Semiconductori degenerați

Universitatea Ovidius Constanța

Facultatea de Științe Aplicate și Inginerie
Fizică Tehnologică, Anul III
Fizica Stării Solide
Petcu George-Denis
Când concentrația electronilor liberi este mai mare, iar
temperatura nu este prea înaltă, este satisfăcută numai pentru
η > 0, adică F > Ec, semiconductorul în care nivelul Fermi se
află într-una din benzile permise se numește degenerat.
Degenerarea este puternică atunci când f(E) ≈ 1 pentru E < F
f(E) ≈ 0 pentru E > F.
Semiconductorii puternic degenerați se comportă din acest punct de
vedere ca si metalelele la care concentrațiile electronilor sunt foarte
mari (n0 ≃ 1022 cm-3). La 0 K, când f(E) are aspectul unei funcții în
treaptă, calculul concentrației n0 este simplu. În acest caz, f(E)= 1
pentru Ec ≤ E ≤ F și f(E) = 0 pentru E > F, rezultă:

n0 (E)dE = N(E)f(E)dE = N(E)dE (1)

Concentrația electronilor va fi: 3
F0 3
8 (2 m c ) 2
 0  
E
N ( E ) dE 
3 h8
(F0  E c ) 2

(2)

De unde se obtine pentru nivelul Fermi,

2
h 2 3n0 3
F0  E c  ( )
2 m c 8
(3)
Relatia (3) arată că nivelul Fermi urcă în bandă cu creșterea concentrației.
Energia maximă a electronilor la T = 0K va fi:

2 2
h 3 3n 0 3 15 m0
F0  E c  E 0 max  ( )  3.64 10 ( ) n03 eV
2 mc 8 mc
(4)
unde m0 este masa electronului liber. Energia totală a electronilor va fi
dată de relația:
E0 max
3
E0tot  
E0
E  N ( E )dE  n0 E0 max
5
(5)

Iar energia medie (pe electron) :

3
E 0  E0 max
5 (6)
Relațiile prezentate mai sus arată că în virtutea principiului lui Pauli de
care ține cont funcția de distribuție f(E) într-un semiconductor
degenerat, electronii ocupă succesiv nivele de la ,,0’’ la Emax, așa încât
chiar la 0K, energia lor medie este diferită de ,,0’’ . Un gaz degenerat se
comportă cu totul altfel decât un gaz ideal;
Energia medie a electronilor gazului ideal 3/2 k0T este nulă la 0K, în timp
ce pentru gazul degenerat, energia medie este foarte mare.
La temperaturi diferite de ,,0’’, dar joase se va pleca de la integrala de
transport:
 (n)
( n) 16mn f
Fi  2  
3h 0  n
dE 0
(7)

În care,

1
f 0( n ) 
   
exp   1 (8)
 k 0T 
Din relația (8), ζ este potențialul electrochimic, ι este liberul parcurs
mijlociu al purtătorului de sarcină care depinde de enegie, iar ε = E-
E0 . Este convenabil să se introducă funcția,
(  c )
n 
k0T (9)

Unde μc = ζ – Ec este nivelul Fermi sau potențialul chimic, măsurat de la

marginea benzii de conducție. Se introduce funcția hi (ε) = εi ι(ε). Din
relația de definiție a lui γ se scoate ε = k0Tγ + μc și se introduce în hi
(ε), care este convertită într-o funcție gi (γ). Relația (7) devine:

df 0( n ) ( )
Fi ( n )  Cn  g i ( ) d
  0 / k 0T
d (10)

În care:
16mn
Cn 
3h 3
Deoarece pentru multe materiale la temperaturi mai scăzute decât
temperatura de topire, limita inferioară a integralei din (10) poate fi
extinsa la -∞.
Se poate dezvolta funcția gi (γn) în serie Taylor în jurul punctului γ = 0. Se
obține:
2
g ( )  g (0)  g (0)  g (0)  ...
2!

Și înlocuind în relația (10) rezultă:


  2

Fi  C  f0( ) g (0)  gi(0)  gi(0)  ...d
( n)
(11)
  2! 
Prima integrală care intervine în (11) este:

df0 ( )
Fi (1)
 Cg i (0)   Cg i (0)  f 0 \   Cg i (0) (11a)

d

A doua integrală are valoarea zero din cauza simetriei derivatei f0’ față de
punctul γ = 0, adică

Fi(2) = 0 (11b)
A treia integrală, care implică pe gi (0), poate fi calculată astfel:
 2   2
C df C  e 
Fi(3)   gi(0)  0  2d   gi(0)   2
d  Cgi(0) (11c)
2 
d 2 
(e 1) 6

Introducând cele 3 integrale în relația (11) se găsește:

 2   i 2 2  (  ) 
2 i
Fi  C  g i ( 0 )  g i( 0 )   C    (  )  ( k 0T ) 2 
 6   6     (12)
Pe baza relației (11) se va putea deduce concentrația de purtători (np) și
 la care suprafețele
energia maximă Emax. . În cazul unui material
izoenergetice sunt sfere în apropierea lui k = 0, se poate scrie:
8  p 2 dp
dn 0 p   
(12)
3 K 0T
h (e  1)
în care p este impulsul electronului. Daca se face o schimbare de variabilă
de la p la v la energia e, se va găsi:
3 3
8 2mn 2 2 df 0
n0   ( 2 )  d
3 h d (12a)
0

Folosind relația (11) se poate scrie:

8 2mn 32 32  2 2 3

1
8 2 m 3 3
  2
( k T ) 2

n0  ( 2 )   (k0T )  2  ( 2 ) 2  2 1 
n 0
3  (12b)
3 h 6 4 3 h  8  0 
Deoarece F0 – Ec = μ0 = E0max , se poate scrie relația finală

  3 k0T 2 
n0  n0, 0 K 1  ( )  (13)
 8 E0 max 

Pentru a deduce expresia lui Emax se pleacă de la expresia:

8 2mn 32 32
n0  ( 2 ) 0 (14)
3 h

Egalând cu relația (12b) se obține

3 3 3
 2 ( k 0T ) 2   2
( k 0T ) 2 
  
2
0
2
1
  2
0  1  ( ) 
8  8 0  (15)
 2
  2 k 0 T 23
După o dezvoltare în serie după puterile lui 8 (  ) devine:
0

  2 k0T 2 
  F  Ec  Emax  E0 max 1  ( )  (16)
 12 E0 max 

În care s-a pus μ0 = E0max . Pentru energia medie E se poate scrie:

 5 2 k0T 2  (17)
E  E0 1  ( ) 
 12 E0 max 
Din cele expuse mai sus rezultă că expresiile (2), (4), (6) reprezintă prima
aproximație după degenerare. În a doua aproximație, concentrația și
energia medie cresc cu temperatura, pe când nivelul lui Fermi (16)
coboară cu creșterea temperaturii. Variațiile cu temperatura sunt cu atât
mai slabe cu cât degenerarea este mai puternică.
Se poate da următoarea interpretare rezultatelor obținute:
 Un semiconductor este cu atât mai degenerat cu cât gradul de ocupare
al nivelelor dintr-un interval al benzii de energie este mai mare, adică
cu cât funcția de distribuție a electronilor în acest interval are valori
mai apropiate de unitate.
 La concentrații mari, degenerarea totală are loc pentru 0K, pentru care
probabilitatea de ocupare a tuturor stărilor energetice în bandă, sub
nivelul Fermi, este egală cu unitatea.
 Creșterea temperaturii are drept rezultat ,,rarefierea’’ gazului electronic
pe stările imediat inferioare nivelului Fermi, prin trecerea electronilor
pe nivelele superioare.
 Din relația (16) rezultă că la temperaturi înalte, nivelul Fermi poate
coborî sub banda de conducție, ceea ce înseamnă ridicarea degenerării.
 În cazul metalelor, la care concentrația electronilor este, în general,
mult mai mare decât cea care se poate atinge în semiconductori,
deplasarea nivelului Fermi cu temperatura determinată de (k0T/E0max)2
este foarte mică; se poate spune că un metal rămâne degenerat practic
pentru orice temperatură, până la temperatura de topire.
Bibliografie
Curs “Fizica Semiconductorilor” – Prof.
Univ. Dr. Victor Ciupină