4.1. Lustruirea tip oglind se realizeaz
prin polizare cu abrazivi fini teii, dar rezisteni termic, cum ar fi: Fe2 O3, Cr2O3,
CeO2 sau MgO. n aceast metod, abrazivii nglobai n suprafaa plcii de
lustruire au o deplasare n raport de suprafaa piesei de prelucrat, netezind
suprafaa acesteia, prin forfecarea general, de defectele punctuale. Lepuirea

106
fin, pe de alt parte, utilizeaz plci semidure pentru a realiza ndeprtarea
materialului cu alungiri fine i dure, dei mai de grab fragile cu muchii ascuite,
cum ar fi diamantul, BN-cubic, SiC, SiO2 sau B4C.

Fig. 4.1 Lepuirea fin i lustruirea tip oglind pentru materialele dure i fragile cum
ar fi sticla, ceramicile, aliajele superdure etc: (a) lustruirea tip oglind a sticlei
(abrazivi: SnO2 Fe2O3, MgO, Ce2O3, rezisteni termic); (b) lepuirea fin a sticlei
(abrazivi:diamant, SiC, B4C, c-BN) dur i ascuit; (c) fisurarea la ntindere pentru
achierea fragil; (d) alunecarea prin forfecare pentru achierea ductil; (e)
prelucrarea fin ultrasonic; (f) sablare normal.

Fisurarea datorit ruperilor foarte fine de la suprafa este iniial de

defectele punctuale la extremitatea cavitilor n form de pan imprimat de
muchiile ascuite ale abrazivilor duri care se rostogolesc ntre placa de leptuire i
suprafaa piesei de prelucrat, dup cum se prezint n figurile 4.1 (b), (c) i (d).
Tensiunea de rupere t la extremitatea ascuit a amprentei este mrit de
efectul de pan i de factorul de concentrare a tensiunii pentru a depai limita de
rupere elastic la ntindere tf . Cnd limita de rupere elastic la ntindere th
este mai mic de dou ori dect limita de rupere elastic de forfecare sf ,

107
materialul este considerat fragil. Cu alte cuvinte, avem tf / 2 < sf n materiale
de sablare cu abrazivi duri foarte fini i reprezint n principiu acelai tip de
proces ca lepuirea avansat, dup cum se prezint n figura 4.1 (e) i (f).

4.2 Procesarea subgranul

4.2.1 Procesarea subgranul a metalelor ductile
Ruperea prin forfecare sau deformarea plastic a metalelor ductile
pornete de la dislocaiile n domeniul 1-10 m, ceea ce corespunde unei
dimensiuni subgranulare.
a) Dislocaiile i vectorul Burgers
Materialele ductile, cum ar fi metalele Al i Fe, sunt alctuite din granule
monocristaline cu dimensiuni de la civa micrometri la civa zeci de
micrometri. n granulele cristaline, ntotdeauna exist defecte liniare, cum ar fi
dislocaiile marginale i elicoidale. Astfel de dislocaii n monocristale
reprezint o dezordonare a aranjamentului atomic, aa cum se poate observa din
figurile 4.2 i 4.3.

Fig. 4.2 Defectele liniare (dislocaii)

108
 Fig. 4.3 Dislocaii elicoidale (W. T Read
Jr. 1953, Dislocations in Crystals, Me
Graw Hill, New York ) : (a) alunecare
ce produce o dislocaie elicodial ntr-o
reea cubic simpl. Dislocaia se afl
pe direcia AD paralel cu direcia de
alunecare. Alunecarea a aprut n zona
ABCD; (b) aranjamentul atomic n jurul
dislocaiei elicoidale. Planul figurii este
paralel cu linia de alunecare. ABCD
reprezint aria alunecat, iar AD este
dislocaia elicodial. Cercurile goale
reprezint atomii din planul aflat exact
deasupra planului de alunecare, iar
cercurile pline sunt atomii din planul
aflat exact sub planul de alunecare.

O dislocaie marginal este un defect liniar orientat al reelei atomice,

marcat cu semnul n seciunea transversal n timp ce o dislocaie elicoidal
este un defect spiral orientat al reelei cristaline dup cum arat semnul care
indic direcia spiralei. Vectorul Burgers, care definete dezordinea indic
direcia i mrimea dislocaiei. Direcia vectorului Burgers pentru dislocaiile
marginale este normal pe linia de dislocaie, n timp ce pentru dislocaiile
elicodale este paralel cu linia de dislocaie.
Densitatea dislocaiilor poate fi definit de lungimea liniilor de dislocaie
din unitatea de volum (cm-3), prin numrul de seciuni ale liniilor de dislocaii pe
unitatea de suprafa (cm-2), sau prin intervalul mediu dintre liniile de dislocaii
secionate (cm). Intervalul dintre dislocaiile marginale este de ~ 1 cm ntr-un
monocristal de siliciu (cristal fr defecte).
b) Fora Peierls-Nabarro sau tensiunea Peirls pentru alunecarea
tangenial bazat pe defectele de dislocaie n metalele ductile
Cnd se aplic o sarcin unei piese de lucru ce cauzeaz o alunecare
tangenial, atomii reelei din jurul liniei de dislocaie se deplaseaz de-a lungul
vectorului Burgers. Cu alte cuvinte, linia de dislocaie determin atomii s se
deplaseze cu o unitate de distan reticular din reeaua atomic. Tensiunea de
forfecare necesar pentru a deplasa o dislocaie printr-o reea cristalin ntr-o
anumit direcie este dat de tensiunea Peierls c (Nm-2), care se bazeaz pe o
lege for atomic-distan de tip sinusoidal:
c = [2 G / (1 2 )]exp ( 2 / b ) (4.1)
unde :
G - modulul de elasticitate de forfecare (Nm-2);
- coeficientul lui Poisson;

109
 b - mrimea vectorului Burgers corespunztor distanei atomilor dintr-o
direcie de alunecare particular (m);
- limea regiunii de dislocaie efectiv (m).
Pentru reeaua cubic central intern a metalelor ductile (figura 7.4)
/ b = 1 / (1 ) pentru un plan de alunecare, iar pentru ceramicile fragile
/ b << 1 / (1 ) , astfel c este destul de mic din cauza creterii tip treapt a
potenialului de legtur atomic lng nodurile reelei. Este uor de intuit c
exist un cmp potenial nalt n jurul liniilor de dislocaie datorit dezordinii
reelei fcnd astfel uoar apariia alunecrii prin forfecare.
n fier (metal ductil), de exemplu, cu =0,28 i / b = 1 / (1 ) ,
c = [2G / (1 2 )]exp( 2 / (1 )) = G / 2,9910 3 = 36 MPa (4.2)
pentru G=80 GPa.
Valoarea calculat este apropiat de valoarea real a rezistenei la
forfecare, care este considerabil mai scazut (cu un factor de 1/500 la 1/300)
dect rezistena teoretic c=G/2 .

Fig. 4.4 Potenialul de legtur atomic U0, vectorul Burgers b i limea regiunii de
dislocaie efectiv n materiale fragile i ductile.

Figura 4.5 arat un model de propagare a liniei de dislocaie datorit unei

surse Frank-Read. n acest model, tensiunea de ncrcare extern produce
deformarea dislocaiei care se propag.
c) Tensiunea Peierls n materiale fragile
Chiar dac numrul de dislocaii este extrem de mic n domeniul
subgranul al materialelor fragile, microfisurile sunt distribuite dens. Mai mult,
tensiunea Peierls c datorat dislocaiilor este destul de mare pentru c n
ecuaia lui Peierls, G este extrem de mare cnd /b este foarte mic (comparativ
cu materialele ductile). De exemplu, c pentru diamant este > 10 GPa (G=900
GPa), iar c pentru cristalul de siliciu este 5-6 GPa (G=125 GPa). De aceea,
ruperea fragil datorit microfisurilor este posibil s apar la tensiuni sczute n
ceramici, dup cum s-a menionat anterior.

110
 Fig 4.5 Modul de propagare a dislocaiei datorit sursei Frank-Read

Motivul pentru care materiale ca diamantul i siliciul au tensiuni Peierls

extrem de mari este acela c:
- structura lor atomic const din puternice legturi covalente;
- structura lor de tip diamant cu reele cubice centrateintern i cu fee
centrate conin plane greu glisante n cristal.
Din acest motiv este foarte dificil de a depi bariera abrupt de potenial
de legtur atomic i de a deplasa un atom ctre urmtoarea poziie din reea.
n materiale ceramice, cum ar fi Si O2, se gsesc structuri de tip diamant
similare, constnd din diferii atomi cu puternice fore de legtur. Astfel,
tensiunile Peierls ale Al2O3 sau ale ceramicilor similare sunt 4-6 GPa.
La temperaturi ridicate, alunecarea tangenial a atomilor n materialele
ceramice apare mai rapid dect la temperatura camerei, deoarece atomii posed
o nalt energie de vibraie termic care corespunde unei creteri a energiei
poteniale libere. n acest fel devine mai uoar depirea barierei de potenial a
legturilor atomice. n diamant, de exemplu, alunecarea de forfecare apare la o
tensiune de 50 MPa la 1800C. n cristalul de Si aceasta se ntmpl la 600C,
iar n cristalul de Ge la 800C. Acest efect al temperaturii apare n lustruirea la
nivel atomic i clusterii atomici ai diamantului cnd piesa de diamant deseori se
nclzete pn la rou.
d) Indentri microfine i straturi degenerate analizate pe baza teoriei
propagrii cavitii lui Hill
Procesarea prin deformare plastic a metalelor n domeniul subgranul
0,1-10 m, utilizeaz alunecarea tangenial plastic bazat pe defectele de
dislocaie. Indentrile fine i imprimarea n relief datorit deformrii plastice n
domeniul subgranular pot fi analizate prin intermediul teoriei propagrii cavitii
a lui Hill, care consider propagarea unei caviti presurizate ntr-un cap infinit
de larg. Analiza presupune un material elasto-plastic perfect fr ecruisaj.
Dup cum se arat n figura 4.6, Hill a propus c o cavitate sferic scobit
sub o presiune intern H (MPa) i realizeaz stabilitatea n domeniul plastic i
elastic n urmtoarele condiii:

111
 (c / a )3 = E[3(1 )Y ] (4.3)

H = (2 / 3)Y [1 + 3 ln (c / a )] (4.4)
unde:
a - raza cavitii (n m) sub presiunea intern H;
Y rezistena la curgere la tensiune simpl (MPa);
E modul de elasticitate longitudinal (MPa);
c- raza sferei de frontier (m) ntre regiunile elastic i plastic
presupunnd c>>a;
coeficientul lui Poisson.
Ecuaiile lui Hill (4.3) i (4.4) pot fi utilizate pentru a analiza indentri
microfine, unde raza penetrometrului este egal cu raza cavitii a i duritatea
msurat pe baza amprentei n material corespunde presiunii cavitii H.
Utiliznd relaiile de mai sus, pot fi obinute diverse caracteristici ale
indentrilor i straturilor degenerate. Prin eliminarea lui Y din ecuaiile (4.3) i
(7.4) se obine:
E / H = [9 / 2(1 )(c / a )] /[1 + 3 ln (c / a )] (4.5)

Fig. 4.6 Teoria cavitii sferice a lui Hill: h, raza exterioar a cavitii sferice
elastice; r=Y/(3/2), tensiunea de compresiune radial la limita c; =Y/3, tensiune
la ntindere tangenial la limita c.

Dac valorile E i H sunt msurate experimental, se poate obine raportul

c/a al zonei de deformare plastic pentru procesul de indentare, dup cum se
prezint n figura 4.7, unde se arat c regiunea plastic sau degenerat este
groas n materialele moi, dar subire n materialele dure. De exemplu, pentru un
oel moale clit c/a este ~ 6, dar n sticl cu o suprafa dur valoarea este ~ 2.
De aceea, finisarea suprafeei cu abrazivi fini poate fi realizat cu succes pe
sticl i nu pe oel clit. Dac se elimin (c/a) n loc de Y n ecuaiile prezentate,
obinem:
E / H = 3 / 2(E / Y ) /[1 + ln (E / Y )] 1 /[3(1 )] (4.6)

112
 Fig. 4.7 Raportul razelor regiunii plastice (degenerate) i de indentare, c/a, i
raportul dintre modulul de elasticitate longitudinal i rezistena de curgere la
ntindere, E/Y n funcie de raportul dintre modulul de elasticitate i duritatea
Vickers, E/Hv.

Fig. 4.8 Modificarea lui Marsh a ecuaiei Hill: Fig. 4.9 Duritatea Vickers,
H = (2/3) Y {1+[3/(3-)] ln [3/ + 3-1]}E/Hv n raport de constanta
=(2/3) Y [1+B ln Z], elastic E C, diamant, St(a),
unde: =6(1-2) Y/E; oel clit; St(), oel
=(1+) Y/E durificat

113
 Prin substituia valorilor lui E/H obinute experimental, se poate estima
din aceast ecuaie efortul de curgere Y. O ecuaie mai detailat, modificat de
ctre Marsh este prezentat n figura 4.8. Figura 4.9 arat relaia dintre duritatea
Vickers, E/Hv corespunztoare lui H i modulul de elasticitate E. Se observ c
E/H=250 pentru legturile metalice ductile, 20 pentru legturile covalente fragile
i 20-150 pentru legturile ionice. De aceea, putem spune c stratul degenerat
este gros pentru materialele cu legtur metalic ductil, n timp ce pentru
materialele covalente acesta este subire.
4.2.2 Procesarea subgranul a ceramicilor fragile
Cu toate c densitatea de distribuie a defectelor tip dislocaii este foarte
sczut n ceramicile fragile sau n cristalele anorganice n comparaie cu
metalele, un mare numr de microfisuri sunt distribuite compact la intervale
medii de ~ 1 m. Faptul c ruperea fragil din ceramici este cauzat de
microfisurile preexistente este bine cunoscut. Ceramicile posed microfisuri din
abunden, ntruct procesul de cristalizare favorizeaz creterea lor. Structura
ceramicilor are la baz puternice legturi covalente sau ionice, iar potenialul de
legtur atomic are un increment abrupt. Pentru a diminua tensiunile interne n
timpul solidificrii, trebuie s germineze i s creasc microfisuri ntruct
dislocaiile cauzate de alunecrile atomice nu apar uor. Drep urmare,
procesarea subgranul a ceramicilor utilizeaz n principal ruperile prin
microfisurare.
a) Mrimea critic a fisurii i tensiunea critic de fisurare n teoria lui
Griffith
Pentru investigarea ruperii prin fisurare a materialelor ceramice poate fi
utilizat teoria lui Griffith. Dup cum se observ n figura 4.10, este examinat
ruperea fragil ntr-o prob plat subire cu o fisur de lungime 2c (m) sub
aciunea unei tensiuni de ntindere uniforme (N m-2), pe baza considerrii unor
bilanuri de energie elastic i energie superficial.
Energia elastic intern pe unitatea de grosime (J m-1) a unei probe cu o
fisur este mai mic dect cea a unei probe fr fisur, cu o cantitate W1 pentru o
stare a tensiunii plane:
W1 = c 2 2 / E (4.7)
unde E este modulul de elasticitate longitudinal (N m-2).
Pentru deformarea plan n plci groase,
W1 = (1 )c 2 2 / E (4.8)
unde este coeficientul lui Poisson.
Totui, ntotdeauna exist o energie superficial pe unitatea de grosime
W2 la suprafaa fisurii, dat de:
W2 = 4 c (4.9)

114
 [(
W1 W2 = (W1 W2 ) = 2c 2 / E 4 c) ] (4.10)
Cnd W1 - W2 =0, ntr-o anumit condiie critic, dimensiunea fisurii c
rmne constant la o anumit tensiune de ncrcare .
Mrimea critic a fisurii Cc pentru aceast condiie i tensiunea critic de
fisurare c se obin ca:
Cc = 4 E / 2 2 , c = (2 E / c )1 / 2 (4.11)

Fig. 4.10 Modelul Griffith,

tensiunea de ntindere util
datorit solicitrii externe

Prin urmare, dup cum se observ n figura 7.11, dac tensiunea util
este mai mare dect c sau mrimea fisurii existente este mai mare dect Cc,
atunci:
(W1 - W2) / C>0, iar dimensiunea fisurii va crete fr o cretere a
sarcinii, conducnd la apariia ruperii prin fisurare.

Fig. 4.11. Semilungimea fisurii i energia

liber total

Dimpotriv, dac C > Cc sau < c atunci mrimea fisurii descrete ctre
zero. De aceea, teoretic, poate s nu fie nici o fisur preexistent, dar n practic,
dup cum se va discuta mai trziu, materialele ceramice nu sunt perfect elastice,
dar sunt n parte plastice n domeniul nano i microdimensional al extremitilor
fisurii. De aceea pentru a constrnge o fisur contra forei rezistente la alunecare
la extremitatea fisurii, materialul trebuie s conin fisuri de o anumit mrime.
Aceasta explic de ce materialele ceramice au fisuri preexistente.

115
 b) Remarci asupra procesrii practice a ceramicilor
Cnd tensiunea de lucru cauzat de indentare cu unpenetrometru teit
acioneaz asupra unei arii relativ largi, cum ar fi n domeniul subgranular sau
mai mare, atunci ruperea fragil generat de o microfisur preexistent apare la
un punct unde a fost atins tensiunea critic de fisurare c= (2 E/c)1/2 dat de
ecuaia 7.11 i care acioneaz n aria de contact dintre piesa de prelucrat i
penetrometru.
De asemenea, dac tensiunea de lucru determinat de un penetrometru
foarte ascuit acioneaz asupra unei arii maim mici, <1 m, n care nu exist
microfisuri, atunci apare o alunecare microtangenial (de forfecare) fr
fisurare datorit unei nalte tensiuni elastice de forfecare. Acest lucru nseamn
c se produce o alunecare de forfecare pe baza limitei de rupere de forfecare
elastic sf. Aceasta este rezistena teoretic la forfecare th, i care corespunde
forei de legtur atomice.
Din acest motiv, procesarea materialelor ceramice n domeniul
subgranular, 0,1 10 m, utilizeaz ruperea microfragil bazat pe microfisurile
preexistente la intervale de 1 m. n practic, lepuirea convenional, prelucrarea
ultrasonic i de sablare cu particule abrazive fine, precum i achierea fin cu
abrazivi fixai reprezint metode tipice de procesare subgranular pentru
materialele ceramice.
Dei n achierea ductil ultrafin i lepuirea fin ne putem atepta la
apariia unui strat degenerat foarte subire, n materialele ceramice se produce la
suprafaa lor o propagare destul de adnc a fisurilor. De aceea, n lustruirea
convenional a ceramicilor se utilizeaz procese de prefinisare, cum ar fi
lepuirea uoar sau finisarea uoar cu granule de diamant cu fisurare foarte
uoar.
c) Tensiunea critic de fisurare pentru un cmp de tensiuni complexe
n cazul tensiunilor complexe ntr-un cmp bidimensional cu tensiunile
principale 1 i 2, tensiunea critic c pentru iniierea fisurrii atunci cnd
fisurile sunt distribuite ntmpltor este dat de (fig. 4.12 i 4.13):
1 2 + 8 c (1 + 2 ) = 0 (4.12)
cu 3 1+2<0, unde semnul negativ indic compresiune.
Direcia axei critice de fisurare este dat de relaia:
1 1 2
cos 2 = (4.13)
2 1 + 2
atunci cnd 1= 0, 2< 0 i cos 2 = 0,5, adic = 30.
d) Tensiunea maxim periferic m la extremitatea fisurii, dat de Inglis
Inglis a concluzionat c dac se presupune o distribuie eliptic a tensiunii
n jurul extremitii fisurii, tensiunea maxim de ntindere (traciune) m (N m-2)

116
la extremitatea fisurii, corespunznd tensiunii critice de fisurare c, este dat de
(figura 4.14):

Fig. 4.12 Aranjamentul axelor Fig. 4.13 Tensiuni combinate la

arbitrare de fisurare axele arbitrare de fisurare
m = c 2(c / )1 / 2 (4.14)
unde c este semilungimea fisurii (m), iar este raza extremitilor fisurii (m);
2(c/)1/2 este denumit factor de concentrare a tensiunii (SCF Stress
Concentration Factor).
Cnd m atinge rezistena teoretic sau limita elastic final th, dat de
E/2, fisura ncepe s creasc. Astfel, pe baza tensiunii critice de fisurare
c=(2E/c)1/2 conform teoriei lui Griffith, tensiunea de iniiere a ruperii fragile
va fi dat de:
m = (2 E / c )1 / 2 2(c / )1 / 2 = (8E / )1 / 2 (4.15)
Fie =210-4 m i dac se consider E=80 GPa i =0,26 Jm-2 pentru
sticl, rezult mf=15 GPa. Pe de alt parte, rezistena teoretic th=E/2
calculat a sticlei este 13 GPa. ntruct rezistena teoretic furnizat de E/2 este
aproape aceeai cu tensiunea maxim periferic mf obinut pe baza teoriei lui
Griffith, se confirm valabilitatea concepiei lui Inglis.
e) Densitatea de energie superficial modificat pentru iniierea
fisurrii
Teoria lui Griffith pentru iniierea fisurrii presupune c densitatea de
energie superficial a unei fisuri (Jm-2) const numai din disiparea energiei
pentru propagarea fisurii n materiale fragile. ntr-un cmp uniform de tensiuni
de ntindere, la extremitatea fisurii se obine, n general, o tensiune de traciune
concentrat , care pe baza factorului de concentrare a tensiunii poate fi
exprimat astfel:
=2(c/)1/2

117
 Fig. 4.14 Tensiunea maxim periferic (Inglis)

Fig. 4.15 Densitatea de energie superficial Fig. 4.16 Diametrul fibrei de sticl
modificat (Gilmann) i rezistena la rupere (Griffith).
Compoziia sticlei (% grav):
SiO2=69,2, Al2O3=11,9, K2O=12,0,
CaO=4,5, Na2O=0,9, MnO=0,9.
n consecin, dac (corespunznd lui /2) depete th sau sf, unde th
este tensiunea teoretic de forfecare, iar sf limita de rupere elastic de forfecare,
atunci se produce o alunecare prin forfecare n loc de o rupere direct la
traciune aa cum se prezint n figura 4.15.
Astfel, pentru a obine tensiune critic de fisurare c n formula lui
Griffith, nseamn c densitatea de energie de forfecare p (Jm-2) trebuie s fie
adugat la densitatea de energie superficial pur , n bilanul de energie.
Densitatea de energie de forfecare p propus de Gilmann are forma:
p = 9 ln (E / 2Yc ) (4.16)

118
unde Yc este tensiunea elastic de curgere corespunztoare limitei de rupere
elastic prin forfecare sf pentru materiale ductile.
n aceste condiii, tensiunea critic de fisurare va fi dat de:
cp = 2 E[1 + 9 ln (E / 2Yc )] / c = 2 E p / c (4.17)
unde p= [1+9 ln (E/2Yc] se numete densitate de energie superficial
modificat pentru propagarea fisurii.
f) mprtierea valorilor de rezisten la rupere fragil
Dei este bine cunoscut, rezistena la rupere fragil a sticlei prezint o
distribuie cu mprtiere larg. Acest lucru se datoreaz faptului c rezistena
fragil depinde de cea mai mare fisur preexistent din specimenul considerat;
cu alte cuvinte rezistena este controlat de veriga cea mai slab a lanului.
n figura 4.16 se arat c rezistena medie a unei fibre de sticl se apropie
de rezistena teoretic sau molecular a unei sticle lipsite de fisuri pe msur ce
diametrul fibrei de sticl tinde ctre zero, deoarece pentru o lungime dat
specimenele mai subiri au mai puine fisuri preexistente. mprtierea valorilor
rezistenei la rupere fragil poate fi observat n curbele de frecvena ruperii din
figura 4.17.
Aceste rezultate confirm, n general, teoria referitoare la fisurile
preexistente n materialele fragile.

Fig. 4.17 Distribuia frecvenei rezistenei la rupere i sarcina la rupere

4.2.3 Procesarea subgranul a polimerilor organici

Structura macromoleculelor organice const din molecule mari
interconectate i, dei legtura dintre atomii polimerului este ionic sau
covalent, cea dintre molecule este determinat de fore van der Waals i prin
urmare este foarte slab.

119
 n consecin, deformarea intermolecular a polimerilor este, n principal,
datorat alunecrii vscoase dintre grupele moleculare mari creia i se opun
forele de legtur van der Waals.
Totui, pentru achierea foarte fin n domeniul submicronic, uneltele
convenionale nu sunt adecvate, ntruct separarea atomilor din molecula
polimerului necesit o prelucrare tip atom cu atom cu densiti de energie
ridicate pentru a contracara forele de legtur ionic sau covalent.
De aceea, pentru ndeprtarea unor fragmente foarte fine din polimerii
nali sunt necesare unelte de achiere din carburi cementate, granule de diamant
sau abrazivi din SiC, etc.
Mai mult, n unii polimeri nali care prezint comportare fragil, cum ar
fi sticlele organice, alunecarea datorit curgerii vscoase nu se produce uor n
achierea ultrarapid i atunci survine ruperea fragil.
Acest lucru se ntmpl deoarece fora care se opune curgerii vscoase
crete proporional cu creterea vitezei de deformare.

4.3 Procesarea nanofizic

4.3.1 Evaporarea n cmp electric a atomilor specificai
Aceast metod a fost dezvoltat de la concepia microscopului tunel cu
baleiaj (STM Scanning Tunneling Microscope). O diagram schematic a
evaporrii n cmp electric este prezentat n figura 4.18.
Sistemul const dintr-un electrod cu capt ascuit, fcut din wolfram, care
este controlat de o unitate de poziionare tridimensional (3D) ce are la baz un
sistem piezoelectric cu o rezoluie i o acuratee subnanometric i o surs de
curent continuu de civa voli.

Fig. 4.18 Modele pentru evaporarea n cmp electric: electrod cu capt ascuit
controlat de un dispozitiv piezoelectric de poziionare cu rezoluie subnanometric.
Pt indic fora de traciune datorit cmpului electric concentrat la marginea
ascuit.

120
 Piesa de prelucrat dintr-un material conductor este plasat sub electrod la
o distan de 0,1 nm sau similar. Intensitatea cmpului electric n spaiul de
lucru este de 51010 Vm-1, ceea ce creeaz o for de traciune sau de extragere
asupra unui atom ionizat de la suprafa de 51010 Vm-11eV=810-8N (1eV=1,6
10-19J).
Prin comparaie, fora de legtur asupra unui atom aflat n nodul reelei
cristaline este estimat a fi ~510-8N pentru Si, calculat pe baza energiei de
legtur atomice.
Din acest motiv ne putem atepta ca un atom aflat la suprafa s poat fi
ndeprtat de un asemenea cmp electric.
4.3.2 Procesarea cu fascicul de fotoni dirijat
Un foton este o particul elementar de energie, fr mas, i anume
cuanta de energie din legea lui Planck. Un foton are o energie egal cu h, unde
h este constanta lui Planck, 6,626 10-34 Js, iar este frecvena echivalent (Hz).
ntruct un foton poate fi considerat n acelai timp i ca o und
electromagnetic de frecven , lungimea de und echivalent a unui foton (m)
este dat de relaia:
l = c/v (4.18)
unde c este viteza luminii: 2,998 108 m/s.
Rezult de aici c lungimea de und a fotonilor dintr-un fascicul luminos
sau fasciculul laser este de ordinul 10 pn la 0,1 m pentru energiile fotonilor
n domeniul 0,1 10 eV. Pe de alt parte, lungimea de und a fotonilor din
radiaia X sau cea sincotronic este de ordinul 10 la 0,1 nm pentru energii
cuprinse ntre 0,1 i 1 MeV. O lungime de und a fotonilor poate fi considerat
ca o regiune n care ea exist.
n tabelul 4.1 i figura 4.19 sunt prezentate mai multe exemple de
procesare cu fascicul de fotoni, utiliznd fascicule luminoase, laser sau radiative.
Fasciculul fotonic proiectat local pe suprafaa piesei de prelucrat i transmite
energia electronului(ilor) exterior(i) al(ai) atomilor. Aceast energie este
transformat n energie termic de vibraie sau energie de activare chimic a
atomului care este ciocnit (lovit), dup cum se prezint n figura 4.20 (a) i (b).
Procesarea tip atom cu atom a unui atom cu un singur foton nu poate fi
realizat cu lasere obinuite; n locul ei se realizeaz procesarea termic cu
fascicul fotonic, prin cldura acumulat local la punctul de procesare, cldur
condus de la aria de proiectare a fasciculului fotonic.
Temperatura de saturare Ts (K) datorat cldurii concentrate la centrul
fasciculului proiectat este dedus din teoria conduciei cldurii ca (figura 4.21):
Ts=Q/(a)=qa/ (4.19)
unde:
Q - puterea intrat (J s-1);
- conductivitatea termic (J m-1 K-1 s-1);

121
 a - raza fasciculului de energie proiectat (m);
q - densitatea de energie intrat, Q/( a2) (Wm-2).
Tabelul 4.1 Tipuri de surse laser
Sursa Elementul Ionul Lungimea de und, l [m]
laser optic (energie fotonic, eV)
activ
Solid Rubin Al2O3 Cr3+ 0,694 3 (1,78) Impuls, 1J, medie
YAG Y3 Al5O12 Nd3+ 1,065 (1,15) max, 5 W
Sticl Sticl Nd3+ 1,065 (1,15) Impuls, continuu
40-50 w
Impuls, continuu
Semico GaAs GaAs - ~ 0,8 (1,53-) Impuls, continuu
n-ductor
Gaz CO2 CO2+He+Ne Ion de 10,63 (1,15) Continuu <5 kW
Ar Ar CO2 0,488 (2,51) Impuls, 40-100W-
Ar+ TEA
0,545 (2,24) CO2 (10-100 Hz)

He-Ne He-N2 0,633 (1,93) Continuu <5 kW

excimer (Xe, Kr, Ar) - 0,5-0,2 (2,44 Impuls, 1 kHz
+ +
+ Xe , Kr -6,12) 10W
(F, Cl, Br) Ar+ Pulverizare
fotonic direct

Fig. 4.19 Surse laser: (a) solid; (b) CO2 gazos (coaxial)

122
 Fig. 4.20 Mecanisme de transfer de energie fotonic

De exemplu, densitatea de energie termic q a unui fascicul de fotoni de

raz 0,2 m necesar pentru a realiza temperatura de evaporare de 1500 C
pentru oel inoxidabil este de ~2,5 1011 W m-2 cu =0,14 102 J m-1 K-1 s-1.
Fasciculele de fotoni din radiaiile X i sincrotronice, fa de cele laser pot
realiza evaporarea direct a unui atom de ctre un foton, din cauza energiei mari
a fotonilor, dup cum se arat n tabelul 4.1.
n afar de evaporarea termic datorat energiei fotonilor, exist mai
multa procese fotochimice reactive cum ar fi cele utilizate pentru plci
fotosensibile uscate i materiale plastice fotosensibile, n care reaciile sunt
cauzate de fotoni proiectai, dup cum se arat n figura 4.20 (c). fotonii
proiectai penetreaz prin suprafaa unui material fotosensibil transparent i
reacioneaz direct cu atomii fotoreactivi n drumul lor. Aceasta creaz un centru
pentru o imagine latent, de exemplu un atom de argint activat din fotografia cu

123
halogenuri de argint sau atomi activi polimerizai n materiale plastice
fotorezistive.

Fig. 4.21 Energia termic absorbit, distribuia i viteza de variaie a temperaturii:

(a) model pentru nclzire: Q, rata de energie intrat; , conductivitatea termic; ,
densitatea; c, cldura specific; t, timpul, a, raza fasciculului de energie; (b)
distribuia i gradientul de temperatur: Ts, temperatura de saturaie definit de
ecuaia 2.25; gradientul de temperatur = (0,84 0,254) Ts/a ~0,6 q/ ; (c) viteza de
modificare a temperaturii pentru o putere de intrare constant: tc, timpul
caracteristic de rspuns = a2/K, unde K este difuzivitatea termic = / c; (d)
modificarea distribuiei temperaturii cu densitatea puterii intrate.

Desigur, acurateea poziionrii ariei fotoreactive este limitat la domeniul

lungimii de und achivalente de-a lungul axei fasciculului de fotoni. Drept
urmare, pentru a crete rezoluia poziionrii se utilizeaz laserul cu argon i
laserul cu excimeri, cu lungimi de und scurte, de exemplu 0,2 m.
Aplicaii pentru acest tip de fotolitografiere pot fi ntlnite la fabricarea
plachetelor pentru circuite integrate (IC) cu textur foarte fin n domeniul
submicronic oi videodiscurilor master cu canale i spoturi foarte fine de ~ 1
m.
Recent au fost utilizate, de asemenea, fascicule de radiaii X i radiaie
sincrotronic pentru procesele fotoreactive. Aceste radiaii constau din fotoni
comparabili de nalt energie i, n consecin, cu lungimi de und echivalente
foarte mici, de ordinul nanometrilor. Aceste fascicule sunt utilizate cu succes n
gravarea sistemelor nalt integrate (LSI). Utiliznd astfel de fascicule de radiaii,

124
rezoluia gravrii poate fi mbuntit pn la ordinul a 10 nm, dar pentru a
realiza gravri de nalt rezoluie n domeniul subnanometric trebuie
mbuntit tehnologia postchimic de gravare (corodare) pentru developarea
imaginilor latente.
4.3.3 Procesarea cu fascicul electronic dirijat
n figura 7.22 se prezint schematic o instalaie de procesare cu fascicul
electronic focalizat; macanismul transferului de energie de la electro la atomul
piesei de prelucrat este schiat n figurile 7.23 i 7.24.
Procesul de baz realizat de un electron avnd energie cinetic l
constituie evaporarea termic a bucilor atomice. Electronii accelerai
proiectai asupra unei piese de prelucrat i transfer energia lor, n general, ctre
nveliul exterior al atomului i cresc energia termic de vibraie a nucleului.
Astfel, electronii ce posed energie pot s furnizeze efectiv energia necesar
pentru evaporarea termic ntr-o poriune foarte fin localizat a materialului
supus prelucrrii. Totui, este important de recunoscut faptul c electronul
proiectat este, n principal, absorbit n regiunea de penetrare n adncime i nu la
suprafaa materialului, dup cum se prezint n figura 7.23.

Fig. 4.22 Instalaie de procesare cu fascicul de electroni

Procesarea cu fascicul de electroni a fost dezvoltat iniial pentru gravarea

fin a plachetelor de semiconductoare precum i de realizarea de guri fine i
suprafee texturate pe diamant i alte piese preioase. Acest lucru s-a datorat

125
faptului c electronul avnd un diametru foarte mic de 2,8 10-6 nm (din punct de
vedere clasic) i o mas mic de 9 10-31 kg estimat din teoria electronic
clasic, poate fi uor focalizat ntr-un fascicul foarte ngust de civa nanometri
diametru i cruia s I se imprime o energie nalt de cteva sute de kilovoli (1
keV=1,602 10-16J).

Fig. 4.23 Mecanismul conversiei energiei fascicului de electroni dintr-un material

Fig. 4.24 Domeniul de penetrare a electronilor n material

Electronul incident de nalt energie este capabil s penetreze suprafaa

unui material supus prelucrrii prin reeaua structurii atomice, deoarece
diametrul su efectiv este mult mai mic dect distana interatomic de 0,2-0,4
nm. Electronii incideni penetreaz prin stratul superficial de la suprafa pn la
o adncime Rp (figura 4.24) unde cei mai muli dintre ei sunt absorbii.
Adncimea experimental i teoretic de penetrare este:
R p = 2,210 12 V 2 / (cm) (4.20)
unde V reprezint tensiunea de accelerare (n voli), iar , este densitatea
materialului penetrat (g cm-3).
De exemplu, adncimea de penetrare n oel pentru un electron avnd o
energie de 50 keV este ~7 nm, iar n aluminiu de ~ 10 m.

126
 Dup cum se arat n figura 4.24, numrul electronilor absorbii la
suprafaa materialului este foarte mic; sunt indicate adncimea ratei maxime de
absorbie Xe i centrul adncimii de absorbie Xd. n consecin, procesarea cu
fascicul de electroni prin evaporare termic nu este potrivit pentru gravare,
inscripionare fin sau alte prelucrri fine care necesit acuratee nanometric pe
suprafaa unui material.
n opoziie cu procesul de evaporare termic, procesarea cu fascicul de
electroni bazat pe activarea reactiv cu ajutorul unui fascicul electronic
focalizat, dup cum se prezint n figura 4.25, este larg utilizat n litografia cu
fascicul de electroni cu acuratee i rezoluie nanometric.

Fig. 4.25 Litografia cu fascicul de electroni: instalaia JBX-64 (tip scanare

vectorial) de expunere cu fascicul de electroni cu arie variabil.

Acest proces se bazeaz pe activarea materialelor electronic sensibile,

cum ar fi polimerii. Atomii din astfel de materiale sunt activai de electronii care
trec pe lng nucleu. Cu alte cuvinte, electronii incideni activeaz atomii
sensibili la aciunea electronilor, determinnd polimerizarea sau depolimerizarea
de-a lungul traseului strbtut de electroni. Procesul a fost utilizat pentru a se
realiza rezoluii de nalt dimensiune n domeniul subnanometric, ntruct nu
apare nici un fel de difuzie termic, iar mprtierea este neglijabil. De aceea,

127
un fascicul de electroni fin focalizat poate produce o gravare cu o acuratee
subnanometric n procesarea atom cu atom bazat pe activarea reactiv.
4.3.4 Procesarea cu fascicul ionic dirijat
O metod fundamental de procesare a materialelor care utilizeaz ioni
este prelucrarea cu mprtiere ionic. Echipamentul de baz pentru prelucrarea
cu mprtiere ionic este prezentat schematic n figura 4.26.
Mecanismul prelucrrii prin pulverizare/mprtiere este prezentat grafic
n figura 4.27. Ionii de gaz inert, cum ar fi ionii de Ar accelerai n cmp electric
pn la o energie medie de 10 keV (corespunznd unei viteze de ~200 km/s),
sunt orientai unidirecional i proiectai asupra suprafeei materialului de
prelucrat sub un vid nalt (1,3 10-4 Pa).
Spre deosebire de procesarea cu fascicul electronic, cei mai muli dintre
ionii proiectai interacioneaz cu atomii de la suprafaa materialului din cauz
c diametrul unui ion de Ar (0,1 nm) este comparabil cu distana medie
interatomic a atomilor aflai la suprafa i care este de ~0,3 nm. Drept
consecin, ionii proiectai se ciocnesc frecvent cu nucleele atomilor materialului
supus prelucrrii i expulzeaz sau mprtie atomii de la suprafa. Astfel,
procesarea este realzat n principal prin ndeprtarea materialului atom cu atom,
aceast procedur este numit gravare cu ioni difuzai sau prelucrare cu ioni
mprtiai.
n plus, cnd atomul mprtiat are o energie cinetic de cteva zeci de
electronvoli, care este mai mare dect cea a unui atom obinuit evaporat, se
poate realiza depunerea cu mprtiere ionic; atomul mprtiat, avnd o
energie peste potenialul barierei de suprafa, se ciocnesc cu un atom int
localizat n poziie opus i care ader mai puternic dect n cazul depunerii
obinuite din vapori.
Adncimea de ptrundere a unui ion de Ar incident avnd 10 keV este
estimat la a fi de civa nanometri sau de circa 10 straturi atomice, dup cum se
arat n figura 4.27. Pe de alt parte, ionii cu energi mai mari, de exemplu 100
keV, pot penetra mai departe prin reeaua atomic, devenind atomi interstiiali
sau substituionali n stratul superficial. Acest tip de proces de penetrare adnc
este utilizat pe scar larg pentru implantarea ionic, prin care impuriti de
dimensiune atomic sunt injectate n procesul de prelucrare a plachetelor
semiconductoare.
O dezvoltare recent o constituie amestecarea ionic, care folosete ioni
de nalt energie ai unor elemente diverse; metoda este larg utilizat pentru
tratamentul suprafeei sau modificarea suprafeei materialelor.
O alt dezvoltare o constituie procesarea reactiv care utilizeaz ioni de
nalt energie reactivi chimic. Astfel, ionii reactivi derivai din CCl4 sunt utilizai
pentru ndeprtarea Al sau CF4 pentru ndeprtarea Si, cnd aceti ioni posed i
energie mai mare, viteza de reacie este i ea cu mult mai mare.

128
 Sursele de fascicule ionice de tip plasm de nalt frecven sau tip
avalan ionic, utiliznd descrcare n curent continuu sau n rezonator de
microunde de 2,45 GHz, prezentate n figurile 4.28 i 4.29 sunt, de asemenea,
utilizate pe scar larg.

Fig. 4.26 Instalaie surs a fasciculului ionic: tip de fascicul ionic focalizat pentru
fabricarea lentilelor asferice

4.3.5 Procesarea suprafeei cu plasm

Plasma este definit ca o stare electric conductoare a gazelor n care
coexist un numr aproximativ egal de electroni i ioni pozitivi. n general, la
presiune atmosferic, plasma apare la descrcarea n gaze n arc electric la
temperaturi 10000 - 20000 K i este cauzat de recombinarea electronilor i
ionilor disociai. Totui, la presiuni sczute, plasma datorat descrcrii n
curent continuu sau excitaiei de microunde apare la temperaturi sczute n

129
comparaie cu cazul presiunii atmosferice; temperatura este determinat de
energia cinetic a electronilor i ionilor din starea respectiv.

Fig. 4.27 Model grafic pentru prelucrarea prin pulverizare cu ioni.

Fig. 4.28 Sursa de fascicul ionic: tip plasm de nalt frecven

130
Fig. 4.29 Sursa de fascicul ionic: tip avalan ionic (descrcare n curent continuu
i rezonator de microunde de 2,45 GHz)

Nanoprocesarea materialelor poate fi realizat utiliznd plasma la

temperaturi joase i presiuni reduse; mecanismul de procesare este similar celor
care utilizeaz fascicule de electroni i fascicule de ioni.
4.3.6 Procesarea suprafeei cu fascicul molecular
Acest tip de proces este realizat prin bombardarea direct cu atomi i
molecule obinui prin evaporare termic cu ajutorul unui fascicul de electroni n
vid naintat (10-7 10-8 Pa). Energia cinetic a atomilor sau moleculelor n
aceast stare este mult mai mic (~1 eV) dect n cazul mprtierii ionice a
atomilor neutri.

Fig. 4.30 Epitaxia cu fascicul molecular (MBE Molecular Beam Epitaxi)

131
Fig. 4.31 Creterea cristalelor cu fascicul molecular controlat prin intermediul unui
computer digital

Procesarea cu fascicul molecular n care buci atomice sunt depuse

direct se utilizeaz pentru creterea epitaxial a cristalelor pe plachete
semiconductoare, permind realizarea unui control foarte fin al grosimii i
compoziiei. Acest tip de procesare atom cu atom a permis dezvoltarea unui
proces de sintez pentru crearea materialelor cu superreele pentru componente
microelectronice.
Echipamentul tipic este prezentat n figurile 4.30 i 4.31.

4.4 Procesarea nanochimic i electrochimic

4.4.1 Conceptul de procesare chimic i electrochimic
Din cauza naturii reaciilor chimice, procesarea chimic este n mod
natural o procesare atom cu atom a materialelor. O reacie chimic reprezint o
modificare n combinarea atomilor, a moleculelor reactante, n care legtura
chimic a moleculelor reactante este desfcut i se genereaz o nou molecul.
De exemplu, moleculele cu legturi atomice H-H i O-O pot fi desfcute pentru
a se forma o nou molecul avnd legturile H-O-H.
n cadrul procesului, un gaz sau un lichid reactiv chimic este aplicat unei
poziii specifice pe suprafaa solid a materialului de prelucrat. Moleculele
reactive reacioneaz apoi cu moleculele suprafeei, iar moleculele reacionate
solubile ori ca vapori sunt ndeprtate sau difuzate n gazul sau lichidul reactant
nconjurtor. O astfel de procesare chimic a bucilor atomice are loc
uniform i la ntmplare pe suprafaa materialului, genernd o suprafa plan,
neted.
Dac moleculele care au reacionat sunt fie solubile, fie insolubile sub
form de vapori se formeaz un strat reactiv chimic pe suprafaa materialului;

132
dac ns moleculele reactante sau rezultate ca produi de reacie difuzeaz prin
straturile superficiale ale materialului supus prelucrrii i reacioneaz cu atomii
sau moleculele din strat, atunci se poate spune c s-a realizat un tratament
chimic reactiv al suprafeei.
Acurateea dimensional ce poate fi obinut (datorit erorilor aleatoare)
n procesarea chimic reactiv este n domeniul nanometric, n condiiile de
procesare stabil (temperatura i nivelul de turbulen n curgerea reactanilor i
a fluidelor implicate).
Pentru a se obine produse de ultraprecizie cu acuratee nanometric
(datorit erorilor sistematice) prin intermediul procesrii sau corodrii chimice
sunt necesare msuri in situ i control de feedback al poziiei punctului de
prelucrare i al volumului procesat (aria i adncimea). Totui, acest lucru este
dificil de realizat n practic.
n general, controlul poziiei punctului de prelucrare i al ariei pe care se
face trasarea se realizeaz cu o masc de gravare obinut prin metoda
fotorezistiv. Totui, controlul volumului sau adncimii de prelucrare poate fi
fcut numai prin reglarea timpului de procesare i a vitezei de curgere a
agenilor de corodare. Dei acest tip de proces chimic utilizeaz un control cu
bucl deschis fr msurtori i control in situ, acurateea sau precizia
dimensional este ct se poate de ridicat. Acest lucru se datoreaz faptului c
pentru reaciile chimice, viteza de procesare este foarte lent, iar rezoluia de
procesare foarte fin.
Pentru obinerea unei nalte acuratee de procesare, ar trebui dezvoltate
tehnici de msurare i control feedback in situ cu acuratee nanometric i care
s fie aplicate procesrii chimice reactive. Dei au fost dezvoltate mai multe
tehnici in situ de msurare i control ale sistemelor care utilizeaz emisii de
radiaii secundare la punctul n care are loc reacia chimic, acestea nu sunt nc
satisfctoare.
n acest subcapitol, reaciile chimice sunt considerate numai la nivel
macroscopic, care implic echilibru chimic i viteze de reacie, pe baza energiei
chimice poteniale datorate strii cuantice a electronilor din modelul Bohr.
Tratarea microscopic a reaciilor chimice utiliznd teoria cuantic, pe baza
funciei de und sau orbitalului atomic nu este discutat n prezentul subcapitol
ntruct procesarea atomic a materialelor nu consider n mod direct structura
mecanic-cuantic atomic. Acest subcapitol acoper i procesarea
electrochimic, deoarece reacia de baz este aceeai ca i n cazul altor procese
chimice obinuite. Totui, energia de activare pentru reacii este dat de
potenialul cmpului electric i difer de energia de activare obinuit din
reaciile chimice, care se bazeaz pe energia potenial termic.
4.4.2 Echilibrul n reaciile chimice
O reacie chimic poate fi definit ca un proces n care legturile
moleculelor reactante sunt rupte fiind generate noi molecule. Pentru a investiga

133
comportarea reaciilor chimice n materialele reactante, este necesar ca mai nti
s cunoatem tipul de legtur chimic predominant n molecula de reactant, de
exemplu ionic, covalent, metalic sau molecular (van der Waals). Apoi,
trebuie determinat gradul de echilibru al reaciei chimice i viteza de reacie.
n consecin, pentru procesarea chimic reactiv tip atom cu atom a
materialelor, este necesar selecionarea unui material reactant potrivit cu
materialul de lucru, prin considerarea gradului echilibrului chimic i mrimii,
vitezei de reacie.
a) Energia Gibbs i energia Helmholtz
Tratarea macroscopic a reaciilor chimice poate fi realizat pe baza
utilizrii energiei libere chimice a substanelor reactante.
n particular, energia Gibbs G, joac un rol important n strile gazoase.
Pe baza legii nti i a doua a termodinamicii, G este definit ca:
G = U + pV TS , (Jmol-1) (4.21)
unde U este energia intern a substanei reactante gazoase. Aceasta este o
energie natural a materialului considerat care provine din energiile cinetice de
micare liniar i de rotaie, din energia potenial dintre nuclee i electronii
periferici, energia nucleului i energia electrostatic i magnetic a cmpului
electromagnetic.
Mrimea pV este lucrul mecanic extern necesar pentru a menine
substana reactant la presiunea exterioar p i la volumul V.
Suma U + pV este denumit entalpia H, a substanei reactante. Termenul
final TS poate fi denumit energia entropic; T este temperatura absolut, iar S
este entropia, definit conform legii a doua a termodinamicii, care afirm c
toate fenomenele evolueaz ctre stri de entropie mai mare. Pentru solide,
variaia termenului pV n timpul reaciei chimice este neglijabil, astfel c se
poate defini energia Helmholtz F, astfel:
F= -TS+U, (4.22)
Aici U include energia termic datorit vibraiei atomice n jurul nodului reelei
din cristalul solid n loc de pV.
Entropia este determinat de gradul de dezordine a strii microscopice a
materialului i este exprimat de urmtoarea ecuaie a lui Boltzmann, utiliznd
costanta lui Boltzmann k=1,38 10-23 JK-1:
S = k ln W (4.23)
unde W este numrul de stri microscopice dezordonate ale materialului
considerat, iar S=0 la T=0 conform definiiei lui Planck.
n practic, entropia S poate fi definit n termeni de cretere a entropiei
dS dat de relaia:
dS = dQ / T (4.24)

134
unde incrementul de cldur, dQ, este cldura absorbit ntr-o transformare
izoterm a unei reacii chimice cvasistatice sau cldura care nu este disponibil
reaciei chimice (anergie); rezlt c energia Gibbs G a unei reacii chimice
conform ecuaiei 4.21 corespunde energiei poteniale chimice. Acest lucru arat
c ntr-o reacie chimic sistemul se va deplasa dintr-o stare de energie Gibbs
sau Helmholtz mai ridicat ctre o stare de energie joas.
b) Echilibrul unei reacii chimice
Starea de echilibru a unei reacii chimice este exprimat, n general, de
urmtoarea ecuaie pentru condiii gazoase la presiunea total p i temperatura
T:
aA + bB lL + mM (4.25)
unde A, B sunt formulele chimice ale reactanilor i L, M ale produilor de
reacie, iar a, b, l i m reprezint numrul de moli ai participanilor, determinai
de stoichiometria reaciilor chimice. Cantitile (concentraiiile sau presiunile
pariale) de A, B, L i m la echilibru pot fi determinate din bilanul de energie
Gibbs total G, ale tuturor substanelor considerate n reacie, i anume,
G = GRHS G LHS = 0 (4.26)
unde indicii subscrii se refer la partea stng i respectiv, dreapt a ecuaiei
7.25. Energiile libere totale ale prii stngi, respectiv drepte sunt exprimate
prin:
GL + G M = l L + m M
G A + GB = a A + b B (4.27)
unde L, M, A, B sunt energiile libere sau potenialele chimice raportate la un
mol, ale substanelor L, M, A i respectiv B. De aceea, la echilibru este valabil
relaia:
(l + m M ) (a A + b B ) = 0 (4.28)
Energia liber, pentru starea gazoas a lui L de exemplu, poate fi
exprimat prin:
L = 0 L + RT ln p L (4.29)
unde: 0L este energia liber a substanei L la presiunea atmosferic standard de
1 bar (J mol-1); R constanta gazelor (8,314 J mol-1K-1); T temperatura
absolut (K); pL presiunea parial a substanei L (bar).
Relaia 4.29 poate fi obinut pe baza urmtoarei proceduri:
La temperatur constant (dT=0) pentru un gaz ideal este valabil
urmtoarea ecuaie:
pV = nRT (4.30)

135
unde V este volumul, iar n reprezint numrul de moli ai gazului. Pentru aceast
condiie, variaia energiei Gibbs, dG, este exprimat prin:
dG=Vdp (4.31)
conform ecuaiei 4.21.
Astfel,
p
nRT p
G =
p
dp = nRT ln ,
p0
(4.32)
p0

c) Constanta de echilibru pentru starea gazoas i legea aciunii

maselor
Substituind L= 0L + RT ln pL i pentru ecuaiile corespunztoare lui M, A
i B n ecuaia de echilibru 7.28, vom obine:
(l 0 L + RT ln p L ) + m( 0 M + RT ln p M ) a( 0 A + RT ln p A )
b(l 0 B + RT ln p B ) = 0
Aceasta poate fi transformat n:

(l 0 L + m ln p L ) (a 0 A + b 0 B ) + RT ln (pL pM )(p a p b ) = 0
l m
(4.33)
L M

unde pL, pM, pL i pM sunt presiunile pariale ale lui L, M, A i respectiv B la

echilibru n stare gazoas.
Mrimea G, care corespunde variaiei de energie liber n stare standard
pentru gaze, poate fi exprimat prin:
G0 = (l 0 L + m ln p L ) (a 0 A + b 0 B ) (4.34)
Astfel, din ecuaia 7.33 avem:
G0 = RT ln K p (4.35)
unde:
(
l m
K p = pL pM
)
(p p ) ,
a b
A B
(4.36)

i, de asemenea,
K p = exp( G0 / RT ) (4.37)
Kp este definit drept constant de echilibru i reprezint raportul dintre
cantitatea de reactani i cea de produi de reacie, la echilibru.
Relaia din ecuaia 4.36 este denumit legea aciunii maselor.
Cu alte cuvinte, Kp este raportul dintre presiunile pariale (pL, pM) i (pA,
pB) la echilibru, pentru substanele gazoase. Kp este o constant care depinde de
temperatur, dup cum se observ din ecuaia 4.37.

136
 Dac starea solid este prezent n reacie, atunci legea aciunii maselor i
pstreaz forma dac se egaleaz presiunea parial a substanei solide cu l, care
corespunde strii standard. Pe de alt parte, pentru substane dizolvate n soluie
se aplic legea lui Henry:
p=kC (4.38)
unde: p este presiunea de vapori a solutului; C este concentraia solutului n
soluie; k este o constant de proporionalitate.
Atunci, se poate scrie urmtoarea relaie analoag cu cea pentru starea
gazoas:
(l ) = (g ) + RT ln p (4.39)
Astfel, i n acest caz legea aciunii maselor poate fi aplicat la fel.
Proporiile relative de reactani i produi de reacie sunt indicate de
constanta de echilibru, dup cum urmeaz: Kp>103>>1: produii de reacie sunt
predominani n amestecul de reacie; Kp<10-3<<1: reactanii sunt predominani,
iar cantitatea de produi de reacie este mic; Kp~ 1: reactanii i produii de
reacie sunt prezeni n cantiti similare.
4.4.3 Viteza reaciei chimice i energia de activare
Fie urmtoarea reacie chimic:
2HIH2+I2 , (4.40)
Viteza de reacie V este dat de:
V=-d[HI]/dt=k[HI] , (4.41)
unde [HI] este concentraia de HI i k este constanta de vitez a reaciei, care
poate fi determinat experimental utilizndu-se ecuaia lui Arrhenius:
ln k = a - bT
k=exp(a)exp(b/T) , (4.42)
unde t este temperatura absolut iar a i b sunt constante; b este egal cu Ea/R
unde Ea este o anumit energie de prag (barier de energie), iar este costanta
gazelor.
Teoria statistic a lui Boltzmann i Maxwell arat c numrul de molecule
cu o energie mai mare dect Ea este proporional cu exp (-Ea/RT).
Ecuaia lui Arrhenius arat c probabilitatea ca moleculele de HI s fie
disociate este proporional cu numrul de molecule care au energia mai mare
dect energia de prag Ea. Asta nseamn c atunci cnd energia liber a
moleculei de HI depete Ea la temperatura T, se consider c dou molecule de
HI se apropie sub o anumit distan care s le permit ciocnirea i s formeze
noile legturi ale H2 i I2. Aceast energie Ea este denumit energia de activare a
reaciei chimice. Astfel, n toate reaciile chimice, cele dou molecule reactante
trebuie s posede suficient energie liber potenial care s le permit

137
apropierea sub o anumit distan pentru a se putea ciocni. De aici, rezult c
viteza de reacie este limitat de probabilitatea ca o molecul de reactant s aib
o energie liber mai mare dect energia de activare Ea. Utiliznd acest concept,
viteza de reacie V poate fi exprimat prin intermediul urmtoarei ecuaii de tip
Arrhenius:
V = A exp( E a / RT ) (4.43)
unde A este o constant fundamental pentru viteza de reacie.

Fig. 4.32 Stri de energie liber

Mai mult, n cazul unei reacii chimice care implic strile de energie
liber G1 i G2, dup cum se poate vedea din figura 4.32, pentru ca reacia
G1G2 s aib loc trebuie ca starea G1 s ating starea de activare Ga, unde
Ga=G1+Ea. n acest caz, viteza de reacie este determinat cu ecuaia 5.43.
Invers, pentru o reacie chimic de la G2 la G1 viteza de reacie este dat de:
V = A exp[ (E a + G ) / RT ] (4.44)
Atunci, viteza de reacie net a sistemului este:
V V = A exp( E a / RT )[1 exp(G / RT )] (4.45)
astfel c, dac G>0, rezult V > V i reacia se desfoar de la starea G1 ctre
starea G2.
ntr-o reacie electrochimic, atomii ionizai din lichidele reactante sunt
accelerai de un cmp electric exterior pn la o energie cinetic
corespunztoare energiei de activare a reaciei. n plus, drumul mediu liber
dintre ioni devine mai mare dect n cazul micrii browniene obinuite i
probabilitatea ca atomii reactivi s se ciocneasc unul de altul crete. De aceea,

138
viteza de reacie ntr-un cmp electric este mai mare dect cea n absena
acesteia.
Pentru a realiza, n practic, o procesare chimic, trebuie s se fac apel la
date experimentale de ncredere din cauza dificultilor de a stabili un sistem
optim pe baze teoretice.

NOT: Studenii vor ntocmi o tem de cas cu subiectul Metode i

tehnici de prelucrare nanotehnologic.
Termen de predare 12.05.2007.

139
 ,NANOMATERIALECAPITOLUL 5
SISTEME DE FABRICAIE PENTRU NANOANSAMBLE
COMPUSE DIN COMPONENTE DE PRECIZIE
NANOMETRIC

5.1 Producia de ULSI

5.1.1 Introducere
Circuitele integrate (IC) reprezint prin ele nile produse care implic
microtehnologie foarte precis i este, de asemenea, fabricat cu o
microtehnologie foarte precis. IC au fost mbuntite continuu prin progresul
tehnologiilor de precizie din domeniul opticii, mecanicii, controlului .a.m.d.
Tehnologia IC a ptruns n tehnologia nanometric, cu alte cuvinte n
nanotehnologie. n figura 6.1 se prezint o seciune a unui circuit integrat
avansat, observat prin tehnica SEM. Dimensiunile microstructurilor pot fi
estimate cu ajutorul scalei de 0,25 m.
Circuitele integrate sunt
mbuntite an de an. n figura 6.2 se
prezint realizrile integrrii DRAM
(Dynamic Random Access Memory).
Situaia din 1995 a nivelului de
integrare a unui cip a fost dup cum
urmeaz: 128 Mbii i 256 Mbii n
producia curent, 512 Mbii la
producerea de prototipuri, 1Gb n faza
de cercetare. Conform cu evoluia
integrrii, denumirea memoriei IC a
fost schimbat din LSI (Large-Scale
Integration) n VLSI (Very Large-
Scale Integration) i respectiv ULSI Fig.8.1 Seciune transversal prin
(Ultra- Large-Scale Integration). circuit integrat, prototipul pentru
n figura 5.3 se prezint o 256 M DRAM, Hitachi, observat
cu ajutorul SEM (prin Hitachi
seciune transversal a unui tranzistor
Limited)
MOS (Metal Oxide Semiconductor) ce
formeaz un element al unui DRAM. Dimensiunea minim acceptabil n
proiectarea liniilor de circuit integrat se numete regul de proiectare, care
determin limea minim a liniei proiectate i distana minim dintre liniile de

140
circuit, cum ar fi desenul porii sau punctul de contact pentru conexiune, dup
cum se prezint n figura 5.3. Regula de proiectare adoptat n cele mai avansate
circuite integrate este de 0,35 m pentru ULSI de 64 Mbii i 0,25 m pentru un
ULSI de 256 Mbii.

Fig.5.2 Realizri n dezvoltarea circuitelor integrate: regula desenului (lime

minim a liniei), integrarea DRAM i sistemul de litografie.

Fig.5.3 Seciune transversal a unui tranzistor MOS cu canal N

5.1.2 Procesul de producere a circuitelor integrate

Un circuit integrat este fabricat pe baza unui proces ce este artat n figura
6.4. Procesul general de producere a unui circuit integrat are mai multe etape, de
la proiectarea circuitului la asamblare i ambalare, legate n serie sau n paralel,
n funcie de cerinele procesului. n procesul global, prelucrarea plachetei
constituie cel mai important pas, att timp ct nivelul tehnologic de prelucrare al
plachetei determin regula de proiectare a circuitelor.
Circuitul electric al unui circuit integrat este proiectat lundu-se n
considerare att proiectarea circuitului ca sistem, ct i ca element de circuit
individual pe baza aspectului fizic al componentei. Circuitul este pregtit printr-
un sistem de proiectare asistat de calculator (sistem CAD) sub forma

141
configuraiilor de masc corespunztoare subproceselor de prelucrare a
plachetei, care sunt stocate n memoria calculatorului. Conform acestor date,
mtile sunt desenate de ctre un sistem de expunere la un fascicul electronic pe
o plac de sticl.

Proiectare Realizare Desenarea Prelucrare Testare Asamblare

circuit configuraie mtii plachet plachet mpachetare

Fig.5.4 Sistem global de producie a circuitelor integrate.

Apoi, se prepar o felie" de Si dintr-un lingou, denumit plachet,

constituind suportul circuitului integrat. Placheta este lepuit, lustruit i
corodat mecano-chimic pentru a se obine o suprafa foarte plan, care s preia
o imagine bun a configuraiei mtii n procesul litografic, i n scopul atingerii
unor performane electrice bune.
Apoi, masca i placheta sunt trimise n procesul de prelucrare, unde
circuitul integrat este fabricat pe plachet. Procesul de prelucrare a plachetei va
fi descris n detaliu mai trziu.
Astfel, un circuit integrat este realizat ca un cip pe plachet. O plachet
ULSI conine cteva zeci sau sute de cipuri. Fiecare cip este testat electric de
ctre un tester IC: puterea i semnalele circuitului integrat sunt culese prin
intermediul unei sonde IC care se deplaseaz pas-cu-pas n mod automat de la
un cip la altul. Apoi, plachetele IC terminate sunt transferate n etapa de
postprocesare a produciei de circuite integrate, n postprocesare, placheta este
tiat n cipuri separate de ctre o main de decupat i mpachetate. Decuparea
se realizeaz prin tiere cu un disc de diamant rotativ, de-a lungul liniilor de
marcaj, care reprezint spaii pentru decupare dintre dou cipuri alturate.
Fiecare cip separat este legat la un cadru de plumb, iar electrozii de pe cip sunt
conectai la vrfurile electrozilor cadrului de plumb prin fire de Au de ctre un
dispozitiv automat de realizare a conexiunilor, iar n final, cadrul de plumb este
mpachetat cu un material polimeric sau ceramic.
Sonda IC, maina de decupat i instalaia de realizare a conexiunilor
ntmpin o aceeai problem i anume, gsirea unei linii de marcaj pe plachet
sau poziiile electrozilor pe cipul IC ntr-un timp scurt. Dimensiunea desenului
punctului de conectare i a liniei de marcaj nu poate fi foarte mic (un ptrat de
~ 30 m i respectiv 25 m), iar viteza de detectare a desenului este critic
pentru o prelucrare de productivitate nalt, n acest scop se folosete un sistem
automat de recunoatere a formelor. O alt problem comun o constituie
poziionarea sondelor pe testerul IC, a dispozitivului mainii de decupat i a
capilaritilor de legare a firelor, n aceste cazuri, pentru productiviti mari sunt
necesare o vitez i o precizie de poziionare mari.

142
 5.1.3 Prelucrarea plachetelor
Procesul de prelucrare a plachetelor conine o serie de subprocese, ntre
care tehnologia cheie o constituie litografia. Unele etape tehnologice
componente ale procesului pentru prelucrarea unei plachete (un ciclu conine
combinarea unui numr de subprocese nseriate pentru fabricarea unui singur
strat) sunt prezentate n figura 5.5. Secvena tipic a unui astfel de ciclu este
prezentat n figura 5.6.
Metoda fotolitografic este, n general, utilizat la fabricarea desenelor
circuitelor integrate pe o plachet, pe liniile de producie, iar litografia cu
fascicul electronic a depit nivelul de cercetare. Desenul iniial (master) al
circuitului IC este copiat pe plachet prin procesul litografic.

Foto-
litografiere

Cretere de
Plachet Corodare
strat subire

Depunere de Cretere
Dopare epitaxial
strat subire

Fig. 5.5 Etape de fabricare a porii MOS din siliciu

Desenul master al circuitului integrat pentru stepperul optic, componenta

principal a echipamentului pentru fotolitografie, este de cinci ori mai mare
dect desenul real realizat pe plachet i este denumit reticul" n loc de
masc", i este utilizat n cazul unui sistem de aliniere unul cte unul. n
procesul fotolitografie, desenul este expus pe placheta acoperit cu fotorezist.
Factorul cheie n copierea desenului l constituie puterea de rezoluie a
sistemului optic proiector, ce intr n alctuirea sistemul litografic. Puterea de
rezoluie se mbuntete cu scderea lungimii de und a sursei de lumin
utilizate pentru expunere. Linia g (465 nm) a lmpii de mercur de nalt presiune
cu arc a fost utilizat pe liniile de producie, iar ulterior s-a trecut la utilizarea
liniei i (365 nm).
n mod principial, un circuit integrat posed o structur multistrat.
Alinierea unui desen care trebuie s fie expus peste un alt desen deja realizat
anterior constituie o operaie care trebuie realizat n fiecare etap litografic.
Este permis o precizie a alinierii de 1/5-1/8 din limea liniei de circuit.
Placheta expus este developat pentru obinerea desenului ca o masc
pentru corodare sau dopare cu impuriti.

143
 Unele pri ale suprafeei plachetei de Si sunt corodate printr-o metod
fizic sau chimic. Pentru fabricarea liniilor mai nguste a fost mbuntit
corodarea conform cu cerinele de proiectare ale circuitelor. Corodarea fizic
constituie o tehnologie important pentru liniile mai nguste utilizate n ULSI,
fa de corodarea chimic folosit comparativ pentru linii mai largi. Corodarea
n plasm sau corodarea cu ioni reactivi este de asemenea folosit pe liniile de
producie. Pentru o corodare anizotropic fr deteriorarea stratului se folosete
metoda de corodare cu fascicul ionic de joas energie i curent nalt.
Dup litografie i corodare, prile corodate sunt dopate cu materiale cum
ar fi fosforul sau borul pentru realizarea de zone semiconductoare de tip n sau p,
utiliznd o atmosfer de gaze ce conine materialul dopant sub form de compus
chimic. Dopantul este difuzat ntr-o poriune determinat a desenului circuitului
prin aperturile unei mti. Pentru desenele mai fine utilizate n ULSI se folosete
metoda de dopare cu fascicul ionic sau implantarea ionic att timp ct
adncimea i densitatea difuziei pot fi controlate i comandate exact i este
posibil prelucrarea la temperatur joas. Fasciculele de joas i medie energie,
de 10-200 keV i curent 1-2 mA sunt folosite pentru doparea straturilor
superficiale sau de densitate redus de dopant. Doparea n zona porii unui
tranzistor MOS pentru controlul pragului a constituit o prim aplicaie. Pentru
dopajul de nalt densitate se utilizeaz un sistem cu fascicul ionic de curent
nalt (20-30 mA), cum ar fi pentru zonele surs sau de scurgere.
Sistemele cu fascicul ionic de energie mare (200 keV la l MeV) sunt
implementate pentru doparea mai adnc a straturilor. Performanele circuitelor
integrate vor fi mbuntite n continuare cu aceast tehnologie.
Fabricarea straturilor subiri este utilizat n unele faze ale procesului de
prelucrare a plachetelor, n principiu, un circuit integrat are o structur
multistrat, dup cum s-a menionat deja, iar realizarea celor mai mici uniti de
circuit, ca arie, a fost posibil pentru o nalt integrare numai pe baza unei astfel
de structuri. Unele dintre procedeele utilizate n acest scop sunt creterea de
straturi subiri, depunerea de straturi subiri i creterea epitaxial.
Pentru creterea straturilor subiri, oxidarea substratului de Si sau a
stratului de Si constituie o metod important pentru obinerea unui bun strat
izolator i o interfa stabil pentru alte materiale. Aceast metod este folosit
n diverse faze ale prelucrrii plachetelor, cum ar fi izolarea elementelor de
circuit, mascarea pentru difuzia impuritilor, izolarea porilor i pasivarea.
Pentru un strat de poart n ULSI este necesar un strat de 50 nm de metal sau
oxid metalic.
Depunerea de straturi subiri este folosit la fabricarea straturilor
izolatoare, a straturilor semiconductoare, a straturilor metalice i altele. Metoda
de depunere utilizat n fabricarea semiconductoarelor poate fi de dou feluri n
funcie de principiul utilizat.
Evaporarea n vid, depunerea prin pulverizare i placare ionic reprezint
variante ale depunerii fizice din vapori PVD (Physical Vapour Deposition). Prin

144
aceste metode sunt depuse metale, cum ar fi: Al, W i Ta sau anumii compui
chimici, pe stratul superficial al plachetei n unele faze ale procesului (straturi
izolatoare sau realizarea conexiunilor).
Depunerea chimic din vapori (CVD - Chemical Vapour Deposition)
constituie cellalt tip de metod de depunere. Un gaz ce conine materialul ce
urmeaz a fi depus sub forma unui compus chimic este descompus de o energie
furnizat sub form de cldur, plasm sau fotoni, n cele mai multe cazuri,
anumite straturi de siliciu policristalin sunt depuse cu ajutorul CVD.
Creterea epitaxial este tipic pentru realizarea de straturi subiri. Siliciul
monocristalin este crescut pe un substrat de Si. Aceast metod este folosit
pentru obinerea de Si cu impuriti sczute sau domenii de Si fr defecte.

Fig.5.6 Etape de fabricare a porii MOS din siliciu

145
 Aceste subprocese sunt combinate n ciclul de fabricare a unei plachete.
Ciclul este repetat de circa 12 ori. n general, o linie de producie conine 12
sisteme litografice corespunztoare fiecrui ciclu n operaie paralel. Apoi, este
important suprapunerea acestor 12 sisteme. Erorile de mrire, poziionare i
aliniere trebuie s fie luate n considerare n acelai sens i s aib aceeai
toleran.
n faza final de prelucrare a plachetei, desenele de conexiuni sunt expuse
dispozitivelor fiecrui cip de circuit integrat n parte, iar materialul de conexiune
este pulverizat peste desen pentru a realiza conexiunile dintre componente.
5.1.4 Verificarea desenului
O verificare de precizie a desenului este indispensabil pentru copierea
desenului n condiii stabile att pe masc, ct i pe placheta fabricat la nivel de
producie, precum i la nivel de cercetare. Mai nti sunt verificate mtile sau
reticulele nainte de utilizare n procesul litografic. Dimensiunile critice ale
desenelor, limea desenului, dimensiunile punctelor i erorile de distribuie ale
tuturor coordonatelor de poziie ale desenului sunt msurate de o main de
msurare optic a coordonatelor. Marginea desenului este detectat de sistemul
optic cu microscop optic i un scaner fant pe imaginea mrit sau prin baleierea
unui microfascicul luminos n loc de fant. mbuntirile optice au furnizat o
precizie mai mare de detecie a marginii, care determin repetabilitatea
msurtorii.
Dimensiunile sunt msurate de ctre un interferometru laser. Unele
corecii mbuntesc precizia de msurare a coordonatelor, cum ar fi
compensarea pentru lungimea de und laser, a dilatrii termice a probei, i
ncovoierea ei. Compensarea presupune msurarea arcuirii sau ncovoierii
probei i corecteaz msurtorile dimensionale ale coordonatelor ctre valorile
care ar fi trebuit s fie observate dac proba ar fi fost plan. Un exemplu de
specificaie a mainii este prezentat n tabelul 5.1.
Tabelul 5.1 Specificaii de reglaj pentru un sistem de cap VCR
Eroarea unghiului de atac [m] 3,0
Eroarea de rotaie [arcmin] 14,0
Distana de ieire [arcs] 25,0

n fabricarea ULSI desenul copiat pe plachet este msurat de ctre un

sistem cu fascicul electronic. Desenul, care are ca pai liniile de margine, este
scanat de ctre fasciculul electronic, iar electronii secundari datorai marginilor
sunt detectai. Pentru a se realiza o detectare mai precis a marginii se prevede o
oarecare prelucrare a semnalului.

146
 Tabelul 5.2 Specificaii ale unui sistem de inspecie a plachetelor; msurarea
dimensiunii critice Nikon cu SEM pentru CD-180 EB
Rezoluia 5 nm (tensiunea de accelerare 3kV)
Repetabilitatea 10 nm (3)
Dimensiunea plachetei 5 8 inch
Mrirea :
Microscop electronic de baleiaj 600 200000
Microscop optic 70 / 200

Fenomenul de ncrcare este una dintre cauzele primare de rezoluie

sczut n sistemele SEM n timpul observrii i msurrii specimenelor de
joas conductivitate, cum ar fi fotorezistul plachetei. A fost dezvoltat o metod
de unic detecie a electronilor secundari pentru a reduce aceast ncrcare,
metoda ESD (Environmental Secondary Electron Detector), ceea ce a
determinat o spectaculoas mbuntire a performanelor. Un gaz aflat cu
specimenul amplific electronii secundari emii de prob, iar ncrcarea este
restrns. Un exemplu de specificaie de main este prezentat n tabelul 5.2.
5.1.5 Tendine viitoare ale sistemelor litografice
Corespunztor cu progresul scalei de integrare a circuitelor integrate,
sistemele de litografie sunt mbuntite pentru a atinge rezoluii mai nalte.
Producia de 64 Mbii ULSI a fost pornit cu o surs de lumin de expunere cu o
linie i (365 nm) i un sistem de iluminare mbuntit (metoda iluminrii
pariale) pe aproape toate liniile de producie. Modelul de testare pentru studiu l
constituie un sistem de expunere cu fascicul de electroni, care a fost realizat
pentru scopuri productive. Pentru producia de mas se folosete o surs laser cu
excimeri de KrF (248 nm). Linia i poate fi folosit pentru producia de 1 Gbii,
dar n acest caz trebuie realizat o mbuntire a puterii de rezoluie. Masca prin
deplasarea fazei constituie o metod important pentru mbuntirea puterii de
rezoluie att pentru linia i, ct i pentru sursele laser cu excimeri ArF. Se
ateapt ca sistemul optic s creasc durata de folosire a unei liniei de producie
atunci cnd tehnologia de prelucrare-procesare nu va putea fi modificat prea
mult. Se realizeaz astefel l Gbit DRAM prin fotolitografie, gndind c
lungimea de und a expunerii va fi n domeniul UV ndeprtat al laserului cu
excimeri ArF (193 nm) i c ar trebui realizate unele mbuntiri pentru a se
obine o rezoluie mai nalt.
Totui, pentru realizarea unei linii de fabricaie de 0,1 m pe o linie de
producie pentru 4 Gbii ULSI, singura metod util a fost pe baza unui sistem
de raze X de micorare prin proiecie. Studii fundamentale, precum i
dezvoltarea unui sistem de proiecie de raze X au fost realizate. Pentru proiecia

147
razelor X, se folosete un sistem de oglinzi: lentilele optice nu pot fi folosite,
ntr-un sistem de oglinzi de raze X, exist o limitare foarte important:
reflectana finit a oglinzii. O reflexivitate mai mic de 0,01% se realizeaz cu
suprafee de sticl sau metale la un unghi de inciden aproape normal.
Acoperirea multistrat constituie calea pentru reflexia razelor X de lungime de
und ~ 10 nm, folosit pentru litografia de raze X. Un multistrat pentru razele X
este alctuit din dou tipuri de straturi subiri aplicate alternativ, cu o grosime a
stratului constant. Un multistrat Mo-Si cu 50 de straturi de perioad 10 nm
determin o reflectan de 60%. Reflexivitatea finit nu permite utilizarea mai
multor oglinzi n sistemul de proiecie.

Fig.5.7 Sistem de expunere prin proiecie cu raze X tip Schwarzschild

Radiaiile X sincrotroice (SOR - Synchrotron Orbital Radiation) sunt

utilizate ca surs, n cele mai multe cazuri, datorit marii lor puteri.
ntr-o prim etap sunt utilizate dou oglinzi sferice ntr-un aranjament
optic tip Schwarzschild, dup cum se prezint n figura 5.7. Oglinzile pentru
sisteme optice cu raze X, necesit o foarte nalt precizie. Pentru oglinda mare
prezentat n figura 5.7, sunt considerate ca potrivite, o precizie de 20 nm pentru
contur i o rugozitate a suprafeei de 0,5 nm la un diametru de 150 mm.
Pentru fabricarea i inspecia componentelor optice de raze X ar trebui
considerat nanotehnologia. n figura 5.8 este prezentat un desen realizat cu linii
i spaii ntre linii de 0,1 m, expus i developat pe un rezist PMMA. Acesta a
fost realizat de Nikon Corporation n colaborare cu Sortec Corporation n 1993.
Cu sistemul optic tip Schwarzschild utilizat ntr-un sistem pe o singur
ax, nu se poate expune o arie mai mare de 50 m x 50 m, datorit
distorsiunilor optice. Ca o mbuntire, s-a realizat o metod sincronizat de
baleiere a mtii i plachetei, precum i componente optice asferice pentru mai
multe aplicaii practice ale litografiei de raze X, dup cum se arat n figura 5.9.
Un cip este expus de-a lungul unui fascicul precis de raze X baleiat peste el
pentru a se obine o distorsiune minim a ariei. Expunerea are loc cip cu cip,
astfel c sistemul este denumit baleiaz-i-pete. ntre masc i plachet va fi
admis o precizie de sincronizare a baleiajului de 10 nm pe plachet.

148
 5.2 Discuri optice
Discurile optice se clasific n discuri ROM (Read-Only Memory),
discuri inscriptibile WO (Write On memory) i discuri reinscriptibile.
Discurile ROM au date prenregistrate numai pentru citirea acestora.
Astzi sunt utilizate pe scar larg CD, CR-ROM i LD.
n discurile WO, utilizatorii pot s-i incripioneze datele proprii pentru a
fi stocate, pe care le pot citi n mod repetat fr ns a putea modifica datele
memorate.
n discurile reinscriptibile, utilizatorii pot s-i inscripioneze datele
proprii i s le tearg pentru reinscripionarea datelor nmagazinate.
Structura fundamental a discurilor optice const dintr-un substrat
transparent optic pe care sunt formate canale submicronice i/sau puncte pentru
ghidaj, precum i dintr-un strat pentru nregistrare sau strat reflexiv. Procesul de
fabricare a discurilor optice este mprit n dou pri principale: procesul de
marcare i prelucrarea discului.

Fig. 5.8 Linie i spaiu de 0,1 m pe un fotorezist PMMA expus cu un sistem de

proiecie cu raze X, de ctreNikon i Sortec (prin Nikon Corporation i Sortec
Corporation)

149
 Fig. 5.9 Sistem de expunere de proiecie cu raze X tip baleiaj

Procesul de marcare realizeaz forma de imprimare care este folosit

pentru obinerea substraturilor discului optic prin turnare sub presiune. El const
din fotolitografie submicrometric i transferul configuraiei submicrometrice pe
o form de nichel.
Prelucrarea discului const din turnarea sub presiune pentru a forma
substratul i a stratului de nregistrare sau reflectant, precum i asamblarea.
Procesul de realizare a formei de imprimare pentru discul optic va fi
descris n detaliu n cele ce urmeaz. Sunt folosite tehnologii submicrometrice i
nanometrice.
n figura 5.10 se arat prelucrarea formei de imprimare (matriei) pentru
discul optic. Suprafaa substratului de sticl este finisat printr-o lustruire
extrafin. Rugozitatea sa este < 10 nm, iar planeitatea < 10 m. Etapele se
prezint dup cum urmeaz:
1. Substratul de sticl este curat cu ultrasunete, cltit cu ap deionizat
i uscat;
2. Fotorezistul este depus pe substrat prin centrifugare, folosindu-se ca
agent de cuplare silanul. Fotorezistul pozitiv este aplicat pentru a se forma
configuraia fin. Acest proces este similar cu cel aplicat
semiconductoarelor cu excepia grosimii fotorezistului;
3. Fotorezistul este expus la fascicule laser. Pentru CD, CD-ROM sau LD
se expune un rnd, spiral de puncte, cu un singur fascicul laser, iar pentru
discurile WO sau reinscripionabile sunt expuse la dou fascicule laser
canalele spirale i punctele adres localizate ntre canale. De regul, panta
rndurilor acestor canale este de 1,6 m;
4. Fotorezistul expus este developat i se formeaz desenele fotorezistului
pe substratul de sticl. Rezultatul acestei etape este denumit form de
sticl.
5. n figura 5.11 se prezint configuraiile formei de sticl a discurilor CD
i WO sau reinscripionabile. Aceste procese de expunere i developare
sunt cele mai importante n realizarea formei de imprimare.
6. Nichelul metalic este pulverizat peste forma de sticl pentru formarea
unui start conductor electric.

150
7. Utiliznd drept catod stratul de nichel pulverizat, se face
electroformarea n soluie de sulfamat de nichel. Grosimea stratului
electroformat este de 250 sau 300 m. Stratul de nichel depus prin
electroformare corespunde negativului formei de sticl.
8. Partea din spate a plcii de nichel electroformate este lustruit pentru a
reduce rugozitatea la < 0,3 m i pentru ajustarea grosimii, deoarece i
aceasta este transferat pe substratul din plastic prin injecie. Configuraia
suprafeei este acoperit cu un strat de protecie.
9. Placa de nichel lustruit este imprimat cu poansonul. Diametrul
interior i exterior este ajustat pentru maina de injecie.
10. Dup ndeprtarea stratului protectiv de pe suprafa i a fotorezistului
cu solvent i plasm de oxigen, se obine matria de presare.

Fig. 5.10 Prelucrarea matriei de imprimare a discului optic

151
 Fig. 5.11 Etaloane de sticl: (a) CD; (b) WO sau reinscriptibile

11. Procesul de fotolitografie a matriei de presare a discului optic va fi

descris n detaliu. Echipamentul de expunere conine un sistem optic cu
laser i un sistem mecanic de nalt precizie. Partea principal a sistemului
optic cu laser este prezentat n figura 5.12. Drept surs laser se utilizeaz
n general, un laser cu ioni de Ar (457,9 nm), dar se pot folosi, de
asemenea, i lasere cu ioni de He-Cd sau de Kr.
Puterea fasciculului laser poate fi comandat cu un modulator A-O
(Acustico-Optic), iar fasciculul este mprit n dou de ctre un divizor polarizat
(PBS - Polarized Beam Splitter). Puterea fiecrui fascicul este comandat i ele
sunt modulate de un modulator A-O sau E-O (Electro-Optic). Aceste fascicule
sunt folosite pentru expunerea desenelor canalelor i respectiv, a adnciturilor.
Semnalele modulatoare sunt furnizate de ctre un codificator CD sau un
generator de semnal preformat. Dup reglarea diametrului i poziiei fiecrui
fascicul prin expansoare de fascicul, cele dou fascicule sunt combinate printr-
un PBS. n continuare, se combin, de asemenea, cu cele dou fascicule un alt
fascicul de laser He-Ne, folosit pentru focalizare servocomandei. Aceste
fascicule sunt ghidate pe substratul de sticl prin lentila obiectiv. Pentru
expunerea canalelor i adnciturilor submicrometrice, fasciculele laser trebuie s
fie focalizate pe stratul de fotorezist astfel ca lentila obiectiv s fie acionat de
ctre servocomanda de focalizare.
Acest echipament necesit precizie mecanic nalt pentru rotaia sub-
stratului de sticl i deplasarea lentilei obiectiv. Folosirea unui arbore pe pern
de aer i a unui glisor pe pern de aer determin o precizie a rotaiei de civa
ppm i o deplasare radial de <1 % a desenului nclinrii longitudinale. n cazul
CD sau CD-ROM sunt formate adnciturile care au 9 lungimi, ntre ~ 0,9 i 3,3
m. Pentru discurile WO sau reinscriptibile n format ISO, se realizeaz canale
n form de V i adncituri-adres ntre canale de 1,6 m. Fabricarea canalelor
n form de V este dificil, ntruct ea necesit litografia de autotipie. Sunt
necesare un control i o comand precis a puterii fasciculului pentru expunerea
de autotipie i oprirea precis a developrii de autotipie. Developarea de
autotipie trebuie s fie oprit nainte ca developarea s ating partea de jos a

152
fotorezistului astfel c este automat comandat prin detectarea prezenei i
creterii difraciei a unui fascicul de monitorizare.

Fig. 5.12 Sistem optic cu laser pentru fotolitografia matriei de imprimare

Fig. 5.13 Simularea semnalelor canalului: (a) semnal de ghidaj transversal; (b)
semnal de contrafaz

Canalele n form de V sunt cile de ghidare ale discului optic. Semnalele

canalului i adnciturii sunt specificate de ctre standardele ISO. Semnalul

153
canalului, semnalul de ghidaj transversal i semnalul de contrafaz se modific
n funcie de limea i/sau adncimea canalului n form de V.
n figura 5.13 sunt artate rezultatele simulrii semnalelor canalelor.
Pentru obinerea unui semnal corespunztor sunt necesare canalele n form de
V cu limea de 0,4 m sau 0,5 m i adncime de 100 sau 110 nm, iar
adnciturile cu limea de circa 0,4 m sau 0,5 m i o adncime de 150 nm.
n figura 5.14 sunt prezentate fotografii SEM ale unei matrie de
imprimare n format ISO i o matri de imprimare CD.
Au fost dezvoltate discuri optice cu o densitate de nregistrare mai nalt.
S-au realizat prin colaborarea ntre ECMA sau ISO, standardizrile pentru
discurile cu o capacitate de memorie de 2-3 ori mai mare fa de cele uzuale i
de asemenea standarde pentru discurile CD-ROM de nalt densitate. Aceste
discuri optice prezint un ghidaj de divizare mai ngust i adncituri cu o
densitate liniar mai nalt vor fi fabricate n viitorul apropiat.

Fig. 5.14 Fotografie SEM a matrielor de imprimare: (a) matri n format ISO; (b)
matri de CD

5.3 Tub videocaptor de imagine (SATICON)

Inima unui sistem de televiziune o constituie un tub videocaptor al
camerei TV.
Acest tub este un traductor video optic, adic un dispozitiv proiectat s
converteasc imaginile optice n semnale electrice. Un Saticon este un tub
videocaptor fotoconductor cu o int pe baz de seleniu amorf. n figura 5.15 se
arat dou Saticon-uri: un tub de 18 mm cu focalizare magnetic i difracie
magnetic pentru sistemele convenionale i un tub de 24 mm complet
electrostatic pentru HDTV. n proiectarea Saticon-ului sunt luai n considerare
mai muli factori, cu scopul de a se obine imagini de nalt calitate. Unele
necesit tehnologii avansate de fabricaie, n acest subcapitol se descriu structura
de baz a intei Saticon-ului i tehnologia de fabricare aferent.
inta unui Saticon este ilustrat schematic n figura 5.16. Faa unei plci
din sticl de planeitate optic este acoperit cu un strat subire transparent i
conductor, care acioneaz ca un electrod de semnal. Apoi, peste electrodul de
semnal se depune un strat subire de oxid de ceriu (CeO2) pentru a face stabil

154
contactul de blocare, n final, pentru stratul de CeO2 se depune un strat subire
de material fotoconductor (stratul int al Saticon-ului). n principiu, inta
Saticon-ului este o int de blocare pe baz de seleniu amorf.

Fig. 8.15 Saticonuri: tub de 18 Fig. 8.16 Seciunea intei

mm pentru TV convenional unui Saticon
(n fa) i un tub de 25 mm

Curentul de ntuneric sczut i alte caracteristici ale unui Saticon sunt

produse de structura sa uniform de blocare, alctuit din faa plcii de sticl
plan optic, electrodul de semnal, stratul de CeO2 i stratul fotoconductor. Dac
stratul de CeO2 are o grosime < 5 m, el poate include defecte tip gaur de
ac", s formeze insule discrete sau s faciliteze injecia de goluri prin efect
tunel. Acestea reduc efectul de suprimare a curentului de ntuneric. Dac
grosimea stratului de CeO2 este mrit, curentul de ntuneric scade gradual, pn
la un minim, pentru care stratul are o grosime de ~ 30 nm. Absorbia luminii
incidente este, de asemenea, crescut, n scopul realizrii unei sensibiliti nalte,
stratul de CeO2 trebuie s fie ct de subire posibil ns, de asemenea, s menin
un curent de ntuneric sczut. Pentru inta Saticon-ului, stratul ideal are o
grosime de ~ 20 nm. Reducerea grosimii stratului de CeO2 conduce la creterea
curentului de ntuneric, astfel c placa de sticl i electrodul de semnal trebuie s
nu aib nici un defect care ar putea modifica grosimea local a stratului de CeO2
i ar produce pete n imaginea TV.
Neajunsurile seleniului amorf le constituie viaa sa scurt (datorit
cristalizrii) i insensibilitatea sa la lumina roie. Aceste probleme au fost
depite prin introducerea arseniului pentru a stabiliza seleniul n forma sa
amorf i prin dopajul su cu telur pentru a se mbunti sensibilitatea la rou.
Stratul int al Saticon-ului este alctuit din cinci substraturi, dup cum se
arat n figura 5.17. Primul i al doilea substrat formeaz o regiune fotosensibil,
i care are o grosime < 100 nm. Al treilea substrat furnizeaz un cmp electric
neted la ntregul strat, astfel c golurile fotoexcitate din regiunea fotosensibil se
pot deplasa liber ctre suprafaa prii de baleiere, el are o grosime de ~ 50 nm.

155
Al patrulea substrat micoreaz capacitatea de nmagazinare a intei pentru a
reduce defazajul descrcrii fasciculului. Al cincilea substrat previne injectarea
de electroni de la fasciculul de baleiaj i reduce emisia de electroni secundari. A
fost dezvoltat o tehnologie de evaporare multistrat pentru a face posibil
realizarea acestei structuri complexe.
n figura 5.18 se prezint schema evaporatorului. Substraturile, adic
feele plcilor de sticl acoperite cu un strat de electrod de semnal i un strat de
CeO2, sunt amplasate lng marginea unei mese turnante, care se rotete cu ~
150 rot/min. Mai multe bi de evaporare ce conin substane, cum sunt: Se, Fe i
As2Se3 sunt plasate sub masa turnant i fiecare este acoperit de o manta
prevzut cu deschidere n partea superioar. ntre fiecare manta i masa
turnant sunt introduse o diafragm obinuit i diafragm independent.

Fig. 5.17 Distribuia compoziional n structura de baz a intei Saticon

Diafragma obinuit comand nceputul i sfritul depunerii de la toate

sursele simultan. Diafragmele independente sunt regulatori de deschidere care
comand vitezele de depunere n mod separat. D1 i D2 sunt detectori plachet
din cristal de cuar pentru monitorizarea depunerii. Detectorul D1 este ataat
mesei turnante i trece prin spaiul dintre bi i regulatorii de deschidere.
Detectorul D2 este plasat pe masa turnant n aceeai poziie ca i substraturile,
n consecin, D1 ntotdeauna primete o depunere de la o baie, dar D2 este expus
surselor numai n timpul depunerii unui substrat. Frecvena de rezonan a
plachetei din cristal de cuar se modific atunci cnd primete o depunere.
Viteza de modificare a frecvenei de rezonan este proporional cu
viteza de depunere, iar modificarea total a frecvenei n timpul depunerii este
proporional cu masa stratului depus.
n figura 5.19 se prezint principiul de msurare. Frecvenele de oscilaie
a detectorului D1 se modific de la f0 la f1, atunci cnd monitorul trece peste o
baie de evaporare A i de la f1 la f2 dup trecerea peste urmtoarea baie B.

156
 Astfel, f 0 f1 = f A1 reprezint modificarea frecvenei datorit depunerii
de la baia A n timpul unei treceri, iar f1 f 2 = f B1 este datorit depunerii de la
baia B n timpul unei singure treceri. Grosimea total a depunerii de la baia A
poate fi calculat din f A = f A1 + f A2 + ... + f An unde f A1 , f A2 ,..., f An sunt
modificrile de frecven datorate primei, a doua, ...a n-a depuneri de la baia A,
iar cea de la baia B din f B = f B1 + f B 2 + ... + f Bn .a.m.d.
n acest mod, viteza de evaporare pentru fiecare baie poate fi detectat n
mod separat cu un singur monitor de cuar, un contor digital de frecven i un
calculator. Semnalele sunt transmise napoi la regulatorul curentului bii, iar
viteza de evaporare din fiecare baie este meninut constant n timpul depunerii.

Fig. 5.18 Construcia unui sistem de evaporare multistrat, comandat prin calculator

Fig. 5.19 Monitorizarea grosimii

157
 Viteza real de depunere i raportul compoziional pe un substrat sunt
detectate secvenial n timp, de ctre D2. Masa stratului depus n timpul
traversrii peste o baie de evaporare este determinat de viteza de evaporare din
baie i de timpul de expunere. Dei timpul maxim de expunere este limitat de
deschiderile din manta, timpul real de expunere este decis de combinarea
diafragmelor independente, fiecare dintre ele primind semnale determinate de
rapoartele compoziionale programate anterior.
Trebuie remarcat faptul c filmele depuse prin aceast metod nu sunt
amestecuri uniforme de materiale amorfe. Dac se utilizeaz seturi separate de
evaporatoare pentru Se, Te i As2Se3, filmul depus poate avea o structur
multistrat de forma Se-Te- Se-As2Se3- Se- Te-As2Se3-... . Proprietile fizice ale
filmelor multistrat de Se i As2Se3 amorf au fost, de asemenea, investigate, prin
modificarea grosimii unui singur strat t al fiecrui component, considerat drept
parametru, n timp ce proprietile optice au fost efectiv neafectate, cel puin n
legtur cu limea benzii optice, proprietile electrice au fost considerabil
diferite ntre t= 1 nm i t = 30 nm. Acest lucru sugereaz c barierele de
contact ntre straturile de Se i As2Se3 sunt desvrite n acest domeniu de
grosime. Analiza termic a indicat faptul c filmul multistrat cu t=l nm a fost
de o nalt uniformitate, dei nc s-au evideniat separri de microfaze.
Caracteristicile rspunsului spectral au fost chiar mai importante pentru un film
multistrat de Se i Te. Te cristalin pur are o band interzis foarte ngust de 0,3
eV. Dei, nu este uoar obinerea unui film amorf de Te, se poate presupune c
Te amorf are aproape aceeai lime a benzii interzise ca i Te cristalin. Mai
mult, se poate admite c banda interzis, Eg, n aliajul amorf SexTe1 x este dat
de E g = E g ( Se) x + E g (Te) (1 x ) . De aceea, dac fiecare strat individual este
suficient de subire, performanele filmului multistrat de Se-Te este probabil s
aproximeze pe cea a unui aliaj amorf. Acest lucru a fost confirmat de
caracteristicile rspunsului spectral ale intei.
Substraturile unei inte Saticon astfel depuse au aproape n totalitate
aceleai proprieti fizice ca ale materialelor amestecate uniform, atunci cnd
grosimea medie a fiecrui strat elementar este < l nm. n realitate, viteza de
evaporare este sczut, astfel c grosimea medie a unui singur strat al fiecrui
component poate fi < l nm.
O problem a sistemului este aceea c viteza de depunere pe un substrat
difer n funcie de distana fa de centrul de rotaie al mesei turnante. Acest
lucru se ntmpl deoarece, viteza de trecere peste baia de evaporare se
modific. Problema a fost compensat printr-o proiectare atent a configuraiei
spaiului deschis. Aceast metod a fcut posibil realizarea unui control perfect
al uniformitii laterale a grosimii fiecrui strat individual. Stratul int al
Saticon-ului poate, de aceea, s fie realizat cu o grosime uniform i pot fi
prelucrate, n acelai timp, un mare numr de plci.
Ca o metod alternativ pentru pstrarea unei viteze constante de
evaporare, se pot dispune n incinta vidat detectori fixai, anexai bilor de

158
evaporare. Curenii bilor de evaporare sunt comandai prin monitorizarea
constant a vitezei de evaporare independent de viteza mesei turnante.
n acest sistem, fiecare nveli trebuie s fie prevzut cu dou deschideri:
orificiul A pentru depunerea pe substraturi i orificiul B pentru detectorul de
monitorizare a vitezei de evaporare. Mrimea orificiului A poate fi modificat
prin surse diferite, fcnd posibil selectarea unui domeniu larg de viteze de
depunere. De fapt, cu aceast metod s-a realizat un dopaj de ordinul ppm.
Aceast tehnic de dopare a fost aplicat cu succes la fabricarea structurilor
pentru o int avansat, cu caracteristici superioare, inclusiv autoexcitaie nalt
i pe termen lung. Controlnd constituenii fiecrui strat, sistemele de evaporare
s-au folosit la producia de mas a tuburilor videocaptoare. Straturile int de
grosime uniform contribuie la sensibilitatea nalt uniform peste zona baleiat,
iar producia simultan a multor plci realizeaz caracteristici uniforme ale
tuburilor fiecrui lot.

5.4 Dispozitive cu cuplaj de sarcin (CCD)

CCD (Charge-Coupled Devices) este utilizat curent n dou aplicaii: una
este senzorul liniar n echipamentul de fax; cealalt aplicaie este de senzor de
arie pentru cmpurile foto. Camerele video au devenit un lucru obinuit, iar n
industrie, camerele video sunt folosite pentru inspecia cantitativ i ca sisteme
de imagine pentru de roboi, n transmisiile cu camerele TV, iar n domeniul
medical, sub form de camere video foarte mici n diagnosticri ale stomacului
la aplicaii de videotelefonie i la aparate de luat vederi electrice. n figura 6.20
se prezint un CCD de 1/3 inch (8,47 mm), 320000 (320 k)-pixeli (format PAL)
fabricat de Toshiba, iar n tabelul 6.3 se prezint specificaiile principale.
n figura 6.21 se prezint tendina pentru CCD estimat de ctre autori, n
comparaie cu tendina general pentru memoria DRAM. n general,
specificaiile principale pentru CCD sunt lungimea diagonalei (adic formatul
optic, de exemplu 1/3 inch) i numrul de pixeli (de exemplu 320000). Camerele
video domestice au devenit mai mici i mai uoare de la an la an, nsoind
scderea dimensiunii CCD. Printre dispozitivele MOS obinuite, cele DRAM
reprezint prima linie a tehnologiei. CCD-urile au reguli de proiectare similare
celor pentru generaia principal DRAM.
Ca exemplu, generaia 4 M DRAM corespunde celei de 1/3 inch, 270 000
- 350 000 pixeli pentru CCD. n CCD, mrimea a sczut de la 1,2 inch la 1,0
inch (12,7 mm), i ulterior la dimensiunea de 1/4 inch (6,35 mm). Producerea cu
succes a CCD de 1/5 inch (5,08 mm) a depins de mbuntirea sensibilitii lor.
Pe de alt parte, numrul de pixeli s-a plasat ntre 270000 - 400000. Pentru o
definiie TV nalt sunt utilizate CCD-uri cu cel puin 2 milioane de pixeli.

159
 Fig. 5.20 Forma exterioar i seciunea transversal a CCD (1/3 inch , 320000
pixeli, Toshiba)

Tabelul 5.3 Specificaiile principale pentru TCD Toshiba

Formatul optic 1/3 inch (8 mm)
Numrul total de pixeli 545 (0) 587 (V)
Numrul efectiv de pixeli 514 (0) 581 (V)
Mrimea imaginii [mm] 4,9 (0) 3,7 (V)
Mrimea celulei elementare 9,6 (0) 6,4 (V)
Filtrul color Tip mozaic complementar
mpachetarea 16 pin
Metoda de transfer Interlinie
Sensibilitatea [mV lx-1] 50
Tensiunea de saturare [mV] 600
Zgomotul curentului de ntuneric 1 (standard)
Defazajul imaginii [mV] 0 (standard)
Raportul de murdrire [%] 0,015 (standard), 0,03 (maximum)
Marginea de supraluminozitate 1000 de ori energia luminoas standard
Viteza obturatorului electric [s] 1/50 1/100000

5.4.1 Fabricarea i configuraia CCD

Un CCD este alctuit din trei pri: cipul de siliciu, filtrul de culoare de pe
cip i ansamblul. Aa cum se arat n figura 5.20, cipul de siliciu cu filtrul de
culoare este amplasat n interiorul ansamblului i este sigilat cu capac de sticl.
Cipul de siliciu, care este componentul principal al senzorului de imagine, are
patru circuite: fotodiodele (PD), CCD vertical (VCCD), CCD orizontal (HCCD)
i amplificator de direcie (SA) (fig. 5.22). Filtrul de culoare este format direct
pe cip prin colorare. Pentru a mri rezoluia de culoare, se folosete un

160
aranjament complementar de culoare, aa cum se prezint n figura 5.23.
Seciunea transversal i seciunea orizontal ale unui pixel sunt prezentate n
figurile 5.24 i 5.25. Celula elementar a unui pixel este mic: 9,6 m x 8,4 m
pentru CCD de 1/2 inch i 9,6 m x 6,4 m pentru CCD de 1/3 inch. Aria
expus a fotodiodei, limea porii i limea canalului ngropat sunt chiar mai
mici.

* Liniile pline reprezint generaia principal de DRAM-uri

* n producia de mas a CCD-urilor, regula de proiectare a DRAM pentru generaia considerat
pare a fi fost adoptat ntr-un an de la nceperea produciei de mas a DRAM-ului respectiv

Fig. 5.21 Tendina de dezvoltare a CCD n comparaie cu tendina general pentru

memoriile DRAM

Fig. 8.22 Configuraia CCD Fig. 8.23 Aranjamentul culorilor

161
 Fiecare fotodiod dintr-un pixel nmagazineaz sarcini (electroni)
proporional cu intensitatea luminii i transfer aceste sarcini ctre VCCD (fig.
5.22). Apoi, VCCD transfer aceste sarcini ctre etapa urmtoare utiliznd un
ceas tetrafazic (V1-V4). n acest fel, sarcinile unei ntregi coloane de pixel
sunt transferate ctre HCCD. HCCD transfer, la rndul su, aceste sarcini la o
vitez foarte mare ctre amplificatorul de direcie folosind un ceas difazic (H1-
H2). Acest amplificator amplific sarcinile pentru a comanda ncrcarea
exterioar. Toate sarcinile din coloanele de pixeli sunt transferate ctre HCCD n
timpul unei singure perioade de baleiere TV a cmpului.

Fig. 5.24 Seciune transversal printr-o celul elementar

Fig. 5.25 Construcia principial a VCCD

162
 n VCCD sarcinile sunt transferate, dup cum urmeaz. n figura 6.26 se
arat sincronizarea transferului pentru un VCCD. Mai nti, pentru cmpurile
impare ale baleierii TV, sarcinile din fotodiodele celor de al n-lea i (n+l)-lea
pixeli sunt transferate ctre VCCD-ul lor i combinate. Apoi, conform unor
impulsuri ale ceasului tetrafazic, sarcinile combinate sunt transferate etapei
urmtoare una cte una. Pentru cmpurile pare, sarcinile din fotodiodele celor de
al (n-l)-lea i n-lea pixeli sunt combinate i transferate. Informaia de culoare
conine un set de opt pixeli, aa cum se prezint n figura 6.23. Pentru cmpurile
impare, cele dou combinaii Gr +Ye i Mg +Ye sunt realizate ntr-o singur
linie a VCCD, iar celelalte dou combinaii Mg+Cy i Gr+Cy n linia nvecinat.
Pentru cmpurile impare, combinaiile Cy+Gr i Cy+Mg n linia
nvecinat. ntr-un receptor TV, informaia RGB (rou-verde-albastru) se
formeaz din combinaiile amintite, n regiunea spectrului vizibil, culorile
complementare sunt n general, dup cum urmeaz: Ye=R+G; Cy=B+G;
Mg=B+R (unde s-au folosit notaiile: R - rou, G - verde, B - albastru).

Fig. 5.26 Sincronizarea transferului pentru VCCD

5.4.2 Principiul CCD-urilor

a) Fotodioda
Cnd se aplic un impuls de comutare de cmp pe cea de-a doua poart de
polisiliciu, sarcinile libere din stratul n+ al fotodiodei sunt splate" ctre
VCCD; n acest fel stratul n+ este epuizat i vor fi stocate sarcini noi,
proporional cu intensitatea luminii din timpul urmtoarei perioade de baleiaj
TV a cmpului. Cnd lumina este focalizat pe fotodiod, electronii din banda
de valen absorb energia luminoas i sunt excitai ctre banda de conducie.
Acest lucru duce la crearea de perechi de electroni i goluri. Golurile sunt scoase

163
ctre stratul p+ al fotodiodei i ctre canalul opritor, care nconjoar fotodioda),
iar electronii sunt stocai n stratul n+ al fotodiodei. n figura 5.27 se arat curba
de potenial a fotodiodei.
b) VCCD
Mai nti, este necesar ndeprtarea tuturor sarcinilor libere din canalul
ngropat de tip n al VCCD. Acest lucru se realizeaz prin aplicarea unui impuls
pozitiv la partea de sus a porii VCCD, care are o tensiune de scurgere nalt
(OD), dup cum se observ n figura 5.22. n acest fel, straturile canal ngropate
de tip n ale VCCD sunt epuizate i vor avea sarcini pozitive. n figura 5.28 se
arat curba de potenial al VCCD. Pentru a se transfera sarcini ctre etapa
urmtoare, se aplic o tensiune de poart negativ n scopul fixrii prii
inferioare a potenialului la ~ 0 V. Dimpotriv, pentru a primi sarcini, tensiunea
de poart este fixat la 0 V iar partea inferioar a potenialului este adus la o
tensiune pozitiv.

Fig. 8.27 Profilul potenialului al Fig. 8.28 Profilul potenialului al

PD VCCD
c) HCCD
HCCD este diferit de VCCD din trei motive: (1) canalele ngropate ale
unui HCCD sunt alctuite din dou tipuri, n i n-, conform figurii 5.29, iar n
starea lor epuizat, potenialele ambelor straturi sunt diferite; (2) HCCD este
comandat de un ceas bifazic; (3) viteza de transfer este mult mai rapid dect n
cazul VCCD. Pentru transferul sarcinilor ctre etapa urmtoare, fazele H l i
H2 sunt fixate la 0 V, respectiv la 5 V. Sarcinile stocate n stratul n al H1 sunt
transferate ctre stratul n al H2, dup cum se observ din figura 5.29.
d) Amplificatorul de direcie
Amplificatorul este construit din surse de urmrire n dou etape, un
condensator variabil, circuit-poart de resetare i un circuit-poart de ieire,
dup cum se arat n figura 5.30.

164
 Circuitul de poart al sursei de urmrire, n prima etap este conectat la
condensatorul variabil, ce constituie sursa porii de resetare. Circuitul poart de
ieire, amplasat ntre condensatorul variabil i poarta final a HCCD, blocheaz
sarcinile de la HCCD. Pentru a se furniza un potenial de referin pentru
condensatorul variabil, se aplic un impuls de resetare circuitului-poart, astfel
nct potenialul condensatorului variabil devine egal cu potenialul de scurgere.

Fig. 5.29 Structura de baz a HCCD

Cnd poarta final a HCCD este fixat la 0 V, sarcinile se deplaseaz

ctre condensatorul variabil, micorndu-i potenialul prin sarcinile negative.
Diferena de potenial fa de referin este amplificat de ctre sursele de
urmrire, n dou etape.

Fig. 5.30 Sincronizarea HCCD

165
 5.4.3 Procesul de fabricaie
n figura 5.22 arat seciunea transversal a unei celule elementare, iar n
tabelul 5.4, fluxul global de prelucrare a CCD-urilor.
a) Prelucrarea plachetelor
Fotodioda are patru straturi de impuriti n direcia longitudinal a
siliciului: p+, n+, a treia cavitate P i substratul n. Substratul n este, de regul,
un strat crescut epitaxial pe baza substratului de tip n pentru prevenirea
vrtejurilor, adic a defectelor de imagine care arat ca nite arcuri. A treia
cavitate P este format de ctre un implantator Mev, iar adncimea sa este de 3 -
4 m de la suprafaa siliciului. Straturile p+ i n+ sunt formate printr-un proces
de implantare cu autoaliniere, aplicat porii de polisiliciu. Pentru a forma stratul
n+ se folosete un implantator Mev pentru a se stabiliza cantitatea de impuriti,
conducnd la o tensiune de saturare stabil a semnalului (Vsat).
Stratul p+ are trei funcii importante. Prima, este de a reduce curentul de
ntuneric generat de strile de suprafa la 1/5 - 1/6 din cel fr stratul p+. A
doua funcie este de a ndeprta efectiv defazajul imaginii prin meninerea
potenialului p+ la 0 V. A treia este aceea de a face posibil descrcarea rapid a
sarcinilor fotodiodice ctre scurgerea de suprancrcare prin meninerea
potenialului p+ la 0 V n sincronizarea nchiztorului electronic, fcnd posibil
nchiderea cu vitez variabil.
Funcia celei de a treia caviti P este de a scoate" rapid sarcinile
suplimentare ctre scurgerea de suprancrcare. Dac acest lucru nu este fcut
cnd fotodioda este expus luminii puternice, imaginea de pe ecranul TV va
avea o supraluminozitate datorat sarcinilor suplimentare care ptrund n VCCD
de la fotodioda suprancrcat.
VCCD-ul are cinci straturi de impuriti: canalul ngropat de tip n, prima
cavitate P, a doua cavitate P, a treia cavitate P i substratul n.
Tabelul 5.4 Fluxul tehnologic pentru CCD
Proces Remarci
Proces plachet de siliciu Formarea senzorului de siliciu pentru imagine
Prelucrare filtru color pe cip Formarea filtrului color pe cip
Primul test Selectarea cipurilor bune pentru mpachetare
mpachetarea Asamblarea cipului cu filtru color pe un ansamblu
Al doilea test Testul final nainte de expediere

166
 Fig. 5.31 Relaia dintre proporia de murdrire" i grosimea primului izolator

Sub canalul de tip n ngropat se formeaz prima cavitate P pentru a se

evita neregularitile care apar ca pete strlucitoare. Filmul de oxid al porii este,
de regul, oxid crescut termic sau ONO (oxid-nitrur-oxid). Grosimea porii este
mai mare dect cea pentru DRAM sau reeaua de poart (11-15 nm), deoarece se
aplic o tensiune mai mare, iar curentul de scurgere trebuie s fie minimizat.
Prima i a doua poart n+ din siliciu poli-cristalin se suprapun, aa cum se
arat n figura 5.25, pentru a realiza transferurile de sarcin n mod lin.
Primul strat de metal este format pe primul strat izolator pentru a proteja
VCCD de lumin. Este necesar realizarea unei grosimi < 300 nm pentru
reducerea neregularitilor. Pentru a se reduce n continuare efectul de
murdrire" datorat neregularitilor, grosimea izolatorului ar trebui fcut ct
mai mic posibil, aa cum se arat n figura 5.31. De regul, materialul primului
strat de metal este din Al, W sau alte metale grele. Chiar un defect tip vrf de
ac" de 5 nm poate determina un defect de imagine. De aceea, peste primul strat
de metal se aplic un al doilea strat metalic de protecie. Izolatorii sunt depui pe
metal pentru a se forma un plan neted i pentru a proteja metalul.
Pe partea superioar a cipului de siliciu se depune un film de nitrur
pentru a bloca penetrarea de ctre metalele grele sau metalele alcaline cum ar fi
Na, pentru a preveni infiltrarea umiditii i pentru a reduce strile de suprafa
ale siliciului.
n tabelul 5.5 se sumarizeaz grosimile filmelor i toleranele lor.
b) Filtrul color
n CCD-urile color, o singur culoare este atribuit de la galben, azuriu,
purpuriu i verde pe fiecare pixel. Deasupra acestuia este format o microlentil.
Filtrul color este format direct pe cipul de siliciu. Mai nti, se acoper stratul de
baz pentru a se realiza o suprafa neted. Apoi, se acoper cu un strat de
vopsire, de regul capein, care se graveaz printr-un proces de fotogravare.
Partea rezidual este vopsit prin imersare ntr-un lichid de vopsire. Apoi, stratul
intermediar este acoperit, n mod separat ntre straturile vopsite superior i

167
inferior. Pentru a se reduce grosimea filtrului color, stratul intermediar poate fi
omis printr-un tratament special al straturilor vopsite, adic tratament de culoare
fixat.
Tabelul 5.5 Grosimile filmelor folosite n general la CCD-uri
Grosimea Variaia grosimii [3]
filmului [nm]
Oxidul porii 60-100 3-5
Siliciul policristalin pentru poart 300-600 30-60
Primul izolator 100-300 10-30
Primul metal 400-1000 40-100
Al 2-lea izolator 350-1000 35-100
Al 2-lea metal 500-800 50-80
Al 3-lea izolator 350-500 35-50
Pasivare 350-500 35-50

Dup repetare depunrii a trei straturi

alternate de strat vopsit i strat intermediar,
stratul de sus este acoperit pentru protecie i
se formeaz o microlentil ale crei grosime
i form sunt comandate ca s focalizeze
lumina pe fotodiod. Culoarea verde este
produs prin suprapunerea galbenului i
azuriului. Grosimea total a filtrului color
este ~ 6-9 m.
c) mpachetarea
Dup ce filtrul color este format, se
efectueaz un prim test pentru a elimina cipurile
de calitate inferioar.
Numai cipurile bune sunt mpachetate, n
figura 5.32 se prezint procesul de mpachetare,
care const din decupare n ptrele, montare,
realizarea conexiunilor, fixarea calotei de sticl
i sigilarea, n timpul procesului, dac o particul
de l m se depune pe fotodiod, performanele
cipului vor avea de suferit. Astfel c procesul de
mpachetare trebuie s fie condus cu grij pentru
a se preveni depunerea de particule strine pe
cipuri. n particular, achiile de siliciu produse n
Fig. 8.32 Fluxul procesului
urma procesului de decupare sunt ndeprtate cu
de mpachetare
mare grij.

168
 d) Testarea
Pentru CCD-uri sunt realizate dou teste. Primul este efectuat la
temperaturi ridicate, pentru a se detecta defecte cum ar fi curenii generai de
defectele cristaline din siliciu. Al doilea test este condus la temperatura camerei
pentru detectarea defectelor rezultate de la mpachetare i defecte cum ar fi
prezena configuraiilor fixate n liniile verticale, care sunt uor de detectat la
temperatura camerei. Dei, testarea automat n nlocuirea inspeciei vizuale
realizat de oameni este important din punct de vedere al economiei i
exactitii, este dificil i consumatoare de timp, n timp ce ochiul uman poate
detecta defecte de 100 nm, precum i mici neregulariti ale imaginii.
5.4.4 Nanotehnologia n producia de mas a CCD
Exist trei aplicaii ale nanotehnologiei n producia de mas a CCD-
urilor:
(1) tehnologia ce implic cureni de semnal foarte mici de l fA - l pA;
(2) tehnologia implicat n procesul global de eliminare a defectelor de
imagine, cum ar fi defectele de 100 nm i neregularitile observabile
ale imaginii;
(3) tehnologia care a necesitat realizarea preciziei de aliniere i prelucrare
a fiecrui element de 300 nm.
a) Tehnologia curenilor foarte mici
n figura 5.33 se arat relaia dintre tensiunea de ieire a amplificatorului
i numrul electronilor de intrare, n care sunt prezentate defectele principale.

Fig. 8.33 Relaia dintre numrul Fig. 8.34 Defectele imaginii

electronilor de intrare n SA i tensiunea
de ieire, n care sunt reprezentate
defectele principale
Relaia dintre numrul electronilor de intrare (sarcini combinate a dou
fotodiode) n amplificator i suma curenilor generai n dou fotodiode n
timpul unei perioade de cmp a baleiajului TV este:
q
I = n ,
t

169
unde: I este suma curenilor generai n cele dou fotodiode (A); n - numrul de
electroni stocai n dou fotodiode n timpul unei perioade de baleiaj TV; t -
timpul unui baleiaj TV; q - sarcina unui electron, 1,6 1019 C . Dac t = 20 ms i
n = 125, rezult I = l f A.
Relaia dintre tensiunea de ieire i numrul electronilor de intrare este:
V = ns,
unde V este tensiunea de ieire (V), iar s este sensibilitatea amplificatorului
1 1
( Ve ). Dac s = 16 Ve i n = 125, rezult V = 2 mV. Defectele principale n
CCD, nivelurile curenilor lor i msurile preventive sunt discutate mai jos. n
figura 6.34 se ilustreaz defectele imaginii.
1. Linii verticale. Liniile verticale fine sunt n general cauzate de curenii
de scurgere de > 0,1 f A (13 electroni) de la poarta VCCD sau de un
transfer defectuos de la VCCD la HCCD. Msurile preventive includ
folosirea unei pori de oxid cu o structur de scurgere sczut i o
concentraie a intensitii cmpului sczut sau ONO, i realizarea cii
de transfer a sarcinilor n mod omogen, astfel nct deplasarea
electronilor s nu fie obstrucionat.
2. Zgomotul curentului de ntuneric. Acesta apare ca zgomot al imaginii
cu strlucire sczut i este, de asemenea, denumit zgomot de
configuraie fix. El este creat de curentul generat de strile de
suprafa (~0,75-1,5 fA, sau 94-195 de electroni la 60C).
Contramsurile includ reducerea contaminrii cu metale grele,
recoacerea ntr-un gaz inert, eliminarea legturilor rezonante din
structurile siliciului i formarea unui strat p+ pe un strat n+ al
fotodiodei.
3. Defectele pixelului
a. Pete albe. Acestea apar din cauza curenilor generai de defectele
cristalului de siliciu prin contaminare cu metale grele sau de ctre
interaciunea complex a deteriorrii i contaminrii de implantare.
Curentul implicat este de ~ 1,5 - 3 fA (105-375 de electroni la
60C). Contramsurile principale sunt: (1) utilizarea unui substrat
de tip n care are un strat cu o concentraie sczut de oxigen, cum
ar fi un strat crescut epitaxial pentru a crea un strat intrinsec de
evaporare a degazorului n substratul de baz de tip n; (2) reducerea
contaminrii cu metale grele n toate procesele; (3) de a realiza
degazarea aproape de sfritul procesului; (4) pstrarea numrului
de impuriti n stratul n+ al fotodiodei, ct de mic posibil, astfel
nct s fie satisfcut Vsat.
b. Pete negre. Acestea sunt cauzate, n principal, de ctre particulele
de pe fotodiod. O proiecie a proeminenei Al n fotodiod sau o
adncitur n linia de protecie metalic poate, de asemenea, cauza

170
 o pat neagr. Curentul implicat este peste ~ 5 f A (625 electroni).
Contramsurile includ minimizarea particulelor strine n toate
procesele de fabricare a plachetei pn la mpachetare.
4. Deficien a Vsat . Aceasta apare ca o neregularitate n contrast i
este cauzat de o deficien n numrul de impuriti n fotodiode
n+ i variaiile de concentraie n cea de-a treia cavitate P. Pentru o
valoare Vsat de 600 mV sunt stocai 3,75 10 4 electroni n cele
dou fotodiode. Principala contramsur este de a stabiliza procesul
de implantare prin utilizarea unui implantator Mev. Dac
comparm numrul electronilor de intrare din amplificatorul unui
CCD cu cel pentru o memorie 4 M DRAM (care stocheaz ~ 6 105
electroni ntr-un condensator unitate de ~ 40 fF pentru a obine o
tensiune de 2,5 V), vedem c electronii de semnal din CCD sunt
mult mai mici ca numr. Numrul electronilor n CCD-uri este de ~
1/6000 -1/16 din cel pentru memoriile DRAM. De aici, pentru a
reduce curentul generat de defectele din siliciu la un nivel de 1,5
fA, se pare c este necesar, cel puin, reducerea contaminrii cu
metale grele la un nivel de 1010 atomi cm-2.
b) Tehnologia de a preveni neregularitile imaginii
1. Linia orizontal. Aceasta apare ca o linie fin neagr i este cauzat de
neregularitile din desenul mtii. Dac aceasta apare, desenul mtii
trebuie s fie verificat pentru neregularitile >100 nm.
2. Linia diagonal a filtrului color. Acest defect apare sub form de linii
diagonale fine la colurile imaginii i este determinat de o
neuniformitate de ~ 50 nm n grosimea acoperirii superficiale, care
este rezultatul neuniformitii desenului cipului de siliciu.
3. Tremurul culorii, ntre cmpurile pare i impare ale baleiajului TV,
semnalele purttoare de informaie a culorii sunt transferate ntre
diferite combinaii de pixeli. Din acest motiv, dac semnalele au
magnitudini diferite, acest lucru se manifest ca un tremur n culoare.
Contramsura este de a reduce variaia dintre pixeli n spectrul de
culoare.
4. Defecte fine. Un defect de 100 nm poate fi vizibil ochiului. De aceea,
manipularea este realizat cu atenie n toate procesele, n special la
mpachetare. Aceste defecte sunt verificate de ctre ochiul uman foarte
sensibil, n alte dispozitive, fr imagine, aceste defecte nu creeaz
probleme.
c) Tehnologia de realizare a preciziei alinierii i a elementelor de lucru
n prelucrarea plachetei

1. Precizia n aliniere i prelucrare, n tabelul 5.6 se indic intele

estimate pentru precizia de aliniere i a elementelor de lucru n CCD, n

171
comparaie cu cele generate pentru memoriile DRAM. Regula de proiectare
pentru CCD-uri este aproape aceeai ca i cea pentru DRAM. Totui, n
memoriile DRAM dimensiunea minim de lucru este lungimea corodat a porii
HCCD, indicat prin L n figura 5.29. Mai mult, separarea dintre celulele
elementare este realizat ntr-o manier diferit, n memoriile DRAM, separarea
dintre celulele elementare este efectuat, de regul, de izolatorii cum ar fi
oxidarea local a siliciului (LOCOS - LOCal Oxidation of Silicon) i de
impuritile implantate dedesubt, n CCD-uri, totui, se efectueaz numai. de
ctre impuritile implantate denumite i opritori canal. Acest lucru este din
cauz c n CCD-uri nu exist conexiuni ntre pori, care s traverseze zonele de
separaie. Separarea semnalului ntre liniile nvecinate ale VCCD este afectat
de erorile de aliniere n procesul de implantare n aceste celule nvecinate.
Tabelul 5.6 inte estimate pentru regula de proiectare i precizia de aliniere i a
elementelor CCD de lucru, n comparaie cu cele generale utilizate pentru
memorii DRAM
CCD 1/2/270k 1/3/270k 1/4/270k 1/5/270k
1/2/350k 1/3/350k 1/4/350k 1/5/350k
DRAM 1M 4M 16 M 64 M
Regula de proiectare 1,0 0,8 0,5-0,6 0,35-0,40
Precizia alinierii 0,30 0,20 0,10-0,12 0,060-0,080
Precizia de lucru 0,30 0,20 0,10-0,12 0,060-0,080

Aa cum se arat n figura 5.35, sarcinile semnal din fotodiod pot trece n
trei deschideri diferite atunci cnd erorile de aliniere i concentraie distribuit a
impuritilor implantate depesc anumite limite de prag. Prima este deschiderea
ctre propriul canal ngropat, cnd se aplic porii impulsul de comutare. A doua
este deschiderea ctre scurgerea de suprasarcin atunci cnd o lumin intens
cade pe fotodiod. A treia este calea ctre canalul ngropat nvecinat, care atunci
cnd este preluat poate determina un defect. Acesta poate fi cauzat de o eroare a
alinierii de > 300 nm n prima cavitate P.
2. Unghiul fasciculului ionic n procesul de implantare. Unghiul
fasciculului ionic la implantarea straturilor n+ i p+ ale fotodiodei are un efect
mare asupra mrimii impulsului tensiunii de comutare a cmpului (Vfs), care
este tensiunea la care defazajul imaginii este zero. n figura 6.36 se arat relaia
dintre condiiile unghiului pentru straturile n+ i p+ i Vfs. Ambele sunt
implantate prin autoaliniere la poart. Unghiul A este +10, iar unghiul B este -
10. Dac unghiul pentru stratul p+ este A i pentru stratul n+ este B, atunci Vfs
este mic. Dac unghiul pentru stratul p+ este B, iar pentru stratul n+ este A,
atunci Vfs este mare. Diferena dintre A i B creeaz o diferen de 140 nm sub
suprafaa siliciului. Cnd stratul p+ se proiecteaz de la marginea porii ctre
canalul ngropat, acesta pare s creeze o barier de potenial i ridic Vfs la un

172
nivel ridicat. Astfel, straturile n+ i p+ ale fotodiodei sunt implantate ntr-o
astfel de manier nct s menin Vfs la valori mici.

Fig. 5.35 Bariere de potenial al fotodiodelor n raport de cele trei ci

Fig. 5.36 Relaia dintre Vfs i combinaia direciei de implantare

173
 5.5 TFT-LCD-uri
Afiajele tip tranzistor de film subire-cristale lichide (TFT-LCD - Thin-
Film Transistor-Liquid Crystal Display) au ajuns la utilizare practic pentru
aparatele TV portabile i terminalele de calculatoare personale. Avantajele TFT-
LCD (fig. 5.37) le constituie tensiunea sczut de comand, consum mic de
energie, rezoluie nalt, integral color, capacitate de scal de nuane gri i o
configuraie simpl.
LCD este un tip de afiaj care controleaz i comand lumina ambiant
sau iluminarea invers de ctre efectele electro-optice ale unui material cu
cristale lichide, cum ar fi difuzia, birefringena sau refracia.
Cel mai utilizat material cu cristale lichide TFT-LCD este de tip nematic
rsucit (TN -Twisted Nematic). n LCD-urile de tip TN, moleculele de cristal
lichid sunt aliniate ntr-o configuraie spiral aa cum se arat n figura 6.38. n
absena unui cmp electric, lumina polarizat, prin primul polarizor este
introdus n celula TN-LCD i rsucit cu 90. Lumina este transmis prin cel
de-al doilea polarizor, astfel c se formeaz un pixel iluminat. n prezena
cmpului electric, lumina prin primul polarizor este blocat de ctre cel de al
doilea polarizor.

Fig. 5.37 TFT-LCD de 14 inch

ntr-un afiaj cu coninut nalt de informaii se utilizeaz o metod tip

adres pentru un numr mare de pixeli ce folosesc elemente active pentru a
reduce interferenele dintre pixelii nvecinai i pentru a crete raportul de
contrast. Fiecare pixel este echipat cu un tranzistor de film subire TFT (Thin-
Film-Transistor) sau o diod TFD (Thin-Film-Diode), drept element activ pentru
a permite tensiunii de semnal s fie stocat n condensatorul de nmagazinare

174
dintre electrodul display-ului pixelului i un electrod comun pentru durata
fiecrui cadru.

Fig. 5.38 Sistem LCD tip TN

5.5.1 Structura panoului unui TFT-LCD

n figura 5.39 este prezentat schematic un TFT-LCD color. Tranzistoarele
adresate de ctre liniile rnd (poart) i coloane (semnal) pot aplica o tensiune
pe electrozii display-ului. Display-ul i electrozii comuni, n care este umplut
materialul cu cristale lichide, formeaz un condensator pentru stocarea tensiunii
de semnal pe durata unui cadru. Lumina de la o lamp fluorescent cu un
spectru de trei culori primare ilumineaz uniform panoul LCD folosind o plac
de difuzie. O pereche de polarizori ncruciai este ataat substraturilor de
sticl. Fiecare pixel are trei subpixeli, fiecare echipat cu un filtru rou, verde sau
albastru. Lumina se deplaseaz printr-un sistem de pixeli comandai prin TFT-
uri de siliciu amorf. Cnd nu se aplic nici o tensiune pe electrodul display-ului,
lumina polarizat formeaz un pixel luminos. Dac se aplic tensiunea maxim,
lumina formeaz un pixel ntunecat.

175
 Fig. 5.39 Construcia unui TFT-LCD color

5.5.2 Structura TFT

Tranzistoarele peliculare pot fi clasificate n funcie de materialul
semiconductor i structura TFT. Cele mai multe TFT folosesc siliciu amorf
hidrogenat (a-Si:H) drept material semiconductor depus prin plasm CVD
(Chemical Vapour Deposition) datorit particularitilor sale specifice de
depunere la temperaturi joase (< 300 C) i ariei de depunere mari (< 300 x 400
mm2). Un alt tip de TFT este realizat dintr-un film de siliciu policristalin drept
material semiconductor pe un substrat de cuar. Avantajul acesui tip de TFT l
constituie mobilitatea sa nalt de efect de cmp, permind ca circuite periferice
de comand s fie fabricate pe acelai substrat de sticl.
Exist dou tipuri de structuri TFT, depinznd de ordinea depunerii
filmului electrodului metalic al porii, stratul semiconductor izolator al porii i
electrodul metalic surs-scurgere. Structura rezultant este fie coplanar, fie
alternat. Tipul coplanar este acela n care electrodul poart i electrodul surs-
scurgere sunt formai pe aceeai parte a stratului semiconductor. Tipul alternat
este acela n care electrodul poart se afl pe faa opus a stratului
semiconductor fa de contactele surs-scurgere.
Cele mai multe a-Si TFT-uri sunt realizate n configuraia alternat, n
dou tipuri de variante, n figura 6.40 se prezint schematic o seciune
transversal a configuraiei TFT alternate, n structura alternat normal,
izolatorul porii este depus pe partea superioar a stratului semiconductor.
Acesta este analog tranzistorului MOS de siliciu, unde oxidul termic se afl pe
partea superioar a siliciului. Structura alternat inversat are stratul izolator de
pasivare plasat pe partea de sus a TFT, n contact cu zona canalului din spate al

176
stratului semiconductor, n TFT-ul alternat normal, substratul de sticl
acioneaz drept strat de pasivare.

Fig. 5.40 Configuraii ale TFT alternat

Structura alternat invers se mparte apoi n alte dou tipuri: corodat cu

canal de spate i cu trei straturi, n TTF-ul corodat cu canal de spate, izolatorul
porii este depus primul i este posibil a se depune izolatorul porii-
semiconductor intrinsec nedopat i stratul semiconductor dopat n+ ntr-un
singur proces de depunere, dar este necesar corodarea total a stratului n+ de a-
Si n regiunea canalului de spate nainte de depunerea izolatorului de pasivare.
n TFT-ul cu trei straturi este posibil s se depun izolatorul porii, strat
semiconductor nedopat i izolatorul de pasivare ntr-un singur proces de
depunere. Apoi, este necesar o etap de proces litografic pentru formarea
regiunii de contact surs-scurgere, nainte de depunerea stratului de contact n+.
Tipul cu corodare a canalului pe spate necesit ase repere, n comparaie cu opt
repere pentru tipul cu trei straturi.
Este necesar s se protejeze tranzistorul de lumina ambiant, n scopul de
a menine o rezisten ridicat, deoarece filmul a-Si este sensibil la lumin. O
metod de rezolvare a acestei probleme este de a ncorpora un strat protector de
metal uor plasat pe un substrat comun cu filtrul color. O alternativ este de a
depune un strat opac neconductor peste TFT.
5.5.3 Fabricarea TFT
Tranzistoarele cu straturi subiri sunt, de regul, fabricate prin tehnologii
de prelucrare a semiconductoarelor, cum ar fi: depunerea filmelor subiri,
trasarea fotolitografic i corodarea.

177
 Filmul amorf de siliciu este depus pe o sticl borosilicatic prin depunere
chimic din vapori activat de plasm (PECVD - Plasma Enhanced Chemical
Vapour Deposition) la o temperatur de depunere n domeniul 200 - 300 C. O
grosime tipic a filmului de a-Si intrinsec este de 50 nm pentru tipul cu trei
straturi i de 200 - 300 nm pentru tipul corodat cu canal de spate. Contactele
sursei i drenei, de obicei ncorporeaz un strat depus de a-Si de tip n+, gros de
50 nm pentru a se realiza un contact ohmic i proprieti de injecie ale
purttorilor.
Un strat izolator de poart este utilizat, de asemenea, pentru izolarea
electric a liniei porii i a electrozilor de semnal. Un izolator de poart dublu-
strat (SiNx/SiOx, SiNx/TaOx, sau SiNx/Al2O3) este eficient n reducerea
defectelor punctuale i liniare cauzate de scurtcircuitul sau scurgerea dintre linia
semnalului i linia porii sau dintre electrodul de poart i electrodul sursei sau
al drenei. Un izolator de poart din SiO2 i /sau SiNx este depus, de asemenea,
prin PECVD. Izolatorul din strat de Tax sau A12O3 este format prin anodizarea
electrodului de poart din Ta sau Al. Att stratul semiconductor ct i stratul
izolator de poart sunt depuse secvenial n sisteme de depunere n plasm fr
contaminare. Aceasta reprezint un avantaj n realizarea unei caliti bune a
interfeei filmului i n reducerea numrului de particule libere care pot cauza
defecte.
Pentru electrozii sursei, drenei sau de poart a fost utilizat o varietate
larg de metale. Criteriul principal care afecteaz alegerea metalului l constituie
stabilitatea sa n urmtoarele etape de prelucrare. Pentru electrozii i liniile de
poart din structurile alternate inversate se utilizeaz filme depuse prin
pulverizare din tantal, aluminiu, crom sau aliaj de tantal-molibden.
Rezistivitile specifice ale acestor filme metalice sunt n domeniul 20 - 40
cm. Aceste valori fac dificil dezvoltarea TFT-LCD pentru ecrane de
dimensiuni mari cu o mare densitate de pixeli, datorit unei creteri a
rezistivitii i capacitii liniei de poart, care rezult n ntrzierea impulsului
de comand a porii. Pentru un panou LCD cu diagonala de 300 mm i
1024x768 pixeli, rezistivitatea metalului porii ar trebui s fie <10 cm.
Electrozii display-ului pe substratul TFT i electrodul comun pe contra-
substrat sunt groi de ~ 100 nm i sunt din oxid de indiu i staniu, care este un
film conductor de transparen ridicat.
Procesele de realizare a modelelor pentru sistemul TFT sunt similare cu
cele pentru LSI (integrate pe scar larg). Un sistem fotolitografic traseaz
substraturile sistemului TFT, mai mari de 300 x 400 mm, cu o lime minim a
liniei de ~ 3 m. Este larg utilizabil un sistem de aliniere tip stepper pentru
plachete sau tip proiecie n oglind cu fotorezist convenional.
Pentru stepper-ul pentru plachete este necesar o precizie de broare mai
mic de 500 nm.

178
 Pentru fabricarea cu precizie a structurii TFT sunt utilizate att tehnici
umede, ct i uscate de corodare. nainte i dup fiecare etap a procesului,
suprafaa filmului este curat mecanic i/sau chimic.
Tehnologiile TFT alternative rezult dintr-un proces de autoaliniere. Aici
desenul de electrod al porii este utilizat ntr-unul dintre etapele fotorezistului
pentru a se defini canalul n alinierea perfect cu poarta. Avantajele autoalinierii
constau n eliminarea erorii de aliniere, n special cnd aria este mare i n
reducerea capacitii parazite dintre poart i drena, datorit suprapunerii reduse.
nainte de asamblarea panoului TFT, filme subiri organice pentru
alinierea cristalului lichid sunt depuse ca acoperiri att pe suprafaa substratului
reelei, ct i pe cea a contrastratului. Materialul cristalului lichid este apoi
introdus i etanat. Pentru a se mbunti randamentul i productivitatea
procesului de fabricare a TFT-LCD, numrul mtilor trebuie s fie redus i
diverse procese, n special depunerea de filme subiri i corodarea, trebuie
comandate i controlate cu precizie pentru viteze ridicate de depunere i
corodare.

5.6 Panouri de afiaj cu plasm (PDP)

Un afiaj TV, n special pentru TV de nalt definiie (HDTV - High
Definition TV), ar fi suficient de mare pentru a produce o puternic senzaie de
realitate. PDP-urile par a fi cele mai potrivite pentru aceast aplicaie, deoarece
ele au meritul natural al fabricrii uoare (chiar i panouri mari), precum i
rspunsul rapid cerut pentru a reproduce nivelurile de gri pe celulele operate
binar.
Culorile pe PDP-uri sunt generate de ctre substane fosforescente care
sunt fotoexcitate de ctre lumina ultraviolet din descrcarea gazelor.
Pentru a realiza PDP-uri, n special pentru HDTV, sunt indispensabile
tehnicile de fabricare a structurilor fine.
5.6.1 Structura
n funcie de structura electrodului, PDP-urile sunt clasificate n dou
tipuri, de curent continuu i de curent alternativ. Electrozii PDP de curent
continuu se afl n contact cu descrcarea n gaz, dar cei de curent alternativ sunt
acoperii cu un dielectric de sticl care cupleaz electrozii capacitivi cu
descrcarea n gaz. Dielectricii sunt utilizai pentru a limita curentul de
descrcare.
n figurile 5.41 i 5.42 se prezint configuraiile celulei elementare ale
PDP de curent continuu i, respectiv de curent alternativ. Nervurile barierei
dielectrice acioneaz ca distanieri ntre placa frontal i placa din spate, iar
ecranele ca s previn fenomenul de intermodulaie dintre celulele nvecinate

179
 5.6.2 Fabricarea
PDP-urile de curent alternativ i curent continuu sunt fabricate prin
procesarea individual a dou substraturi i etanarea/sigilarea unei perechi de
substraturi cu o frit de sticl, astfel nct sunt formate galerii. Panoul este apoi
umplut cu un amestec gazos potrivit, de exemplu He-Xe sau Ne-Xe, iar apoi
etanat. Etapizarea procesului este ilustrat n figura 6.43.

Fig. 5.41 Configuraia unei celule elementare a unui PDP de curent continuu

Tehnologia de strat gros

Tehnologia de strat gros este utilizat att pentru PDP-uri de curent

continuu ct i de curent alternativ. Aproape toate componentele - conductori,
dielectric, nervuri de barier i materiale fosforescente - sunt seri-grafiate ca
filme groase. Sunt produse glazuri ca filme groase tipice la temperaturi de
curgere de 500-600 C. Tehnica de fabricare pentru nervurile barier, n
particular, sunt unice pentru PDP-uri. ntruct nervurile barier fixeaz distana
dintre anozi i catozi, abaterile nlimii nervurii barier afecteaz
caracteristicile de descrcare i reduc marja de operare. Pentru acest motiv,
nervurile de baraj ar trebui realizate ct mai mici posibil prin introducerea
tehnicilor de fabricaie de nalt precizie.
Nervurile de baraj cu nlimea de 100 - 200 m sunt formate prin
serigrafie multipl cu un singur ecran. ntre fiecare operaie de imprimare este
necesar un proces de uscare, timp n care placa este ndeprtat din instalaia de
imprimare, ntruct nu este uor de a alinia manual placa de sticl subire mare,
n prima poziie de imprimare, se utilizeaz un sistem automat de aliniere a
poziiei plcii de sticl.

180
 Fig. 5.42 Configuraia unei celule elementare a unui PDP de curent alternativ

Fig. 5.43 Procesul de fabricare a PDP

n figura 5.44 se prezint un exemplu de sistem automat de aliniere.

nainte de comprimare este necesar sesizarea optic a poziiei a trei din
marginile plcii i de a fixa placa n poziia iniial. Acest sistem este capabil de
poziionare cu o preicizie mai bun de 10 m.
Formarea nervurilor de baraj prin sablare a fost studiat pentru a produce
o structur fin de linii. n figura 5.45 se prezint o metod tipic de sablare.
Dup ce au fost formai electrozii, se acoper cu un strat de film gros din sticl.

181
Un film de fotorezist este laminat pe stratul de sticl i inscripionat prin
fotolitografie. Sablarea este fcut cu o pulbere fin de sticl, rezultnd o
structur fin de nervuri de baraj cu limea de ~ 50 m.

Fig. 5.44 Sistem de aliniere automat pentru imprimarea filmelor groase

Fig. 5.45 Formarea nervurilor de baraj prin sablare

Tehnologia de strat subire

Tehnologia de strat subire este utilizat pentru PDP-uri de curent
alternativ, n principal, pentru a produce straturi conductoare, dielectrice i de
protecie.
Conductorii de strat subire sunt, de regul, combinaii de diferite
materiale. Primul strat, de obicei, din crom, aluminiu sau tantal este aplicat prin
adeziune. Stratul urmtor este pentru conductivitate i este dintr-un metal cum ar
fi cuprul sau aurul. Al treilea strat este pentru a se preveni oxidarea
conductorului sau a reaciilor cu stratul dielectric de acoperire n timpul curgerii
napoi.
Pentru PDP-urile de curent alternativ este esenial o acoperire subire cu
un oxid de material refractar, cum ar fi MgO (100-300 nm) pe suprafaa

182
interioar a dielectricului, drept strat de protecie pentru a se evita pulverizarea
dielectricului. O via lung poate fi obinut prin aplicarea acestei acoperiri. Pe
lng aceast performan excelent, MgO produce, de asemenea, o emisie
puternic de elctroni secundari, drept care tensiunea de amorsare poate fi
micorat. Depunerea este realizat fie prin evaporare cu fascicul E, fie prin
pulverizare, prima dintre ele fiind predominant folosit datorit vitezei sale
relativ mari de depunere a materialului. Stratul de protecie de MgO este depus
prin evaporare cu fascicul E, datorit performanei sale nalte ca strat de
protecie.
Acoperirea fosforescent
Sunt depuse trei culori fosforescente, fie prin serigrafie, fie prin litografie.
n fotolitografie, dup ce se depune o suspensie de material fosforescent
fotosensibil ca o acoperire prin ntindere, filare sau laminare, punctele
fosforescente sunt configurate cu ajutorul unui foto.
Depunerea prin ntindere pentru substraturile plane este superioar ca
uniformitate a grosimii materialului fosforescent. n figura 5.46 se prezint
structura de baz a unui sistem de acoperire prin ntindere cu lam. Muchia
dreapt a lamei se deplaseaz de-a lungul suprafeei plcii, pstrnd o distan
constant ntre muchie i plac. Dup curarea plcii, se depune cu ajutorul
lamei un lam fotosensibil, incluznd un material fosforescent albastru. Aa cum
se arat n figura 5.47, stratul fotosensibil este expus la lumina UV pe partea de
sticl printr-o masc foto i o plac de sticl, i developat cu un du de ap. n
acest proces, liniile anodice servesc, de asemenea, drept masc foto, care
realizeaz fotofabricarea autoliniat. n expunere, radiaia UV de la o lamp Hg-
Xe este reflectat de o oglind rece i trece printr-o lentil convex mare,
rezultnd un fascicul UV cu raze strict paralele. Lentila convex const dintr-un
container acrilic umplut cu ap i o foaie de sticl. Materialele fosforescente
roii i verzi sunt depuse una dup alta dup materialul fosforescent albastru.

Fig. 5.46 Schema de depunere prin ntindere cu lam

183
 Fig. 5.47 Expunerea pentru configurarea materialului fosforescent

5.6.3 PDP-uri complet color

S-a depus un efort considerabil pentru a se dezvolta PDP-uri de curent
continuu i curent alternativ, complet color. Drept rezultat, a fost obinut un PDP
de curent continuu complet color, cu diagonala de l m i cu 1344x800 celule de
0,65 mm modulul, cu care pot fi reproduse imagini HDTV impresionante, cu
256 nuane de gri, dup cum se arat n figura 5.48. Acest panou are o funcie de
memorie prin utilizarea schemei de acionare a impulsului de memorare.
n utilizarea practic, pentru PDP-uri de curent alternativ, se afl n
folosin un PDP complet color cu diagonala de 0,5 m i cu 1920 x 480 celule.
Dei au existat probleme n producerea de TFT-LCD-uri, de ELD color i
LED color cu panouri mari i puritate a culorii, PDP-urile nu au nici o problem.

Fig. 5.48 PDP complet color pentru HDTV, cu diagonala de 1 m

184
 5.7 Fibre optice i componente optice aferente
Sisteme optice de comunicaii se afl deja n utilizare comercial n liniile
lungi, trase, de transmisie, unde sunt folosite efectiv caracteristicile de lime de
band nalt i pierderi sczute ale fibrelor optice pe baz de silice, sunt
deasemenea folosite n sistemele de abonai pentru realizarea reelelor fibre
pentru acas" (FTTH - Fibre-To-The Home), care conecteaz locuinele
individuale prin fibre optice. Fibrele optice utilizate cel mai adesea n astfel de
sisteme sunt fibre optice unimodale pe baz de silice, care au un diametru
exterior de 125 m i un diametru al miezului de cel puin 10 m. n acest
subcapitol se descriu fibrele optice i componentele optice aferente din punctul
de vedere al tehnologiilor de microfabricaie sau nanofabricaie.
5.7.1 Fabricarea fibrei optice
Fibrele optice pot fi clasificate n: (1) fibre multimod cu indice treapt, (2)
fibre multimod cu indice gradat i (3) fibre unimod, conform figurii 5.49.
Diametrul tipic al fibrei este de 125 m. Diferena relativ de indice de refracie
, dintre miez i protecie, din figura 5.49, este n mod tipic de 0,3 - l %, n
funcie de structura fibrei.

Fig. 5.49 Structuri de fibre optice

Fibrele multimod cu indice treapt i indice gradat, care au diametrele

miezului mai mari (civa zeci de microni) i gsesc utilizarea n sistemele de
transmisie de linii scurte. Fibrele unimod cu diametrul mai mic al miezului, de
~l0m, sunt cele mai larg utilizate, att n sistemele trase, lungi, ct i n
sistemele de abonai, datorit pierderilor lor sczute i limii de band de

185
transmisie nalt, n comparaie cu fibrele multimod, se cere o precizie mult mai
nalt n manipularea fibrelor unimod i a componentelor optice aferente.
Primul pas n fabricarea fibrelor optice pe baz de silice este de a obine o
preform a fibrei, care posed o geometrie a seciunii transversale similar cu
cea a fibrei-produs, dar cu un diametru exterior mult mai mare, de 20-50 mm i
o lungime mai scurt de 30-100 cm. Exist trei metode de fabricaie a
preformelor: (1) depunerea modificat din faz de vapori (MOCVD - Modified
Vapour-Phase-Deposition), (2) depunere exterioar din faz de vapori (OVPD -
Outside-Phase Deposition) i (3) depunere axial din faz de vapori (VAD -
Vapour Phase Axial Deposition).
Un aranjament VAD este prezentat n figura 5.50. Particulele fine de
sticl, sintetizate prin hidroliza n flacr a SiCl4 i GeCl4 n arztor cu oxigen i
hidrogen, sunt depuse pe o direcie axial pe captul unei bare de silice topit
care se rotete. Preform din sticl poroas, compus din particule de SiO2-
GeO2 pentru miez i particule de SiC2 ca material de protecie, este apoi
nclzit la ~ 1450C ntr-un cuptor electric, pentru consolidare. Diferena de
indice de refracie relativ , dintre miez i protecie, este reglat la valoarea
dorit prin comanda i controlul debitului de GeCl4 n arztorul interior, n
timpul depunerii.

Fig. 5.50 Fabricarea preformei de fibr optic prin metoda VAD

Preform fibrei astfel fabricate este nclzit la o temperatur mai nalt

(~ 2000 C), ntr-un cuptor cu carbon i tras n fibre optice lungi, dup cum se
ilustreaz n figura 5.51. n timpul tragerii, diametrul exterior al fibrei este
controlat i comandat cu precizie la 125 0,5 m, prin utilizarea unei instalaii
de monitorizare fr contact, ce folosete un fascicul laser He-Ne de baleiaj.
Simultan cu tragerea, fibra este acoperit cu rin polimeric pentru protecia

186
suprafeei i manipulare uoar. Dintr-o singur preform se poate trage o fibr
optic lung de civa zeci de kilometri.
Ar trebui amintit c acele caracteristici excelente de transmisie ale fibrei
optice pe baz de silice se datoreaz, n parte, procesului de depunere din faz de
vapori, prin care pot fi sintetizate preforme de sticl de puritate ultra-nalt, iar
pe de alt parte, procesului de tragere a fibrelor prin care se poate realiza o
margine extrem de neted (rugozitate subnanometric) ntre miez i materialul
de protecie.
5.7.2 Interconectarea fibr-fibr
Una dintre problemele cruciale n sistemele de fibre optice o constituie
modul cum s fie interconectate fibrele cu o eficien nalt de cuplare i costuri
sczute. Pentru a avea pierderi sczute de cuplare, axele optice ale celor dou
fibre trebuie s fie aliniate cu precizie submicronic. Acest lucru este n opoziie
clar fa de cablurile metalice, unde cuplarea mutual poate fi rapid realizat
printr-un contact sumar al celor doi conductori metalici.
n figura 5.52 se arat caracteristicile pierderii de cuplaj ale fibrelor optice
unimod, calculate din integrala de acoperire a distribuiei cmpului optic al unei
fibre optice unimod. Din figura 5.52 se poate observa c pentru a atinge o
pierdere de cuplare < 0,1 dB, de exemplu, deplasarea x a axei fibrei i unghiul
de nclinare 0 trebuie s fie < 0,5 m i respectiv < 0,5.

Fig. 5.51 Procesul de tragere al fibrei optice

Interconectarea practic fibr-fibr ia n considerare conexiunile directe

(adic, interconectare permanent sau cvasipermanent) sau conectorii (adic,
interconectare mtuit/nemtuit), dup cum urmeaz.

187
 Fig. 5.52 Caractersticile piederilor de cuplaj pentru fibrele unimod

Conexiunile directe n arc de topire (fig. 5.53) au cele mai mici pierderi de
cuplare, media tipic fiind de < 0,06 dB pentru fibrele unimod. Reflexia invers
de la conexiunile obinute prin topire pot fi cel puin de -60 la -70 dB.
Stabilitatea n mediul nconjurtor este excelent (< 0,02 dB) att timp ct nu
exist motive pentru deplasarea ntre fibrele considerate.

Fig. 5.53 Realizarea conexiunii directe a fibrei optice prin topire n arc

Fig. 5.54 Conectori de fibre optice (seria SC)

188
 Au fost dezvoltate mai multe tipuri de conectori de fibre optice pentru
utilizare n cazul fibrelor unimod. n figura 5.54 se prezint aranjamentul i
mecanismul de aliniere pentru seria de conectori SC, care prezint: (1) pierderi
sczute (-0,1 dB) i pierdere mare de retur (-40 dB) prin utilizarea inelului de
etanare din ceramic zirconic i a tehnicilor de contact fizic i (2) compactitate
i durabilitate prin utilizarea unui mecanism simplu de tip mpinge-trage.
n prezent, conectorii optici sunt asamblai manual. Este necesar
simplificarea i automatizarea proceselor de asamblare n scopul reducerii
costurilor, care n momentul de fa determin jumtate din costul total al unui
conector.
5.7.3 Fabricarea ghidului de und plan
Alturi de fibrele optice, conectori i surse/detectori de lumin, la
construcia sistemelor optice de comunicaii cu eficien de transmitere mai
nalt i flexibilitate a reelei sunt solicitate diverse tipuri de componente optice.
Una dintre cele mai promitoare abordri pentru realizarea unor asemenea
componente este de a se introduce tehnologiile integrate ale ghidului de und
din silice pentru formarea circuitelor planare cu unde luminoase (PLC - Planar
Lightware Circuit) pe substraturi de siliciu. Ghidurile de und din silice au
acelai indice de refracie ca i fibrele optice, aa c ne putem atepta la o bun
adaptare i potrivire cu fibrele.
n figura 5.55 se prezint procesele de fabricare pentru ghidurile de und
din silice, care sunt adaptate dimensiunilor miezului fibrei optice unimod.
Primul pas este de a depune dou straturi succesive de particule de sticl ale
materialului de protecie i miezului, pe substraturi de Si prin hidroliz n flacr
a SiCl4 i GeCl4. Dup depunere, plachetele de Si cu straturile de sticl poroas
sunt nclzite la 1200 - 1300C ntr-un cuptor electric pentru consolidare. Apoi,
sunt definite nervurile miezului ghidului de und prin litografie. Poriunea de
zon care nu este necesar, din stratul de sticl depus pentru miez, este
ndeprtat prin corodare cu ioni reactivi (RIE - Reactive Ion Etching).
Rugozitatea pereilor laterali ai nervurilor corodate ale miezului se estimeaz a
fi < 0,1 m. n final, configuraiile nervurilor miezului sunt acoperite cu un strat
de protecie din SiO2, care se depune tot prin hidroliz n flacr (FHD - Flame
Hydrolysis Deposition).
n figura 5.56 se arat o seciune transversal a ghidului deund planar
unimod din SiO2-GeO2 fabricat n modul descris anterior. Miezul de 8x8 m,
adaptat i potrivit miezului unei fibre optice unimod, este complet integrat i
mapachetat ntr-un material de protecie din SiO2 gros de 50 m pe un substrat
de Si. Diferena de indice dintre miez i materialul de protecie, n figura 6.57,
este de 0,25 %.
Caracteristicile pierderii de cuplare a vidului de und de fibra optic
unimod sunt aproape aceleai ca n cazul caracteristicilor pierderilor de cuplaj
prezentate n figura 5.52. Nepotrivirea geometric dintre miezul ptrat al

189
ghidului de und i miezul circular al fibrei nu constituie o problem n sistemul
unimod.

Fig. 5.55 Procese pentru fabricarea ghidurile de und din silice pe substrat de Si

Pierderile de transmisie ale ghidurilor de und planare din silice sunt de

ordinul 0,01 - 0,1 dB cm 1 , fiind mult mai mari dect valorile pentru fibrele
optice pe baz de silice (0,2-0,5
dB km 1 ). Motivul principal poate
fi cutat n rugozitatea pereilor
laterali ai miezurilor corodate ale
ghidului de und. Procesul de
tragere la temperaturi nalte nu
poate fi aplicat la fabricarea
ghidurilor de und planare, n
continuare, se fac mari eforturi
pentru a se reduce rugozitatea
pereilor laterali la < 0,01 m.
Pierderile actuale ale ghidurilor de
und de 0,01 - 0,1 dB cm 1 sunt
totui acceptabile pentru
majoritatea aplicaiilor circuitelor
optice cu lungimi ale ghidurilor de
Fig. 8.56 Vedere transversal a unui und de pn la civa zeci de
ghid de und de silice pe substrat de Si centimetri.
5.7.4 Circuite planare de unde luminoase
Au fost fabricate diverse tipuri de circuite planare de unde luminoase
(PLC) pe baza ghidurilor de unde planare din silice pe substratul de Si. Aceste

190
circuite includ divizori optici pentru distribuirea semnalelor optice, comutatori
optici pentru modificarea drumurilor optice la utilizarea reelelor flexibile i
dispozitive de compunere / descompunere a divizrii lungimii de und pentru
introducerea canalelor optice multiple ntr-o singur fibr optic.
n figura 5.57 se prezint planul de ansamblu al unui ghid de und pentru
un cuplaj stea planar 8x8, alctuit din dou reele de canale de ghid de und n
form de evantai aflate fa n fa, avnd o zon de bram care le conecteaz
ntre ele. Intervalul de ghidare a undei scade gradual n regiunea reelelor i
devine de civa micrometri la interfaa reelei de ghiduri i n zona bramei.
Ghidurile de und periferice necesit ghiduri fictive pentru a se garanta
aceeai condiie de cuplare ca i pentru ghidurile centrale. Parametrii
dispozitivului de cuplare n stea, cum ar fi unghiul de deschidere i separarea
dintre dou reele, au fost optimizai n aa fel nct s se realizeze un maxim la
ieire i o bun uniformitate a cuplrii.
Un dispozitiv de cuplare n stea 8x8, fabricat pe un substrat de siliciu de
5x26 mm, prezint o pierdere sczut (1,42 dB pierdere suplimentar medie,
adugat la pierdea intrinsec de diviziune de 9 dB) i o uniformitate de cuplare
bun (deviaia standard este de 0,49 dB). Aceast performan este comparabil
cu cea a tipului de dispozitiv convenional de cuplare a fibrei 8 x 8, n care 12
uniti de dispozitive de cuplare a fibrelor prin topire 2x2 sunt combinate i
mpachetate utiliznd proceduri de conectare direct anevoioase.

Fig. 5.57 Cuplaj stea 8x8 de tip planar cu ghiduri de und din silice pe substrat de Si

Geometria dispozitivelor de cuplare compacte de tip planar actuale are

capacitatea de a produce cuplaje n stea N x N de tip VLS pe un cip.
Avantajul acestei abordri optic integrate este mai evident atunci cnd N
devine 64 sau 128.

191
 5.8 Giroscoape pentru sisteme ineriale de navigaie
Giroscoapele sau proiectarea giroscoapelor i aplicaiilor lor n sisteme
este o tiin, dar totodat i o art: este o tiin - n sensul nelegerii relaiei
giroscoapelor cu alte instrumente; este o art - n sensul c giroscoapele sunt
construite s ating nivelul nalt de performan cerut n aplicaiile moderne.
Proiectarea i fabricarea giroscoapelor de precizie, cu viteze de deplasare
sczute cerute pentru sistemele ineriale de navigaie, necesit att o abordare
filozofic global, ct i o atenie mrit pentru detalii, considerate de regul ca
nesemnificative.
Acest subcapitol acoper relaiile fundamentale dintre caracteristicile de
performan ale giroscopului i construcia lui, inclusiv nanotehnologia pentru
giroscopul cu rotor liber, reglat dinamic (DTG - Dinamically Tuned free-rotor
Gyroscope).
5.8.1 Cerinele sistemului i performana giroscopului
nainte de abordarea problemei proiectrii unui giroscop, inginerul de
proiectare trebuie s devin complet familiarizat cu cerinele globale ale
aplicaiei particulare.
Performanele giroscopului pentru mai multe aplicaii sunt prezentate n
figura 5.58. n aceast figur, axa vertical arat stabilitatea giraiei de zi cu zi.
Axa orizontal indic viteza unghiular maxim permis de intrare. Domeniul
de la 103 la 10 grade pe or este considerat de categoria de performan sczut,
de la 0,1 la 10 grade pe or constituie categoria de performan medie, iar
domeniul sub 0,1 grade pe or reprezint categoria de performan nalt.
Giroscoapele care aparin categoriei de nalt performan sunt cunoscute drept
de calibrare iniial". Aa cum se arat n figura 5.58, giroscoapele care
aparin categoriei cu performane sczute sunt acum giroscoape cu viteza
limitat de un resort sau multisenzor (fabricat de Mitsubishi Precision Co. Ltd.
sub licen de la GEC - Marconi Electronic System Corp.). Aceste giroscoape
sunt folosite drept componente ale sistemelor de amortizare pentru diverse
rachete (proiectile) i sistemele cu linie de vizare (LOS - Line-Of-Sight system).
Utilizarea unui amortizor indic compensarea buclei de poziie a unui sistem de
comand i control al zborului. Scopul su este mbuntirea frecvenei de
rspuns i/sau fixarea timpului de rspuns potrivit.
n mod curent, DTG este giroscopul principal din categoria de
performan medie. Acest giroscop are capacitatea de detecie a vitezei dup
dou axe cu o bucl de captare i este utilizat pentru sisteme LOS de nalt
performan i pentru sisteme de referin pentru comportarea capului-compas
(AHRS - Altitude Heading Reference System) cu o precizie a capului compas de
0,5 rdcin ptratic medie.
n categoria de nalt performan, DTG i giroscopul laser inelar (RLG-
Ring Laser Gyro) reprezint giroscoapele curent considerate ca opere de art. n
general, DTG este utilizat pentru sistemul de navigaie inerial tip platform

192
stabil (INS - Inerial Navigation System), iar RLG pentru INS tip zon ngust
descendent. Aa cum se arat n figura 5.58, viteza de deriv tipic a unui
giroscop pentru INS este de 0,010 h 1 . Estimarea acestei viteze de drift se
bazeaz pe precizia poziiei cerute pentru INS. De obicei, ntr-un avion
comercial precizia poziiei este < 2 n mile h 1 CEP (50%), iar ntr-un avion
militar < 1 n mile h 1 CEP (50%), dup alinierea complet a girocompasului
pentru un timp de zbor de pn la l or.

Fig. 5.58 Distribuia performanelor giroscopului (1989)

5.8.2 Nanotehnologia n giroscopic

n acest subcapitol se discut despre nanotehnologia n DTG, prin
intermediul exemplelor.
a) Descrierea DTG
nainte de a se explica nanotehnologia n DTG, se discut construcia unui
DTG i mecanismul care determin viteza de derivaie. O seciune transversal
schematic a DTG este prezentat n figura 5.59. Rotorul giroscopului din partea
superioar este nvrtit (rotit) de ctre motorul rotativ din partea inferioar.
Rotorul giroscopului i axul motorului sunt mbinate printr-o suspensie
rezistent la ncovoiere, care este alctuit dintr-o articulaie cardanic inelar i
un resort mecanic. Cnd momentul de inerie al articulaiei cardanice, constanta
resortului i viteza de rotaie satisfac condiia de acord, rotorul giroscopului se
rotete fr constrngeri. Aceasta este condiia de acionare a DTG, adic nu
exist nici un cuplu de torsiune de eroare pe rotorul giroscopului. De aceea,
DTG este categorisit, n principiu, drept un giroscop liber.

193
 Fig. 5.59 Seciune transversal schematic a unui DTG

Cnd viteza de derivaie a DTG este msurat n timpul procesului i/sau

la testarea final, acest giroscop este operat ca un girometru, prin utilizarea unei
bucle de captare. Girometrul utilizeaz fenomenul de precesie, n care viteza
unghiular de intrare produce un moment de torsiune ca mrime de ieire.
Momentul de torsiune indus prin precesie poate fi scris ca:
T = H , (5.1)
unde H este momentul unghiular al rotorului giroscopului ( kg m 2 s 1 ), iar
este viteza de intrare ( rad s 1 ). Aceast ecuaie este utilizat i pentru
momentul de torsiune a erorii; n acest caz se numete vitez de drift.
Mecanismul care produce viteza de drift n DTG este esenialmente
datorat unui moment de torsiune de eroare care acioneaz asupra rotorului
giroscopului, dup s-a discutat anterior. Strict vorbind, trei parametri definesc
viteza de derivaie (abatere Gindiferent) n DTG: constanta resortului n faz
( K in2 ), constanta resortului la cuadratur (defazaj de 90) (Kq) i unghiul de
deviaie ( s ). Viteza de derivaie datorat acestor parametri poate fi scris ca:

Viteza de derivaie Gindiferent= s K in2 + K q2 , (5.2)

Definia unghiului de derivaie este prezentat n figura 5.60.

194
 Fig. 5.60 Definiia unghiular de deviaie s

(b) Nanotehnologia n DTG

Pentru a face fa cerinelor de performan, proiectarea giroscopului este
condus de analiz. Domeniile majore luate n considerare sunt:
(1) reducerea momentului de torsiune a erorii care acioneaz asupra
rotorului giroscopului;
(2) maximizarea momentului unghiular;
(3) furnizarea unui sistem precis detaabil i cu moment de rsucire
maxim.
Se vor lua n considerare n principal, domeniile (1) i (3) din punctul de
vedere al nanotehnologiei pentru DTG.
(1) Reducerea momentului de torsiune a erorii. Inginerul de giroscoape ar
trebui s fac orice efort pentru a pstra toate momentele de torsiune care
acioneaz asupra unui giroscop la un minim. Dup cum s-a artat anterior,
viteza de drift admisibil i stabilitatea sa la giroscoapele pentru INS este <
0,010 h 1 . Presupunnd c aceast stabilitate se datoreaz unei deplasri de
mas a rotorului giroscopului, se estimeaz o deplasare de mas permis, pe
baza ecuaiei (6.1), astfel:
Deplasarea de mas admisibil = Momentul unghiului (H)xViteza de derivaie
() /Greutatea rotorului giroscopului (W)
S considerm o vitez de drift de 0,010 h 1 ~ 5 10 8 rad s 1 ,
H = 0,1 N m s i W = 2 N . Atunci, deplasarea de mas admisibil este 2,5
nm. Aceast valoare este de ordinul nanotehnologiei i, cu alte cuvinte, devine
evident c un giroscop pentru un INS necesit realizarea unei stabiliti
mecanice complete n unitatea finisat. Acesta este un domeniu de proiectare
care este una dintre cele mai dificile probleme pentru inginerii de giroscoape.

195
 Fig. 5.61 Stabilitatea DTG n diferite etape de fabricare: (a) nainte de fixarea
uruburilor balansiere; (b) dup fixarea uruburilor balansiere; (c) dup sudarea
capacului superior; (d) dup variaia ciclic a temperaturii (de la -35 la +75 "C, 25
de cicluri). (Zece diviziuni ale scalei corespund la 0,16 0 h 1 .)

Fig. 5.62 Efectul rodajului asupra stabilitii unitilor DTG finisate

196
 S considerm modurile de mbuntire a stabilitii dimensionale i de
mas pentru DTG-ul nostru. n figura 5.61 se prezint efectul variaiei ciclice a
temperaturii. Dup cum se poate observa, mrimea de ieire seamn cu o
turbulen: att nainte, ct i dup fixarea uruburilor balansiere ale rotorului
giroscopului, i dup sudarea capacului superior, mrimea de ieire fluctueaz
puternic. Totui, dup variaia ciclic a temperaturii, mrimea de ieire a DTG
pare foarte stabil. n figura 5.62 se arat efectul ajustrii prin funcionarea
(rodajul) componentelor finisate. Din acest rezultat se poate trage concluzia c
rodajul este foarte util pentru mbuntirea stabilitii unui giroscop, cum este
DTG.
(1) Asigurarea preciziei sesizorului. Aa cum s-a amintit nainte, n
construcia DTG, rotorul giroscopului este separat de motorul giroscopului. Mai
mult, sgeata de ncovoiere a rotorului giroscopului (element sensibil) este
detectat de ctre sesizorul ataat carcasei. De aceea, stabilitatea mrimii de
ieire este determinat de stabilitatea distanei spaiului de aer din circuitul
senzorului.
Presupunnd o stabilitate admisibil a vitezei de drift de 0,010 h 1 , iar
K in2 i K q
egale cu 0,01, respectiv 0,02 0 h 1 arc sec 1 , unghiul de deviere, conform
ecuaiei (6.2), este:
0,01
s = = 0,44 arc sec sau 2,133 10 6 rad
(0,01)2 + (0,02)2
Dac distana de la axa de rotaie la circuitul senzorului (fig. 5.60) este de
15 mm, deviaia admisibil este 15 2,133 10 6 32nm . Conform experienei
noastre, cauza major a variaiei unghiului de deviere o constituie o prencrcare
insuficient a rulmentului de rotaie. Aceti rulmeni trebuie s suporte o
proporie semnificativ a greutii rotorului giroscopului, permind acestuia s
se roteasc cu vitez mare i cu frecare sczut ( K q este strns legat de frecarea
rulmentului, i trebuie poziionat cu aceeai stabilitate complet). Pentru cele
mai bune rezultate, rulmenii ar trebui s fie ajustai pe un ax sau pe o carcas cu
o marj de pn la 0,2 m. Trebuie s fie acordat cea mai mare atenie erorilor
rotunjirii cii de rulare, profilului canalului, sfericitii i potrivirii bilelor.
Toleranele pe cile de rulare de 0,2 m, sfericitatea bilelor de 0,02 m i
potrivirea bilelor la 0,05 m nu sunt valori comune. Mai mult, cnd rulmenii
sunt asamblai n DTG, devine evident c utilizarea unui adeziv cu putere mare
de etanare este vital, iar procedura de tratament termic n condiiile unei rotaii
lente a rulmenilor este o metod bun de evitare a nealinierii unghiulare. Pe
lng procesul de mbtrnire i procedura descris anterior, ar trebui s fie
urmrite urmtoarele principii de baz n proiectarea unui giroscop de nalt
precizie:
(1) proiectarea la nivelurile tensiunilor de lucru mult sub limita elastic;

197
 (2) utilizarea de materiale cu coeficieni de dilatare care se potrivesc;
(3) utilizarea adezivilor cu putere mare de etanare;
(4) reducerea numrului de componente separate;
(5) prencrcarea optim pentru rulmeni.
5.8.3 Exemple de giroscoape
Cea mai important problem de proiectare n atingerea cerinelor de
performan este de a minimiza mrimea anumitor momente de torsiune
parazite, care acioneaz asupra rotorului giroscopului. Pe de alt parte, aa cum
s-a artat n acest subcapitol, devine evident c nanotehnologia, n cazul unui
giroscop de precizie, se bazeaz n general pe cunotinele acumulate din
experiena prezent. Considernd tendinele viitoare ale nanotehnologiei unui
giroscop, este important s se descopere principiile care conduc parametrii la
instabilitatea sau incertitudinea mrimii de ieire a giroscopului i de a
transforma aceste cunotine ctigate din experien ntr-o tiin. Apoi, este
important s se recunoasc c noiunea de nanotehnologie nu nseamn numai
fabricarea ultraprecis, dar i un sistem integrat de testare, procesare i
msurare.
Parametrii de proiectare ai DTG, considerai n acest subcapitol, sunt
aceia ai JDG-3W dezvoltat pentru diverse misiuni spaiale ntre National Space
Development Agency din Japonia i Mitsubishi Precision Co. Ltd. (MPC). n
figura 6.63 se prezint o seciune a acestui DTG. Caracteristicile de performan
ale DTG sunt prezentate n tabelul 5.7.

Fig. 5.63 Seciune prin DTG-ul JDG-3W

198
 Tabelul 5.7 Caracteristicile de performan ale acestui DTG JDG-3W
Parametru Uniti Valoarea Valoarea
specificaiei tipic (medie)
1 2 3 4
Deplasarea insensibil
Valoarea absolut h-1 2,0 0,3
-1
Stabilitatea zilnic h (1 ) 0,017 0,01
-1
Stabilitatea pe termen scurt h (1 ) 0,002 0,001
-1 -1
Sensibilitatea la temperatur h K - 0,009
Deplasarea G-sensibil
Valoarea absolut h-1r-1G-1 2,0 1,7
-1 -1
Stabilitatea zilnic h G (1 ) 0,017 0,007
-1 -1 -1
Sensibilitatea la temperatur h G K - 0,052
Factor de scal al momentului de torsiune
Valoarea absolut h-1mA-1 144 min 165,5
Stabilitatea zilnic ppm (1 ) 100 20
1 2 3 4
Liniaritate ppm vrf 100 60
Asimetrie ppm vrf 500 100
-1
Sensibilitatea la temperatur ppm K - -438
-1 -1 -2
Anizoeleasticitate h r G - 0,04
2
Moment magnetic A-T-m - max. 0,006
-1 -1
A 2-a sensibilitate a vibraiei h s -
unghiulare
Timp de via (durata) h 20000 70000
Stabilitatea pe termen lung
Deplasarea G-insensibil h-1a-1(1 ) - 0,059
-1 -1 -1
Deplasarea G-sensibil h G a (1 ) - 0,069

5.9 Micromaini i dispozitive nanomecanice

5.9.1 Domeniul micromainilor
Omul nc nu a fcut o main care s fie mai mic dect un ceas de
mn, cu dimensiuni de civa milimetri, ns nenumrate vieuitoare
minuscule, ca insectele (civa milimetri) etc. au fost active i au contribuit la
circulaia n lumea naturii timp de mai mult de 500 milioane de ani. Dac ar fi
realizate micromaini care s simuleze aceste vieuitoare minuscule, limitele
noastre de comportament vor fi extinse nu numai n domeniul micro dar i n cel
macro.
Cercetarea i dezvoltarea micromainilor sunt direcionate n trei domenii,
aa cum se arat n figura 5.64. Un domeniu l constituie extinderea ingineriei

199
mecanice, pentru a realiza roboi mici cu dimensiuni mai mici de civa
milimetri. Al doilea domeniu este cel al fabricrii semiconductoarelor, unde sunt
n curs de dezvoltare senzori minusculi i obiecte mobile de ordinul
micrometrilor. Al treilea domeniu este cel al biologiei moleculare, unde sunt
produse ceea ce sunt intitulate maini moleculare". Aici, actuatorii vii de
ordinul nanometrilor sunt n curs de elucidare, iar rezultatele sunt dorite de
cercettori i utilizatori din alte domenii.
5.9.2 Caracteristicile micromainilor
Pentru dezvoltarea micromainilor ar fi util cunoaterea caracteristicilor
lor. Caracteristicile majore care au fost obinute din diverse studii sunt discutate
n acest subcapitol. Ele se clasific n cinci categorii, dup cum urmeaz.
a) Efectul dimensiunii asupra forelor
Fiecare tip de for are propriul su efect al dimensiunii [L"] n
concordan cu principiul su, dup cum se arat n tabelul 5.8, unde n este de
ordinul dimensional al lungimii L. Acest rezultat are importan ca baz pentru
evaluarea performanei unei micromaini. Modelul triunghiular PVDF (fluorur
de poliviniliden), prezentat n figura 5.65, nu se mic; atunci a fost fcut mai
mic de 3 mm. Se crede c acest defect a aprut deoarece rezistena datorat
atraciei electrostatice [L] dintre conductor i corp i mpmntare a depit
fora de acionare [L2] obinuit din deformarea elastic a materialelor
actuatoare. n figura 5.66 se arat importana valorilor absolute prin compararea
forelor electrostatice [L] i electromagnetice [L3]. Rezultatul arat c punctul
de egalizare a celor dou fore apare n domeniul nanometric.

Fig. 5.65 Domeniul de cercetare-dezvolatre a micromainilor

200
 Fig. 5.66 Model triunghiular PVDF pentru deplasare pe o suprafa plan

Fig. 5.67 Comparaie ntre forele electromagnetice i cele eletrostatice

b) Creterea de rezisten din materiale

Este binecunoscut c monocristalele, fibrele whisker amorfe sau alte
materiale amorfe sunt de pn la 100 de ori mai rezistente fa de forma
cristalin obinuit a aceleiai substane chimice (iar uneori ating rezistena
teoretic), datorit absenei limitelor cristalitelor care sunt defecte fizice, n

201
consecin, este posibil s se poiecteze un mecanism indiferent la erori, prin
utilizarea acestei rezistene nalte ntr-o micromain.
Tabelul 5.8 Efectul dimensiunii asupra unor tipuri de fore

202
 c) Efect superficial crescut
Datorit predominanei efectului superficial asupra efectului volumului
3
[L ] n domeniul micro, fenomenele chimice i termice devin foarte active.
Aceste fenomene sunt avantajoase pentru actuatorii acionai mecanochimic sau
termic, care nu sunt nc n serviciu. Datorit vitezei lor mici de aciune apar
fenomene microtribologice unice, cum ar fi pericolul apariiei forei adsorbtive,
care apare indus de tensiunea superficial a unei mici cantiti de ap dintre
suprafee. n figura 5.68 (a) se prezint cteva valori msurate ale coeficientului
de frecare pe o suprafa plan, iar n figura 5.68 (b), pe suprafaa unui lagr de
alunecare n condiii uscate. Se observ c exist creteri mari, odat cu scderea
mrimii, n ambele situaii.
n prile componente mici de maini, cum sunt cele pentru ceasurile de
mn, precizia poate fi decis fcnd abstracie de mrime, de exemplu, l m
sau 5 m. Ca rezultat al investigaiilor relaiei dintre mrimea L i eroarea sa ex
ale componentelor de baz n cteva tipuri de procese de prelucrare, pare foarte
e
dificil realizarea, n prezent, a condiiei E x < 10 3 .
L

Fig. 5.68 Exemple de variaie a coeficientului de frecare cu mrimea: (a) suprafaa

plan; (b) lagr cu alunecare

n figura 5.69 se prezint un exemplu al relaiei pentru diametrul unui ax.

Totui, n mainile obinuite este necesar o precizie E < 10 4 pentru a satisface
funciile lor. De aceea, trebuie s fie adoptat o proiectare insensibil la erori,
cum ar fi un mecanism simplu cu un numr mic de pri componente,
combinarea actuatorului de nalt deformare i un mecansim flexibil etc.

203
 Fig. 5.69 Eroarea de prelucrare n funcie de mrime pentru diferite metode de
prelucrare (LIGA Llthographie Galvanoformung Abformung)

Pentru a se determina o vitez rezonabil pentru modelul unui tipar, a fost

investigat relaia dintre mrimea L i viteza U sau numrul lui Reynolds Re
pentru diverse tipuri de obiecte n micare n ap i aer, obinndu-se relaia din
figura 5.70 se arat c graficul lui Re, ce exprim raportul dintre fora inerial i
fora vscoas, n funcie de L, trece prin punctul Re = l, L = 1 mm i c Re este
proporional cu L2. Acest lucru nseamn c principiul de deplasare al unei
micromaini ar trebui s difere n mare msur de cel al unei maini de
dimensiuni obinuite. Investigaiile ulterioare ale relaiei dintre L i Re ale
obiectelor n micare n ap, pe suprafa i n aer, dup cum se arat n figura
6.71 furnizat urmtoarea lege natural a vitezei de deplasare", unde U este dat
n mm s 1 , iar L n mm:
- n ap: U=L
- pe suprafa: U=10 L
1
- n aer: U = 1000 L2
5.9.3 Importana nanotehnologiei pentru micromaini
Aa cum caracteristicile mai sus menionate ale unei micromaini au fost
obinute din cunotine din domeniul mrimilor obinuite, ar trebui realizate
teste pentru dimensiuni mai mici n domeniul nanotehnologiei, pentru a
confirma sau corecta aceste constatri, n cele ce urmeaz se arat cteva
exemple de cercetri necesare.

204
 d) Legea natural a principiilor i vitezelor

Fig. 5.70 Relaia dintre lungime i numrul lui Reynolds pentru corpuri care se
deplaseaz ntr-un fluid

a) Fore
Se observ c fora de frecare la o dimensiune < l mm este deja de dou
pn la trei ori mai mare dect pentru dimensiunile obinuite i se crede c
efectul poate fi chiar mai mare n domeniul nano. Distribuia presiunii forei
electrostatice, precum i a forei electromagnetice vor fi complexe i ar trebui
luate n considerare la dimensiuni foarte mici i forele intermoleculare.
Rezultatele unui studiu de microtribologie sunt ateptate cu interes nedisimulat.
b) Precizia geometric
Pentru ca un mecanism s se deplaseze eficient, precizia sa dimensional
trebuie s fie n anumite limite, aa cum s-a menionat mai sus. Deoarece
precizia geometric a unui mecanism produs prin metodele actuale de prelucrare
ar trebui s scad odat cu micorarea dimensiunii, mecansimul ar trebui s aib
o anumit dimensiune minim. Totui, precizia unui mecanism produs prin
asamblarea moleculelor se bazeaz pe dimensiunea moleculelor, astfel c limita
dimensional a unui astfel de mecanism ar trebui s fie depit.

205
206
 Fig. 5.71 Relaia dintre lungime i vitez pentru corpuri care se deplaseaz: (a) n
ap; (b) pe suprafa(c) n aer

c) Microactuatori
Cnd dorim s facem o micromain de dimensiunea milimetrilor,
constatm c este dificil s se obin un microactuator. i, n plus, cu ct
micromain este mai mic, cu att mai serioas devine problema. Un motor
electromagnetic cu un rotor cu diametrul de 0,8 mm, un motor electrostatic cu
un rotor de 0,05 mm i un motor piezoultrasonic cu un rotor 3 mm se numr
printre dispozitivele ce sunt dezvoltate n scopul rezolvrii acestei probleme.
Totui, este foarte dificil s se realizeze practic un motor mai mic pe baza
tehnologiei actuale, n domeniul biologiei moleculare au fost elucidate structura
motorului flagelar i a fibrei musculare. De asemenea, a existat ipoteza c
enzima este o main molecular (fig. 5.72). Elucidarea principiilor unor
asemenea actuatori vii va furniza indicaii importante pentru dezvoltarea
microactuatorilor.
Micromainile pot fi clasificate, conform figurii 5.73, n raport cu
funciunile lor. O micromain este un dispozitiv artificial minuscul, care se
deplaseaz conform cu o comand sau ca urmare a unei modificri de mediu.

207
 Fig. 5.72 (a) Motorul flagelar [4]. Rotorul se nvrte contra statorului n raport de
densitatea ionului H+. (b) Fibre musculare [5]; acioneaz n filamente cu diametrul
de 5 mm prin alunecare de-a lungul miofibrile . (c) Enzima capcan
[5];macroglobulina -a2 se deformeaz pentru a prinde n capcan enzima
proteolitic i

208
 Fig. 5.73 Clasificarea micromainilor n raport de funcie

5.9.4 Conceptul de micromaini n domeniul nanometric

Asemntor cu micromainile care se deplaseaz, exist n lumea vie
organisme zburtoare n aer, cum ar fi Psylliade (cu o dimensiune de ordinul a
100 m), acelea care se deplaseaz pe un material, cum este cazul Nematodei
(de ordinul a l0 m), precum i cele care noat ntr-un lichid, cum este
Permatozoa (de ordinul a l m). Vieuitoarele mai mici dect acestea nu au o
locomoie proprie i ele sunt purtate n aer, ap etc. lipite de alte obiecte i astfel
deplasate i operate, n consecin, o main cu dimensiunea de ordinul
nanometrilor este una simpl, avnd o funcie simpl, cum ar fi cea a unei
enzime, ori este un element ntr-un sistem complex, cum ar fi motorul bacterian
sau fibra muscular. Dac tehnicile pentru crearea dispozitivelor nanomecanice
sunt dezvoltate, ele pot fi utilizate pentru a realiza micromaini noi, mai mici,
care nu pot fi obinute cu tehnologia de microprelucrare actual.

NOT: Studenii vor ntocmi o tem de cas cu subiectul Sisteme de

fabricaie pentru componente ale unor nanoansamble utilizate n sistemele IT.
Termen de predare 19.05.2007.

209
 CAPITOLUL 6
DEZVOLTAREA DE PRODUSE DE NALT
INTELIGEN I SISTEMATIZAREA
NANOTEHNOLOGIEI

6.1 Nanoprocesarea materialelor pentru circuite

integrate de densitate supernalt
Prelucrarea fin de cea mai nalt precizie a materialelor va fi n curnd
realizat n sistemele de producie de mas pentru memoriile circuitelor
integrate de nalt densitate de 256 Mbii pentru circuitele ULSI, pentru care se
cere o lime minim a porii de 0,25 m cu o toleran de 30 nm. n plus, rata
randamentului de producie se presupune c va atinge cteva zeci de procente la
plachetele de 200 nm. Totui, n ultima vreme circuitele integrate logice pentru
microprocesoare cu o lime a porii de cel puin 0,2 m au devenit necesare
pentru producia de mas a circuitelor VLSI.
Pentru a se fabrica aceste circuite ULSI sunt necesare, ca prim pas,
plachete de Si de o nalt planeitate avnd o suprafa lipsit de defecte, lucru
dificil de realizat pe liniile de producie. Recent, au fost dezvoltate plachete
lipsite de defecte cu o zon descoperit, ceea ce permite producia memoriilor
de circuite integrate de 256 Mbii cu randamente rezonabile.
Al doilea pas l constituie realizarea mtii de fotorezist pentru desenarea
circuitului pe plachete ULSI utiliznd litografia cu fascicul fotonic, ionic i
electronic cu o rezoluie de civa zeci de nanometri pentru a forma mtile
desenate pentru echipamentele de nalt precizie de tip pas-i-repet, cu o
precizie a poziionrii de 0,1 m i erori ale repetrii poziionrii de 30 nm.
Aici, sunt folosite lasere cu raze ultraviolete sau cu excimeri. Recent, procesul
LIGA (Litographe-Galvanoforming-Abforming) n care se utilizeaz SOR sau
SR (synchrotron orbit X-radiation: radiaie X sincrotronic) pentru
electroformare, a fost dezvoltat pentru utilizare la desenarea mtilor. Mai mult,
recent au fost dezvoltate sisteme de expunere tip pete-i-repet cu fascicul
electronic, dup cum se arat n figura 9.1, n care o structur reticular realizat
pe o plachet de Si pentru ULSI este redus pe plachet de la 1/100 la 1/25.
Al treilea pas l constituie doparea cu impuriti a plachetei de Si prin
masc, folosind implantarea ionic sau depunerea cu fascicul molecular pentru
epi-taxie pe suprafaa semiconductorului, corodare n plasm i corodare i
depunere prin pulverizare ionic.
Recent, a fost dezvoltat un sistem de procesare pentru a crea structuri de
superreele 3D n tehnica ULSI, folosind evaporarea n vid i depunerea ionic.

210
 Aa cum s-a menionat, se poate prezice c n jurul anilor 2010 vor fi
utilizate n mod practic memorii DRAM de 4 Gbit cu o lime a liniei de cel
puin 0,05 m i plachet cu diametrul de 300 nm. Acest lucru va fi fcut
posibil prin sisteme optice de expunere mbuntite sau sisteme de expunere cu
fascicul de raze X sau fascicul electronic.

Fig. 6.1 Sistemul litografic de proiectare a fasciculului electronic de nalt

energie HL-800D, compus din expunerea n bloc a desenului folosind un
fotorezist cu sensibilitatea 1-2 C- cm-2, o mas litografic de transfer
continuu, un tun electronic de curent nalt etc. n expunerea n bloc a
desenului, desenele pregtite realizate pe placa de siliciu sunt transferate de
dispozitivul cu fascicul electronic larg ctre plachet cu o rat de reducere de
1/25 -1/100.

Pentru memoriile de densitate mai nalt, vor fi dezvoltate procese i

procedee care realizeaz configuraii precise i sisteme de dopare fr mascare,
cum ar fi cele care utilizeaz fascicule de ioni focalizai foarte fin, cu precizii de
poziionare nanometrice i dispozitive de comand cu vitez mare. Unele
progrese au fost fcute n dopajul configurat prin reacii chimice ajutate de
fascicule electronice sau lasere cu excimeri, i prin implantare ionic direct,
folosind ioni negativi focalizai i/sau o surs punctual de lichid.
Se nelege de la sine, c n aceste sisteme sunt necesare: o vitez nalt,
comanda n proces pentru feedback i reacia direct a poziiei fasciculului de
energie, precum i calculatoare de mare vitez pentru poziia de lucru. Prin
sistematizarea nanotehnologiei care integreaz controlul deteciei i al poziiei,
randamentul de producie i productivitatea vor fi mbuntite n mod marcant.

211
 ntr-o msur mai mare, sistemele combinate de detecie care integreaz
mai muli senzori cu un calculator ar putea deveni de o importan crescnd n
sistematizarea nanotehnologiei, deoarece mrimi care sunt greu de msurat
direct, cum ar fi grosimea stratului degenerat sau a stratului bogat n defecte, pot
fi mai uor estimate direct n proces.
Desigur, pentru a realiza o producie nalt i randamente ridicate, au fost
aplicate pe liniile de producie diverse tehnologii logistice, inclusiv furnizare de
plachete de Si fr defecte, ncperi foarte curate i lipsite de vibraii, ap pur
ce nu conine Na i Cl, i sisteme de operare fr personal uman sau fr
supraveghere, ncperi cu temperatur i umiditate constante i sisteme
controlate i comandate automat de calculator pentru testare, verificare i
nregistrare.

6.2 Procesarea circuitelor integrate MOS n domeniul

de interacie mesoscopic sau cuantic
A fost prezis faptul c nivelul de densitate pentru circuitele integrate
semiconductoare va atinge o anumit limit, deoarece pentru o lime a prii de
100 nm pe circuitele integrate MOS, micarea electronului ntr-un
semiconductor poate deveni restricional datorit efectelor cuantice. Lungimea
de und cuantic, , a unui electron de 100 eV este ~12,4 nm, conform bine
hc
cunoscutei formule E = , unde h este constanta lui Planck, 6,63 1034 J s i

c este viteza luminii n vid, 2,998 108 m s 1 , iar extinderea spaiului unui
electron cuantic este ~ l m. n consecin, n circuitele integrate MOS cu o
lime de poart de ~ 100 nm, nu ne putem atepta la o deplasare macroscopic
obinuit a electronului, deoarece micarea electronului se afl n domeniul de
interacie mesoscopic sau cuantic-electronic, de asemenea cunoscut drept canal
cuantic, n canalul cuantic, micarea electronului nceteaz din cauza
caracterului ondulatoriu al electronului. De aceea, trasarea pe plachet a limii
porii n domeniul mesonic trebuie s fie fcut printr-o prelucrare de precizie
mai nalt. Probabil c va fi necesar o precizie de 1 nm, dar acest lucru este
foarte dificil de realizat pe liniile de producie de mas utiliznd tehnicile
actuale.

6.3 STM i AFM pentru nanotehnologia sistematizat

Recent s-au raportat de ctre unii cercettori realizri de demonstraii de
scriere a unor caractere de dimensiuni atomice pe suprafaa unei plachete de Si
prin utilizarea echipamentului STM sau AFM. Sistemele STM implic un
electrod cu vrf punctual din wolfram pentru msurarea curentului electric de
tunelare i un actuator tip stiv piezoelectric care realizeaz poziionri 3D
pentru electrodul cu rezoluie subnanometric. Actuatorul este comandat de

212
ctre un calculator cu vitez mare cu sisteme de detecie a poziiei n domeniul
subnanometric. n aceste sisteme, atomii de la suprafaa plachetei de Si sunt
extrai unul cte unul, datorit cmpului electric de nalt densitate concentrat n
jurul atomului int. Astfel, aceste sisteme realizeaz prelucrri tipic la nivel
atomic, dar n prezent este necesar un timp de lucru prea mare pentru
determinarea poziiei cu precizii subnano-metrice. Totui, dac se folosesc
conectate cu calculatoare de mare vitez, astfel de sisteme, ar putea deveni un
ajutor principal n procesarea la nivel atomic, cu msurare i comand n proces
n domeniul subnanometric.

6.4 Nanoprocesarea materialelor pentru componente

optoelectronice i microelectronice
Fenomenele care combin aciunile electronilor i fotonilor sunt larg
utilizate n domeniul prelucrrii informaiei, n contrast cu circuitele integrate
electronice, un circuit integrat optic care folosete fascicule laser de lungimi de
und mai scurte (submicrometrice) va fi dezvoltat n curnd.
Pentru dispozitivele cu circuite integrate de nalt densitate sunt necesare
tehnologii de procesare de productivitate ridicat pentru a realiza mrimi
submicrometrice foarte fine, cu rezoluie nanometric.
Dispozitivele actuale optoelectronice de nregistrare a informaiei, cum
sunt compact discurile i discurile laser, vor avea canale de nregistrare cu limi
mai fine, de ordinul a 10 nm. Acest lucru necesit o tehnologie mbuntit
pentru trasarea canalelor pe plcile de disc.
n plus, s-au dezvoltat i vor fi disponibile pentru uz practic, n viitor, un
microtub vidat cu un catod microfin de emisie n cmp cu vrf de diametrul a
ctorva nanometri i o gril de comand microfin. Dispozitivul este foarte util,
deoarece, fa de un tranzistor obinuit cu curent mare, poate fi tratat cu o foarte
mic pierdere de rezisten.

6.5 Componente nanomecanice pentru nanotehnologie

Au intrat n utilizare practic filme subiri de diamant cu o grosime de l
m, straturi subiri de filme de transfer termic cu grosimi ntre 0,1-0,4 m,
precum i elemente fine de canelare pentru rcirea apei, ca rezultat al
performanelor lor speciale de transfer termic. Sistemele lor de producie implic
nanotehnologia.

6.6 Dispozitive de servopoziionare nanomecanic

pentru nanotehnologie
A fost dezvoltat de ctre Funuc Co. un sistem de servopoziionare
mecanic; acest sistem folosete elemente n micare fr frecare pe baza unui
ghidaj pneumatic, servomotoare electrice cu comand numeric cu rezoluie

213
subnanometric i senzori de poziie cu rezoluie subnanometric. Sistemul este
prevzut cu o macroscal cu un domeniu de deplasare de civa centimetri i
poate fi folosit pentru sisteme de poziionare cu un nalt coeficient de siguran,
avnd o precizie i rezoluie nanometric.

6.7 Procesarea cu fascicul ionic a materialelor n

nanotehnologie
Procesarea cu fascicul ionic este caracterizat printr-o unitate de
prelucrare la nivel de atomi, n care este necesar o densitate de energie de
prelucrare nalt. Totui, viteza macroscopic de procesare nu este suficient de
mare pentru utilizare practic. Mai mult, punctul de prelucrare a fasciculului
ionic sau a clusterilor ionici pe piesa de prelucrat nu poate fi ntotdeauna
determinat cu precizie suficient sau rezoluie n domeniul subnanometric,
deoarece chiar i senzorii de nalt rezoluie a emisiei secundare de electroni nu
sunt suficient de siguri. Totui, se pot realiza cu succes dezvoltri ale sistemelor
de msurare care necesit rezoluie subnanometric. Cnd se va ntmpla acest
lucru, prelucrarea cu fascicul ionic va fi larg utilizat n nanotehnologie.

6.8 Pocesare cu fascicul laser a materialelor n

nanotehnologie
Exist cteva sisteme laser dezvoltate recent a genera lungimi de und
mai mici, cum ar fi laserele cu excimer. n comparaie cu laserele obinuite cu
lungimi de und mari, laserele cu lungimi de und submicrometrice prezint o
utilizare potenial pentru preluarea direct prin intermediul fotonilor nii.
Energia unui singur foton este suficient pentru a ndeprta un atom individual
din reeaua atomic a materialului. Sistemele laser cu lungime de und scurt
vor fi, de aceea, dezvoltate n viitor pentru procesarea la nivel atomic a
materialelor.

6.9 Simularea pe calculator a achierii la scar atomic

sau molecular
De curnd s-au raportat n literatur simulri ale sistemelor de nano-
achiere realizate pe calculator. Comportarea atomilor sau moleculelor n
tierea/ achierea nanometric este simulat utiliznd dinamica molecular
bazat pe potenialele atomice individuale. Aceast metod poate fi utilizat la
simularea proceselor de rectificare, abraziune microfin i de lustruire.

6.10 Nanotehnologia i micromainile

Recent au fost propuse mai multe tipuri de micromaini. nc nu exist o
definiie suficient i concret a micromainilor, dar n general, ele sunt
considerate ca ansamble de elemente mecanice mai fine n micare, cu mrimi

214
de ordinul 10-100 m. ntr-o micromain exist probleme speciale referitoare
la lubrifiere i frecare ntr-o regiune microfin, acionarea pentru o deplasare
microfin, msurarea deplasrii microfine etc. Dezvoltarea metodelor de
procesare pentru dimensiuni microfine cu rezoluie nanometric este, de
asemenea, de prim importan. Nanotehnologia la scar atomic va deveni unul
dintre cele mai importante aspecte ale micromainilor pentru aplicaii biologice.

NOT: Studenii vor ntocmi o tem de cas cu subiectul Tehnologia de

realizare a unor produse de nalt inteligen utilizate n sistemele IT.
Termen de predare 19.05.2007.

215
 BIBLIOGRAFIE

1. Koga, K., Nomura, J., Yasui, J., Terui, Y., Nagano, H., Fujita, K., et al.
(1990). High-perforinance synchrotron X-ray stepper. Journal of Vacuum
Science and Technology, B8,1633.
2. Ishihara, S., Kanai, M., Suzuki, M., and Fukuda, M. (1992). An advanced X-
ray stepperfor 1/5 pm SR lithography. Microcircuit Engineering, 17, 141.
3. For example, Ohki, S. and Yoshihara, H. (1990). Highprecision X-ray mask
technology. Japanese Journal of Applied Physics, 29,2600.
4. Kanai, M. and Ishihara, S. (1990). Air bearing lead screw and nut using
porous ceramic material. Journal of the Japan Society of Precision Engineering,
56, 63.
5. Une, A., Takeuchi, N., and Torii, Y. (1990). A highaccuracy alignment
technique using single- and doublepitch dual gratings. Journal of Vacuum
Science and Technology, B8, 51.
6. Deguchi, K., Miyoshi, K., Ban, H., Kyuragi, H., Konaka, S., and Matsuda, T.
(1992). Application of X-ray lithography with a single-layer resist process to
subquartermicron LSI fabrication. Journal of Vacuum Science and Technology,
B10, 3145.
7. Ito, H., England, W.P., and Lundmark, S.B. (1992). Efrects of polymer end
groups on chemical ampliflcation. SPIE Proceedings, 1672,2-14.
8. Kataoka, M. and Tokunaga, A. (1990). A highly sensitive positive electron
beam resist EBR-9 HS31. In: Polymers for microelectronics - science and
technology", pp. 327-42. Kodansha.
9. Takigawa, T., Ogawa, Y., Yoshikawa, R., Koyama, K., Tamamushi, S.,
Ikenaga, 0., et al. (1987). Journal of Vacuum Science and Technology, B8, 1877.
10. Anze, H., Tamamushi, S., Nishimura, E., Ogawa, Y., and Takigawa, T.
(1992). In: Digest ofpapers, MicroProcess 92, 5th International MicroProcess
Conference, p. 132.
11. Magoshi, S., Koyama, K Ikenaga, 0., Watanabe, S., Saito, T., Ooki, S., and
Sakamoto, S. (1992). In: Digest ofpapers, MicroProcess '92, 5th International
MicroProcess Conference, p. 128.
12. Takigawa, T., Wada, H., Ogawa, Y., Yoshikawa, R., Mori, I., and abe, T.
(1991). Journal of Vacuum Science and Technology, B9,2981.
13. Sohda, Y., Nakayama, Y., Saito, N., Itoh, H., and Todokoro, H. (1991). Jour-
nal of Vacuum Science and Technology, B9,2940.
14. Berger, S.D., Gibson, J.m., Camarda, R.M., Farrow, R,C, Huggins, H.A.,
Kraus, J.S., and Liddle, J.A. (1991). Journal of Vacuum Science and Technology,
B9,2996.

216
15. Abe, T., Yamasaki, S., Yoshikawa, R., and Takigawa, T. (1991). Japanese
Journal of Applied Physics, B3, L528.
16. Suzuki, M., Kaneko, T., and Saitoh, Y. (1989). Replicate resist pattern
resolution with synchrotron orbital radiation. Journal of Vacuum Science and
Technology, B7,47.
17. Oertel, K.H., Weiss, M., and Huber, H.-L. (1991). Investigation oftheprocess
latitudefor sub-half micron pattern replication in X-ray lithography. Microe-
lectronic Engineering, 13, 339.
18. Ishihara, S., Yoshihara, H., and Kitayama, T. (1988). X-ray lithography for
quarter-micron structures. In: Extended Abstracts", Ist MicroProcess Confe-
rence, Tokyo, p. 72.
19. Hayashi, T. and Yoshida, K. (1991). Traveling micromechanism. In:
Proceedings of the 8th World Congress on TMM, voi. 6, p. 59.
20. Itoh, T. et al. (1993). Ultra-miniature electromagnetic motor. In:
Proceedings of the Ist IFTOMM International Micromechanism Symposium, p.
102.
21. Ikai, A. (1992). Fundamentals ofbiochemistry. Kagaku Doujinn, Tokyo.
22. Nagata, H. et al. (1993). Soft X-ray projection imaging using 32 : l
Schwarzs-
child optics. Soft X-ray Projection Lithography Technical Digest, May 10-12,
1993. Monterey, CA. Optical Society of America. TuA4-l/49-51.
23. Kinoshita, H. et al. (1989). Soft X-ray reduction lithography using multilayer
mirrors. Journal of Vacuum Science and Technology B, 7, 1648-51.
24. Bouwhuis, G., Braat, J., Huijser, A., Pasman, J., van Rosmalen, G., and
Schouhamer Immink, K. (1985). Principles of optical disk systems, eh. 5. Adam
Hilger, Bristol.
25. Okino, Y., Sano, K., and Kashihara, T. (1982). Proceedings ofthe SPIE, 329,
236.
26. Maruyama, E., Hirai, T., Ishioka, S., Yamamoto, H., and Inao, K. (1976). US
Patent 4,121,537.
27. Nonaka, Y., Hirai, T., and Shidara, K. (1984). Japan Utility Model
1546093.
28. Shidara, K., Tanioka, K., Hirai, T., and Nonaka, Y. (1985). Recent
improvement of Saticon target. In: Proceedings of the IEE Conference on
Photoelectronic Imaging, Publication no. 253, pp. 29-32. Institution of
Electrical Engineers, London.
29. Yamada, T., Yanai, T., and Kaneko, T. (1987). 2/3 Inch 400,000pixel CCD
area image sensor. Toshiba Review, (162), 16-19.
30. Kuriyama, T., Kodama, H., Kozono, T., Kitahama, Y., Morita, Y., and
Hiroshima, Y. (1991). A 1/3-in 270000 pixel CCD image sensor. IEEE
Transactions on Electron Devices, 38,949-53.
31. Hojo, J., et al. (l991). A 1/3-in 5 l O(H) 492(V) CCD image sensor with
mirror image function. IEEE Transactions on Electron Devices, 38, 954-9.

217
32. Toyoda, A., Suzuki, Y., Orihara, K., and Hokari, Y. (1991). A novei tungsten
light shield structure for high density CCD image sensors. IEEE Transactions on
Electron Devices, 38,965-8.
33. Terao, Y., et al. (1992). In: 1992 International Symposium, Society for
Information Display, p. 724.
34. Fujii, H., et al. (1992). In: 1992 International Symposium, Society for
Information Display, p. 728.
35. Uchiike, H., Nakayma, N., and Ohsawa, M. (1973). lEDMDigest, 191.
36. Yoshikawa, K., et al. (1992). Japan Display '92 Digest, 605.
37. Syouzi Yoshikane (1991). 13-inch FS-11 color display tube. Toshiba
Review, 46(s), 435-8.
38. Matsuda Hidemi (1992). New black enhancer color picture tube. Toshiba
Review, 47(s), 407-10.
39. Tomioka Tsunenori (1991). Fiat face brown tube. Nikkei Mechanical, 364,
74-84.
40. Kawachi, M. (1990). Silica waveguides on silicon and their application to
integrated-optic components. Optical and Quantum Electronics, 22, 391-416.
41. Okamoto, K.., Takahashi, H., Suzuki, S., and Ohmori, Y. (1991). Design and
fabrication of integrated-optic 8x8 star coupler. Electronics Letters, 27, 774-
42. McKeown, P.A., Carlisle, K., Shore, P., and Read, R.F.J. (1990).
Ultraprecision, high stiffness CNC grinding machines for ductile mode grinding
of brittle materials. In: Proceedings, International Meeting on Infrared
Technology and Application, London.
43. Yoshioka, J., Hashimoto, F., Miyashita, M., Kanai, A., Abo, T., and Daito,
M. (1985). Ultraprecision grinding technology for brittle materials: application
to surface and centreless grindingprocesses. In: Proceedings, Milton C. Shaw
Grinding Symposium, Florida, No. 17-22, pp. 209-2T. ASME, New York.
44. Kanai, A., Sano, H., Yoshioka, J., and Miyashita, M. (1991). Positioning of
200 kg carriage on plain bearing guideways to nanometer accuracy withforce
operated linear actuator. Nanotechnology, 2,43-51.

218