Sunteți pe pagina 1din 31

1.2.2.

Imperfecţiuni liniare sau dislocaţii

Defectele liniare sunt defecte din structura cristalină,


caracterizată prin două dintre dimensiuni aproximativ
egale cu o distanţă interatomică, a treia dimensiune
fiind mult mai mare.

Se deosebesc două tipuri de dislocaţii:

- dislocaţii
marginale sau de tip Taylor;
- dislocaţii elicoidale sau în şurub sau de tip Burgers.
Dislocaţiile marginale se formează în două moduri

a. prin introducerea unui semiplan atomic suplimentar


ABCD într-o reţea cristalină şi distanţarea celor două părţi
vecine cu o distanţă interatomică. Linia CD cuprinsă în
planul PP’ reprezintă miezul sau inima dislocaţiei şi este
rezultatul intersecţiei dintre planul ABCD cu planul PP’.
Linia CD margineste semiplanul suplimentar spre
interiorul cristalului.
Dislocatia nu se reduce numai la linia CD, ci cuprinde o
regiune cilindrica in jurul acelei linii, ce se extinde cu o
raza de 3-4 diameter atomice.
Dupa locul in care se gaseste extraplanul, in raport cu
planul de alunecare, dislocatiile marginale pot fi de doua
feluri:
- Pozitive, “”, dacă dislocaţia este plasată deasupra
planului PP’
- negative, “T”, dacă dislocaţia se găseşte la partea
inferioară a cristalului, sub planul PP’.

Planul PP’, care separă partea superioară a


cristalului cu un număr n+1 şiruri de atomi,
comprimaţi de partea inferioară a cristalului, având n
şiruri de atomi rarefiaţi, reprezintă un plan de
alunecare.
Direcţia şi mărimea alunecării asociate unei dislocaţii sunt

caracterizate prin vectorul Burgers notat prin b

Acest vector este cuprins la


dislocaţia marginală în planul
de alunecare şi este
perpendicular pe dislocaţie.

Vectorul Burgers poate fi


determinat cu ajutorul
circuitului Burgers.
• Acesta la randul lui este o linie din cristal obtinuta astfel:

- se pleaca dintr-un nod al retelei parcurgandu-se un


numar n de distante interatomice in jos, un numar m de
distante interatomice la dreapta, n in sus, m la stanga.
Inchiderea circuitului este asigurata de vectorul de
alunecare b
b. Prin provocarea unei alunecari incomplete sub
actiunea unor forte dee forfecare, a unei parti de cristal
de-a lungul unui plan de alunecare
Cel mai simplu mecanism de generare a dislocaţiilor
este alunecarea asincronă (incompletă) a unei părţi din
cristal. Se consideră un cristal, secţionat cu un semiplan
ideal de tăiere ABCD, de grosime infinit mică, numit plan
de alunecare.
extraplan E
b
B C F B C´
C

A D A D´ D

Direcţia AB, care limitează intern semiplanul de alunecare,


poartă denumirea de linia dislocaţiei sau dislocaţie.
Dacă se exercită un efort paralel cu planul ABCD, o
parte a cristalului alunecă pe distanţe finite.

Direcţia, mărimea şi sensul deplasării se caracterizează


cu un vector


b ,paralel cu planul de alunecare, numit vectorul
Bűrgers.

Partea de deasupra planului de alunecare se deplasează


cu porţiunea haşurată (CC', DD'), ceea ce produce în
această zonă o comprimare a planelor reticulare.
Apare semiplanul reticular suplimentar sau
extraplanul (ABEF), cu aspect de pană, perpendicular
pe planul de alunecare şi limitat de linia dislocaţiei AB.
Dislocatia se poate deplasa in continuare pana la
extremitatea cristalului, unde se elimina, formand o
trapta de alunecare.

Alunecarea produsă la traversarea cristalului de o dislocatie


Sub acţiunea unor forţe de forfecare δ , o parte dintr-un
cristal ideal,suferă o alunecare incompletă (fig a). Linia de
separare care desparte partea alunecată de cea
nealunecată (fig. c) constituie o dislocaţie ce se poate
deplasa în continuare până la extremitatea cristalului,
unde se elimină , rezultând o treaptă de alunecare (fig. f).
Se poate considera că dislocaţia marginală se
formează printr-o alunecare incompletă a unei părţi
din cristal, în raport cu restul cristalului.

Alunecarea se produce în direcţia vectorului de


alunecare, perpendicular pe linia dislocaţiei.

Deci o dislocaţie marginală este linia din planul de


alunecare care separă porţiunea de cristal care a
alunecat, de partea care nu a alunecat.
Dislocaţii elicoidale sau în şurub
La dislocaţia elicoidală linia dislocaţiei este paralelă
cu direcţia de alunecare.

Se produce o
forfecare a
cristalului, cu o
deplasare relativǎ
pe porţiunea
haşurată.

Planele reticulare se intersectează şi apare o suprafaţă,


care înfăşoară elicoidal linia dislocaţiei AB, asemenea
flancului unui şurub.
In cazul dislocatiei elicoidale, vectorul Burgers este paralel
cu dislocatia
Cantitatea de dislocaţii se apreciază prin
densitatea de dislocaţii , definită ca raport între
lungimea L a dislocaţiilor din volumul V:

ρ = L / V [m-2]

Densitatea de dislocaţii se poate stabili prin


studiul figurilor de coroziune la microscopul
optic, prin microscopie electronică sau
difractometrie cu radiaţii X.
Principalele proprietăţi ale dislocaţiilor
sunt:

1. Dislocaţiile provoacă deformarea elastică a reţelei


cristaline pe distanţe mari faţă de linia dislocaţiei
(până la 20 distanţe interatomice).
În jurul fiecărei dislocaţii, se crează un câmp de tensiuni
de formă cilindrică cu raza 3-4 diametre atomice.

La o dislocaţie marginală
pozitivă , deasupra planului
de alunecare, tensiunile sunt
de compresiune, iar sub
planul de alunecare, sunt de
întindere.
Campul de tensiuni din
jurul unei dislocatii
Energia E de deformare elasticǎ acumulată de
dislocaţie se calculează cu relaţia:

E = Gb2L

unde: G-modulul de elasticitate transversal;

b-modulul vectorului Bürgers;

L-lungimea dislocaţiei.

Apariţia unei dislocaţii creşte energia cristalului,


ceea ce face ca dislocaţia să fie un defect
termodinamic instabil.
2. Dislocaţiile se deplasează în cristal sub acţiunea unui
efort tangenţial paralel cu vectorul Bürgers şi de mărime
supracritică


Dislocaţiile marginale seb pot deplasa prin
alunecare (slip) şi căţărare (climb).
.

Deplasarea prin alunecare are loc într-un plan ce


conţine linia dislocaţiei şi vectorul Bürgers
Deplasarea este
perpendiculară pe
dislocaţie şi paralelă cu
direcţia vectorului

Deplasarea se face
progresiv, până la
eliminarea
dislocaţiei sub
formă de treaptă la
suprafaţa cristalului
Deplasarea prin "căţărare" a dislocaţiei marginale este
perpendiculară pe planul de alunecare, dislocatiile
deplasandu-se pe verticala, avand la baza un transport
de atomi prin difuzia defectelor punctiforme
AB A’B’ A”B”
B

Pentru poziţia A'B' este necesară migrarea prin difuzie a


şirului reticular AB, iar pentru poziţia A"B" aportul prin
difuzie a unui nou şir reticular.

Aceasta deplasare poat avea loc numai la temperature


inalte cand apar siruri suplimentare de atomi, sau de
vacante de-a lungul unei directii
Dislocaţia elicoidală se deplasează numai prin
alunecare, perpendicular pe dislocaţie şi vectorul Bürgers,
asemenea intersecţiei lamelor unui foarfece la închidere sau
deschidere
3. Dislocaţiile interacţionează între ele, în scopul
reducerii energiei cristalului.
Interactiunea elastica dintre
doua dislocatii marginale sau
elicoidale de acelasi semn
determina respingerea lor, ca
urmare a faptului ca vor
conduce la cresterea efectului
de distorsiune, deci a energiei
libere a cristalului
Iar interactiunea celor de semn contrar determina
atractia lor, deoarece dislocatiile se intalnesc si se
anuleaza reciproc refacandu-se planul atomic complet
Două dislocaţii marginale, paralele, de semne contrare,
se atrag şi se reface un plan atomic complet, sau unul
incomplet care include colonii de vacanţe, sau, un plan
atomic care prezintă colonii de atomi interstiţiali
pozitionate adiacent acestuia
Două dislocaţii marginale, paralele,de acelaşi semn ,
având acelaşi plan de alunecare, se resping
4. Dislocaţiile interacţionează cu defectele punctiforme.

În interacţiunea lor, dislocaţiile sunt surse de lacune şi de


atomi interstiţiali
Atomii dizolvaţi interstiţial segregă în zonele dilatate din
vecinătatea liniei dislocaţiilor.
Se formează "atmosfere Cottrell"
de impurităţi, care micşorează
mobilitatea dislocaţiilor şi cresc
rezistenţa la deformare plastică.
Atmosferele Cottrell sunt atomi
straini de impuritati care se
acumuleaza in jurul dislocatiei, fiind
necesare forte suplimentare pentru
smulgerea acestor in vederea
alunecarii.
5. Dislocaţiile se multiplică prin surse Frank-Read.

O sursă Frank-Read (fig. 4.14) este o


dislocaţie cu capetele blocate în
punctele A şi B ale planului de
alunecare (stadiul 1). Sub acţiunea
unei tensiuni perpendiculare pe axa
dislocaţiei, superioare unei valori
critice, se produce curbarea dislocaţiei
(stadiul 2) pânǎ la forma unei semicerc
(stadiul 3). Dislocaţia se propagă în
continuare sub forma a două spirale,
Sursa Frank -Read
care în final se ating şi formează o
buclă închisă (stadiile 4, 5, 6). Bucla
se separă de dislocaţia mamă (stadiul
7) şi un nou sector al dislocaţiei este
adus în poziţia iniţială.

Sursa continuă să emită noi dislocaţii. Bucla exterioară creşte


până atinge suprafaţa cristalului, unde crează o treaptă sau
până întâlneşte un obstacol.
Tensiunea critică, care activează o sursă Frank-Read,
este dată de relaţia

٦ cr = Gb / L

Tensiunea critică scade pentru dislocaţiile lungi,


deplasate pe distanţe scurte.

Mecanismul de formare de noi dislocaţii prin surse Frank-


Read explică capacitatea mare de deformare plastică a
unor metale.
6. În planele de alunecare dislocaţiile se grupează
la obstacole.

Dislocaţiile se acumulează la limita de grăunte,


particulele de fază secundară, dislocaţiile imobile,
incluziunile nemetalice, unde generează un câmp de
tensiuni.

Numărul de dislocaţii, care se pot bloca la un obstacol,


depinde de tipul barierei, natura materialului şi de
temperatură.

Acumularea dislocaţiilor la obstacole determină


creşterea rezisţentei la deformare plastică şi micşorarea
plasticităţii, stare cunoscută sub numele de ecruisare.
Depăşirea unui obstacol se poate face prin schimbarea
planului de alunecare sau prin ocolire.

În figura se prezintă ocolirea precipitatelor de fază


secundară prin curbarea dislocaţiei şi formarea unor bucle
de dislocaţii în jurul precipitatelor.

Acest proces stă la baza durificării prin precipitare.

Ocolirea precipitatelor
Limita de grăunte (fig. b) este un obstacol, care nu poate fi ocolit şi
determină blocarea dislocaţiilor.
Generarea unor tensiuni suficient de mari poate conduce la formarea
de microfisuri şi la iniţierea ruperii.

Blocarea dislocatiilor la limita de


graunte
1.2.3. Imprfectiuni de suprafata (plane)

Sunt defecte de reţea, care au o singură dimensiune de


acelaşi ordin de mărime cu o distanţă interatomică, iar
celelalte două sunt mult mai mari. Aceste defecte sunt
suprafeţe în interiorul cristalului, care separă porţiuni de
material, care se deosebesc între ele după:
• structura cristalină;
• orientarea cristalografică;
• orientarea magnetizării spontane.
Un numar mare de materiale au o structura policristalina,
fiind formate din cristale de mici dimensiuni, numite graunti.

Regiunile de contact dintre graunti poarta numele de limite


de graunti, care sunt zone de tranzitie si permit
acomodarea geometrica si cristalografica a cristalelor.

In interiorul cristalului apar si sublimite care sunt limite la


unghiuri mici (unghiuri de dezorientare de cateva grade)
care separa portiuni din acelasi cristal avand aceeasi
orientare si denumite subgraunti sau blocuri in mozaic.
Limitele de grăunţi sunt defecte de suprafata şi reprezintă
zonele de trecere dintre doi grăunţi vecini ai unui material
policristalin. Aceste zone au o structură determinată de
structura şi orientarea ambilor grăunţi.

Limite de subgrăunţi.

structura în mozaic a unui grăunte cristalin;

S-ar putea să vă placă și