Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Lucrare de Curs40
Lucrare de Curs40
REPUBLICII MOLDOVA
UTM
Catedra
la disciplina: Radioelectronica
TEMA:
A verificat:
Chiinu 2002
2
1. Tranzistorul bipolar.
1.1. Parametrii de baz ai tranzistorului KT603A.
3
1.2.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT603A.
Tranzistorul KT603A este fabricat prin tehnologia epitaxial-planar. Epitaxia
reprezint procesul de cretere a straturilor monocristaline pe plachet cu pstrarea
orientrii cristalografice.
Epitaxia ocup locul intermediar ntre procesele de baz i cele ajuttoare. n
principiu ea poate garanta formarea neregularitilor locale, totodat aceast
orientare este slab prelucrat i n timpul de fa epitaxia de obicei se folosete ca
mijloc de a primi plachete n forma straturilor foarte subiri depuse pe plachete
foarte groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu const n felul urmtor. Placheta monocristalin
de siliciu se afl n fluxul de hidrogen, coninnd vapori de compui ale siliciului
cu halogenii(de obicei SiCl4) la temperaturi mari(1200 C i mai sus) la suprafaa
plachetei se petrece reacia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
n rezultatul creia la suprafaa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de
HCl sunt evacuai odat cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu
monocristalin are aceeai orintaie cristalografic ca i placheta.
Dac la vaporii de SiCl4 adugm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea
nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, dup
care n timpul reaciei chimice n siliciu se ntroduc atomii acceptori de bor sau
atomii donori de fosfor.
n aa mod, epitaxia permite creterea straturilor monocristaline de
conductibilitate i rezisten diferite pe plachet, avnd aceeai parametri.
Grania ntre stratul epitaxial i plachet nu este ideal, deoarece n procesul de
epitaxie are loc difuzia ntre atomii de la suprafa a plachetei i atomii din stratul
epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu
ajutorul epitaxiei se poate de depus pe plachet un strat foarte subire ( 1 m) ce
nu este posibil de depus prin celelalte tehnologii.
4
1.3. Caracteristica de intrare i ieire pentru
tranzistorul KT603A.
IB ,
mA
4
3
UBE=5V
2
1
0
0,4 0,6 0,8 1,0 UBE , V
Fig .1. Caracteristica de intrare IB=f(UEB), pentru UCE=const.
150
100
IB=0,5 m A
IB=1 mA
50
0
0 5 10 15 20 25 UCE , V
5
1.4. Scheme echivalente ale tranzistorului bipolar (BC,
EC, CC).
U in I b rb I E rE I b rb I b ( 1 E )rE I b rb rE ( 1 E ) ; (2)
nlocuind n (1) pe Iin cu Ib i pe Uin cu valoarea ei din (2) obinem:
U in
Z in .tr . rb rE ( 1 E ) rb rE ; (3)
I in
6
fig. 3. Schema de conectare ( baz comun ).
7
fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).
8
jonciunea emitorului este deschis atunci n circuitul colectorului va curge un
curent, puin mai mic ca curentul emitorului (din cauza procesului de recombinare
n baz). Acest curent este obinut de ctre generatorul de curent N I 1 N 1 .
Indicele N reprezint conectarea normal sau direct. Deoarece n caz general
tranzistorul poate fi conectat i indirect, la care jonciunea colectorului este
deschis iar cea a emitorului este nchis, astfel rezult c curentului colector I 2 i
corespunde curentul emitorului I I 2 , n schema echivalent este introdus al doilea
generator de curent I I 2 , unde I - coeficientul de transfer al curentului
emitorului.
n aa fel curenii emitor i colector n caz general conin dou componente:
cea injectat ( I 1 sau I 2 ) i cea colectat ( I I 2 sau N I 2 ):
I E I 1 I I 2 , I C N I 1 I 2 . (1)
Jonciunile emitor i colector sunt analogice jonciunii p-n a diodei. La
conectarea aparte a jonciunilor tranzistorului atunci caracteristica Volt-Amper se
determin la fel ca n cazul diodei. ns dac la una din jonciuni se aplic o
tensiune, iar ieirea cealeilalte jonciune se scurtcircuitez, atunci curentul, care
trece prin jonciunea p-n, la care a fost aplicat tensiunea, se mrete din cauza
schimbrii concentraiei purttorilor minoritari de sarcin n baz.
I 1 I ET e U EB T 1 ; I 2 I CT
U
e CT T 1 , (2)
unde I ET - curentul termic al jonciunii emitorului msurat la scurtcircuitarea
electrozilor bazei i colectorului; I CT - curentul termic al jonciunii colectorului
msurat la scurtcircuitarea electrozilor bazei i emitorului.
Legtura dintre curenii termici a jonciunilor I CT , I ET , conectai aparte, i
curenii termici a jonciunilor I CT , I ET o primim din relaiile (1) i (2). S
presupunem c I E 0 , atunci I 1 I I 2 . Cnd U CB T I 2 I CT . Substituim
aceste relaii n (1) i obinem pentru curentul colectorului urmtoarea ecuaie
I CT 1 N I .
I CT
Respectiv pentru I ET avem I ET I ET 1 N I
Lund n consideraie relaia (2) vom avea urmtoarele relaii pentru curenii
colector i emitor:
e U CT T 1 ;
I E I ET e U EB T 1 I I CT (3)
e U CT T 1 ;
I C N I ET e U EB T 1 I CT
Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:
I B I E I C 1 N I ET e U EB T 1 1 I I CT
e UCB T 1 (4)
La utilizarea relaiilor (1)-(4) trebuie de reinut c n tranzistoare la general
este valabil relaia:
N I ET I I CT . (5)
Rezolvnd ecuaia (3) n raport cu C , vom boine: I
I C N I E I e U CB T 1 . (6)
Aceast ecuaie descrie caracteristicile de ieire ale tranzistoarelor.
Dac ecuaia (3) se rezolv n raport cu U EB atunci se obine relaia care
reprezint caracteristicile idealizate de ieire ale tranzistorului:
9
U EB T I E I E I ET 1 N e UCT T . (7)
n tranzistorul real n afar de curenii termici ale jonciunilor mai sunt i
curenii de generare-recombinare, cureni de canal i de scurgere. Deaceea
, I ET , I ET de regul sunt necunoscute.
I CT , I CT
Dac jonciunea p-n este polarizat indirect atunci curentul termic poate fi
nlocuit cu curentul de scurgere, adic putem considera c I CT I CB 0 i I ET I EB 0 .
Prima aproximare poate fi utilizat i la polarizarea direct. Cu toate acestea la
tranzistorii de siliciu T trebuie substituit prin m T , unde coeficientul
m reprezint influiena curenilor asupra unei jonciuni reale ( m 2 4 ). Utiliznd
aceasta, relaiile (3) i (5) adesea se scriu n alt forma care este mai comod la
calcularea parametrilor circuitelor cu tranzistori reali:
IC
1
A
N I EB 0 e U EB mT 1 I CB0 e U EB mT 1 ; (8)
1
I E I EB 0 e U EB mT 1 I I CB 0 e UCB mT 1 ;
A
(9)
N I EB 0 I I CB 0 (10)
unde A 1 N I .
Se deosebesc trei regime de baz de funcionare a tranzistorilor bipolari:
activ, de blocare i de saturaie.
n regimul activ una din jonciunile tranzistorului este polarizat direct
datorit tensiunii aplicate din exterior, iar cealalt este polarizat indirect. Astfel n
regim de polarizare normal activ emitorulu este polarizat direct iar tensiunea
U EB din relaiile (3) i (8) are semnul +. Jonciunea colectorului este polarizat
indirect respectiv tensiunea U CB n relaia (3) are semnul -. La conecatrea
inversoare a tranzistorului n ecuaiile (3) i (8) tensiunea U EB i U CB trebuie s
aib polaritate opus. Deosebirea dintre regimul inversor i cel activ are numai
caracter cantitativ.
Pentru regimul activ, cnd U CB T i I CT I CB 0 relaia (6) o vom scrie n
forma urmtoare I C N I E I KB 0 , care corespunde absolut cu relaia (1) din punctul
anterior.
Lund n consideraie c deobicei N 0 ,9 0 ,995 i 1 N 0 ecuaia (7)
poate fi simplificat:
U EB T ln I E I ET T ln I E 1 N I I EB 0 (11)
n acest mod, ntr-un tranzistor ideal curentul colector i tensiunea emitor-
baz la o anumit valoare a curentului I E nu depind de tensiunea alpicat la
jonciunea colector. n realitate la modificarea tensiunii U CB se modific lrgimea
bazei, din cauza schimbrii dimensiunilor jonciunii colector i respectiv se
modific gradientul concentraiei purttorilor minoritari de sarcin. Astfel la
mrirea U CB are loc micorarea bazei, gradientul concentraiei golurilor n baz i
curentul I E se mresc. n afar de aceasta, se reduce probabilitatea de recombinare
a golurilor i se mrete coeficientul . Pentru menionarea acestui efect, care
apare mai pronunat n regimul activ, n relaia (11) se adaug nc un termen:
I C N I E I CB 0 U CB rC dif (12)
10
U CB
unde rC dif - rezistena diferenial a jonciunii colectorului blocat.
I C I E const
care arat de cte ori trebuie schimbat tensiunea U CB pentru primirea aceleiai
schimbri a curentului I E . Semnul minus arat c pentru meninerea curentului
I E const creterea tensiunii trebuie s aib polaritate opus. Coeficientul CE este
destul de mic ( CE 10 4 10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude
influiena tensiunii colectorului asupra cea a emitorului.
n regim de blocare ambele jonciuni sunt polarizate indirect de ctre
tensiunile aplicate din exterior. Modulul tensiunilor trebuie s ntreac valoarea
3 5 m T . Dac aceste tensiuni vor fi mai mici atunci tranzistorul va rmne n
regim de blocare. ns curenii electrozilor vor fi mai mari, ca n regim de blocare
puternic.
innd cont, c tensiunea U CB i U EB au semn negativ, i avnd n vedere c
U EB 3 m T i U CB 3 m T , relaia (8) devine:
I C 1 A N I EB 0 I CB 0 (14)
I E 1 A I EB 0 I I CB 0 .
Substituind n (14) valoarea I EB 0 , gsit din (9), i nlocuind A prin valoarea
sa, obinem:
1 I
I C I CB 0 ,
1 N I
(15)
I 1 N
I E I CB 0 .
N 1 N I
Dac inem cont de faptul c N 1 iar I N atunci expresia (15) se va
simplifica esenial i va avea forma:
I C I CB 0 ,
1 (16)
IE I
N CB 0
unde N 1 ; 1 1 .
N 1
N 1
11
n regim de saturaie ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct
datorit tensiunii aplicate din exterior. Astfel cderea de tensiune pe tranzistor (
U CE ) este minim iar valoarea lui este de zeci de milivoli. Regimul de saturaie
apare atunci cnd curentul colector al tranzistorului este limitat de ctre parametrii
sursei de alimentare i de schema n care este amplasat, unde el nu ntrece o
valoare maxim I C max . n acelai timp parametrii semnalului de intrare luat astfel
nct curentul emitorului este esenial mai mare ca valoarea curentului din reeaua
colectorului: I C max N I E .
Atunci jonciunea colectorului este deschis, cderea de tensiune pe tranzistor
este minimal i nu depinde de curentul emitorului. Mrimea ei la conectare
normal pentru un curent mic I C I C I CB 0 este egal cu:
1 I
U CE sat T . (18)
I
Pentru conectarea inversoare:
1 N
U CE sat T (19)
N
n regim de saturaie ecuaia (12) devine fals. Deoarece pentru trecerea
tranzistorului din regimul activ n regimul de saturaie este necesar de mrit
curentul emitorului (la conectare normal) n aa mod nct s se ndeplineasc
condiia I C max N I E . Iar valoarea curentului I E , la care se ncepe acest regim,
depinde de curentul I C max care este determinat de parametrii circuitului n care
este amplasat tranzistorul.
p n p
a)
E C
n,p
B
c)
x
12
b) Fig. 1
Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i
colector (C). Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea
emitorului, iar cea de la frontiera C-B jonciunea colectorului.
Electroconductibilitatea bazei poate fi de tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt dou
tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p i n-p-n.
Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai.
Deosebirea const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge
prin baz este creat de golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n
de electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este polarizat
direct, iar a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre
ele (adic, dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci
purttorii, injectai de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n
regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii
emitorului prezint ramura direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii
colectorului cea invers. Proprietatea unic a tranzistorului const anume n
interaciunea acestor dou jonciuni.
n fig. 2 este prezentat distribuirea curenilor n structura tranzistorului
bipolar (a), repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor
de sarcin neechilibrai n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.
I E I Ep I Cp I C
I Ep I En
p n IC 0 p
a)
E EB ECB
x
b)
x c)
13
Fig. 2
La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii
colectorului i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest
curent este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 .
Curentul invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului)
prezint n sine curentul prin jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd
circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii
emitorului i apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de
difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul
electronilor i golurilor:
I E I En I Ep .
Contnd, c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari
(electroni), iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de
sarcin majoritari (goluri), componenta golurilor n emitor este cu mult maimare ca
cea a electronilor: I Ep I En .
Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip
la crearea curentului colectorului. Difuzia electronilor din baz n emitor se
compenseaz cu parvenirea unui flux de noi electroni n baz din circuitul exterior.
Acest lucru determin mrimea i direcia componentei electronilor din curentul
emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principial a curentului bazei.
Relaia:
I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99
este numit eficacitatea emitorului.
Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor
din emitor n baz. Golurile,injectate n baz, sub aciunea difuziei ce tinde s
egaleze concentraia pe ntreg volumul bazei, se deplasseaz n direcia
colectorului. Din cauz c cmpul electric n baz este relativ mic, se poate
considera, c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc exclusiv din contul
difuziei. La injectarea necontenit ( I E const . ) n baz se stabiliete o bistribuie
corespunztoare a concentraiei golurilor, ceea ce determin trecerea lor prin baz.
Apropiindu-se de jonciunea colectorului, polarizat indirect, golurile, fiind
purttori de sarcin minoritari, trec din baz n colector, mrind ca rezultat curentul
colectorului. Deoarece trecerea golurilor din baz n colector este fr obstacole,
concentraia lor la frontiera BC este egal cu zero.
Dac vom mri valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului, atunci
concentraia golurilor la emitor va crete, iar la colector va rmne ca mai nainte
egal cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i, ca urmare, crete curentul de
difuzie al golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversnd baza, recombin
cu electronii de conductibilitate, ce aduce la mrirea numrului de electroni,
14
parvenii n baz din circuitul exterior. Aceasta condiioneaz mprirea curentului
golurilor n dou componente:
I Ep I E .rec . I Cp ,
unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide
dup direcie cu I En ; I Cp - componenta curentului emitorului, ce curge n circuitul
colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n
purttori de sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva
ori mai mare dect cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .
Mrimea raportului:
I Cp I Ep I Cp I Cp I E .rec . 0 ,98...0 ,99
se numete coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmeaz, c la tranzistori
mrimea , la fel ca i , este aproximativ egal cu unitatea. De aceea mrimea
:
I Cp I Ep
I Cp I E 0 ,95...0 ,99 ,
I Ep I E
se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului i, de
asemenea este aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indic a cta parte din
curentul emitorului curge n circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicat la tranzistor, ne da egalitatea:
I E IC I B
unde I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .
Utiliznd relaia (7), obinem:
I C I E I CB 0 .
Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului
bazei :
I Cp I C I CB 0
.
I En I E .rec . I B I CB 0
S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n
baz comun. n fig. 3 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i
ieire ale tranzistorului, cuplat n BC.
Caracteristica de intrare, cnd U CB 0 (caracteristica nul) este asemntoare
cu caracteristica unei diode obinuite, cuplate la polarizare direct. La alimentarea
jonciunii colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare decaleaz n
stnga. Aceasta ne indic prezena n tranzistor a legturii inverse interne. Legtura
apare din cauza rezistenei bazei.
I Eschema BC rezistena bazei esteI Ccomun pentru circuitele
n I En de intrare i
ieire. Fie c EBU const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijeaz
curentul jonciunii:
U CB 1U EB U EB rB I B U CB rB I En I E .rec . I CB0 .
1
IE1
U CB 0
IE 0
U EB 15 U CB
a) b)
Fig. 3
La mrirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise mrete i I CB 0 . n afar de
aceasta se micoreaz I E .rec , fiindc la mrirea tensiunii colectorului semicoreaz
limea bazei tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB , aplicat la
emitor, la mrimea U CB la fel se mrete. Acest fapt explic creterea curentului
emitorului i decalajul n stnga al caracteristicii de intrare a tranzistorului cuplat n
BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenel I C f U CB cnd I E const .
Dei tensiunea pe colector este negativ, caracteristicile sunt trasate, de regul, n
coordonate pozitive. Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei
semiconductoare polarizate indirect. La mrirea curentului emitrului caracteristica
se schimb.
E cunoscut, c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se
mrete cu valoarea I Cp I E I E . Curentul I Cp poate fi modelat ca un curent
suplimentar al jonciunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde
I 0 I Cp , putem afirma, c oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat n
BC prezint caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj I Cp , adic:
I p n I 0 exp eU kT 1 .
Analizm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar
n schema emitor comun. n fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare i ieire
pentru tranzistorul cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.
IB IC I Bn
U CE 0
I B1
U CE 1 IB 0
a) U BE b) U CE
Fig. 4
16
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egal cu zero, trece prin
punctul x 0 i y 0 i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin
mrimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin
jonciune ( I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta
i n jos. Acest decalaj poate fi explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe
jonciunea emitorului este constant. Atunci la fel constant va fi i concentraia
golurilor n apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac micorarea limii
bazei, adic micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului. Din
aceast cauz procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus.
Findc electronii care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,
curentul bazei se micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas,
fiindc la frontiera cu jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu
jonciunea emitorului este egal cu concentraia de echilibru. Din aceste
considerente n regiunea bazei procesul generrii termice este mai rapid dect
prcesul de recombinare. Electronii generai n baz pleac din ea prin borna bazei,
iar aceasta nseamn, c apare curentul ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de
micorarea limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer,
al curentului emitorului crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n
schema cu emitor comun 1 .
17
2. Tranzistorul cu efect de cmp.
2.1. Parametrii de baz ai tranzistorului K305E.
Tranzistorul cu efect de cmp este fabricat prin metoda planar, TEC cu gril
izolat i canal de tip n intercalat. Tensiunea pe dren pozitiv comparativ cu sursa,
iar pe gril negativ. Masa tranzistorului nu mai mult de 1 gram.
Parametrii electrici:
1.Curentul dren: ID =5 A
2. Curentul grilei: IG=5 nA
3. Panta caracteristicii de transfer: S=4...8 AV
4. Capacitatea de intrare: C11S=5 pF
5. Capacitatea de trecere: C12S=0,8 pF
6. Coeficientul zgomotului: ...7,5 dB
7. Puterea maxim: Pmax=150 W
8. Temperatura de funcionare: T=233....358oK
18
2.2. Tranzistoarele cu efect de cmp (generaliti).
20
2.3. Tehnologia de fabricare.
21
S G D
D
Contact
Canal metalic
n
G
np pn
n+ p+ n+
n Canal
p+ Substrat
S
Izolator B
Fig. 2
Cele dou capete ale canalului sunt contactate constituind drena i sursa.
Pentru a se realiza contactele ohmice la surs i dren, nainte de depunerea
metalului se realizeaz prin difuzie dou regiuni n+.
Substratul poate fi utilizat ca un al patrulea electrod de comand avnd
proprieti de comand asemntoare grilei. n general grila i substratul sunt
legate mpreun, constituind electrodul de comand. Dac este nevoie de nc un
electrod de comand se utilizeaz tranzistoare cu dou grile de comand identice.
2.4. Procedee fizice n tranzistorul cu efect de cmp.
LSD
D
G p
B S D
S
n
G
22
Electrodul de la care ncep micarea purttorii de sarcin majoritari n canal
se numete surs, iar electrodul spre care se mic purttorii de sarcin se numete
dren. Dac ntr-o plachet de semiconductor, de exemplu de tip-n, sunt formate
zone de electroconductibilitate de tip-p, atunci la aplicarea tensiunii pe jonciunea
p-n, care o polarizeaz invers se formeaz regiuni nsrcite n purttori de sarcin
majoritari. Rezistena semiconductorului ntre electrozii sursei i drenei se mrete
deoarece curentul trece printr-un canal ngust ntre jonciuni. Schimbarea tensiunii
gril-surs aduce la schimbarea dimensiunii zonei de sarcin spaial
(dimensiunilor jonciunii p-n), adic la schimbarea rezistenei canalului. Canalul
poate fi pe deplin nchis i atunci rezistena ntre surs i dren va fi foarte mare
(zeci de M ). Tensiunea dintre gril i surs la care curentul atinge valoarea cea
mai mic (ID 0) se numete tensiune de blocaj a TEC-ului.
Jonciunea care separ grila de canalul dren-surs trebuie polalrizat invers
pentru ca dioda pe care o constituie s fie blocat. Curenii de gril sunt n cazul
unei polarizri inverse cuprini ntre 1 pA i 10 nA. Rezistena de intrare este
cuprins ntre 10 10 i 10 13 .
Polarizarea direct a jonciunii care separ grila de canalul dren-surs
trebuie evitat, deoarece ar produce o micorare nesmnificativ a regiunilor de
trecere simultan cu o cretere pronunat a curentului de gril i a puterii necesare
comenzii.
Tranzistorii cu efect de cmp cu regiune de trecere se caracterizeaz prin
faptul c n absena unei tensiuni de comand, aplicarea unei tensiuni la capetele
canalului are ca efect trecerea prin canal a unui curent relativ mare.
Modificarea conductanei canalului se face prin extinderea regiunilor de
trecere adic tensiunea de comand produce o micorare a conductanei canalului
i deci o micorare a curentului care trece prin canal.
23
2.5. Caracteristicile statice.
Caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de cmp reprezint modul
de variaie a curentului de dren n funcie de tensiunile gril-surs i dren-surs.
Cele mai utilizate caracteristici statice sunt caracteristicile de ieire i de transfer.
24
UDS =UGS-Up
Liniar Saturaie
iC UGS 0
IDS
UGS -2
UGS -4
UGS -6
UDS
0 UDS
UDS=UGS-Up
mA
12 +2V
10
8 0V
iD
6 UDS=1V
-2V
4
2 -4V
-6V
0 2 4 U 6 8 10V
DS
Fig. 3
25
iD UGS=0V
mA
-1V
4
3 -2V
2 -2,5V
1
uDS, V
-1,5 -1 -0,5 -1 0,5 1 1,5
-2
-3
-4
-5
Fig. 4
2. Regiunea de saturaie uDS uGS U p . Curentul de dren rmne aproape
constant chiar la creteri relativ mari ale tensiunii dren-surs.
Separarea regiunii de saturaie de regiunea liniar se poate face
aproximnd curentul de dren cu ajutorul relaiei:
I DS 2
iD u DS .
U p2
Curentul I DS reprezint curentul dren-surs pentru uGS 0 sau uGS 2U p .
Se ia valoarea uGS 0 n cazul tranzistorilor care conduc n lipsa
tensiunii de gril, adic TEC cu regiune de trecere i TECMIS cu canal
indus.
Relaia (2) este reprezentat punctat n planul caracteristicilor de
ieire.
3. Regiunea de strpungere uDS U DS . La tranzistorii cu efect de cmp la care
substratul este conectat cu sursa, creterea tensiunii dren-surs peste o
anumit valoare (deenumit tensiune de strpungere, U DS ) produce o
multiplicare n avalan a purttorilor desarcin. Fenomenul este reversibil
n cazul n care creterea curentului de dren este limitat n mod
corespunztor de elementele de circuit exterioare.
Din caracteristicile de ieire se poate determina rezistena dren-surs
sau conductana de ieire ( rDS , respectiv g DS ):
1 i D i D
g DS
rDS u DS U GS const
u DS U GS const
26
8V 12
Se observ c acest tranzistor poate lucra att
UGS=0,5V 4V 10 n regim de srcire ( uGS 0 ), ct i n regim de
ID=0,875mA i mbogire ( uGS 0 ).
8 D Pentru tensiuni u DS mici caracteristica
2V
6
difer, apropiindu-se pe msur ce tensiunea
dren-surs crete. n regim de saturaie, datorit
V 4 influienei slabe a tensiunii dren-surs, este
suficient s se traseze o singur caracteristic
2
0,5V pentru o valoare a tensiunii dren-surs mai mare
0,25V dect tensiunea de saturaie.
0
-6 -4 -2 0 2 V Aceast comportare fiind comun tuturor
uGS tipurilopr de TEC caracteristicile de transfer n
regiunea de saturaie se pot reprezenta ca n fig. 6.
TECMIS TECMIS TECMIS
iD Canal Canal Canal iD
iniial indus iniial
IDS IDS
TECJ TECJ
-Up 0 Up 2Up UGS -2Up -Up 0 Up UGS
Canal n Canal p
Fig. 6
Caracteristica de transfer n regim de saturaie poate fi aproximat cu
ajutorul relaiei:
2
u
i D I DS 1 GS .
Up
Cu ajutorul caracteristicilor de transfer se poate determina panta
caracteristicii sau transconductana, definite ca:
i D i D
gm S
uGS U DS const .
uGS U DS const .
S
2 I DS
Up 2
uGS U p
2
I DS i D .
Up
iD Panta S se msoar n miliamperi pe volt, avnd
valori cuprinse ntre 1 mA V i 1 A V . n cazul
20C tranzistoarelor de mic putere, valorile sunt
60C cuprinse ntre 0,2 i 5 mA V .
120C Caracteristica de trnsfer depinde de temperatur
Z dup cum se vede din fig.7.
uGS
Fig. 7
27
Este de remarcat faptul c exist un punct n care curentul de dren nu depinde de
temperatur (aa-zisul punct Z).
Un alt parametru al tranzistorilor cu efect decmp este factorul de
amplificare static, definit cu ajutorul relaiei:
u DS u DS
g m rDS .
uGS I D const .
uGS I D const .
28
innd cont c tranzistorul lucreaz n regim saturat este valabil relaia (4).
Aplicnd la intrare o tensiune sionusoidal de amplificare U 1 max se poate scrie:
+E
D
G G
S
u2 u gmugs rDS RD u2
u1 1
Fig. 8
uGS U GS U 1 max sin t .
Cu ajutorul teoremei Kirchhoff aplicat circuitului dren-surs se obine
relaia :
E RD i D uDS
2
U U 1 max sin t
u DS E RD I DS 1 GS .
Up
Efectund calculele se obine:
2
U
uDS E RD I DS 1 GS RD I DS U 1 max 2
Up 2U p
U U 1 max RD I DS U 12max
2 RD I DS 1 GS
U sin t cos 2t
Up p 2U p2
Se constat c semnalul sinusoidal este distorsionat, deoarece a aprut i armonica
a doua (termenul n cos2t). Definind ca factor de distorsiune pentru armonica a
doua (notat d2) raportul dintre amplitudinile celor dou armonici se obine:
U 1 max
d2 100% .
4 U GS U p
Pentru ca acest factor s fie mai mic de 1% este necesar ca amplitudinea
semnalului de intrare U 1 max s satisfac inegalitatea:
U 1 max 0 ,04 U GS U p
considernd U GS 2V i U p 4V se obine U 1 max 80 mV .
Amplificarea n tensiune a semnalului este:
U 1
An 2 RD I DS 1 GS
U RD S .
Up p
29
RD di D duDS 0
i D i
duDS D duGS di D .
u DS uGS
innd seama de definiiile pantei i a rezistenei interne i eliminnd
curentul se obine:
duDS du
SduGS DS .
rDS RD
Amplificarea n tensiune va fi:
duDS SRD rDS
An RD S .
duGS RD rDS
Cu ajutorul relaiilor (17) i (18) se poate construi circuitul echivalent pentru
amplificator, prezentat n fig. 9. Circuitul din fig.9,a este valabil numai la frecvene
mijlocii; n cazul frecvenelor joase i nalte este necesar s se in sema de
capacitile de cuplare (fig. 9,b)i de capacitile interne ale tranzistorului (fig.9,c).
Valori uzuale pentru elementele de circuit sunt date n tabelul 1.
RG G D
gmugs
~ u1 R1 ugs rDS u2
a)
S
RG G D
ugs gmugs
~ u1 R1 rDS u2
C2
b)
S
RG G Cgd D
gmugs
~ u1 R1 rDS u2
Cgs
c)
S
Fig. 9
30
+E +E
R3 RD
C2 R2
C1 C3
C3
R1
R1 R2 C2 C1
Fig. 10
Circuitul se poate utiliza pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de cmp cu
regiune de trecere i a tranzistorilor cu gril izolat i canal iniial.
Condensatoarele C1 i C3 sunt condensatoare de cuplaj cu generatorul i respectiv
consumatorul.
Condensatorul C2 are rolul de a scurtcircuita rezistena R2, punnd la mas
componenta alternativ a curentului. Pentru a-i ndeplini rolul, reactana
capacitiv a condensatorului C2 la frecvena cea mai joas trebuie s fie mult mai
mic dect R2:
1
X C2 R2
2f j C 2
Dimensionarea circuitului se face su ajutorul relaiilor:
E U DS
RD
ID
U DS U DSS )U GS U p
U GS
R2 .
ID
Condiia (23) trebuie ndeplinit pentru a fi siguri c tranzistorul lu creaz n
regim saturat. Valoarea rezistenai R1 este limitat superior de cderea de tensiune
produs de curentul de intrare. Aceasta cdere de tensiune trebuie s fie mult mai
mic dect U GS . Deoarece curentul de intrare este foarte mic (nA) valorile uzuale
ale rezistenei R1 sunt de ordinul megaohmilor.
Tranzistorii TECMIS cu canal indus de tip n necesit o tensiune de
polarizare pozitiv fa de surs.
Aceast tensiune s-ar putea obine uor cu ajutorul unui divizor de tensiune
ale sursei de alimentare a drenei, ns variaiile de tensiune ale sursei s-ar transmite
pe gril i ar aprea la ieire amplificate.
Un mojntaj mai avantajos este prezentat n fig. 10,b. Prin rezistena R1 se
obine U GS U DS . n general aceast valoare este avantajoas, deoarece rezult
U DS U DSS U p
Impunnd curentul I D , se obine din caracteristic U GS i se calculeaz RD :
E U GS
RD .
ID
Condensatorul C 2 are rolul de a mpiedica transmiterea semnalelor
alternative pe gril.
Pentru ambele circuite rezistena de intrare este egal cu R1 .
31
Conexiunea cu dren comun. Circuitul cu dren comun (fig. 15) sau
repetor pe surs este asemntor circuitului cu colector comun sau repetor pe
emitor de la tranzistorii bipolari.
Circuitul echivalent din fig. 11,b se poate deduce cu uurin din circuitul
echivalent prezentat n fig. 9.
+E G D
gmugs
rGS rDS
u1
u1 RS u2 RS u2
Fig. 11
Amplificarea n tensiune se poate calcula cu ajutorul relaiilor:
u1 u gs u2
RS rDS
u2 g m uGS
RS rDS
1 g m RS
An 1
.
R r 1 g m RS
1 g m S DS
RS rDS
Amplificarea este subunitar, iar tensiunea de ieire este n faz cu tensiunea de
intrare. Rezistena de intrare ( Rin ) este egal cu:
u1 R r
Rin rGS 1 S DS g m rGS 1 RS g m .
i1 RS rDS
Rezistena de ieire ( Rie ) se poate determina din circuitul echivalent:
1 1
RS rDS RS
gm gm
Rie .
1 rDS 1
RS rDS RS RS
gm gm gm
Pentru polarizarea tranzistorului cu efect de cmp ca repetor pe surs se pot
utiliza circuite prezentate n fig. 12.
n circuitul din fig. 12,a, U DS este egal cu E U GS , cderea de tensiune pe
rezistena RS fiind egal cu U GS . Dac aceast tensiune este prea mic, se poate
utilioza un divizor de tensiune, ns acest divizor micoreaz rezistena de intrare.
+E
+E
R1
C1 C1
C2
u1 C3
u1 R1 RS u2 u2
RS
Fig. 12
32
Pentru tranzistorii TECMIS cu canal indus este indicat circuitul din fig. 12,b.
Cderea de tensiune pe rezistena RS este E U GS , iar tensiunea dren-surs va fi
egal cu U GS . Aceast tensiune asigur funcionarea n regim de saturaie,
deoarece U GS U DSS U p .
R
R R
u1 G u2 u1 u2
S
R uGS
uG=uGS uG
Fig. 13
33
u2 RDS
.
u2 R RDS
Se obine astfel un divizor de tensiune comandat de tensiunea uGS .
Pentru ca tensiunea de ieire s poat fi variat ntr-un domeniu ct mai
mare, este necesar ca R RDS min .
Caracteristicile de ieire ale unui TEC sunt liniare numai pentru valori mici
ale tensiunii dren surs (de circa 100mV) i pentru poalrizari normale ale drenei
fa de surs.
Dac se dorete o tensiune de ieire mai mare se utilizeaz circuitul din
fig.13,b. Alegerea rezistenei R1 se face nct s fie mult mai mare dect rezistena
dren-surs.
Tensiunea gril-surs va fi:
uC uDS
uGS .
2
Caracteristicile liniarizate sunt prezentate n fig. 14.
Abaterile de la liniaritate sunt sub 1% pentru u DS 1V .
iD
UGS=0V
mA -2V
4 -4V
3
2 -5V
1
uDS, V
-1,5 -1 -0,5 -1 0,5 1 1,5
-2
-3
-4
-5
Fig. 14
34
2.8. Utilizarea tranzistorului bipolar KT603A n
scheme electronice.
Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi ntlnite n schemele electronice n cele
trei modaliti de conexiune BC-baz comun, EC-emitor comun i CC-colector
comun. ns cele mai utilizate sunt EC i CC, datorit particularitilor pe care le
posed. Voi prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul
bipolar KT603A:
35
3. Rezolvarea problemelor.
3.1. Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i
tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup
curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin
PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.
Se d:
EC=15 V; RS=0,07 k ; IB=3 mA; IBm=1 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC
(EC,0) i) (0, R ) adic (15 V,0) i (0 , 214 mA)
S
IC ,
mA IB ,
200 mA
150 4
3
100 IB=0,5 m A
2
50 IB=1 mA
1
0 0
0 5 10 15 20 25 UCE , V 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 UBE , V
36
I Cm 15
KI 5
I Bm 3
U 1 ,3
K U CEm 13
U BEm 0 ,1
K P K I K U 13 5 65
U 0 ,1
Rint EBm 33
I Bm 3 10 3
I2 R
PR Cm S
2
15 10 3 70
7 ,8 mW
2 2
PC U CE I C 155 10 3 6 0 ,93 W
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni nelimiare.
37
3.2. Problema 2.
Din cauz c dup nominalele date UCE=10 (V) i IC=150 (mA) nu pot fi
soluionate atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am
ales deja punctul de funcionare:
IB=3 mA; UCE=10 V prin urmare:
IB=3 0,2=0,6 (mA)
UCE=5 0,2=1 (V)
IC ,
IB ,
mA
200 mA
4
0
150 IC I
UCE 3
100 0
IB=0,5 m A 2 UBE
IB=1 mA
50 1
0 0
0 5 10 15 20 25 UCE , V 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 UBE , V
Figura 1. Caracteristicile de ieire i intrare pentru
tranzistorul KT603A.
I CI \ 10 10 3
h22 E 10 mS ;
U CE 1
I B const I B 3 mA
38
Tranzistorul bipolar KT603A posed urmtorii parametri la frecven nalt:
2; f=100 MHz; CC=10 pF; CE=30 pF; C=400 ps; IC=30 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului
la frecvene nalte:
C 400 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 10 pF
C C 10 pF
C C1 3 ,33 pF ;
3
C C2 C C C C1 10 3 ,33 7 ,67 pF ;
I C 30
rB rB 120 77 ,6 ;
IC 150
1
rCE 0 ,1 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 150 10 3 3 S ;
1
rBE 166 77 ,6 81 ,4 ;
Sj 3
C BE C E 30 10 12 4761 pF ;
6 ,3 100 10 6
lim
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:
3.3. Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice Iale
B
, tranzistorului bipolar s se
determine parametrii etajului de amplificare n regim
mAde recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin; 4
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide. 3
IC , 2
mA 1
200
0
150
100
50 10 15 20 25 U
IIBB=0,5
=1 m, A
mA
39CE V 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 U ,V
0 5
Urest
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=8 (V)
U rest 8
Rcupl 53 ,3 ;
I Ccupl 150 10 3
PCcupl U rest I Ccupl 8 150 10 3 1 ,2 W ;
15
I Bcupl 3 0.64 mA ;
70
UBEcupl=0,58 (V)-din grafic.
Pint U BEcupl I Bcupl 0 ,64 10 3 0 ,58 0 ,37 mW
.
3.4. Problema 4.
40
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine
rezistena de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze
volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune
kU i putere kP.
Date iniiale:
ED=15 (V); ID0=2 (mA);
UDS0=10 (V); UGSmax=2 (V);
Ubloc=-6 (V); IDmax =-15 (mA);
Pimp=150 (mW);
Rezolvare:
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
2
U GS U bloc
I D I D max ;
U GS max U bloc
2
U 6
I D 0 ,23 U GS 6 mA
2
ID 15 GS ;
26
Folosind ecuaia primit completm tabelul:
-ID, mA 0 3,68 5,75 8,28 11,27 14,72
UGS, V -6 -2 -1 0 1 2
Dup datele din tabel trasm caracteristica de transfer:
41
U GSm 2
I Gm 6 2 A ;
RG 10
k I S med RG 5 ,52 10 3 10 6 5520 ;
k P k I kU 5 ,52 5520 30470 ;
3.5. Problema 5.
42
CGS=5 pF; CGD=0,8 pF;
rG=80 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 9,9 10-3 (mA)=1,98 10-3 (mA);
UDS0=0,2 5 (V)=1 (V);
I D 1 ,98 10 3
S 1 ,98 mS ;
U DS 1
U DS 1
RI 505 ;
I D 1 ,98 10 3
Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:
43
punctul 3 avem: U D 1 6 5 V ; U G 1V
punctul 4 avem: U D 2 6 4 V ; U G 2V .
Determinm patru valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:
8
R~ 1 543 ;
14 ,72 10 3
7
R~ 2 621 ;
11 ,27 10 3
5
R~ 3 870 ;
5 ,75 10 3
4
R~ 4 1087 ;
3 ,68 10 3
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS):
4. Bibliografie.
1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.
2. .. .: , 1991.
3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.
44