Sunteți pe pagina 1din 69

LITOGRAFIA CA METOD DE

PROCESARE A
NANOMATERIALELOR
Fotolitografia
Caracteristicile electrice i explotaionale a dispozitivelor microelectronice sunt nemijlocit
legate de dimensiunea elementelor i poziionarea reciproc a lor pe suprafat. Fotolitografia
este un procedeu de baz i pn ce unical n localizarea cu precizie foarte nalt local a
prelucrarii micro i nano, utilizat pentru obinerea dimeniunilor necesare i a configuraiilor
elementelor n sistemele integrale mari (SIM).
Fotolitografia consta dintr-o combinaie de un ir de procese fizice, fotochimice i
chimice i se utilizeaz pentru formarea unei mati protecie pe suprafaa unei placi
semiconductore. Pentrui aceasta este utilizat un material sensibil la lumin fotorezist, care
posed rezisten la mediile agresive (acizi, baze alcaline). Stratul subire de fotorezist este
depus pe un suport semiconductor i se efectuiaz expunerea printr-o masc fotomasc,
care are sectoare transparente i netransparente pentru trecerea luminii prin ele,
determinnd topologia dispozitivului. Sub aciunea luminii in fotorezust au loc reacii
fotochimice, care n dependen de fotorezistorul utilizat duce la consolidarea sau slabirea
solvabilitaii in soluiile chimice determinate. Dup developare pe suprafaa suportului ramne
stratul protector de fotorezist, ce repet configuraia pozitiv sau negativ a fotomtii. Etapa
urmtoare este corodarea materialului suport a sectoarelor neprotectoare de fotorezist sau
depunerea altor materiale pe aceste sectoare. De exemplu, pe SiO
2
n timpul corodrii are
loc nlturarea stratului dielectric pe acele sectoare unde trebuie s fie formate structuri de
difuziune, iar utilizarea fotolitografiei asupra metalelor se formeaz sectoarelor de contact a
interconectrilor elementelor pasive.
Pentru efectuarea fotolitografiei se utilizeaz instalaii mecanice, opto-mecanice i
chimice, la care sunt impuse cerinte mai mari.
Etapele procesrii
fotolitografie
Litografia cu fascicol electronic
Se tie c fluxul de electroni are proprieti cuantice i ondulatorii. Deci a fluxului de
electroni este:,deprtarea dintre doi atomi n reeaua cristalin este
n calitate de rezist sensibil la fluxul de lectrini se folosete substana organic
polimer PMMA=polimetilmetacrilat (plexiglas-sticl organic).
De ex. avem o plachet pe care avem o PMMA i avem i o masc pe care cade un
flux de electroni, care au o anumit energie (de ex. 15KeV).
Sistem cu scanare

Fie o sticl de cuar. Pe aceast sticl se depune consecutiv un strat de titan (Ti) care are o
foarte bun adeziune pe sticl i n plus nu emite electroni prin fotoemisie. Prin oxidare
anodic pelicula de Ti se transform n TiO
2
. Dup aceasta cu ajutorul litografiei cu fascicol
electronic de scanare se formeaz desenul viitoarei mti (dimensiunile sunt submicronice).
Apoi pe suprafaa mtii se depune peste tot o pelicul de paladiu (Pd).
Aplicm un potenial i electroni sunt poziionai spre plachet iar unde cade fluxul
de electroni are loc i exponarea suprafeei peliculei de PMMA. n acelai fel se obine rapid o
masc. Deoarece sistemul este n vid alinierea nu se mai face ca pn acum. Nu se poate
pune microscop pt. a vedea semnele de pe placue, ca urmare se va face aliniere n regim
automat. Sticla este ptrat i n fiecare col este o gaur pe unde trece lumina. Gurile
fcute cu ajutorul laserului sunt i pe plachet. Alinierea va fi corect cnd lumina din sticl
trece perfect prin gaura din plachet. Acest rol este ndeplinit de un fotoreceptor,
Litografia cu raze x
Razele x caracteristice apar de ex. ntr-un atom de Cu:
Instalaia i principiul de lucru al litografiei cu raze x
Litografia cu fascicul de electroni
Procesarea cu fascicul de electroni a fost dezvoltata initial pentru gravarea fina a
plachetelor de semiconductoare precum si realizarea de gauri fine si suprafete texturate
pe diamant si alte pietre preioase. Electronul incident de inalta energie este capabil sa
penetreze suprafaa unui material supus prelucrarii prin reeaua structurii atomice,
deoarece diametrul sau efectiv este mai mic decat distana interatomica de 0,2 0,4 nm.
Electronii incideni penetreaza prin stratul superficial de la suprafa pana la o adancime
Rp, unde cei mai muli dintre ei sunt absorbii. Adancimea experimentala i teoretica de
penetrare este:
Rp=2,2x10
-12
V
2
/
unde V reprezinta tensiunea de accelerare (in voli), iar , este densitatea materialului
penetrat (g cm
-3
). De exemplu, adancimea de penetrare in oel pentru un electron avand
o energie de 50 keV este 7 nm, iar in aluminiu de 10 m.
Acest proces se bazeaza pe activarea materialelor electronic sensibile, cum ar fi
polimerii. Atomii din astfel de materiale sunt activa i de electronii care trec pe lnga
nucleu. Cu alte cuvinte, electronii inciden i activeaza atomii sensibili la ac iunea
electronilor, determinnd polimerizarea sau depolimerizarea de-a lungul traseului
strabatut de electroni. Procesul a fost utilizat pentru a se realiza rezolu ii de nalta
dimensiune n domeniu subnanometric, ntruct nu apare nici un fel de difuzie termica,
iar mprastierea este neglijabila. De aceea, un fascicul de electroni fin focalizat poate
produce o gravare cu o acurate e subnanometrica n procesarea atom cu atom bazata
pe activarea reactiva.
Procesarea cu fascicul ionic dirijat
O metoda fundamentala de procesare a materialelor care utilizeaza ioni este prelucrarea
cu imprastiere ionica. Echipamentul de baza pentru prelucrarea cu imprastiere ionica.
Mecanismul prelucrarii prin pulverizare/imprastiere const n ionii de gaz inert, cum ar fi
ionii de Ar accelerai in camp electric pana la o energie medie de 10 keV (corespunzand
unei viteze de 200 km s-1), sunt orientai unidirecional si proiectai asupra suprafeei
materialului de prelucrat sub un vid inalt (1,3 10
-4
Pa).
Spre deosebire de procesarea cu fascicul electronic, cei mai muli dintre ionii proiectai
interacioneaza cu atomii de la suprafaa materialului din cauza ca diametrul unui ion de Ar
(0,1 nm) este comparabil cu distana medie interatomica aflai la suprafaa si care este de
0,3 nm. Drept consecina, ionii proiectai se ciocnesc frecvent cu nucleele atomilor
materialului supus prelucrarii si expulzeaza sau imprastie atomii de la suprafaa. Astfel,
procesarea este realizata in principal prin indepartarea materialului atom cu atom;
aceast procedura este denumita gravare cu ioni difuza!i sau prelucrare cu ioni
mprastia!i.
Adancimea de patrundere a unui ion de Ar incident avand 10 keV este estimata la a fi
de caiva nanometri sau de circa 10 straturi atomice. Pe de alta parte, ionii cu energii mai
mari, de exemplu 100 keV, pot penetra mai departe prin reeaua atomica, devenind atomi
interstiiali sau substituionali in stratul superficial. Acest tip de proces de penetrare adanca
este utilizat pe scara larga pentru implantarea ionica, prin care impuritaile de dimensiune
atomica sunt injectate in procesul de prelucrare a plachetelor semiconductoare
Formarea cu fascicul de fotoni sau laser
Exista doua tipuri de procese n prelucrarea cu fascicul fotonic sau laser: termic si
chimic.
(a) Procesul termic
Procesul termic se manifesta ca topirea, vaporizarea sau transformarea structurilor de
material datorita energiei a fasciculului fotonic sau laser. n acest proces, densitatea de
putere a fasciculului este un factor important.










Fig. de mai sus reprezinta Fenomene de prelucrare la diferite niveluri de densitate de
putere a fasciculelor de
fotoni sau laser.
(b) Procesul chimic
Energia fotonului depinde de lungimea de
unda. Polimerii sunt alcatuiti din atomi de
carbon, hidrogen etc. Energiile legaturilor
C-C si H-H sunt 4,6 si respectiv 4,2 eV;
rezulta de aici ca fotonii cu energia mai mare
decat aceste niveluri pot rupe direct
legaturile atomice de C si H. Un fascicul
laser cu excimeri are capacitatea de a
actiona direct asupra legaturii moleculelor de
acest fel. Cand un fascicul laser cu excimeri
de intensitate mare este absorbit intr-un strat
subtire al unui material, moleculele sunt
dezintegrate in atomii constituenti sau
molecule cu masa moleculara mai mica.
Volumul se mareste si astfel constituenitii
sunt ejectai, formandu-se o cavitate; acest
proces este denumit ablatiune. Acest lucru
este relativ usor de indeplinit in polimeri si se
poate realiza, de asemenea, in metale, sticle
si ceramici prin utilizarea unei densitati de
putere mai mare.
Procesul de ablaiune datorita fasciculului de fotoni UV
de inalta densitate de putere (fascicule laser cu
excimeri).
Durata impulsului unui laser cu excimeri
este de ordinul a 10 ns, astfel ca
densitatea de putere este estimata la
10
6
W mm
-2
, pentru ablatiunea
polimerilor de catre fascicule laser cu
KrF sau XeC. Aceasta este o densitate
de putere de un ordin care se dovedeste
a fi prea mare pentru procesul termic
Condiii tehnologice n fabricaia semiconductorilor
Principala cerin care trebuie asigurat n
toate operaiile proceselor de fabricaie a
dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor
integrate este curenia. Un singur fir de praf
de dimensiuni micronice care se depune pe o
plachet poate face inutilizabil un cip
coninnd cteva milioane de tranzistori. De
aceea, ntregul proces de fabricaie se
efectueaz n spaii speciale denumite
"camere albe" n care condiiile de mediu i
de curenie sunt strict controlate.
Atmosfera are temperatur constant, umiditatea
este strict controlat, iar numrul de particule de
praf trebuie s fie ct mai mic. Gradul de "puritate"
(de curenie) a unei ncperi se definete prin
numrul de particule cu diametrul mai mare de 0,5
m existente ntr-un volum de 1 ft3 (1 ft =1 picior =
30 cm, rezult c l ft3 = 0,027m
3
= 27 litri).
Denumirea de "camer alb" se atribuie unei
ncperi dac clasa ei de puritate este mai mic de
1000. Atingerea acestei performane necesit un
echipament complex i costisitor. Acestea sunt
construite din perei cu proprieti speciale i
prevzute cu "duuri" de aer pentru accesul
personalului, realizate dup principiul ecluzelor.

Aerul dintr-o camer alb industrial trebuie complet
rennoit la fiecare 7 secunde, evitnd totodat orice
turbulen la nivelul zonelor de lucru. Cteva milioane de
m
3
de aer sunt vehiculate i filtrate n timp de o or ntr-o
hal n care au loc procese de producie din domeniul
semiconductorilor. Filtrele utilizate au dimensiunile
porilor de 0,2 m i se numesc filtre absolute.
Echipamentele de procesare care pot genera particule
sunt instalate n afara camerelor albe, operarea fcndu-
se prin deschideri etane practicate n pereii camerei.
Plachetele de siliciu sau mtile sunt manipulate i
transportate exclusiv sub hote cu flux laminar instalate n
interiorul camerelor albe. O astfel de hot are propriul ei
sistem de recirculare i filtrare a aerului, clasa de
desprfuire care poate fi atins fiind mai bun de 100.
Operatorii aflai n interiorul camerei albe folosesc
costume speciale antistatice cu mti
Antistatizarea
Electricitatea static reprezint un pericol
major pentru fabricaia de dispozitive
semiconductoare i circuite integrate datorit
efectelor directe (strpungerea dielectricilor,
deteriorarea jonciunilor, etc), ct i datorit
efectelor indirecte legate de reinerea
particulelor de praf, care pot fi eliberate apoi
n mod necontrolat.
Msuri de antistatizare la nivelul ncperilor
de lucru cum ar fi:

utilizarea de ionizatoare ale aerului i ale jeturilor
de azot;
acoperirea pereilor i mai ales a podelei cu
materiale antistatice;
purtarea de costume antistatice.
Pentru protecia antistatic a cipurilor se iau msuri
de protecie integrate (fiecare pad al cipului este
protejat) ct i la manipularea cipurilor (conectarea
la mas a minilor operatorului, ambalaje
antistatice, etc).
Tendine n evoluia tehnologiei electronice
Complexitatea din ce n ce mai mare a produselor
electronice din societatea contemporan determin
modaliti diferite de cele de pn acum n
realizarea produselor electronice.
n domeniul circuitelor integrate prin coborrea sub
bariera de un micrometru, cu tendine de obinerea
de rezoluii de zeci de nanometrii, a fcut posibil
obinerea de circuite complexe ce cuprind milioane
de tranzistoare i pori logice pe o singur pastil de
siliciu (cip).
Pe msura creterii complexitii sistemelor
integrate, testarea acestora devine din ce n ce mai
dificil. Proiectarea de circuite trebuie s in seama
de acest aspect, iar automatizarea testrii va juca
un rol important n creterea productivitii i a
calitii fabricaiei.
La stabilirea tehnologiilor proprii, roluri foarte
importante joac experiena i istoria tehnologic a
firmei n cauz, accesul la anumite echipamente i
materiale, destinaia circuitelor fabricate, precum i
concepia proprie legat de reducerea cheltuielilor
de fabricaie. Educaia tehnologic a factorilor
implicai n domeniul microelectronicii este esenial.
Pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare
sau a circuitelor integrate (CI.) se folosesc
plachetele de siliciu monocristalin sau plachete
epitaxiale. Pentru a realiza dispozitive
semiconductoare este necesar impurificarea
controlat (doparea) unor zone de pe suprafaa
cipurilor pe care se vor realiza jonciunile sau
componentele pasive de circuit. Dintre tehnicile de
dopare folosite n realizarea de dispozitive
electronice i circuite integrate cele mai folosite
sunt: difuzia i implantarea ionic. Tot n aceleai
scopuri, dar cu utilizare mai restrns, (la
impurificarea germaniului) se folosete tehnica
alierii.
Difuzia
Difuzia este un procedeu flexibil i bine controlat de
obinere a unei distribuii de impuriti n structura
materialului (dopare), n scopul obinerii jonciunilor
sau a altor structuri necesare n fabricarea
dispozitivelor semiconductoare. Difuzia corespunde
tendinei de mprtiere (dispersie) a particulelor,
atomilor sau moleculelor substanelor sub aciunea
unei energii de excitaie furnizat din exterior sub
form de cldur. La temperatura ambiant
fenomenul de difuzie este prezent numai n mediul
gazos, mai puin accentuat n mediu lichid i practic
inexistent n mediu solid. Pentru a obine o difuzie n
medii solide, respectiv n cristale semiconductoare,
trebuie ca materialul sa fie nclzit la temperaturi
ridicate (n jurul valorii de 1000C).
Difuzia n medii solide (cristale) este posibil numai dac atomii
difuzanti au un nivel de energie suficient de mare, pentru a putea
depi barierele energetice din cristal (spre exemplu barierele de
potenial atomic). De aceste bariere de potenial va depinde tipul de
mecanism de difuzie ce intervine. Sunt definite patru mecanisme de
difuzie principale:
mecanism lacunar, prin care atomul ce difuzeaz ocup lacuna (locul
vacant) lsat de un atom al reelei cristaline, care s-a deplasat la rndul
lui (prin autodifuzie);
mecanism interstiial, prin care atomii difuzanti se deplaseaz n spaiul
dintre atomii cristalului (spaiul interstiial); acest mecanism intervine
preponderentul cazul difuziei atomilor de dimensiuni mici (de exemplu,
la atomul de bor);
mecanism interstiial combinat cu mecanism lacunar, prin care atomul
difuzat ia locul unui atom al reelei, trimindu-l n spaiul interstiial;
pentru a realiza aceasta nlocuire, atomul difuzant trebuie sa aib un
nivel ridicat de energie;
mecanisme de grup, n care intervin mai muli atomi; acest mecanism
intervine n special n cazul difuziei atomilor de dimensiuni mari.
Modelul difuziei
Mecanismele difuziei pot fi modelate
matematic, dar ar necesita o putere de calcul
foarte mare pentru a simula difuzia unui
numr important de atomi. Este mult mai
simplu s se modeleze difuzia statistic, la
nivel macroscopic. O astfel de tratare se
realizeaz pe baza legilor difuziei.
Modelul difuziei impuritilor n structura
cristalin a materialului de baz
Coeficientul de difuzie
D=D(T, W
a
) - depinde de
temperatura T i de
energia de activare W
a
a
microdifuziei:
Difuzia impuritilor n SiO
2
este mult
mai lent dect n Si, fiind caracterizat
printr-un coeficient de difuzie mai mic cu
cteva ordine de mrime. Pe aceast
proprietate se bazeaz efectul de
ecranare al oxidului de siliciu, efect
folosit n tehnologia planar de realizare
de dispozitive semiconductoare i de
circuite integrate.
Notiuni generale privind ecranarea electromagnetica

La cuplajul parazit realizat prin radiaie, energia electromagnetic se transfer
de la sursa perturbatoare la victim att prin cmp electric, ct i prin cmp
magnetic care se propag n spaiu sub form de unde electromagnetice.
Metoda de protecie mpotriva cuplajului electromagnetic se numete ecranare
electric, ecranare magnetic, respectiv ecranare electromagnetic, n funcie
de natura cmpului perturbator;
Mijloacele de protecie utilizate se numesc ecrane electrice, ecrane magnetice
i ecrane (blindaje) electromagnetice.
Un ecran electromagnetic este o anvelop conductoare care separ spaiul n
dou regiuni, una care conine sursele de cmp electromagnetic i alta, care nu
conine astfel de surse.
Funcia ecranului este, deci, s izoleze cele dou regiuni, una fa de cealalt,
din punct de vedere al prezenei cmpului electromagnetic.
Pentru a-i ndeplini aceast funcie, rolul ecranului este de a oferi o aceeai
referin de potenial att pentru circuitele externe, ct i pentru circuitele
interne (din interiorul anvelopei).
Tehnologia difuziei
Impurificarea prin difuzie se realizeaz
prin aducerea la suprafaa materialului
semiconductor a impuritilor n faz
gazoas, lichid sau solid.
Difuzia din faz gazoas
n cazul difuziei din faza gazoas impuritile sunt
antrenate de un mediu gazos (gaz purttor).
Procesul de difuzie se realizeaz n reactoare de
difuzie, la temperaturi de 800-1300C.
La temperaturi mai joase, coeficientul de difuzie al
impuritilor este foarte mic, iar la temperaturi mai
mari se formeaz defecte n structur care
nrutesc calitatea straturilor difuzate. Atomii de
impuritate de tipul dorit sunt adui n stare gazoas
fiind transportai n reactor de ctre un gaz inert.
Reactor de difuzie
Atomii de impuritate se vor deplasa din zona de
concentraie ridicat, din mediul gazos n mediul de
concentraie mai sczut (materialul semiconductor),
proces favorizat de temperatura mediului, dup care vor
difuza n materialul semiconductor.
Dac la suprafaa Si se ajunge la un echilibru, ntr-un
interval de timp mai scurt dect durata difuziei, atunci se
poate considera c la suprafaa semiconductorului
concentraia N(x,t) este constant. Varianta tehnologic
a instalaiei de difuzie cu concentraia N(x,t) constant
se realizeaz prin difuzia n tub nchis. n acest caz,
plachetele din material semiconductor sunt nchise
mpreun cu sursa de impuriti n aceeai incint.
Aceast modalitate este flexibil, permind un numr
mare de difuzii diferite, dar nu este utilizabil la fabricarea
dispozitivelor pe scar mare.
Varianta care a cptat ns o extindere mai mare la
fabricarea structurilor cu siliciu este difuzia n tub
deschis. Principalul avantaj al acestei metode este
faptul c permite prelucrarea unor loturi de serie
mare i totodat permite mascarea cu oxizi pentru
controlul geometriei regiunilor difuzate. Exist mai
multe variante ale difuziei n tub deschis n funcie
de sursa de impuriti i de concentraiile acestora.
De obicei, este convenabil ca procesul de difuzie s
se efectueze n dou etape.
n prima etap impuritatea se depune la suprafaa
semiconductorului sau ntr-o scobitur a acestuia.
n etapa urmtoare se va face impurificarea
materialului la adncimea dorit.

Realizarea difuziei n dou etape se justific prin existena
temperaturilor ridicate, care Ia o difuzie adnc, ntr-o
atmosfer neoxidant, poate deteriora suprafaa plachetelor.
Dac atmosfera este oxidant se formeaz stratul de oxid
SiO
2
care mascheaz placheta fa de toate impuritile
uzuale (elemente din grupa a-III-a i a-V-a) cu excepia
galiului.
Deoarece, oxidarea are loc simultan cu depunerea materialului
de la surs, procesul de difuzie devine necontrolabil. La difuzia n
dou etape n prima faz se realizeaz o predifuzie
(predepunere) a impuritilor la temperaturi mai sczute, sub
nivelul de evaporare a suprafeei semiconductorului, ntr-o
atmosfer neoxidant.
Avantajele metodei de difuzie n faz gazoas constau n
simplitatea instalaiei i n posibilitatea de a regla cu precizie
parametrii de difuzie.
Difuzia din faz lichid
Difuzia din faz lichid are loc atunci cnd la suprafaa
materialului semiconductor se formeaz faza lichid a
materialului de impurificat.
Acest lucru se ntmpl atunci cnd presiunea parial a
materialului de difuzie este suficient de mare. Impuritile n
faz lichid interacioneaz la suprafa cu
semiconductorul formnd un aliaj sau un compus chimic.
O serie de elemente ca In, Al, Ga se pot depune pe
suprafaa Si prin evaporarea termic n vid i apoi, n
condiii prestabilite, elementele de impurificat difuzeaz n
placheta de material semiconductor. La atingerea
temperaturii de difuzie la suprafaa Si se formeaz un strat
de aliaj lichid.
Difuzia din faz solid
Difuzia din faz solid este ntlnit n cazul straturilor din
materiale semiconductoare diferit impurificate care se
gsesc n contact intim aflate n condiii de temperatur
ridicat. La o temperatur suficient de mare impuritile vor
difuza n regiunea apropiat, care iniial nu coninea
impuriti.
Surse solide sunt materiale de tipul sticlei, coninnd
substane dopante ca nitrura de bor sau sticla dopat cu
fosfor. Aceste surse se prezint sub forma de plachete
(discuri) i sunt introduse n cuptor printre plachetele de
siliciu ce urmeaz a fi dopate. Sticla dopat se evapor i
se depune pe plachete. Prin nclzirea la temperatura
nalt a plachetelor, n cuptor, materialele de impurificare
(dopanii) depui pe suprafa difuzeaz spre interiorul
substratului.
Tehnici de difuzie
n cazul siliciului principalele impuriti
acceptoare sunt: B, Ga, In, iar impuriti
donoare sunt: P, As, Sb. n comparaie cu
fosforul, arseniul i stibiul sunt difuzani
relativ leni. Constantele de difuzie i
solubilitile elementelor de impurificare
frecvent utilizate n practic sunt cunoscute i
se indic n funcie de temperatur.
Difuzia fosforului
Difuzia fosforului se efectueaz cel mai convenabil
printr-un procedeu n dou etape. Surse de
impurificare sunt compui ai fosforului, din care cele
mai convenabile sunt: fosforul rou, P
2
O
5
(oxid
fosforic), P
O
Cl
3
i PCl
3
.
Instalaia de difuzie const n cuptorul de difuzie
propriu-zis, funcionnd la temperaturi mari 1000-
1200C i cuptorul surs la care temperatura este
considerabil mai sczut, de ordinul a 200C pentru
P
2
O
5
.
Instalaia de difuzie pentru P
2
O
5

n prima parte a procesului de impurificare se
efectueaz o predifuzie. n acest caz, temperatura
crete monoton, de la elementele de nclzire ale
sursei pn la plachetele de siliciu, astfel nct
materialul evaporat de la surs s nu condenseze
pe pereii cuptorului. Transferul impuritilor de la
surs se realizeaz cu ajutorul unui gaz purttor
(azot sau argon), care trebuie s fie saturat cu
vaporii sursei de impurificat. Gazul traverseaz un
filtru cu vat de cuar, pentru a reine particulele
antrenate pe parcurs, dup care trece pe deasupra
plachetelor de siliciu i apoi prin orificiul de
evacuare. Cantitatea de fosfor ce se depune i
impurific pastilele de siliciu depinde de temperatur
(crete exponenial cu temperatura) i de timpul de
depunere.
Pentru materiale de impurificare n stare
lichid instalaia este asemntoare, n
cuptor se introduce un gaz inert saturat cu
vaporii lichidelor P
0
CI
3
sau PCl
3
care sunt
lichide cu temperatur de fierbere sczut.
Cantitatea de impuriti se modific prin:
ajustarea temperaturii sursei de impuriti i
prin reglarea debitului de gaz de la surs.
Dup predifuzie, difuzia necesar pentru a
obine adncimea dorit se efectueaz n
atmosfer oxidant. Drept atmosfer
oxidant se folosete: oxigenul uscat,
oxigenul umed, azotul umed i vapori de ap.
Cantitatea de oxid trebuie s fie corelat cu
efectele secundare ce pot apare n mediu
oxidant (deteriorarea suprafeei prin
evaporare, procese de oxidare).
Difuzia borului
Borul este materialul difuzant, frecvent utilizat
datorit solubilitii ridicate pe care o prezint, avnd
posibilitatea de a fi mascat uor de oxizi. Sursele de
impurificare sunt reprezentate de compui ai borului
n stare gazoas: oxidul de bor (B
2
O
3
), triclorura de
bor (BCI
3
) i triclorura de brom i bor (BBr
3
BCl
3
).
Aceti compui se livreaz n butelii speciale n care
gazele sunt lichefiate i sub presiune. Halogenurile
prezint tendina de a ataca suprafaa pastilelor de
siliciu (fenomenul de "ciupire"). Fenomenul este
pronunat n cazul BCl
3
. Efectul poate fi minimizat
prin adugarea n gazul purttor inert a unei mici
cantiti de oxigen i hidrogen (de ordinul 1%).
Instalaia care se utilizeaz pentru difuzia
borului este asemntoare cu cea folosit la
difuzia fosforului, cu deosebirea c n
regiunea sursei este necesar
o temperatur mult mai ridicat, de ordinul
800-900C. La utilizarea oxidului de bor
(B
2
O
3
) n stare solid se poate obine o gam
larg de concentraii, dar rezultatele nu sunt
ntotdeauna reproductibile.
Difuzia galiului
Difuzia galiului este deosebit de variantele anterioare, deoarece
se realizeaz ntr-o singur etap. Aceasta, deoarece galiul, la
temperatura de difuzie, penetreaz stratul de oxid de siliciu,
astfel c acesta ofer o ecranare redus fa de siliciu aflat
dedesubt.
Sursa de Ga este oxidul refractar de galiu Ga
2
O
1
. Instalaia
conine un cuptor cu dou zone, n care sursa de Ga este
meninut la o temperatur cuprins ntre 800C i temperatura
de difuzie. Peste surs se trece un curent gazos ce conine o
cantitate de hidrogen necesar pentru a reduce Ga
2
O
1
cu
formarea de elemente volatile. Reacia ce are loc are urmtoarea
form:


Presiunea elementelor volatile poate fi controlat prin raportul
presiunii hidrogenului fa de vaporii de ap. Prin aceast
variant se realizeaz difuzii uniforme i bine controlate.
Analiza straturilor difuzate
Dup obinerea straturilor difuzate, acestea
trebuiesc analizate din punct de vedere al
parametrilor fizico-chimici, n studiul straturilor
difuzate prezint interes urmtoarele caracteristici:
concentraia impuritilor la suprafa;
distribuia spaial a difuzantului pe direcia de
difuzie;
adncimea de ptrundere a jonciunilor p-n;
valoarea gradientului concentraiei impuritilor n
jonciunea p-n.


Determinarea caracteristicilor straturilor difuzate
a)Determinarea adncimii stratului difuzat
Metoda colorrii selective const n rodarea lateral
a plachetei cu zona difuzat la un unghi de 1...5
dup care se introducere n soluie de acid florhidric
sau de acid azotic cu un colorant (CuSO
4
- sulfat de
cupru). Dup meninere n soluie zona rodat se
coloreaz. Zona de tip p este mai ntunecat dect
materialul semiconductor de tip n (zona n nu i
modific culoarea). Lungimea l a zonei colorate se
poate msura optic (microscop) sau prin franjare de
interferen. Cunoscnd valoarea unghiului ,
rezult valoarea grosimii stratului difuzat x.
lefuirea sub unghi n metoda colorrii selective
Metoda tensiunii fotovoltaice
Metoda tensiunii fotovoltaice este o metod
modern, care d rezultate mai precise dect
metoda anterioar. Prin metoda tensiunii
fotovoltaice se pot determina adncimile de
impurificare (adncimea jonciunilor) cuprinse ntre
0,5-10 m cu o precizie mai bun de 2%. n acest
scop, jonciunea p-n cu strat difuzat se lefuiete
sub un unghi =1, iar regiunile p i n ale jonciunii
se conecteaz prin intermediul unui preamplificator
la intrarea unui voltmetru selectiv (nanovoli).
Jonciunea se deplaseaz cu ajutorul unui urub
micrometric n faa fascicolului de lumin cu
dimensiuni de ordinul 2-10 m.
Prin baleierea suprafeei lefuite de ctre
fascicolul de lumin modulat de la zona n
spre zona p semnalul de la voltmetru,
sincronizat cu sursa de lumin
L
va avea o
cretere apoi un palier. La atingerea zonei n
semnalul obinut va avea o scdere.
Adncimea de ptrundere x
j
a jonciunii
corespunde poziiei stabilit pe micrometru la
poziia n care semnalul ncepe s scad.
Rezistivitatea de suprafa sau rezistena de ptrat
Parametrul electric cel mai utilizat pentru
caracterizarea straturilor difuzate este
rezistena de ptrat. Pentru a defini aceast
mrime se va porni la calculul rezistenei unei
probe paralelipipedice cu dimensiunile Lxgxw
de siliciu uniform dopate. Dac se consider
pentru materialul dopat o rezistivitate p,
rezistena echivalent a probei
paralelipipedice este:
Mrimea R [] reprezint rezistena
de ptrat a stratului. Deoarece
rezistena de ptrat este rezistena
oricrui strat de form ptrat cu
grosimea g, unitatea de msur
frecvent folosit este ohm/ptrat
Rezistivitatea stratului difuzat
depinde de concentraia de purttori
de sarcin i deci ea variaz cu
adncimea. Rezistena de ptrat a
stratului difuzat R cu rezistivitatea
medie i adncimea x
j
se
determin cu relaia:
Localizarea zonelor dopate
Pentru selecia zonelor ce urmeaz a se
impurifica prin difuzie se utilizeaz mtile de
difuzie. Acestea sunt obinute prin procedee
litografice (fotolitografice, electronolitografice,
ionolitografice sau roentgenlitografice).
Tehnica litografic aplicat pentru realizarea
"ferestrei de difuzie" cuprinde urmtoarele
etape:
curarea i degresarea suprafeei plachetei;
depunerea neselectiv a stratului de protecie
(ngreuneaz difuzia la Si -SiO
2
, Si
3
N
4
;
depunerea stratului de rezist (fotorezist,
electrorezist, etc);
expunerea selectiv la lumin ultraviolet
(fotolitografie);
developarea;
corodarea stratului de protecie;
ndeprtarea rezistului (cu un solvent organic).
Dup crearea ferestrei de difuzie i introducerea n
reactorul de difuzie se obine o difuzie localizat de
ctre stratul din SiO
2
sau Si
3
N
4
.
Caracteristicile zonelor difuzate
Metoda difuziei este deosebit de flexibil n ceea ce privete
geometria zonelor difuzate, care se pot caracteriza prin
urmtoarele:
se pot obine jonciuni plane cu excepia zonelor de la marginile
ferestrelor deschise n oxid, unde forma este aproximativ
cilindric, pe suprafee mari
i cu geometrii diferite;
pot s apar erori de localizare datorit efectelor laterale erorile
de localizare se pot evita printr-o dimensionare "contractat";
n aceeai zon se pot realiza succesiv mai multe jonciuni;
Obinerea unei jonciuni.
Efectul difuziei laterale
Implantarea ionic
Implantarea ionic reprezint procesul de introducere a atomilor
de impuritate ntr-un material semiconductor de baz prin
bombardarea acestuia cu un fascicol nefocalizat de ioni cu
energie ridicat (de ordin keV...sute keV). Implantarea ionic nu
este un proces termic care de multe ori duce la efecte secundare
i din aceasta rezult o serie de avantaje. De asemenea, la
implantarea ionic concentraia de impuriti nu depinde de
materialul n care se face implantul, ci numai de caracteristicile
ionilor, de natura acestora i de energia aplicat. n tehnologia
planar, implantarea ionic poate fi folosit pentru introducerea
unei anumite cantiti de impuritate n semiconductor, fie pentru
a realiza un anumit profil al concentraiei. Operaia este folosit
pentru doparea plachetelor semiconductoare n timpul fabricrii
dispozitivelor electronice (crearea zonelor de surs i drena la
tranzistoarele MOS, a bazei i emitorului tranzistoarelor bipolare,
etc...).
Atomii dopani sunt de obicei: B, P, As, In,
etc... Pentru accelerarea atomilor ionizai se
folosesc energii cuprinse n gama 3 keV pn
la 500 keV. Adncimea medie de ptrundere
poate fi cuprins ntre 100 i 1 \xm, aceasta
depinznd de:
natura materialului n care se face
implantarea;
de natura ionilor dopani;
de energia de accelerare.
Tehnologia implantrii ionice
Instalaia de implantare ionic conine o
surs de ioni care sunt accelerai electrostatic
spre un separator magnetic dup care, printr-
un sistem de corecie i deflexie sunt dirijai
spre suprafaa intei.
n zona intei se afl materialul semiconductor a
crui geometrie de impurificat se ajusteaz prin
intermediul mtii de metal sau de stratul de oxid
care trebuie s fie suficient de gros pentru a opri
ionii. Procesul de implantare se realizeaz n vid. In
momentul ptrunderii ionilor n reeaua cristalin a
materialului aflat n int succesiunea proceselor
care au loc este urmtoarea:
ciocnirea ionilor cu nodurile reelei cristaline a
materialului prin care se produc defecte structurale
i perturbarea simetriei din vecintatea traiectoriei;
interaciunea cu electronii aflai pe traseu (cedare de
energie) fr a-i modifica traiectoria;
modificarea traiectoriei ionilor la ciocnirea cu
nucleele din nodurile reelei cristaline.
Modelul implantrii ionice
Distribuia spaial a ionilor implantai
depinde de muli parametri care uneori sunt
greu de controlat:
starea suprafeei intei;
temperatura intei;
doza de iradiere;
orientarea fascicolului de ioni n raport cu
cristalul.
Distana pe care o parcurge ionul n interiorul
materialului semiconductor (int) pn la
oprire poart denumirea de parcurs.
Parcursul total este format din mai multe
poriuni aproximativ liniare. Vectorul care
unete punctul de inciden cu punctul n
care se oprete ionul poart numele de
vector de parcurs R. Matematic valoarea
vectorului de parcurs R rezult prin
nsumarea traiectoriilor pariale:
Proiecia vectorului R pe direcia fascicolului incident
poart denumirea de vectorul parcursului nominal i
se noteaz cu RP. Distribuia spaial a atomilor de
impuriti poart numele de profil de frnare sau
profil de implantare.
Profilul de implantare poate fi mprit n trei regiuni:
regiunea din apropierea suprafeei intei (regiunea
I), zon care cuprinde particule care nu "simt" -
structura reelei cristaline i au o distribuie
asemntoare cu cea din materialele amorfe;
regiunea ce urmeaz (regiunea a-II-a) conine
particule care au suferit abateri de la traiectoria de
baz (particule decanalizate);
regiunea a-III-a cuprinde particule decanalizate
pn la momentul opriri lor n structur.
Problema important la implantarea ionic
const n calcularea sau determinarea
experimental a parametrului vector de
parcurs RP n funcie de energia de
accelerare a ionilor. Pentru calculul adncimii
maxim de ptrundere a particulelor
canalizate Rmax [pm] se folosete o relaie
utilizat la calculul jonciunilor realizate prin
implantare ionic:
La implantarea ionic prezint interes nu
numai parcursul ionilor, ci i distribuia
parcursurilor, adic abaterea parcursurilor de
la valoarea medie. Dac nu exist fore care
s dirijeze ionii n direcii prefereniale, atunci
se poate presupune o distribuie dup curba
de probabilitate dat de Gauss.
Particulariti ale implantrii ionice
Proprietile electrice ale straturilor dopate prin implantare sunt
determinate de poziia impuritilor n reeaua cristalin. Spre
deosebire de celelalte metode de impurificare, n care poziia
impuritilor este determinat de echilibrul termodinamic, la
implantarea ionic are loc un proces de neechilibru ntre atomii
aflai n nodurile reelei i cei aflai n interstiii. Dac dup
implantare se realizeaz un tratament termic la temperaturi din
ce n ce mai ridicate, atunci crete gradul de ocupare de ctre
impuriti a nodurilor reelei cristaline.
Defectele de structur care se obin pentru aceeai energie a
ionilor incideni crete odat cu masa ionilor.
Un parametru important care afecteaz distribuia i concentraia
defectelor este temperatura intei. Numrul defectelor scade n
anumite limite prin creterea temperaturii sursei.
Dintre caracteristicile straturilor implantate ionic se
pot meniona:
localizarea cu o bun rezoluie a zonelor dopate,
lucru ce permite obinerea unei densiti mari de
integrare;
adncimea de ptrundere a impuritilor implantate
este mai mic dect n cazul difuziei;
se reduc efectele secundare ce pot aprea la
procesele termice care nsoesc alte metode de
impurificare (difuzia, epitaxia, alierera);
profilul implantrilor realizate prezint un maxim
pronunat n zona central i fronturi rapid
cztoare.

Implantarea ionic se poate utiliza la:
realizarea unor dopri foarte reduse pentru
obinerea de rezistene cu valori nominale
mari din structura circuitelor integrate;
doparea unor straturi subiri (de ordinul 0,1
um) pentru tranzistoarele de nalt frecven.
Doparea semiconductorilor prin implantare
ionic este o tehnologie scump i complex,
motiv pentru care se utilizeaz numai n
aplicaii mai speciale.
Proprietile electrice ale straturilor
implantate sunt caracterizate cu ajutorul
urmtorilor parametri:
rezistivitatea de suprafa s (conductivitatea
de suprafa s);
concentraia purttorilor de sarcin de la
suprafa Ns;
mobilitatea efectiv
ef
a purttorilor de
sarcin,
distribuia concentraiei purttorilor de sarcin
i a mobilitii de
adncime {N(x) i (x)).
Obinerea jonciunilor
Adncimea de ptrundere xj a jonciunilor realizate
prin implantare ionic este determinat de o
multitudine de factori mai mult sau mai puin
controlabili. n practic pe baza experimentelor se
deduc relaii semiempirice, pe baza crora se pot
aprecia suficient de precis adncimile de ptrundere
n condiii date. Aceast tehnic permite controlul
precis al cantitii totale de atomi implantai (a dozei
de implantare) i a profilului concentraiei de dopant
ce se realizeaz n substrat. Acest grad ridicat de
precizie permite, spre exemplu, ajustarea fin a
ctigului unui tranzistor bipolar sau ajustarea
exact a tensiunii de prag a unui tranzistor MOS
(sau stabilirea tipului de tranzistor MOS cu
mbogire sau cu srcire).
Localizarea doprilor obinute prin implantare
ionic se poate face la fel ca n cazul difuziei,
dar grosimea mtii de oxid trebuie s fie
suficient de mare, pentru ca la energiile
uzuale ale ionilor incideni, aceasta s nu
poat fi traversat. Alt procedeu de localizare
const n utilizarea mtilor metalice care se
interpun pe traiectoria dintre fascicolul
incident i int.